Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Befestigen
eines Substrats an einem Substrathalter und auf eine Substrathalteeinrichtung,
die ein spannungsarmes Aufliegen des Substrats auf einem Substrathalter
ermöglichen.The
The present invention relates to a method of fastening
a substrate on a substrate holder and a substrate holding device,
a stress-relieved resting of the substrate on a substrate holder
enable.
Das
ideale Substrat weist in der Regel zwei parallele ebene Oberflächen auf.
Reale Substrate sind demgegenüber
meist verbogen bzw. gekrümmt bzw.
gewölbt.
Eine Wölbung
eines Halbleiterwafers wird beispielsweise bereits durch das Aufbringen
von Schichten auf einer Seite des Wafers hervorgerufen. Jede Abweichung
der zu bearbeitenden Oberfläche eines
Substrats von einer Ebene oder einer anderen Idealform ist jedoch
bei der Bearbeitung der Oberfläche
nachteilig. Sie hat beispielsweise bei einer Lithographie Abbildungsfehler
oder Unschärfen
zur Folge. Selbst wenn beispielsweise bei der Belichtung mit einem
Stepper die lokale Abweichung der zu belichtenden Oberfläche von
einer Ebene innerhalb eines relativ kleinen Belichtungsfensters
kompensiert oder vernachlässigt
werden kann, ist doch vor jedem Belichtungsschritt eine Justage
erforderlich.The
ideal substrate usually has two parallel planar surfaces.
Real substrates are in contrast
usually bent or curved or
arched.
A vault
a semiconductor wafer, for example, already by the application
caused by layers on one side of the wafer. Any deviation
the surface to be worked on
However, substrate of one level or another ideal shape is
when editing the surface
disadvantageous. It has, for example, in a lithography aberrations
or blurring
result. Even if, for example, in the exposure with a
Stepper the local deviation of the surface to be exposed from
a plane within a relatively small exposure window
compensated or neglected
can be, but before each exposure step is an adjustment
required.
Um
die beschriebenen Nachteile einer unebenen Substratoberfläche zu vermeiden,
werden herkömmliche
Substrathalter verwendet, mit denen an die Rückseite des Substrats ein Vakuum
bzw. Unterdruck angelegt wird. Durch die Druckdifferenz zwischen
Vorder- und Rückseite
wird die Rückseite
des Substrats an eine ebene Fläche
oder an eine Vielzahl von Stiften gepresst, deren als Auflagepunkte
dienende Enden in einer Ebene liegen. Damit der Unterdruck an die
Rückseite
des Substrats angelegt werden kann, weist der Substrathalter einen
als umlaufende Dichtfläche
ausgebildeten Rand auf, der in der gleichen Ebene liegt. Wenn die
Rückseite
des Substrats konvex ist, liegt der Rand des Substrats nicht auf der
Dichtfläche
auf. Entsprechend kann kein Unterdruck an die Rückseite des Substrats angelegt
werden.Around
to avoid the described disadvantages of an uneven substrate surface,
become conventional
Substrate holder used with which to the back of the substrate a vacuum
or negative pressure is applied. Due to the pressure difference between
Front and back side
will the back
of the substrate to a flat surface
or pressed to a variety of pens, whose as support points
serving ends lie in a plane. So that the negative pressure to the
back
of the substrate can be applied, the substrate holder has a
as a circumferential sealing surface
trained edge that lies in the same plane. If the
back
of the substrate is convex, the edge of the substrate is not on the
sealing surface
on. Accordingly, no negative pressure is applied to the back of the substrate
become.
Ein
weiteres Problem besteht darin, dass bei einem Substrat mit konkaver
Rückseite
zunächst
deren Rand an der Dichtfläche
des Substrathalters anliegt. Erst durch Wirkung des Unterdrucks
wird das Substrat ganzflächig
an den Substrathalter gepresst. Zwischen dem Rand des Substrats
und der Dichtfläche
tritt Haftreibung auf. Der Rand kann sich deshalb während des
Anlegens des Substrats an den Substrathalter nur eingeschränkt gegenüber der
Dichtfläche
verschieben. Das Substrat weist dann zwar eine ebene Form auf. Gleichzeitig
entstehen jedoch in der Regel starke und heterogene Spannungen im
Substrat. Dies ist insbesondere nachteilig, wenn die mechanischen
Spannungen und die resultierenden geometrischen Verformungen des
Substrats nicht während
der gesamten Strukturierung der Vorderseite des Substrats unverändert erhalten
bleiben.One
Another problem is that with a substrate with concave
back
first
its edge on the sealing surface
of the substrate holder is applied. Only by the effect of negative pressure
the substrate becomes full-surface
pressed against the substrate holder. Between the edge of the substrate
and the sealing surface
Stiction occurs. The edge can therefore be during the
Applying the substrate to the substrate holder only limited to the
sealing surface
move. The substrate then has a planar shape. simultaneously
However, strong and heterogeneous tensions usually arise in the
Substrate. This is particularly disadvantageous when the mechanical
Stresses and the resulting geometric deformations of the
Substrate not while
the entire structuring of the front side of the substrate unchanged
stay.
Ein
weiterer Nachteil herkömmlicher
Substrathalter besteht darin, dass nur eine einzige durch die Gestalt
des Substrathalters vorgegebene Form des Substrats eingestellt werden
kann. Eine andere erwünschte
Form bzw. Gestalt des Substrats und insbesondere seiner Vorderseite
kann nicht eingestellt werden.One
Another disadvantage of conventional
Substrate holder is that only a single by the shape
the substrate holder predetermined form of the substrate can be adjusted
can. Another desired
Shape of the substrate and in particular its front side
can not be set.
Im
Fall von Halbleitersubstraten werden die beschriebenen Probleme
dadurch verschärft,
dass in der Halbleiterfertigung zunehmend größere Substrate verwendet werden.
Aber auch bei (dünnen)
Substraten aus anderen Materialien ist die Problemstellung ähnlich.in the
Case of semiconductor substrates become the problems described
aggravated by
that increasingly larger substrates are used in semiconductor manufacturing.
But even with (thin)
Substrates made of other materials is similar to the problem.
Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren
zum Befestigen eines Substrats an einem Substrathalter und eine
Substrathalteeinrichtung zum Halten eines Substrats zu schaffen,
die ein spannungsarmes Aufliegen des Substrats an einem Substrathalter
ermöglichen.The
The object of the present invention is a method
for attaching a substrate to a substrate holder and a
To provide substrate holding means for holding a substrate
a stress-relieved resting of the substrate on a substrate holder
enable.
Diese
Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 und eine Substrathalteeinrichtung gemäß Anspruch
9 gelöst.These
The object is achieved by a method according to claim 1 and a substrate holding device according to claim
9 solved.
Bevorzugte
Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen definiert.preferred
Further developments of the present invention are defined in the dependent claims.
Die
vorliegende Erfindung beruht auf der Idee, in mehreren Teilbereichen
einer Rückseite
eines Substrats nacheinander verschiedene Fluiddrücke anzulegen.
Dadurch ist es beispielsweise möglich,
zunächst
in einem ersten Schritt das Substrat vollflächig an den Substrathalter
anzulegen, anschließend
in einem zweiten Schritt Spannungen innerhalb des Substrats abzubauen
bzw. zu relaxieren und schließlich
in einem dritten Schritt das Substrat dauerhaft fest und unverrückbar an
dem Substrathalter zu halten. Dazu wird beispielsweise im ersten Schritt
ein maximaler Unterdruck an die gesamte Unterseite des Substrats
angelegt. Im zweiten Schritt wird beispielsweise im Randbereich
des Substrats der Druck soweit verringert, dass der Rand des Substrats
sich gegenüber
dem Rand des Substrathalters verschieben kann und damit Spannungen
innerhalb des Substrats abgebaut werden können. Im dritten Schritt wird
dann wieder ein maximaler Unterdruck angelegt, um das Substrat mit
einer maximalen Haltekraft am Substrathalter zu halten.The
The present invention is based on the idea, in several sub-areas
a back
to apply different fluid pressures successively to one substrate.
This makes it possible, for example,
first
in a first step, the substrate over the entire surface of the substrate holder
create, then
in a second step, to reduce stresses within the substrate
or to relax and finally
in a third step, the substrate permanently fixed and immovable
to hold the substrate holder. This is done, for example, in the first step
a maximum negative pressure to the entire bottom of the substrate
created. In the second step, for example, in the border area
the substrate reduces the pressure to the extent that the edge of the substrate
opposite
can shift the edge of the substrate holder and thus stresses
can be degraded within the substrate. In the third step will be
then again a maximum negative pressure applied to the substrate with
to hold a maximum holding force on the substrate holder.
Gemäß einem
weiteren Beispiel wird ein Substrat zunächst in einem ersten Schritt
vollflächig an
einen Substrathalter angelegt und dann in einem zweiten Schritt
in eine erwünscht
Form gebracht. Dazu wird im ersten Schritt ein hoher oder maximaler Unterdruck
an die gesamte Rückseite
des Substrats angelegt, um sicherzustellen, dass insbesondere der Rand
des Substrats am Substrathalter anliegt und auf diese Weise einen
druckdichten Abschluss bildet. Im zweiten Schritt wird der hohe
Unterdruck nur noch im Randbereich des Substrats auf rechterhalten, während in
der Mitte des Substrats ein geringerer Unterdruck oder gar ein leichter Überdruck
angelegt wird, um dem Substrat eine erwünschte Form zu geben.According to another example, a substrate is first completely in a first step applied to a substrate holder and then brought into a desired shape in a second step. For this purpose, in the first step, a high or maximum negative pressure is applied to the entire back of the substrate to ensure that in particular the edge of the substrate rests against the substrate holder and thus forms a pressure-tight closure. In the second step, the high negative pressure is maintained only in the edge region of the substrate, while a lower negative pressure or even a slight overpressure is applied in the middle of the substrate in order to give the substrate a desired shape.
Gemäß einem
weiteren Beispiel wird im Falle eines Substrats mit einer konvexen
Rückseite
ein Unterdruck zunächst
in der Mitte des Substrats angelegt und dann in zunehmend weiter
außen
liegenden Teilbereichen, um die konvexe Rückseite des Substrats schrittweise
an den Substrathalter anzulegen.According to one
Another example is in the case of a substrate with a convex
back
a negative pressure first
created in the middle of the substrate and then in progressively
Outside
lying partial areas, around the convex back of the substrate gradually
to be applied to the substrate holder.
Ein
Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass gewölbte Substrate
spannungsarm an einem Substrathalter gehalten werden können. Ein
weiterer Vorteil besteht darin, dass die Form des Substrats unabhängig von
der Form des Substrathalters einstellbar ist. Ein weiterer Vorteil
besteht darin, dass auch Substrate mit konvexen Rückseiten
gehalten werden können.One
Advantage of the present invention is that curved substrates
low stress on a substrate holder can be kept. One
Another advantage is that the shape of the substrate is independent of
the shape of the substrate holder is adjustable. Another advantage
is that also substrates with convex backs
can be kept.
Bevorzugte
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend mit Bezug auf die
beiliegenden Figuren näher
erläutert.
Es zeigen:preferred
embodiments
The present invention will be described below with reference to FIGS
enclosed figures closer
explained.
Show it:
1 eine
schematische Draufsicht auf einen Substrathalter gemäß einem
ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung; 1 a schematic plan view of a substrate holder according to a first embodiment of the present invention;
2 eine
schematische Draufsicht auf einen Substrathalter gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung; 2 a schematic plan view of a substrate holder according to a second embodiment of the present invention;
3 eine schematische Schnittansicht eines
Substrats und eines Substrathalters gemäß der vorliegenden Erfindung;
und 3 a schematic sectional view of a substrate and a substrate holder according to the present invention; and
4 ein
schematisches Flussdiagramm eines Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung. 4 a schematic flow diagram of a method according to the present invention.
1 ist
eine schematische Draufsicht auf einen Substrathalter 10 zum
Halten eines Substrats, insbesondere eines Halbleiterwafers, während eines Fertigungsprozesses.
Der Substrathalter 10 weist eine kreisringförmige Dichtfläche 12 nahe
seinem Umfang auf. Innerhalb der durch die Dichtfläche 12 lateral
begrenzten Fläche
bzw. des durch die Dichtfläche 12 lateral
begrenzten Bereichs 14 ist eine Mehrzahl von Stiften 16 angeordnet,
die senkrecht zur Zeicheneben ausgerichtet sind. Die in der Darstellung
aus 1 oben liegenden Enden der Stifte 16 und
die Dichtfläche 12 liegen
in einer Ebene. Die Stifte 16 sind in einem zweidimensional
periodischen Raster oder auch unregelmäßig angeordnet, dabei jedoch
vorzugsweise gleichmäßig verteilt. 1 is a schematic plan view of a substrate holder 10 for holding a substrate, in particular a semiconductor wafer, during a manufacturing process. The substrate holder 10 has an annular sealing surface 12 near its perimeter. Inside the through the sealing surface 12 laterally limited surface or by the sealing surface 12 laterally limited area 14 is a plurality of pens 16 arranged, which are aligned perpendicular to the drawing plane. The in the presentation off 1 overhead ends of the pins 16 and the sealing surface 12 lie in a plane. The pencils 16 are arranged in a two-dimensional periodic grid or even irregularly, but preferably evenly distributed.
Ein
ideal ebenes Substrat oder ein Substrat liegt mit einer idealen
ebenen Oberfläche
bzw. Seite gleichzeitig auf der Dichtfläche 12 und auf allen
Stiften 16 auf. Die auf dem Substrathalter aufliegende Seite
des Substrats wird im Folgenden ohne Beschränkung der Allgemeinheit als
Rückseite
bezeichnet. Innerhalb des durch die Dichtfläche 12 umgrenzten
Bereichs 14 kann ein Unterdruck an die aufliegende Rückseite
des Substrats angelegt werden. Die Druckdifferenz zwischen Vorder- und Rückseite
des Substrats erzeugt eine Kraft, welche das Substrat auf den Substrathalter 10,
insbesondere auf die Dichtfläche 12 und
die Stifte 16 drückt.
Dadurch wird das Substrat an dem Substrathalter 10 gehalten.An ideally flat substrate or substrate lies on the sealing surface with an ideal flat surface or side at the same time 12 and on all pencils 16 on. The side of the substrate resting on the substrate holder is referred to below as the rear side without restriction of generality. Inside the through the sealing surface 12 bounded area 14 A negative pressure can be applied to the overlying back of the substrate. The pressure difference between the front and back of the substrate creates a force which forces the substrate onto the substrate holder 10 , in particular on the sealing surface 12 and the pins 16 suppressed. This will cause the substrate to attach to the substrate holder 10 held.
Innerhalb
des durch die Dichtfläche 12 umgrenzten
Bereichs 14 ist neben den Stiften 16 eine Mehrzahl
von Ansaugeinrichtungen 18 angeordnet. Jede Ansaugeinrichtung 18 besteht
beispielsweise aus einem senkrecht zur Zeichenebene angeordneten
Rohr, dessen oberer Rand zumindest näherungsweise in der selben
Ebene liegt, wie die Dichtfläche 12 und
die oberen Enden der Stifte 16. Jede Ansaugeinrichtung
ist entweder aus einem harten bzw. steifen Material oder aus einem
verglichen mit dem Material der Dichtfläche 12 und der Stifte 16 elastischen bzw.
flexiblen Material gebildet. Im ersten Fall liegt der obere Rand
jeder Ansaugeinrichtung 18 in der selben Ebene, wie die
Dichtfläche 12 und
die oberen Enden der Stifte 16. Im zweiten Fall können die
oberen Ränder
der Ansaugeinrichtungen 18 im unbelasteten Zustand auch
etwas über
diese Ebene hinausragen. Alle Ansaugeinrichtungen 18 sind
jeweils einzeln oder gruppenweise über Einstelleinrichtungen mit
einer oder mehreren Unterdruck- oder Vakuumpumpen verbunden. Durch
die Einstelleinrichtungen können
die an den Ansaugeinrichtungen 18 erzeugten Drücke einzeln
oder gruppenweise eingestellt werden.Inside the through the sealing surface 12 bounded area 14 is next to the pins 16 a plurality of suction devices 18 arranged. Each suction device 18 For example, it consists of a pipe arranged perpendicular to the plane of the drawing, whose upper edge lies at least approximately in the same plane as the sealing surface 12 and the upper ends of the pins 16 , Each suction device is either made of a hard material or of one compared to the material of the sealing surface 12 and the pins 16 elastic or flexible material formed. In the first case, the upper edge of each suction device lies 18 in the same plane as the sealing surface 12 and the upper ends of the pins 16 , In the second case, the upper edges of the suction devices 18 in the unloaded state also protrude slightly above this level. All suction devices 18 are each individually or in groups connected via adjustment with one or more vacuum or vacuum pumps. By adjusting the can at the suction devices 18 generated pressures are set individually or in groups.
Die
Funktion des anhand der 1 dargestellten Substrathalters
wird unten mit Bezug auf die 3 und 4 näher erläutert.The function of the basis of the 1 shown substrate holder is described below with reference to the 3 and 4 explained in more detail.
2 ist
eine schematische Draufsicht eines Substrathalters 10 gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Dieses Ausführungsbeispiel unterscheidet
sich von dem oben anhand der 1 dargestellten
ersten Ausführungsbeispiel
dadurch, dass keine Ansaugeinrichtungen 18 vorgesehen sind.
Stattdessen sind innerhalb des Bereichs 14 konzentrisch
zu der kreisringförmigen
ersten Dichtfläche 12 eine
zweite kreisringförmige
Dichtfläche 20,
eine dritte kreisringförmige
Dichtfläche 22 und
eine zentrale Auflagefläche 24 vorgesehen.
Die zweite Dichtfläche 20,
die dritte Dichtfläche 22 und
die zentrale Auflagefläche 24 liegen
in der selben Ebene, wie die erste Dichtfläche 12 und die oberen
Enden der Stifte 16. Die zweite und die dritte Dichtfläche 20, 22 unterteilen
den durch die erste Dichtfläche 12 umgrenzten
Bereich 14 in mehrere konzentrische kreisringförmige Teilbereiche 26, 28, 30. Ähnlich wie
die Ansaugeinrichtungen 18 und der Rest des durch die Dichtfläche 12 umgrenzten
Bereichs 14 in dem Ausführungsbeispiel
aus 1 sind hier die Teilbereiche 26, 28, 30 über jeweils
eine Einstelleinrichtung mit einer oder mehreren Unterdruck- oder
Vakuumpumpen verbunden. 2 is a schematic plan view of a substrate holder 10 according to a second embodiment of the present invention. This embodiment differs from the above based on the 1 illustrated first embodiment in that no suction 18 are provided. Instead, they are within the range 14 concentric with the annular first sealing surface 12 a second circular ring ge sealing surface 20 , a third annular sealing surface 22 and a central bearing surface 24 intended. The second sealing surface 20 , the third sealing surface 22 and the central bearing surface 24 lie in the same plane as the first sealing surface 12 and the upper ends of the pins 16 , The second and the third sealing surface 20 . 22 divide it by the first sealing surface 12 circumscribed area 14 in several concentric circular sections 26 . 28 . 30 , Similar to the suction devices 18 and the rest of the through the sealing surface 12 bounded area 14 in the embodiment 1 Here are the sections 26 . 28 . 30 connected via one adjustment with one or more vacuum or vacuum pumps.
Den
anhand der 1 und 2 dargestellten
Ausführungsbeispielen
ist gemein, dass an eine auf dem Substrathalter 10 aufliegende
Rückseite
eines Substrats in mehreren verschiedenen Teilbereichen 14, 18; 26, 28, 30 unterschiedliche
Drücke
angelegt werden können.
Wenn anstelle der Unterdruck- oder Vakuumpumpen oder zusätzlich zu
ihnen Überdruckquellen
vorgesehen sind, kann in jedem Teilbereich 14, 18; 26, 28, 30 anstelle
eines Unterdrucks auch ein Überdruck
angelegt werden. Die anhand der 1 und 2 dargestellten
Ausführungsbeispiele
unterscheiden sich nur durch die Anzahl und die laterale Form der
einzelnen Teilbereiche.The basis of the 1 and 2 illustrated embodiments in common is that on a on the substrate holder 10 lying back of a substrate in several different sub-areas 14 . 18 ; 26 . 28 . 30 different pressures can be applied. If instead of the vacuum or vacuum pumps or in addition to them overpressure sources are provided, can in each subarea 14 . 18 ; 26 . 28 . 30 instead of a negative pressure, an overpressure can also be applied. The basis of the 1 and 2 illustrated embodiments differ only by the number and the lateral shape of the individual sections.
Die 3A bis 3E sind
schematische Darstellungen von Querschnitten durch einen Substrathalter 10 und
ein Substrat 40 senkrecht zu den Zeichenebenen der 1 und 2.
Im Querschnitt sind jeweils die Dichtfläche 12 sowie Stifte 16 und/oder
die zweite oder dritte Dichtfläche 20, 22 bzw.
die Ansaugeinrichtungen 18 im Querschnitt erkennbar. Es
ist auch erkennbar, dass die Zwischenräume zwischen den Dichtflächen 12, 20, 22,
der zentralen Auflagefläche 24,
den Stiften und den Ansaugeinrichtungen 18 Ausnehmungen 32 in
dem Substrathalter 10 bzw. seiner davon abgesehen ebenen
Oberfläche
sind. Ferner ist erkennbar, dass die Dichtfläche 12 ein eingelegtes
elastisches Dichtelement 34 aufweisen kann. Dabei kommt
es in den 3A bis 3E nicht
primär
auf die Darstellung der genauen Querschnitte dieser Elemente an.
Illustriert werden soll vielmehr das Verfahren bzw. der Vorgang
des Auflegens und Befestigens des Substrats 40 auf dem
Substrathalter 10.The 3A to 3E are schematic representations of cross sections through a substrate holder 10 and a substrate 40 perpendicular to the drawing planes of the 1 and 2 , In cross-section are each the sealing surface 12 as well as pens 16 and / or the second or third sealing surface 20 . 22 or the suction devices 18 recognizable in cross section. It is also recognizable that the spaces between the sealing surfaces 12 . 20 . 22 , the central bearing surface 24 , the pins and the suction devices 18 recesses 32 in the substrate holder 10 or its flat surface otherwise than that. Furthermore, it can be seen that the sealing surface 12 an inserted elastic sealing element 34 can have. It comes in the 3A to 3E not primarily to the representation of the exact cross sections of these elements. Instead, it is intended to illustrate the process or the process of placing and fastening the substrate 40 on the substrate holder 10 ,
Stellvertretend
für weitere
Funktionselemente, die der Substrathalter 10 aufweisen
kann, sind sogenannte e-Pins 36 dargestellt. Diese sind
zunächst ausgefahren
(3A) und stehen gegenüber der durch die Dichtflächen 12 und
die oberen Enden der Stifte 16 definierten Ebene vor. Das
Substrat 40 wird auf den e-Pins 36 abgelegt. Beim
Einfahren der e-Pins 36 (3B) wird
das Substrat 40 auf den Substrathalter 10 aufgelegt.
Anstelle der e-Pins 36 können beliebige andere Einrichtungen
vorgesehen sein, die ein Auflegen des Substrats 40 auf
dem Substrathalter 10 ermöglichen oder erleichtern.Representing more functional elements, the substrate holder 10 may have so-called e-pins 36 shown. These are initially extended ( 3A ) and face the through the sealing surfaces 12 and the upper ends of the pins 16 defined level. The substrate 40 gets on the e-pins 36 stored. When retracting the e-pins 36 ( 3B ) becomes the substrate 40 on the substrate holder 10 hung up. Instead of the e-pins 36 Any other means may be provided which include placing the substrate 40 on the substrate holder 10 enable or facilitate.
In
den 3A bis 3E wird
von einem Substrat 40 ausgegangen, dessen dem Substrathalter 10 zugewandte
Seite konkav ist. Sobald der Rand 42 des Substrat 40 auf
der Dichtfläche 12 des
Substrathalters 10 aufliegt (3B) und
die e-Pins 36 ganz eingefahren sind (3C)
wird ein Unterdruck bzw. Vakuum zwischen dem Substrathalter 10 und dem
Substrat 40 angelegt. Durch die Druckdifferenz zwischen
Vorder- und Rückseite
des Substrats 40 wird dieses an den Substrathalter 10 gedrückt (3D)
bis es auf allen Stiften 16 vollständig aufliegt (3E).
Wenn das Substrat 40 auf allen Stiften 16 des
Substrathalters 10 aufliegt, ist seine Form zwangsläufig durch
die Form festgelegt, die durch die oberen Enden der Stifte 16 und
die Dichtfläche 12 vorgegeben
ist. Wenn, wie oben beschrieben, die Dichtfläche 12 und die oberen
Enden der Stifte 16 in einer Ebene liegen, resultiert somit
eine plane bzw. ebene Form des Substrats 40.In the 3A to 3E is from a substrate 40 assumed that the substrate holder 10 facing side is concave. As soon as the edge 42 of the substrate 40 on the sealing surface 12 of the substrate holder 10 rests on ( 3B ) and the e-pins 36 are completely retracted ( 3C ) becomes a vacuum between the substrate holder 10 and the substrate 40 created. Due to the pressure difference between the front and back of the substrate 40 this is attached to the substrate holder 10 pressed ( 3D ) until it is on all pins 16 completely rests ( 3E ). If the substrate 40 on all pens 16 of the substrate holder 10 rests, its shape is necessarily determined by the shape passing through the upper ends of the pins 16 and the sealing surface 12 is predetermined. If, as described above, the sealing surface 12 and the upper ends of the pins 16 lie in a plane, thus resulting in a planar or planar shape of the substrate 40 ,
Wie
oben anhand der 1 und 2 näher erläutert wurde,
weist der Substrathalter 10 mit den einzeln oder gruppenweise
steuerbaren Ansaugeinrichtungen 18 bzw. der Unterteilung
des durch die Dichtfläche 12 umgrenzten
Bereichs 14 in die Teilbereiche 26, 28, 30 die
Möglichkeit
auf, entsprechende Teilbereiche der Rückseite des Substrats 40 mit
unterschiedlichen bzw. unabhängig
voneinander eingestellten Unterdrücken oder auch Überdrücken zu
beaufschlagen.As above using the 1 and 2 has been explained in more detail, the substrate holder 10 with the individually or in groups controllable suction 18 or the subdivision of the through the sealing surface 12 bounded area 14 into the subareas 26 . 28 . 30 the possibility of having corresponding portions of the back of the substrate 40 to apply different or independently set negative pressures or overpressures.
Die
an verschiedenen Orten des Substrats 40 auf diesen wirkenden
Kräfte
sind in den 3C bis 3E durch
Pfeile 50, 52, 54, 56, 58 beispielhaft dargestellt.The in different places of the substrate 40 on these acting forces are in the 3C to 3E through arrows 50 . 52 . 54 . 56 . 58 exemplified.
In 3E sind
eine Lichtquelle 62 und ein Lichtdetektor 64 dargestellt,
welche in schematischer Weise eine Einrichtung zum Abtasten der
Oberseite des Substrats 40 repräsentieren. Durch diese Einrichtung
wird beispielsweise auf interferon metrischem Wege die Oberseite
des Substrats 40 abgetastet, um deren Abweichungen von
einer Ebene zu erfassen. Abweichend von den erfassten Abweichungen
kann dann an einzelnen Ansaugeinrichtungen 18 bzw. in einzelnen
Teilbereichen 26, 28, 30 der Druck an
der Rückseite
des Substrats 40 so verändert
werden, dass die Abweichungen verringert werden. Diese Regelung
der Planlage der Oberseite des Substrats 40 ist besonders
dann möglich,
wenn die Stifte 16 sowie alle weiteren Einrichtungen, auf
denen das Substrat 40 aufliegt, eine geringe Mindestelastizität aufweisen.In 3E are a source of light 62 and a light detector 64 schematically illustrating means for scanning the top of the substrate 40 represent. By this means, for example, the interferon metric way the top of the substrate 40 sampled to detect their deviations from a plane. Deviating from the detected deviations can then at individual suction 18 or in individual subareas 26 . 28 . 30 the pressure on the back of the substrate 40 be changed so that the deviations are reduced. This regulation of the flatness of the top of the substrate 40 is especially possible when the pins 16 as well as all other facilities on which the substrate 40 rests, have a low minimum elasticity.
In 3E sind
in schematischer Weise Einrichtungen 66, 68 dargestellt,
mit denen unabhängig voneinander
verschiedene Drücke
an verschiedene Teilbereiche der Rückseite des Substrats 40 angelegt werden
können.
Dazu ist jede der Einrichtungen 66, 68 durch einen
Fluidkanal mit einer oder mehreren Ausnehmungen 32 und
damit mit einer oder mehreren Ansaugeinrichtungen 18 oder
dem Rest des durch die Dichtfläche 12 umgrenzten
Bereichs 14 bzw. mit einem der Teilbereich 26, 28, 30 des
Ausführungsbeispiels
aus 2 verbunden. In der Darstellung in 3E umfasst
jede der Einrichtungen 66, 68 eine Vakuum- bzw.
Unterdruckpumpe P und ein Ventil V. Alternativ umfasst eine Einrichtung
eine andere Quelle für
Unter- und/oder Überdruck,
beispielsweise ein hinsichtlich Drehzahl- und/oder Förderrichtung steuerbares Gebläse, oder
Verbindungseinrichtungen zu einer oder mehreren Unterdruck- und/oder Überdruck-Quellen,
die wiederum jeweils mit mehreren Einrichtungen 66, 68 verbunden
sein können.In 3E are schematically facilities 66 . 68 represented, with which independently mutually different pressures to different portions of the back of the substrate 40 can be created. This is each of the facilities 66 . 68 by a fluid channel having one or more recesses 32 and thus with one or more suction devices 18 or the rest of the through the sealing surface 12 bounded area 14 or with one of the subarea 26 . 28 . 30 of the embodiment 2 connected. In the illustration in 3E includes each of the facilities 66 . 68 a vacuum or vacuum pump P and a valve V. Alternatively, a device comprises another source for underpressure and / or overpressure, for example, a controllable in terms of speed and / or flow direction blower, or connecting means to one or more vacuum and / or Overpressure sources, in turn, each with multiple facilities 66 . 68 can be connected.
Die
Einrichtungen 66, 68 können mit einer Einstelleinrichtung 70 zum
Einstellen der durch die Einrichtung 66, 68 zu
erzeugenden Drücke
verbunden sein. Die Einstelleinrichtung 70 ist ihrerseits
vorzugsweise mit der Einrichtung 62, 64 zum Abtasten der
Vorderseite des Substrats 40 verbunden, um die Drücke abhängig von
einer Abweichung der Vorderseite des Substrats 40 von einer
Soll-Form einzustellen. Je größer die
Elastizität
der Dichtflächen 12, 20, 22,
der zentralen Auflagefläche 24 und
der Stifte ist, desto größer ist
auch der Spielraum, innerhalb dessen die Form des Substrats einer
Soll-Form angepasst werden kann.The facilities 66 . 68 can with an adjustment 70 for adjusting by the device 66 . 68 connected to be generated pressures. The adjustment device 70 is in turn preferably with the device 62 . 64 for scanning the front of the substrate 40 connected to the pressures depending on a deviation of the front of the substrate 40 to set from a target shape. The greater the elasticity of the sealing surfaces 12 . 20 . 22 , the central bearing surface 24 and the pins, the greater is the margin within which the shape of the substrate can be adjusted to a desired shape.
Bei
der in den 3A bis 3E dargestellten
konkaven Rückseiten
des Substrats 40 tritt das bereits in der Einleitung beschriebene
Problem auf, dass der Rand 42 des Substrats 40 frühzeitig
auf der Dichtfläche 12 des
Substrathalters 10 aufliegt (3B). Beim
nachfolgenden vollständigen
Anlegen des Substrats 40 an den Substrathalter 10 (3C bis 3E)
kann sich der Rand 42 des Substrats 40 gegenüber der
Dichtfläche 12 aufgrund
der mechanischen Reibung zwischen denselben, insbesondere aufgrund
der Haftreibung, nicht mehr frei bewegen. Dadurch entstehen innerhalb
des Substrats mechanische Spannungen und laterale geometrische Verzerrungen.In the in the 3A to 3E shown concave backs of the substrate 40 occurs the problem already described in the introduction that the edge 42 of the substrate 40 early on the sealing surface 12 of the substrate holder 10 rests on ( 3B ). Upon subsequent complete application of the substrate 40 to the substrate holder 10 ( 3C to 3E ) may be the edge 42 of the substrate 40 opposite the sealing surface 12 due to the mechanical friction between them, especially due to the static friction, no longer move freely. This creates mechanical stresses and lateral geometric distortions within the substrate.
Die
geometrischen Verzerrungen können sich
mit der Zeit ändern,
wenn sich die Spannungen (teilweise) abbauen, was in der Regel zufällig und
unvorhersehbar sowie sprungweise geschieht. Beim Wechsel des Substrats 40 von
einem Substrathalter auf einen anderen Substrathalter entstehen
in der Regel andere mechanische Spannungen und andere geometrische
Verzerrungen. Die geometrischen Verzerrungen und ihre Änderungen
erzeugen bei der Prozessierung der Vorderseite des Substrats 40 Probleme,
weil der geometrische Bezug von Strukturen, die zu verschiedenen
Zeitpunkten an oder auf der Vorderseite des Substrats 40 erzeugt
werden, verloren geht.The geometric distortions may change over time as tensions (partially) degrade, which is usually random, unpredictable, and erratic. When changing the substrate 40 From one substrate holder to another substrate holder usually arise other mechanical stresses and other geometric distortions. The geometric distortions and their changes generate during processing of the front side of the substrate 40 Problems because of the geometric reference of structures at different times on or on the front of the substrate 40 are lost, lost.
Mechanische
Spannungen und geometrische Verzerrungen können gemäß der vorliegenden Erfindung
wirksam reduziert oder sogar vermieden werden. Dazu wird während des
Anlegens des Substrats 40 an den Substrathalter 10 (3D)
im Randbereich ein geringerer Unterdruck oder auch ein leichter Überdruck
angelegt, während
im mittleren Bereich des Substrats 40 ein stärkerer Unterdruck
an dessen Rückseite
angelegt wird. Es resultieren im mittleren Bereich Kräfte 52,
welche das Substrat 40 zu dem Substrathalter 10 hinziehen.
Im Randbereich des Substrats 40 wirken demgegenüber geringere Kräfte oder
sogar den Rand 42 von dem Substrathalter 10 abstoßende Kräfte 54,
wobei die Gesamtkraft auf das Substrat 40 zum Substrathalter 10 hingerichtet
ist. Dadurch wird die Reibung zwischen dem Rand 42 des
Substrats 40 und der Dichtfläche 12 des Substrathalters 10 reduziert
oder sogar aufgehoben. Der Rand 42 des Substrats 40 kann
sich deshalb während
des Anlegens des Substrats 40 an den Substrathalter 10 gegenüber der
Dichtfläche 12 nach
außen
verschieben. Dadurch wird die Entstehung von mechanischen Spannungen
und geometrischen Verzerrungen innerhalb des Substrats 40 deutlich
reduziert.Mechanical stresses and geometric distortions can be effectively reduced or even avoided according to the present invention. This is done while applying the substrate 40 to the substrate holder 10 ( 3D ) in the edge region a lower negative pressure or a slight overpressure applied, while in the central region of the substrate 40 a stronger negative pressure is applied to its back. This results in forces in the middle range 52 which is the substrate 40 to the substrate holder 10 drag. In the edge area of the substrate 40 In contrast, lower forces or even the edge act 42 from the substrate holder 10 repulsive forces 54 , where the total force on the substrate 40 to the substrate holder 10 executed. This will reduce the friction between the edge 42 of the substrate 40 and the sealing surface 12 of the substrate holder 10 reduced or even canceled. The edge 42 of the substrate 40 can therefore be during the application of the substrate 40 to the substrate holder 10 opposite the sealing surface 12 move to the outside. This will cause the formation of mechanical stresses and geometric distortions within the substrate 40 significantly reduced.
Wenn
das Substrat 40 vollständig
am Substrathalter 10 anliegt (3E), wird
vorzugsweise an alle Ansaugeinrichtungen 18 bzw. an alle
Teilbereiche 26, 28, 30 ein großer oder
maximaler Unterdruck angelegt, um eine Befestigung des Substrats 40 an dem
Substrathalter 10 mit einer maximalen Haltekraft zu gewährleisten.
Alternativ wird, wie durch die Pfeile 56, 58 in 3E angedeutet,
die Auflagekraft zwischen dem Substrat 40 und dem Substrathalter 10 in der
Mitte des Substrats 40 noch einmal vorrübergehend verringert (Pfeile 56),
wobei gleichzeitig der Rand 42 des Substrats 40 durch
einen erhöhten
Unterdruck und eine erhöhte
Haltekraft (Pfeile 58) am Substrathalter 10 gehalten
wird. Durch diese vorübergehende
Verringerung der Auflagekraft zwischen dem Substrat 40 und
dem Substrathalter 10 in der Mitte des Substrats 40 verringert
sich dort die Reibung zwischen dem Substrat 40 und dem
Substrathalter 10, so dass auch dort mechanische Spannungen
und geometrische Verzerrungen abgebaut werden.If the substrate 40 completely on the substrate holder 10 is present ( 3E ), is preferably to all suction devices 18 or to all subareas 26 . 28 . 30 a large or maximum negative pressure applied to a mounting of the substrate 40 on the substrate holder 10 to ensure with a maximum holding power. Alternatively, as indicated by the arrows 56 . 58 in 3E indicated, the contact force between the substrate 40 and the substrate holder 10 in the middle of the substrate 40 once again temporarily reduced (arrows 56 ), where at the same time the edge 42 of the substrate 40 by an increased negative pressure and an increased holding force (arrows 58 ) on the substrate holder 10 is held. By this temporary reduction of the contact force between the substrate 40 and the substrate holder 10 in the middle of the substrate 40 there reduces the friction between the substrate 40 and the substrate holder 10 so that even there mechanical stresses and geometric distortions are reduced.
Die
beschriebenen lokalen Variationen des Unterdruck oder Überdrucks
an der Rückseite
des Substrats 40 können
mehrfach in gleicher oder variierender Weise wiederholt werden,
um einen möglichst
vollständigen
Abbau von mechanischen Spannungen und geometrischen Verzerrungen
innerhalb des Substrats 40 zu gewährleisten. Bei einer entsprechenden
Anzahl von Ansaugeinrichtungen 18 bzw. Dichtflächen 20, 22 und
Teilbereichen 26, 28, 30 ist es beispielsweise
möglich
und vorteilhaft Zonen verringerter Auflagekraft mehrfach konzentrisch
von der Mitte des Substrats 40 zu dessen Rand 42 oder
auch in der Form einer ebenen Wellenfront über das Substrat 40 wandern
zu lassen, um das Substrat 40 zu entspannen.The described local variations of negative pressure or overpressure on the back side of the substrate 40 can be repeated several times in the same or varying ways to minimize as much as possible the degradation of mechanical stresses and geometric distortions within the substrate 40 to ensure. With a corresponding number of suction devices 18 or sealing surfaces 20 . 22 and subareas 26 . 28 . 30 is For example, it is possible and advantageous zones of reduced contact force multiple concentric from the center of the substrate 40 to its edge 42 or also in the form of a plane wavefront over the substrate 40 let it migrate to the substrate 40 to relax.
Ein
weiteres Beispiel für
eine vorteilhafte Anwendung der vorliegenden Erfindung ist gegeben, wenn
das Substrat 40 so gewölbt
ist, dass die dem Substrathalter 10 zugewandte Rückseite
konvex ist. Der Rand 42 des Substrats 40 liegt
dann zunächst nicht
auf der Dichtfläche 12 auf.
Deshalb kann bei einem herkömmlichen
Substrathalter das Problem auftreten, dass zwischen dem Substrat
und dem Substrathalter kein Unterdruck erzeugt werden kann und das
Substrat folglich durch den Substrathalter nicht gehalten wird.Another example of an advantageous application of the present invention is given when the substrate 40 so arched is that the substrate holder 10 facing back is convex. The edge 42 of the substrate 40 is then not initially on the sealing surface 12 on. Therefore, in a conventional substrate holder, the problem may arise that no negative pressure can be generated between the substrate and the substrate holder, and thus the substrate is not held by the substrate holder.
Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird in diesem Fall zunächst an der Stelle, an der
das Substrat auf dem Substrathalter 10 aufliegt beispielsweise
in der Mitte, Unterdruck an die Rückseite des Substrats 40 angelegt
wird, beispielsweise über
Ansaugeinrichtungen 18 in der Mitte des Substrathalters 10 oder
in dem durch die dritte Dichtfläche 22 umgrenzten
Teilbereich 26. Von dort ausgehend wird nacheinander in
immer weiter außen
liegenden Teilbereichen 28, 30 bzw. über benachbarte
Ansaugeinrichtungen 18 Unterdruck an die Rückseite
des Substrats 40 angelegt. Das Substrat 40 wird
dadurch von der Mitte nach außen
an den Substrathalter 10 angelegt. Wenn schließlich das
gesamte Substrat 40 bis zu seinem Rand 42 am Substrathalter 10 anliegt,
können gegebenenfalls
auch noch, wie oben beschrieben, Spannungen innerhalb des Substrats 40 abgebaut werden.According to the present invention, in this case, first at the location where the substrate is on the substrate holder 10 rests for example in the middle, negative pressure to the back of the substrate 40 is created, for example via suction 18 in the middle of the substrate holder 10 or in the third sealing surface 22 bounded subarea 26 , From there, one after the other, one after the other, one after the other in more and more outer subareas 28 . 30 or via adjacent suction devices 18 Negative pressure to the back of the substrate 40 created. The substrate 40 is thereby transmitted from the center out to the substrate holder 10 created. When finally the entire substrate 40 until its edge 42 on the substrate holder 10 If necessary, voltages may also be present within the substrate, as described above 40 be reduced.
Die
vorliegende Erfindung ist für
alle Arten von Substraten verwendbar, insbesondere für Halbleiterwafer,
Glas-, Keramik- und
andere kristalline oder amorphe Substrate. Die laterale Form des
Substrats 40 und die entsprechende laterale Form des Substrathalters 10 sind
dabei beliebig, beispielsweise kreisförmig, ellipsoid oder rechteckig.The present invention is applicable to all types of substrates, especially semiconductor wafers, glass, ceramic and other crystalline or amorphous substrates. The lateral shape of the substrate 40 and the corresponding lateral shape of the substrate holder 10 are arbitrary, for example, circular, ellipsoidal or rectangular.
Abweichend
von den oben dargestellten Ausführungsbeispielen
kann auch die in erster Linie durch die Dichtflächen 12, 20, 22,
die zentrale Auflagefläche 24 und
die oberen Enden der Stifte definierte Soll-Form des Substrats beliebig
sein, beispielsweise sphärisch,
rotations-paraboloid oder rotations-hypoboloid. Anstelle der Stifte 16 sind
beliebige punkt- oder linienförmige
oder flächige
Auflageelemente verwendbar. Auch die laterale Gestalt der in dem
ersten Ausführungsbeispiel
dargestellten Ansaugeinrichtungen 18 und insbesondere deren
obere Ränder
sind beliebig. Anstelle der im zweiten Ausführungsbeispiel vorgesehenen
zentralen Auflagefläche 24 ist
alternativ eine zentrale Ansaugeinrichtung vorgesehen. Als Medium
zwischen dem Substrat 40 und dem Substrathalter 10 kommen
neben Luft beliebige andere Fluide, insbesondere inerte und andere
Gase oder auch Flüssigkeiten
in Frage.Notwithstanding the embodiments shown above, the first through the sealing surfaces 12 . 20 . 22 , the central bearing surface 24 and the upper ends of the pins defined desired shape of the substrate may be arbitrary, for example, spherical, rotational paraboloid or rotational hypoboloid. Instead of the pins 16 Any point or line or flat bearing elements are used. Also, the lateral shape of the suction devices shown in the first embodiment 18 and in particular their upper edges are arbitrary. Instead of the provided in the second embodiment central bearing surface 24 Alternatively, a central suction device is provided. As a medium between the substrate 40 and the substrate holder 10 In addition to air any other fluids, in particular inert and other gases or liquids in question.
Die
vorliegende Erfindung wird durch eine Substrathalteeinrichtung mit
einem der oben anhand der 1 bis 3 dargestellten Substrathalter und Einrichtungen
zum Anlegen von Fluiddrücken
an verschiedene Teilbereiche der Rückseite eines Substrats 40 realisiert,
wobei die Einrichtungen Pumpen oder andere Quellen von Unter- und/oder Überdrück und vorzugsweise
Ventile und Drucksensoren zum Steuern oder Regeln der Drücke umfassen.
Ferner wird die vorliegende Erfindung durch ein Verfahren zum Befestigen
eines Substrats an einem Substrathalter realisiert, wie es ebenfalls
bereits oben anhand der 3A bis 3E dargestellt
wurde.The present invention is achieved by a substrate holding device with one of the above with reference to 1 to 3 illustrated substrate holder and means for applying fluid pressures to different portions of the back of a substrate 40 The devices include pumps or other sources of underpressure and / or overpressure, and preferably valves and pressure sensors for controlling or regulating the pressures. Furthermore, the present invention is realized by a method for attaching a substrate to a substrate holder, as already described above with reference to FIGS 3A to 3E was presented.
4 ist
ein schematisches Flussdiagramm, das die Schritte eines Verfahrens
gemäß der vorliegenden
Erfindung darstellt. In einem ersten Schritt 72 wird eine
erste Seite bzw. Rückseite
eines Substrats 40 auf einen Substrathalter 10 aufgelegt.
In einem zweiten Schritt 74 wird ein erster Fluiddruck
an einen ersten Teilbereich 18; 26, 28, 30 der
ersten Seite des Substrats 40 angelegt. In einem dritten
Schritt 76 wird ein zweiter Fluiddruck in einem zweiten
Teilbereich 18; 26, 28, 30 an
die erste Seite des Substrats 40 angelegt. In einem vierten
Schritt 78 wird der erste Fluiddruck und/oder der zweite
Fluiddruck verändert,
um beispielsweise Spannungen innerhalb des Substrats 40 abzubauen.
In einem fünften
Schritt 80 wird eine zweite Seite bzw. Oberseite des Substrats 40 abgetastet,
um deren Abweichung von einer vorbestimmten Soll-Form zu erfassen. Diese Abtastung erfolgt vorzugsweise
optisch und besonders bevorzugt interferometrisch. In einem sechsten
Schritt 82 wird abhängig
von der Abweichung der zweiten Seite des Substrats 40 von
der vorbestimmten Soll-Form
der erste Fluiddruck und/oder der zweite Fluiddruck so eingestellt,
dass diese Abweichung verringert wird. 4 Fig. 10 is a schematic flow diagram illustrating the steps of a method according to the present invention. In a first step 72 becomes a first side or back side of a substrate 40 on a substrate holder 10 hung up. In a second step 74 a first fluid pressure is applied to a first portion 18 ; 26 . 28 . 30 the first side of the substrate 40 created. In a third step 76 becomes a second fluid pressure in a second portion 18 ; 26 . 28 . 30 to the first side of the substrate 40 created. In a fourth step 78 For example, the first fluid pressure and / or the second fluid pressure is changed to, for example, voltages within the substrate 40 dismantle. In a fifth step 80 becomes a second side or top of the substrate 40 sampled to detect their deviation from a predetermined target shape. This scanning is preferably carried out optically and more preferably interferometrically. In a sixth step 82 becomes dependent on the deviation of the second side of the substrate 40 of the predetermined desired shape, the first fluid pressure and / or the second fluid pressure adjusted so that this deviation is reduced.
-
1010
-
Substrathaltersubstrate holder
-
1212
-
Dichtflächesealing surface
-
1414
-
umgrenzter
Bereichcircumscribed
Area
-
1616
-
Stiftpen
-
1818
-
Ansaugeinrichtungsuction
-
2020
-
zweite
Dichtflächesecond
sealing surface
-
2222
-
dritte
Dichtflächethird
sealing surface
-
2424
-
zentrale
Auflageflächecentral
bearing surface
-
2626
-
Teilbereichsubregion
-
2828
-
Teilbereichsubregion
-
3030
-
Teilbereichsubregion
-
3232
-
Ausnehmungrecess
-
3434
-
Dichtelementsealing element
-
3636
-
e-Pinse-Pins
-
4040
-
Substratsubstratum
-
4242
-
Randedge
-
5050
-
Kraft
(Pfeil)force
(Arrow)
-
5252
-
Kraft
(Pfeil)force
(Arrow)
-
5454
-
Kraft
(Pfeil)force
(Arrow)
-
5656
-
Kraft
(Pfeil)force
(Arrow)
-
5858
-
Kraft
(Pfeil)force
(Arrow)
-
6262
-
Lichtquellelight source
-
6464
-
Lichtdetektorlight detector
-
6666
-
EinrichtungFacility
-
6868
-
EinrichtungFacility
-
7070
-
Einstelleinrichtungadjustment
-
7272
-
erster
Schrittfirst
step
-
7474
-
zweiter
Schrittsecond
step
-
7676
-
dritter
Schrittthird
step
-
7878
-
vierter
Schrittfourth
step
-
8080
-
fünfter Schrittfifth step
-
8282
-
sechster
Schrittsixth
step
-
PP
-
Vakuum-
bzw. UnterdruckpumpeVacuum-
or vacuum pump
-
VV
-
VentilValve