Die
vorliegende Erfindung beansprucht die Priorität der am 04. November 2003
eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr. 2003-0077781 und
der am 26. April 2004 eingereichten U.S.S.N. 10/831,175, deren Inhalt
hiermit durch Bezug in seiner Vollständigkeit aufgenommen wird.The
The present invention claims priority on November 4, 2003
filed Korean Patent Application No. 2003-0077781 and
U.S.S.N. 10 / 831,175, their content
hereby incorporated by reference in its entirety.
HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION
Gebiet der ErfindungField of the invention
Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren
zum Trocknen von Halbleitersubstraten und insbesondere eine Vorrichtung und
ein Verfahren zum Trocknen von Halbleitersubstraten, welche eine
Belüftungseinheit
verwenden.The
The present invention relates to an apparatus and a method
for drying semiconductor substrates and in particular a device and
a method for drying semiconductor substrates, which is a
ventilation unit
use.
Beschreibung des Standes
der TechnikDescription of the state
of the technique
Reine
Halbleitersubstrate sind nützlich,
um die Effizienz und den korrekten Betrieb einer Halbleitervorrichtung
zu verbessern. Unreine Halbleitersubstrate können zu Problemen führen. Diese
Probleme können
eine Ineffizienz und/oder inkorrekte Funktion des hergestellten
Halbleiters enthalten.Pure
Semiconductor substrates are useful
about the efficiency and correct operation of a semiconductor device
to improve. Impure semiconductor substrates can lead to problems. These
Problems can
an inefficiency and / or incorrect function of the manufactured
Semiconductor included.
Ein
herkömmliches
Verfahren des Reinigens von Halbleitersubstraten schließt ein Naßreinigungsverfahren
ein, wobei eine chemische Lösung
verwendet wird, um Störstellen
in dem Halbleitersubstrat zu entfernen. Nach dem Naßreinigungsverfahren
kann es notwendig sein, eine verbleibende chemische Lösung, die
in dem Naßreinigungsverfahren
verwendet worden ist, von dem Halbleitersubstrat zu entfernen.One
conventional
Method of cleaning semiconductor substrates includes a wet cleaning method
one, being a chemical solution
is used to impurities
in the semiconductor substrate. After the wet cleaning process
It may be necessary to find a remaining chemical solution that
in the wet cleaning process
has been used to remove from the semiconductor substrate.
Ein
herkömmliches
Verfahren zum Entfernen einer chemischen Lösung von einem Halbleitersubstrat
im Anschluß an
ein Naßreinigungsverfahren schließt die Passage
des Halbleitersubstrats durch zwei verschiedene Phasen ein, eine
Spülphase
und eine Trockenphase. Eine in 1 gezeigte
Spül-Trockenvorrichtung
kann eine Spülkammer 101,
eine Trockenkammer 103, eine Gasversorgung 105 mit
einer Gaseinlaßleitung 105a und
eine Belüftung 107 enthalten.A conventional method of removing a chemical solution from a semiconductor substrate following a wet cleaning process involves passing the semiconductor substrate through two distinct phases, a rinse phase and a dry phase. An in 1 shown rinse-drying device, a rinsing chamber 101 a drying chamber 103 , a gas supply 105 with a gas inlet line 105a and aeration 107 contain.
Während der
Spülphase
kann entionisiertes Wasser 109, wie in 1 gezeigt, in die Spülkammer 101 eingeleitet
werden. Der Halbleiterwafer 111, welcher die Rückstände der
chemischen Lösung
enthält, wird
in das entionisierte Wasser 109 getaucht. Die Rückstände der
chemischen Lösung
werden in der Spülkammer 101 entfernt
und das entionisierte Wasser 109 wird auf der Oberfläche des
gespülten
Halbleiterwafers 111 absorbiert.During the rinsing phase can be deionized water 109 , as in 1 shown in the rinsing chamber 101 be initiated. The semiconductor wafer 111 , which contains the residues of the chemical solution, is added to the deionized water 109 dipped. The residues of the chemical solution are in the rinsing chamber 101 removed and the deionized water 109 is on the surface of the purged semiconductor wafer 111 absorbed.
Anschließend an
die oben beschriebene Spülphase
wird eine Trockenphase eingeleitet. Während der Trockenphase wird
der gespülte
Halbleiterwafer 111 von der Spülkammer 101 in die
Trockenkammer 103 angehoben. Gleichzeitig wird ein Gas 115,
das z.B. Isopropylalkohol (IPA) sein kann, von der Gasversorgung 105 in
das Innere der Trockenkammer 103 eingespeist. Das in die
Trockenkammer 103 eingespeiste Gas 115 wird in
Richtung des Halbleiterwafers 111 geleitet. Nachdem es über den
Halbleiterwafer 111 passiert ist, wird das Gas 115 durch die
Belüftung 107 aus
der Trockenkammer 103 entlüftet. Wenn der Halbleiterwafer 111 ausreichend
trocken ist, ist die Trockenphase beendet und das Verfahren zum
Entfernen der auf dem Halbleiterwafer 111 während dem
Naßreinigungsverfahren
verbleibenden chemischen Lösung
ist abgeschlossen.Subsequent to the rinsing phase described above, a drying phase is initiated. During the drying phase, the purged semiconductor wafer becomes 111 from the rinsing chamber 101 in the drying chamber 103 raised. At the same time a gas 115 , which may be isopropyl alcohol (IPA), for example, from the gas supply 105 in the interior of the drying chamber 103 fed. That in the drying chamber 103 fed gas 115 is in the direction of the semiconductor wafer 111 directed. After passing over the semiconductor wafer 111 happened is the gas 115 through the ventilation 107 from the drying chamber 103 vented. When the semiconductor wafer 111 is sufficiently dry, the drying phase is finished and the process of removing the on the semiconductor wafer 111 The chemical solution remaining during the wet cleaning process is completed.
Bei
herkömmlichen
Verfahren und Vorrichtungen können
Wasserflecken 113a und 113b wie in 2 gezeigt im Anschluß an die
Trockenphase auf dem Halb leiterwafer 111 verbleiben. Ein
Grund, weshalb die Wasserflecken 113a und 113b auftreten
können,
ist aufgrund von ungleichmäßiger Strömung des Gases 115 während der
Trockenphase, wenn das Gas 115 in die Trockenkammer 103 eingespeist
und in Richtung des Halbleiterwafers 111 geleitet wird. Diese
Wasserflecken 113a und 113b können an zumindest zwei unterschiedlichen
Stellen ausgebildet sein. Die ersten Wasserflecken 113a können auf
beiden Seiten des oberen Bereichs des Halbleiterwafers 111 in
gegenüberliegender
Richtung einer Füllzone 111a ausgebildet
sein. Die Wasserflecken 113b können benachbart an die Füllzone 111a ausgebildet sein.In conventional methods and devices, water stains may occur 113a and 113b as in 2 shown following the dry phase on the semiconductor wafer 111 remain. One reason why the water stains 113a and 113b is due to uneven flow of the gas 115 during the dry phase, when the gas 115 in the drying chamber 103 fed and in the direction of the semiconductor wafer 111 is directed. These water spots 113a and 113b may be formed at least two different locations. The first water spots 113a can be on both sides of the top of the semiconductor wafer 111 in the opposite direction of a filling zone 111 be educated. The water spots 113b can be adjacent to the filling zone 111 be educated.
Wasserflecken
können
wie oben beschrieben Probleme bei dem Halbleiterherstellungsverfahren,
wie z.B. eine Verringerung des Ertrags der produzierten Halbleitervorrichtungen
verursachen.water stains
can
as described above, problems in the semiconductor manufacturing process,
such as. a reduction in the yield of the semiconductor devices produced
cause.
ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNGSUMMARY
THE INVENTION
Exemplarische
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung betreffen eine Trockenvorrichtung mit
einer Trockenkammer zum Zuführen
eines Trockenstoffes zum Trocknen eines Wafers und einer Belüftungseinheit
zum Steuern einer Strömung
des Trockenstoffes, um den Wafer gleichmäßig oder im wesentlichen gleichmäßig zu trocknen.exemplary
embodiments
The present invention relates to a drying device with
a drying chamber for feeding
a drier for drying a wafer and a ventilation unit
for controlling a flow
of the dry matter to dry the wafer evenly or substantially evenly.
Examplarische
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung betreffen eine Belüftungseinheit mit zumindest
einem Teil zum Steuern einer Strömung
des Trockenstoffes, um der Wafer gleichmäßig oder im wesentlichen gleichmäßig zu trocknen.Examplarische
embodiments
The present invention relates to a ventilation unit with at least
a part for controlling a flow
of the dry matter to dry the wafer evenly or substantially evenly.
Exemplarische
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung betreffen ein Verfahren zum Trocknen
eines Wafers einschließlich
dem Zuführen eines
Trockenstoffes zum Trocknen des Wafers und zum Steuern einer Strömung des
Trockenmaterials, um den Wafer gleichmäßig oder im wesentlichen gleichmäßig zu trocknen.Exemplary embodiments of the present invention relate to a method for drying a wafer including feeding a drier for drying the wafer and controlling a flow of the dry material to uniformly or substantially uniformly dry the wafer.
In
exemplarischen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann die Vorrichtung zum Trocknen und
Spülen
des Halbleitersubstrats eine Spülkammer,
eine Trockenkammer und/oder eine Belüftungseinheit enthalten. In
exemplarischen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann die Spülkammer ausreichenden Raum
für ein
Spülverfahren
als auch ein Naßreinigungsverfahren
vorsehen. In exemplarischen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann die Spülkammer zwei oder mehr horizontale
Belüftungsöffnungen,
insbesondere Schlitze aufweisen, welche an einem oberen Bereich gegenüberliegender
Seiten der Spülkammer
angeordnet sind.In
exemplary embodiments
According to the present invention, the device for drying and
do the washing up
of the semiconductor substrate, a rinsing chamber,
a drying chamber and / or a ventilation unit included. In
exemplary embodiments
According to the present invention, the washing chamber can have sufficient space
for a
rinsing
as well as a wet cleaning process
provide. In exemplary embodiments
According to the present invention, the washing chamber may be two or more horizontal
Vents,
in particular slits, which at an upper area opposite
Sides of the washing chamber
are arranged.
In
exemplarischen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann die Trockenkammer über der
Spülkammer
angeordnet sein und einen offenen unteren Bereich aufweisen. Der
offene untere Bereich kann den gespülten Wafern erlauben, von der
Spülkammer
während
einer Trockenphase durchzutreten bzw. durchzupassieren. Das Innere der
Trockenkammer kann ausreichenden Raum für die Durchführung der
Trockenphase aufweisen.In
exemplary embodiments
According to the present invention, the drying chamber can overflow the
rinsing chamber
be arranged and have an open lower area. Of the
open lower area may allow the rinsed wafers from the
rinsing chamber
while
to pass through a dry phase or to pass through. The interior of the
Drying chamber can provide sufficient space for carrying the
Have dry phase.
In
exemplarischen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann die Trockenkammer eine Gasversorgung
enthalten, welche ein Spülgas einschließlich aber
nicht begrenzt auf Stickstoff einspeist, um in der Trockenkammer
befindliche verunreinigte Luft während
einer Spülphase
oder dem Naßreinigungsverfahren
zu entlüften.
Die Gasversorgung kann ferner ein Trockengas einschließlich aber nicht
begrenzt auf IPA, während
einer Trockenphase zuführen.In
exemplary embodiments
According to the present invention, the drying chamber can be a gas supply
including a purge gas including but
not limited to feeding nitrogen to in the drying chamber
Contaminated air during
a rinsing phase
or the wet cleaning method
to vent.
The gas supply may also include a dry gas including but not
limited to IPA while
to a dry phase.
In
exemplarischen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann die Trockenkammer eine erste Öffnung,
insbesondere einen Schlitz und eine zweite Öffnung, insbesondere einen
Schlitz aufweisen, welche durch jede ihrer unteren Seiten durchdringen.In
exemplary embodiments
According to the present invention, the drying chamber may have a first opening,
in particular a slot and a second opening, in particular one
Slit, which penetrate through each of its lower sides.
Exemplarische
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung können
eine Belüftungseinheit einschließen, welche
in einer horizontalen Richtung durch die erste Öffnung, insbesondere den Schlitz, und
die zweite Öffnung,
insbesondere Schlitz, in die Trockenkammer bewegt werden kann.exemplary
embodiments
of the present invention
include a ventilation unit which
in a horizontal direction through the first opening, in particular the slot, and
the second opening,
in particular slot, can be moved into the drying chamber.
In
exemplarischen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann sich die Belüftungseinheit durch die erste Öffnung,
insbesondere den Schlitz und die zweite Öffnung, insbesondere Schlitz bewegt
werden, um die Strömung
zwischen der Spülkammer
und der Trockenkammer steuern.In
exemplary embodiments
According to the present invention, the ventilation unit can pass through the first opening,
in particular the slot and the second opening, in particular slot moves
be to the flow
between the rinsing chamber
and control the drying chamber.
In
exemplarischen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann die Belüftungseinheit eine erste Tür mit Öffnungen,
insbesondere Schlitzen und eine zweite Tür mit Öffnungen, insbesondere Schlitzen
enthalten, welche identisch oder nicht identisch sein können, und
entworfen sind, um durch die erste Öffnung insbesondere den Schlitz
und die zweite Öffnung,
insbesondere den Schlitz bewegt zu werden. Die erste Tür kann horizontal
durch die erste Öffnung,
insbesondere den Schlitz bewegt werden und die zweite Tür kann horizontal
durch die zweite Öffnung,
insbesondere den Schlitz bewegt werden. In exemplarischen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung können
die in den Türen
enthaltenen Öffnungen,
insbesondere Schlitze entworfen sein, so daß sie der Trockenkammer und
der Spülkammer
erlauben, teilweise oder vollständig
voneinander isoliert zu werden. In exemplarischen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung können
die in den Türen
enthaltenen Öffnungen,
insbesondere Schlitze die Strömung
zwischen der Trockenkammer und der Spülkammer steuern. Es können verschiedene
exemplarische Ausführungsformen
im Hinblick auf die spezifischen Ausbildungen der Öffnungen,
insbesondere Schlitze in der ersten und zweiten Tür bestehen.In
exemplary embodiments
According to the present invention, the ventilation unit may comprise a first door with openings,
in particular slots and a second door with openings, in particular slots
contain, which may be identical or not identical, and
are designed to pass through the first opening in particular the slot
and the second opening,
in particular the slot to be moved. The first door can be horizontal
through the first opening,
In particular, the slot can be moved and the second door can be horizontal
through the second opening,
in particular, the slot to be moved. In exemplary embodiments
of the present invention
those in the doors
contained openings,
In particular, slots should be designed so that they are the drying chamber and
the rinsing chamber
allow, partially or completely
to be isolated from each other. In exemplary embodiments
of the present invention
those in the doors
contained openings,
especially slots the flow
between the drying chamber and the rinsing chamber. It can be different
exemplary embodiments
with regard to the specific design of the openings,
in particular slots in the first and second door exist.
In
exemplarischen Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung kann die durch die Belüftungseinheit
ermöglichte
Strömungssteuerung
eine gleichmäßige oder
gleichmäßigere Verteilung
des Trockengases erlauben, daß während der
Trockenphase auf den Halbleiterwafer angewendet wird. Exemplarische
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung können
dementsprechend die oben erwähnten
Wasserflecken vermindern oder beseitigen.In
exemplary embodiments
The present invention can be understood by the ventilation unit
enabled
flow control
a uniform or
more even distribution
of the dry gas allow during the
Dry phase is applied to the semiconductor wafer. exemplary
embodiments
of the present invention
accordingly the ones mentioned above
Reduce or eliminate water stains.
KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGENSHORT DESCRIPTION
THE DRAWINGS
Exemplarische
Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung sind anhand der nachfolgenden ausführlichen
Beschreibung und der begleitenden Zeichnungen, welche ausschließlich zum
Zwecke der Darstellung vorgesehen sind und somit die Erfindung nicht
beschränken,
ersichtlich.exemplary
embodiments
of the present invention are described in detail with reference to the following
Description and the accompanying drawings, which are exclusively for
Purposes of illustration are provided and thus not the invention
restrict,
seen.
1 stellt eine Spülkammer
und eine Trockenkammer einer herkömmlichen Vorrichtung dar. 1 represents a rinsing chamber and a drying chamber of a conventional device.
2 stellt eine Draufsicht
von auf Halbleitersubstraten ausgebildeten Wasserflecken unter Verwendung
einer herkömmlichen
Vorrichtung dar. 2 FIG. 12 illustrates a top view of water spots formed on semiconductor substrates using a conventional device. FIG.
3 stellt eine Trockenvorrichtung
entsprechend einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung dar. 3 FIG. 10 illustrates a drying apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG.
4a stellt eine Belüftungseinheit
entsprechend einer exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung dar und 4b stellt
einen Querschnitt einer Belüftungseinheit
von 4a entlang der I-I
Linie dar. 4a illustrates a ventilation unit according to an exemplary embodiment of the present invention and 4b represents a cross-section of a ventilation unit of 4a along the II line
5a stellt eine Belüftungseinheit
entsprechend einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung dar und 5b stellt einen
Querschnitt der Belüftungseinheit
von 5a entlang der II-II
Linie dar. 5a illustrates a ventilation unit according to another exemplary embodiment of the present invention, and 5b represents a cross section of the ventilation unit of 5a along the II-II line
5c stellt eine andere Querschnittsansicht
der Belüftungseinheit
von 5a dar. 5c represents another cross-sectional view of the ventilation unit of 5a represents.
6a stellt eine Belüftungseinheit
entsprechend einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung dar und 6b stellt ei nen
Querschnitt der Belüftungseinheit
von 6a entlang der III-III
Linie dar. 6a illustrates a ventilation unit according to another exemplary embodiment of the present invention, and 6b represents a cross-section of the ventilation unit 6a along the III-III line.
6c stellt eine andere Querschnittsansicht
der Belüftungseinheit
von 6a dar. 6c represents another cross-sectional view of the ventilation unit of 6a represents.
7 stellt ein Verfahren mit
einem Spülvorgang
entsprechend einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung, welche eine Belüftungseinheit
einschließt,
dar. 7 FIG. 10 illustrates a method with a flushing operation according to another exemplary embodiment of the present invention including a ventilation unit. FIG.
8 stellt ein Verfahren mit
einem Trockenvorgang entsprechend einer anderen exemplarischen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung, welche eine Belüftungseinheit einschließt, dar. 8th FIG. 10 illustrates a process with a drying process according to another exemplary embodiment of the present invention including a ventilation unit. FIG.
Es
sollte beachtet werden, daß diese
Figuren gedacht sind, um die allgemeinen Eigenschaften der Verfahren
und Vorrichtungen der exemplarischen Ausführungsformen dieser Erfindung
zum Zwecke der Beschreibung solcher exemplarischen Ausführungsformen
hierin darzustellen. Diese Zeichnungen sind jedoch nicht maßstabsgetreu
und können
die Eigenschaften einer gegebenen Ausführungsform nicht präzise wiedergeben.
Sie sollten daher nicht als definierend oder begrenzend in Bezug
auf den Bereich der Werte und Eigenschaften der exemplarischen Ausführungsformen
innerhalb des Umfangs dieser Erfindung interpretiert werden.It
should be noted that this
Figures are meant to give the general characteristics of the procedure
and devices of exemplary embodiments of this invention
for the purpose of describing such exemplary embodiments
to represent herein. However, these drawings are not to scale
and can
do not accurately reproduce the properties of a given embodiment.
They should therefore not be construed as limiting or limiting
to the range of values and characteristics of the exemplary embodiments
within the scope of this invention.
Ausführliche
Beschreibung der exemplarischen Ausführungsformen der vorliegenden
ErfindungFull
Description of the exemplary embodiments of the present invention
invention
Eine
Trockenvorrichtung entsprechend einer exemplarischen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung enthält
wie in 3 gezeigt eine
erste Kammer 1 und eine zweite Kammer 3. Die erste Kammer 1 kann
Raum für
ein Spül-
oder Reinigungsver fahren vorsehen, welches vor Eingabe eines Halbleitersubstrats
in die in 3 gezeigte
Trockenvorrichtung durchgeführt
wird.A drying apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention includes as in 3 shown a first chamber 1 and a second chamber 3 , The first chamber 1 may provide space for a rinsing or cleaning process, which prior to insertion of a semiconductor substrate into the in 3 shown drying device is performed.
Die
erste Kammer 1 kann einen offenen oberen Bereich und eine
erste Belüftungsöffnung,
insbesondere einen Schlitz 1S', und eine zweite Belüftungsöffnung,
insbesondere einen Schlitz 1S'',
an einem oberen Bereich beider Seiten der Kammer enthalten. Es sollte
beachtet werden, daß obwohl 3 eine erste Belüftungsöffnung,
insbesondere einen Schlitz 1S', und eine zweite Belüftungsöffnung,
insbesondere einen Schlitz 1S'',
darstellt, ebenfalls jegliche Anzahl beider Belüftungsöffnungen, insbesondere Schlitze
verwendet werden kann, wie dem Fachmann ersichtlich ist.The first chamber 1 may have an open upper area and a first ventilation opening, in particular a slot 1S ' , and a second ventilation opening, in particular a slot 1S '' , contained at an upper portion of both sides of the chamber. It should be noted that though 3 a first ventilation opening, in particular a slot 1S ' , and a second ventilation opening, in particular a slot 1S '' , Also, any number of both vents, in particular slots, can be used, as will be apparent to those skilled in the art.
Die
zweite Kammer 3 kann einen offenen unteren Bereich enthalten,
welcher es Halbleiterwafern (z.B. gespülten Halbleiterwafern) erlaubt,
vor der ersten Kammer 1 in das Innere der zweiten Kammer 3 hindurch
zu passieren. Der offene untere Bereich der zweiten Kammer 3 kann
Raum für
einen Roboterarm oder einen anderen Mechanismus zum Bewegen von Wafern
enthalten, um beim Trocknen von Halbleiterwafern zu assistieren.The second chamber 3 may include an open bottom area that allows semiconductor wafers (eg, purged semiconductor wafers) to be in front of the first chamber 1 into the interior of the second chamber 3 to pass through. The open lower area of the second chamber 3 may include space for a robot arm or other mechanism to move wafers to assist in drying semiconductor wafers.
Die
zweite Kammer 3 kann eine Gasversorgung 7, welche
ein Spülgas
zum Entlüften
von verunreinigtem Gas (z.B. verunreinigter Luft) aus der zweiten
Kammer 3 während
dem Spül-
oder Reinigungsvorgang einleitet, enthalten und kann ein Trockengas während einem
Trockenverfahren in der zweiten Kammer 3 vorsehen.The second chamber 3 can be a gas supply 7 comprising a purge gas for venting contaminated gas (eg, contaminated air) from the second chamber 3 during the rinsing or cleaning process, and may contain a dry gas during a dry process in the second chamber 3 provide.
Die
zweite Kammer 3 kann ferner eine erste Öffnung, insbesondere einen
Schlitz S1 und eine zweite Öffnung,
insbesondere einen Schlitz S2 an jedem der unteren Bereiche beider
Seiten der zweiten Kammer 3 enthalten. Es sollte beachtet
werden, daß obwohl 3 eine Öffnung, insbesondere einen Schlitz
S1 und eine Öffnung,
insbesondere einen Schlitz S2 darstellt, ebenfalls jegliche Anzahl
beider Belüftungsöffnungen,
insbesondere Schlitze, verwendet werden können, wie dem Fachmann ersichtlich
ist.The second chamber 3 can also have a first opening, in particular a slot S1 and a second opening, in particular a slot S2 at each of the lower regions on both sides of the second chamber 3 contain. It should be noted that though 3 an opening, in particular a slot S1 and an opening, in particular a slot S2, also any number of both ventilation openings, in particular slots, can be used, as will be apparent to those skilled in the art.
Eine
Belüftungseinheit 5 ist
in einer horizontalen oder im wesentlichen horizontalen Richtung durch
die Belüftungsöffnungen,
insbesondere Schlitze S1, S2 bewegbar, wobei die Innenräume der
ersten und zweiten Kammern 1, 3 (abhängig von
der Position der Belüftungseinheit 5)
getrennt oder verbunden werden. Die Belüftungseinheit 5 kann
eine erste schiebetürartige
Entlüftungseinheit 5a enthalten,
welche horizontal oder im wesentlichen horizontal durch die erste Öffnung,
insbesondere den Schlitz S1 verläuft
und eine zweite schiebetürartige
Entlüftungseinheit 5b,
welche horizontal oder im wesentlichen horizontal durch die zweite Öffnung,
insbesondere den Schlitz S2 verläuft.
Die zweite Kammer 3 kann abgeschottet werden, wenn die
ersten und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 5a, 5b in
der zweiten Kammer 3 Kontakt bilden. In diesem Fall kann
die in der zweiten Kammer 3 befindliche Luft durch eine Vielzahl
von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern, welche
in den ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b ausgebildet
sind, entlüftet
werden.A ventilation unit 5 is movable in a horizontal or substantially horizontal direction through the ventilation openings, in particular slots S1, S2, wherein the interiors of the first and second chambers 1 . 3 (depending on the position of the ventilation unit 5 ) are disconnected or connected. The ventilation unit 5 may be a first sliding door-like ventilation unit 5a which extends horizontally or substantially horizontally through the first opening, in particular the slot S1 and a second sliding door-like ventilation unit 5b which extends horizontally or substantially horizontally through the second opening, in particular the slot S2. The second chamber 3 can be sealed off when the first and second sliding door-like ventilation units 5a . 5b in the second chamber 3 Make contact. In this case, those in the second chamber 3 Air through a plurality of ventilation openings, in particular Be ventilation holes, which in the first and second sliding door-like ventilation units 5a . 5b are formed, are vented.
Die 4a und 4b stellen eine Entlüftungseinheit 5, entsprechend
einer exemplarischen Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung dar. Die Belüftungseinheit 5 kann
eine erste schiebetürartige Belüftungseinheit 5a und
eine zweite schiebetürartige
Belüftungseinheit 5b enthalten.
Die erste schiebetürartige
Belüftungseinheit 5a kann
einen ersten Körper 11' und eine erste
Entlüftungsleitung 11e' enthalten.
Der erste Körper 11' kann eine erste
untere Platte 11g',
einen ersten Innenraum 11s',
eine erste obere Platte 11t',
und eine erste Wand aufweisen, welche eine erste innere Seitenwand 11d', eine erste äußere Seitenwand 11w', eine erste
Vorderwand 11f' und
eine erste Rückwand 11r' aufweist.The 4a and 4b put a venting unit 5 , in accordance with an exemplary embodiment of the present invention. The ventilation unit 5 may be a first sliding door type ventilation unit 5a and a second sliding door type ventilation unit 5b contain. The first sliding door type ventilation unit 5a can be a first body 11 ' and a first vent line 11e ' contain. The first body 11 ' can be a first lower plate 11g ' , a first interior 11s' , a first top plate 11t ' , and a first wall having a first inner sidewall 11d ' , a first outer side wall 11w ' , a first front wall 11f ' and a first back wall 11r ' having.
Die
erste obere Platte 11t' kann
erste Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher mit ersten,
zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11a', 11b', 11c' aufweisen.
Es sollte beachtet werden, daß, obwohl
die 4a und 4b drei Gruppen von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern darstellen,
jegliche Anzahl von Belüftungslochgruppen (oder
Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern) verwendet
werden kann, wie dem Fachmann ersichtlich ist.The first top plate 11t ' may first ventilation openings, in particular ventilation holes with first, second and third groups of ventilation openings, in particular ventilation holes 11a ' . 11b ' . 11c ' exhibit. It should be noted that although the 4a and 4b represent three groups of ventilation openings, in particular ventilation holes, any number of ventilation hole groups (or ventilation openings, in particular ventilation holes) can be used, as is apparent to those skilled in the art.
Der
erste Körper 11' kann in einen
ersten Mittelbereich R1',
einen ersten Randbereich R3',
und einen ersten intermediären
Bereich R2' unterteilt
werden. Es sollte beachtet werden, daß, obwohl 4a und 4b einen
Mittelbereich R1',
einen ersten Randbereich R3' und
einen ersten intermediären
Bereich R2' darstellen,
jegliche Anzahl von Mittelbereichen R1', Randbereichen R3' und/oder intermediären Bereichen R2', verwendet werden
kann, wie dem Fachmann ersichtlich ist.The first body 11 ' may be divided into a first center area R1 ', a first edge area R3', and a first intermediate area R2 '. It should be noted that, though 4a and 4b a central region R1 ', a first peripheral region R3' and a first intermediate region R2 ', any number of central regions R1', peripheral regions R3 'and / or intermediate regions R2' can be used, as will be apparent to those skilled in the art.
Die
erste Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere
Belüftungslöchern 11a' kann eine erste Breite
W1 aufweisen, die zweite Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11b' kann eine zweite
Breite W2 aufweisen und die dritte Gruppe von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 11c' kann eine dritte
Breite W3 aufweisen. Die ersten, zweiten und dritten Gruppen von
Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern können alle
die gleiche Länge
L aufweisen. Falls die erste Breite W1 größer als die zweiten und dritten
Breiten W2, W3 und die zweite Breite W2 gleich der dritten Breite
W3 ist, kann die erste Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11a' mit der gleichen
Dichte (Lochzahl) als die zweite Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11b' angeordnet
werden, und die dritte Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11c' kann mit einer
geringeren Dichte (Lochzahl) als die zweite Gruppe von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 11b' angeordnet
werden.The first group of ventilation holes, especially ventilation holes 11a ' may have a first width W1, the second group of ventilation openings, in particular ventilation holes 11b ' may have a second width W2 and the third group of vents, in particular ventilation holes 11c ' may have a third width W3. The first, second and third groups of ventilation openings, in particular ventilation holes, can all have the same length L. If the first width W1 is greater than the second and third widths W2, W3 and the second width W2 is equal to the third width W3, the first group of ventilation openings, in particular ventilation holes 11a ' with the same density (number of holes) as the second group of ventilation openings, in particular ventilation holes 11b ' be arranged, and the third group of ventilation openings, in particular ventilation holes 11c ' can with a lower density (number of holes) than the second group of ventilation holes, especially ventilation holes 11b ' to be ordered.
Alternativ
kann die erste Breite W1 größer als
die zweite Breite W2 sein, und die zweite Breite W2 kann größer als
die dritte Breite W3 sein. In diesem Fall können die ersten, zweiten und
dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 11a', 11b', 11c' alle mit der
gleichen Dichte angeordnet werden. Ebenfalls können die ersten, zweiten und
dritten Breiten W1, W2, W3 alle gleich ausfallen. In diesem Fall
kann die erste Gruppe von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 11a' mit einer höheren Dichte
als die zweite Gruppe von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 11b' angeordnet
werden und die dritte Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11c' kann mit einer
geringeren Dichte als die zweite Gruppe von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11b' angeordnet
werden. Es sollte beachtet werden, daß andere Breiten, Längen, Dichten
und/oder Kombinationen deren ebenfalls verwendet werden könnten, wie dem
Fachmann ersichtlich ist.Alternatively, the first width W1 may be larger than the second width W2, and the second width W2 may be larger than the third width W3. In this case, the first, second and third groups of ventilation openings, in particular ventilation holes 11a ' . 11b ' . 11c ' all be arranged with the same density. Also, the first, second and third widths W1, W2, W3 may all be the same. In this case, the first group of ventilation holes, especially ventilation holes 11a ' with a higher density than the second group of vents, especially ventilation holes 11b ' be arranged and the third group of ventilation openings, in particular ventilation holes 11c ' can with a lower density than the second group of vents, especially ventilation holes 11b ' to be ordered. It should be noted that other widths, lengths, densities and / or combinations thereof could also be used, as will be apparent to those skilled in the art.
Die
ersten, zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 11a', 11b', 11c' können ebenso
verschiedene Formen aufweisen, z.B. eine quadratische, eine kreisförmige, eine
rechteckige, oder eine andere geometrische Form. Der erste Körper 11' kann ebenso in
andere Bereiche als die mittleren, intermediären und Randbereiche R1, R2,
R3 unterteilt werden.The first, second and third groups of ventilation openings, in particular ventilation holes 11a ' . 11b ' . 11c ' can also have different shapes, such as a square, a circular, a rectangular, or another geometric shape. The first body 11 ' can also be divided into regions other than the middle, intermediate and edge regions R1, R2, R3.
Die
zweite schiebetürartige
Entlüftungseinheit 5b kann
gleich oder unterschiedlich als die erste schiebetürartige
Entlüftungseinheit 5a ausfallen.
Die zweite schiebetürartige
Entlüftungseinheit 5b kann die
Elemente 11'', 11a'', 1b'', 11c'', 11d'', 11e'', 11f'', 11g'', 11r'', 11s'', 11t'', 11w'', R1'',
R2'' und R3'' enthalten, welche den Elementen 11', 11a', 11b', 11c', 11d', 11e', 11f', 11g', 11r', 11s', 11t', 11w', R1', R2' und R3' der ersten schiebetürartigen
Entlüfteinheit 5a entsprechen.The second sliding door-type ventilation unit 5b may be the same or different than the first sliding door type venting unit 5a fail. The second sliding door-type ventilation unit 5b can the elements 11 '' . 11a '' . 1b '' . 11c '' . 11d '' . 11e '' . 11f '' . 11g '' . 11r '' . 11s '' . 11t '' . 11w '' , R1 ", R2" and R3 ", which correspond to the elements 11 ' . 11a ' . 11b ' . 11c ' . 11d ' . 11e ' . 11f ' . 11g ' . 11r ' . 11s' . 11t ' . 11w ' , R1 ', R2' and R3 'of the first sliding-door-type ventilation unit 5a correspond.
Die 5a bis 5c stellen eine Belüftungseinheit 5 entsprechend
einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung dar. Die Belüftungseinheit 5 kann
eine variable schiebetürartige
Entlüftungseinheit
sein und eine erste schiebetürartige
Entlüftungseinheit 31a,
sowie eine zweite schiebetürartige
Entlüftungseinheit 31b enthalten, welche
in die erste schiebetürartige
Entlüftungseinheit 31a eingefügt ist.
Die ersten und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 31a, 31b können eine ähnliche
Form als die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b aufweisen. Die
erste schiebetürartige
Entlüftungseinheit 31a kann
einen ersten Körper 33' und eine erste
Entlüftungsleitung 33e' enthalten.The 5a to 5c make a ventilation unit 5 according to another exemplary embodiment of the present invention. The ventilation unit 5 may be a variable sliding door type ventilation unit and a first sliding door type ventilation unit 31a , as well as a second sliding door-type ventilation unit 31b contained in the first sliding door-type ventilation unit 31a is inserted. The first and second sliding door type ventilation units 31a . 31b may be similar in shape to the first and second sliding door type ventilation units 5a . 5b exhibit. The first sliding door-type ventilation unit 31a can be a first body 33 ' and a first vent line 33e ' contain.
Der
erste Körper 33' kann eine erste
obere Platte 33t',
eine erste untere Platte 33g',
eine erste Vorderwand 33f, eine erste Rückwand 33r', und eine erste äußere Seitenwand 33w' aufweisen.
Die erste obere Platte 33t' kann
erste, zweite und dritte Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 33a', 33b', 33c' aufweisen,
welche durch die erste obere Platte 33t' passieren. Der erste Körper 33' kann einen
ersten Öffnungsbereich 33h' gegenüberliegend
der ersten äußeren Seitenwand 33w' aufweisen.The first body 33 ' can be a first top plate 33t ' , a first lower plate 33g ' , a first front wall 33f , a first back wall 33r ' , and a first outer sidewall 33w ' exhibit. The first top plate 33t ' can first, second and third groups of ventilation holes, in particular ventilation holes 33a ' . 33b ' . 33c ' which pass through the first upper plate 33t ' happen. The first body 33 ' can have a first opening area 33h ' opposite the first outer side wall 33w ' exhibit.
Die
zweite schiebetürartige
Entlüftungseinheit 31b kann
gleich oder unterschiedlich als die erste schiebetürartige
Entlüftungseinheit 31a ausfallen. Die
zweite schiebetürartige
Entlüftungseinheit 31b kann
die Elemente 33'', 33a'', 33b'', 33c'', 33e'', 33f'', 33g'', 33r'', 33t'', 33w'', R1'',
R2'' und R3'' enthalten, welche den Elementen 33', 33a', 33b', 33c', 33e', 33f, 33g', 33r', 33t', 33w', R1', R2' und R3' der ersten schiebetürartigen
Entlüftungseinheit 31a entsprechen.The second sliding door-type ventilation unit 31b may be the same or different than the first sliding door type venting unit 31a fail. The second sliding door-type ventilation unit 31b can the elements 33 '' . 33a '' . 33b '' . 33c '' . 33e '' . 33f '' . 33g '' . 33r '' . 33t '' . 33w '' , R1 ", R2" and R3 ", which correspond to the elements 33 ' . 33a ' . 33b ' . 33c ' . 33e ' . 33f . 33g ' . 33r ' . 33t ' . 33w ' , R1 ', R2' and R3 'of the first sliding door-type ventilation unit 31a correspond.
Der
zweite Öffnungsbereich 33h'' kann kleiner als der erste Öffnungsbereich 33h' ausfallen.
Die zweite Kammer 3 kann durch Kontaktbilden der ersten
und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 31a, 31b abgeschottet
werden, indem diese jeweils in die Öffnungen, insbesondere Schlitze
S1, S2 der zweiten Kammer 3 eingefügt werden. D.h. der zweite Öffnungsbereich 33h'' kann in den ersten Öffnungsbereich 33h' eingefügt werden
(oder umgekehrt), wie nachfolgend in Bezug auf die 5b und 5c beschrieben
wird.The second opening area 33h '' can be smaller than the first opening area 33h ' fail. The second chamber 3 can by contacting the first and second sliding door-like ventilation units 31a . 31b be sealed off by these in each case in the openings, in particular slots S1, S2 of the second chamber 3 be inserted. That is, the second opening area 33h '' can in the first opening area 33h ' inserted (or vice versa), as described below in relation to 5b and 5c is described.
Ein
Abschnitt der Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher 33a', 33b', 33c' des ersten
Körpers 33' kann mit einem
Abschnitt der Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher 33a'', 33b'', 33c'' des zweiten Körpers 33'' überlappen, indem die Überlappung
zwischen den ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 31a, 31b vergrößert wird.
Die erste Gruppe von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 33a' des ersten
Körpers 33' kann zum Beispiel
mit der ersten Gruppe von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 33a'' des zweiten Körpers 33'' überlappen. In diesem Fall kann
eine Dichte der Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher, welche
derart angeordnet sind, daß sie
beiderseits die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 31a, 31b bedecken,
verringert werden und eine Breite der variablen schiebetürartigen
Entlüftungseinheit,
welche die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 31a, 31b enthält, kann
ebenfalls verringert werden. Demzufolge kann sich die variable schiebetürartige
Entlüftungseinheit
dafür eignen,
Wafer mit verschiedenen (z.B. kleineren) Durchmessern zu trocknen.A section of the ventilation holes, especially ventilation holes 33a ' . 33b ' . 33c ' of the first body 33 ' Can with a section of the ventilation holes, especially ventilation holes 33a '' . 33b '' . 33c '' of the second body 33 '' overlap by the overlap between the first and second sliding door type vent units 31a . 31b is enlarged. The first group of ventilation holes, especially ventilation holes 33a ' of the first body 33 ' can, for example, with the first group of ventilation holes, in particular ventilation holes 33a '' of the second body 33 '' overlap. In this case, a density of the ventilation openings, in particular ventilation holes, which are arranged such that they on both sides of the first and second sliding door-like ventilation units 31a . 31b cover, and a width of the variable sliding door type venting unit comprising the first and second sliding door type venting units 31a . 31b contains, can also be reduced. As a result, the variable sliding door type deaerator may be suitable for drying wafers of various (eg smaller) diameters.
Es
sollte beachtet werden, daß die
oben beschriebenen Variationen und/oder Kombinationen in Bezug auf
die 4a und 4b ebenfalls auf die 5a bis 5c anwendbar sind, wie dem Fachmann ersichtlich
ist.It should be noted that the variations and / or combinations described above with respect to FIGS 4a and 4b also on the 5a to 5c are applicable, as is apparent to those skilled.
6a bis 6c stellen eine Belüftungseinheit 5 entsprechend
einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung dar. Die Belüftungseinheit 5 kann
erste und zweite schiebetürartige
Entlüftungseinheiten 41a, 41b enthalten. Die
ersten und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 41a, 41b können eine
den ersten und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 5a, 5b oder 31a, 31b ähnliche
Form aufweisen. D.h. die erste schiebetürartige Entlüftungseinheit 41a kann einen
ersten Körper 43' und eine erste
Entlüftungsleitung 43e' aufweisen. Ähnlicherweise
kann die zweite schiebetürartige
Entlüftungseinheit 41b einen
zweiten Körper 43'' und eine zweite Entlüftungsleitung 43e'' aufweisen. 6a to 6c make a ventilation unit 5 according to another exemplary embodiment of the present invention. The ventilation unit 5 can first and second sliding door-like ventilation units 41a . 41b contain. The first and second sliding door type ventilation units 41a . 41b may be a first and second sliding door-like ventilation units 5a . 5b or 31a . 31b have similar shape. That is, the first sliding door-type ventilation unit 41a can be a first body 43 ' and a first vent line 43e ' exhibit. Likewise, the second sliding door type venting unit 41b a second body 43 '' and a second vent line 43e '' exhibit.
Die
zweite schiebetürartige
Entlüftungseinheit 41b kann
gleich oder unterschiedlich als die erste schiebetürartige
Entlüftungseinheit 41a ausfallen. Die
zweite schiebetürartige
Entlüftungseinheit 41b kann
die Elemente 43'', 43a'', 43b'', 43c'', 43d'', 43e'', 43f'', 43g'', 43r'', 43t'', 43w'',
R1'', R2'' und R3'' enthalten,
welche den Elementen 43', 43a', 43b', 43c', 43d', 43e', 43f, 43g', 43r', 43t', 43w', R1', R2' und R3' der ersten schiebetürartigen
Entlüftungseinheit 31a entsprechen.The second sliding door-type ventilation unit 41b may be the same or different than the first sliding door type venting unit 41a fail. The second sliding door-type ventilation unit 41b can the elements 43 '' . 43 '' . 43b '' . 43c '' . 43d '' . 43e '' . 43f '' . 43g '' . 43r '' . 43t '' . 43w '' , R1 ", R2" and R3 ", which correspond to the elements 43 ' . 43a ' . 43b ' . 43c ' . 43d ' . 43e ' . 43f . 43g ' . 43r ' . 43t ' . 43w ' , R1 ', R2' and R3 'of the first sliding door-type ventilation unit 31a correspond.
Der
erste Körper 43' kann eine erste
obere Platte 43t',
eine erste untere Platte 43g',
eine erste Vorderwand 43f, eine erste Rückwand 43r', eine erste äußere Seitenwand 43w' und eine erste
innere Seitenwand 43d',
aufweisen. Der zweite Körper 43'' kann eine zweite obere Platte 43t'', eine zweite untere Platte 43g'', eine zweite Vorderwand 43f'', eine zweite Rückwand 43r'', eine zweite äußere Seitenwand 43w'', und einen zweite innere Seitenwand 43d'', aufweisen.The first body 43 ' can be a first top plate 43t ' , a first lower plate 43g ' , a first front wall 43f , a first back wall 43r ' , a first outer side wall 43w ' and a first inner sidewall 43d ' , exhibit. The second body 43 '' can a second top plate 43t '' , a second lower plate 43g '' , a second front wall 43f '' , a second back wall 43r '' , a second outer sidewall 43w '' , and a second inner sidewall 43d '' , exhibit.
Die
ersten und zweiten oberen Platten 43t', 43t'' können jeweils
erste und zweite Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher aufweisen. Die
erste obere Platte 43t' kann
erste, zweite und dritte Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43b', 43c', aufweisen. Die
ersten Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher können erste,
zweite und dritte Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43b', 43c', aufweisen.
Die zweite obere Platte 43t'' kann erste,
zweite und dritte Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a'', 43b'', 43c'' aufweisen. Die ersten, zweiten
und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere
Belüftungslöchern 43a', 43a'', 43b', 43b'', 43c', 43c'' können alle die gleiche Breite
(W) aufweisen.The first and second upper plates 43t ' . 43t '' can each have first and second ventilation openings, in particular ventilation holes. The first top plate 43t ' can first, second and third groups of ventilation holes, in particular ventilation holes 43a ' . 43b ' . 43c ' , exhibit. The first ventilation openings, in particular ventilation holes, may include first, second and third groups of ventilation openings, in particular ventilation holes 43a ' . 43b ' . 43c ' , exhibit. The second upper plate 43t '' can first, second and third groups of ventilation holes, in particular ventilation holes 43 '' . 43b '' . 43c '' exhibit. The first two th and third groups of ventilation openings, in particular ventilation holes 43a ' . 43 '' . 43b ' . 43b '' . 43c ' . 43c '' can all have the same width (W).
Eine
erste Länge
L1 der ersten Gruppe von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43a'' kann größer als eine zweite Länge L2 der
zweiten Gruppe von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 43b', 43b'' sein. Eine dritte Länge L3 der
dritten Gruppe von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 43c', 43c'' kann kleiner als eine zweite Länge L2 sein.
Der erste Körper 43' kann eine erste
Zusatzplatte 45' aufweisen,
um eine Öffnungsfläche der
Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher 43a', 43b', 43c' des ersten
Körpers 43' durch Schieben
in horizontaler Richtung entlang einer Oberfläche der ersten oberen Platte 43t' zu variieren.A first length L1 of the first group of ventilation openings, in particular ventilation holes 43a ' . 43 '' can be larger than a second length L2 of the second group of ventilation openings, in particular ventilation holes 43b ' . 43b '' be. A third length L3 of the third group of ventilation openings, in particular ventilation holes 43c ' . 43c '' may be less than a second length L2. The first body 43 ' can be a first additional plate 45 ' have around an opening area of the ventilation openings, in particular ventilation holes 43a ' . 43b ' . 43c ' of the first body 43 ' by sliding in a horizontal direction along a surface of the first upper plate 43t ' to vary.
Der
zweite Körper 43'' kann ebenfalls eine zweite Zusatzplatte 45'' aufweisen, um eine Öffnungsfläche der
Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher 43a'', 43b'', 43c'' des zweiten Körpers 43'' durch Schieben in horizontaler
Richtung entlang einer Oberfläche
der zweiten oberen Platte 43t'' zu
variieren.The second body 43 '' can also be a second additional plate 45 '' have around an opening area of the ventilation openings, in particular ventilation holes 43 '' . 43b '' . 43c '' of the second body 43 '' by sliding in a horizontal direction along a surface of the second upper plate 43t '' to vary.
Die
erste Zusatzplatte 45' kann
erste, zweite und dritte Gruppen von zusätzlichen Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 45a', 45b', 45c' aufweisen, welche
die gleiche Größe und/oder (oder
nicht bzw. weder) die gleiche Anordnung als die ersten, zweiten
und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43b', 43c' aufweisen.
Die zweite Zusatzplatte 45'' kann erste,
zweite und dritte Gruppen von zusätzlichen Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 45a'', 45b'', 45c'' aufweisen, welche die gleiche
Größe und/oder
(oder nicht bzw. weder) die gleiche Anordnung als die ersten, zweiten
und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 43a'', 43b'', 43c'' aufweisen. Falls die ersten, zweiten
und dritten Gruppen der zusätzlichen
Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher 45a', 45a'', 45b', 45b'', 45c', 45c'', wie in den 6a und 6b gezeigt,
jeweils vollständig
mit den ersten, zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43a'', 43b', 43b'', 43c', 43c'' durch Einstellen der Position
der ersten und zweiten Zusatzplatten 45', 45'' überlappen,
können
die Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher der
ersten und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 41a, 41b die
größte Öffnungsfläche aufweisen.The first additional plate 45 ' can first, second and third groups of additional ventilation holes, in particular ventilation holes 45a ' . 45b ' . 45c ' having the same size and / or (or not or neither) the same arrangement as the first, second and third groups of ventilation openings, in particular ventilation holes 43a ' . 43b ' . 43c ' exhibit. The second additional plate 45 '' can first, second and third groups of additional ventilation holes, in particular ventilation holes 45a '' . 45b '' . 45c '' having the same size and / or (or not or neither) the same arrangement as the first, second and third groups of ventilation openings, in particular ventilation holes 43 '' . 43b '' . 43c '' exhibit. If the first, second and third groups of additional vents, especially ventilation holes 45a ' . 45a '' . 45b ' . 45b '' . 45c ' . 45c '' as in the 6a and 6b shown, in each case completely with the first, second and third groups of ventilation openings, in particular ventilation holes 43a ' . 43 '' . 43b ' . 43b '' . 43c ' . 43c '' by adjusting the position of the first and second auxiliary plates 45 ' . 45 '' overlap, the ventilation openings, in particular ventilation holes of the first and second sliding door-like ventilation units 41a . 41b have the largest opening area.
Es
sollte beachtet werden, daß die
in Bezug auf die 4a bis 4b und 5a bis 5c oben
beschriebenen Variationen und/oder Kombinationen ebenfalls auf die 6a bis 6c anwendbar sind, wie dem Fachmann ersichtlich
ist.It should be noted that in relation to the 4a to 4b and 5a to 5c Variations and / or combinations also described above 6a to 6c are applicable, as is apparent to those skilled.
Nachdem
die in 3 gezeigte zweite
Kammer 3 bezugnehmend auf 6c durch
Kontaktbilden der ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 41a, 41b abgeschottet
ist, kann eine Größe der Öffnungsfläche der
ersten, zweiten und dritten Gruppen von Belüftungsöffnungen, insbesondere Belüftungslöchern 43a', 43a'', 43b', 43b'', 43c', 43c'' durch Ein- und Ausschieben der
ersten und zweiten Zusatzplatten 45', 45'' in
horizontaler Richtung variiert werden.After the in 3 shown second chamber 3 Referring to 6c by contacting the first and second sliding door type venting units 41a . 41b can be partitioned, a size of the opening area of the first, second and third groups of ventilation openings, in particular ventilation holes 43a ' . 43 '' . 43b ' . 43b '' . 43c ' . 43c '' by pushing in and pushing out the first and second additional plates 45 ' . 45 '' be varied in a horizontal direction.
Falls
jede der ersten und zweiten Zusatzplatten 45', 45'' die
halbe Breite W in Richtung der ersten und zweiten inneren Seitenwände 43d', 43d'' bewegt wird, nimmt die Öffnungsfläche aller
Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher um
die Hälfte
ab, ohne daß die
Dichte der Belüftungsöffnungen, insbesondere
Belüftungslöcher variiert
wird. Die Entlüftungsfähigkeit
der variablen schiebetürartigen Entlüftungseinheit
kann demzufolge durch Bewegung der ersten und zweiten Zusatzplatten 45', 45'' gesteuert werden. Die variable
schiebetürartige
Entlüftungseinheit
kann ebenfalls dazu verwendet werden, den Druck in der zweiten Kammer 3 nach
einem Trockenverfahren zu variieren.If any of the first and second additional plates 45 ' . 45 '' half the width W in the direction of the first and second inner side walls 43d ' . 43d '' is moved, the opening area of all ventilation openings, in particular ventilation holes decreases by half, without the density of the ventilation openings, in particular ventilation holes is varied. The venting capability of the variable sliding door type venting unit can thus be achieved by moving the first and second auxiliary plates 45 ' . 45 '' to be controlled. The variable sliding door type bleed unit may also be used to control the pressure in the second chamber 3 to vary according to a dry process.
Falls
ein in die zweite Kammer 3 eingespeistes Trockengas (wie
z.B. Trockengas 27 in 8) eine
normale Temperatur oder eine geringere Temperatur als die Normaltemperatur
des Trockenverfahrens aufweist, kann der Druck in der zweiten Kammer 3 gesenkt
werden, um zu verhindern, daß das
Trockengas kondensiert.If one in the second chamber 3 fed dry gas (such as dry gas 27 in 8th ) has a normal temperature or a lower temperature than the normal temperature of the dry process, the pressure in the second chamber 3 be lowered to prevent the drying gas condenses.
Falls
ferner die Temperatur des Trockengases 27 gering und der
Druck in der zweiten Kammer 3 hoch ist, kann eine Größe der Öffnungsfläche der Entlüftungslöcher durch
Einstellen der ersten und zweiten Zusatzplatten 45', 45'' so groß wie möglich gemacht werden.Further, if the temperature of the drying gas 27 low and the pressure in the second chamber 3 is high, a size of the opening area of the vent holes can be adjusted by adjusting the first and second auxiliary plates 45 ' . 45 '' be made as big as possible.
7 stellt ein Verfahren mit
einem Spülvorgang
entsprechend einer anderen exemplarischen Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung, welche eine Belüftungseinheit
enthält,
dar. Eine Spülflüssigkeit,
z.B. entionisiertes Wasser 21, wird in die erste Kammer 1 geleitet
und ein Halbleiterwafer 23 wird in das entionisierte Wasser
getaucht, um den Wafer 23 zu spülen. Das Spülen kann das Überfüllen der
ersten Kammer mit dem entionisierten Wasser 21 enthalten. 7 FIG. 5 illustrates a method with a flushing operation according to another exemplary embodiment of the present invention that includes a ventilation unit. A flushing fluid, eg, deionized water 21 , will be in the first chamber 1 passed and a semiconductor wafer 23 is dipped in the deionized water to the wafer 23 to wash. Rinsing may overfill the first chamber with the deionized water 21 contain.
Die
Luftfeuchtigkeit in der zweiten Kammer 3 kann konstant
oder im wesentlichen konstant durch Zuführen eines Spülgases 25,
wie z.B. auf Stickstoff basierendes Gas in die zweite Kammer 3 beibehalten werden
und verunreinigte Luft in der zweiten Kammer 3 kann entlüftet werden.
Das Spülgas 25 kann
durch die Gasversorgung 7 der zweiten Kammer 3 eingespeist
werden. Die Gasversorgung 7 kann eine Gaseinlaßleitung 7a zum
Zuführen
des Gases, wie z.B. dem Spülgas 25 in
die zweite Kammer 3 enthalten. Während dem Spülverfahren
können
die ersten und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 5a, 5b (oder 31a, 31b oder 41a, 41b)
in den ersten und zweiten Öffnungen,
insbesondere Schlitze S1, S2, welche in gegenüberliegenden Seitenwänden der zweiten
Kammer 3 ausgebildet sind, angeordnet sein. Die ersten
und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 5a, 5b können derart
angeordnet sein, daß sie
der ersten inneren Seitenwand 11d' und der zweiten inneren Seitenwand 11d'' jeweils gegenüberliegen.The humidity in the second chamber 3 may be constant or substantially constant by supplying a purge gas 25 , such as nitrogen-based gas in the second chamber 3 be maintained and contaminated air in the second chamber 3 can be vented. The purge gas 25 can through the gas supply 7 the second chamber 3 be fed. The gas supply 7 can be a gas inlet pipe 7a for supplying the gas, such as the purge gas 25 in the second chamber 3 contain. During the rinsing process, the first and second sliding door-type ventilation units 5a . 5b (or 31a . 31b or 41a . 41b ) in the first and second openings, in particular slots S1, S2, which in opposite side walls of the second chamber 3 are formed, be arranged. The first and second sliding door type ventilation units 5a . 5b may be arranged so that they the first inner side wall 11d ' and the second inner sidewall 11d '' each opposite.
Während dem
Spülverfahren
können
die ersten und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 5a, 5b positioniert
werden, um einen gewünschten
(und vielleicht konstanten) Spalt dazwischen zu erreichen. In diesem
Fall kann das in die zweite Kammer 3 eingespeiste Spülgas 25 durch
die ersten und zweiten Entlüftungsöffnungen,
insbesondere Schlitze 1S', 1S'', welche in den Seitenwänden der
zweiten Kammer 3 (oder der ersten Kammer 1) ausgebildet sind,
entlüftet
werden. Während
dem Spülverfahren können die
ersten und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 5a, 5b in
horizontaler Richtung näher
aneinander oder um einander zu berühren, repositioniert werden.
D.h. die zweite Kammer 3 kann durch Kontaktbilden der ersten
und zweiten inneren Seitenwände 11d', 11d'' abgeschottet werden. In diesem
Fall kann das in die zweite Kammer 3 eingespeiste Spülgas 25 durch
die Belüftungsöffnungen, insbesondere
Belüftungslöcher 11a', 11a'', 11b', 11b'', 11c', 11c'' der ersten und zweiten Entlüftungseinheiten 5a, 5b entlüftet werden.During the rinsing process, the first and second sliding door-type ventilation units 5a . 5b be positioned to achieve a desired (and perhaps constant) gap therebetween. In this case, that can be in the second chamber 3 fed purge gas 25 through the first and second vent openings, in particular slots 1S ' . 1S '' , which in the side walls of the second chamber 3 (or the first chamber 1 ) are formed, are vented. During the rinsing process, the first and second sliding door-type ventilation units 5a . 5b in the horizontal direction closer to each other or to touch each other, be repositioned. That is the second chamber 3 can by contacting the first and second inner sidewalls 11d ' . 11d '' be sealed off. In this case, that can be in the second chamber 3 fed purge gas 25 through the ventilation openings, in particular ventilation holes 11a ' . 11a '' . 11b ' . 11b ' . 11c ' . 11c '' the first and second vent units 5a . 5b be vented.
Falls
die zweite Kammer 3 während
dem Spülverfahren
durch Kontaktbilden der ersten und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 5a, 5b abgeschottet
ist, kann das Spülgas 25 nicht
eingespeist werden. Nach Beendung des Spülverfahrens kann der gespülte Wafer 23 wie
in 8 gezeigt angehoben
und in die zweite Kammer 3 bewegt werden. Falls die zweite
Kammer während
dem Spülverfahren
durch die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b getrennt
wird, wird vor dem Anheben des Wafers 23 eine Bewegungsbahn
für den
Wafer 23 durch Trennung der ersten und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 5a, 5b voneinander
ausgebildet. Während
dem Spülen
des Wafers 23 kann das Spülgas 25 fortlaufend zugeführt werden.
Nach dem Spülen
des Wafers 23 in der zweiten Kammer 3, können die
ersten und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 5a, 5b in
horizontaler Richtung geschoben werden, so daß sie gegenseitig Kontakt bilden.
D.h. ein oberer offener Bereich der zweiten Kammer 3 kann
durch die ersten und zweiten schiebetürartigen Entlüftungseinheiten 5a, 5b geschlossen
werden. Das Trockengas 27 kann über die Gasversorgung 27 eingespeist werden.
Das Trockengas 27 kann ein volatiles Gas sein, das in der
Lage ist, das entionisierte Wasser durch Reaktion miteinander zu
ersetzen. Das Trockengas 27 kann zum Beispiel eines oder
mehrere aus der Gruppe von Ethylglykol, 1-Propanol, 2-Propanol,
Tetrahydrofuran, 4-Hydroxy-4-methyl-2-pentamon,
1-Butanol, 2-Butanol, Methanol, Ethanol, Isopropylalkohol, Aceton,
n-Propylalkohol und Dimethylether sein.If the second chamber 3 during the rinsing process by contacting the first and second sliding door-type ventilation units 5a . 5b is foreclosed, the purge gas can 25 not be fed. After completion of the rinsing process, the rinsed wafer 23 as in 8th shown raised and into the second chamber 3 to be moved. If the second chamber during the rinsing process by the first and second sliding door-like ventilation units 5a . 5b is disconnected, before lifting the wafer 23 a trajectory for the wafer 23 by separating the first and second sliding door-like ventilation units 5a . 5b formed from each other. While rinsing the wafer 23 can the purge gas 25 be continuously supplied. After rinsing the wafer 23 in the second chamber 3 , the first and second sliding door-like ventilation units 5a . 5b be pushed in the horizontal direction so that they make contact with each other. That is, an upper open area of the second chamber 3 can through the first and second sliding door-like ventilation units 5a . 5b getting closed. The dry gas 27 can about the gas supply 27 be fed. The dry gas 27 may be a volatile gas capable of replacing the deionized water by reaction. The dry gas 27 For example, one or more of ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, tetrahydrofuran, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentamon, 1-butanol, 2-butanol, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, acetone, n-propyl alcohol and dimethyl ether.
Alternativ
kann das Trockengas zusammen mit einem Trägergas eingespeist werden.
In diesem Fall kann das Trockengas 27 eine Mischung aus
dem Trägergas
und einem aus der Gruppe von Ethylglykol, 1-Propanol, 2-Propanol,
Tetrahydrofuran, 4-Hydroxy-4-methy-3-pentamon,
1-Butanol, 2-Butanol, Methanol, Ethanol, Isopropylalkohol, Aceton,
n-Propylalkohol und Dimethylether sein. Das Trägergas kann Stickstoffgas sein.
Das Trägergas
kann eine normale oder eine höhere
Temperatur aufweisen. Falls das Trägergas eine Temperatur aufweist,
welche höher
als eine Normaltemperatur ist, kann das Trockengas 27 ebenfalls
eine Temperatur aufweisen, welche höher als die Normaltemperatur
ist. Falls das Trockengas 27 z.B. eine Mischung von Isopropylalkoholgas,
welches eine Normaltemperatur aufweist und Stickstoffgas, welches
eine Temperatur aufweist, die höher
als die Normaltemperatur ist, kann das Isopropylalkoholgas ebenfalls
eine Temperatur aufweisen, welche höher als die Normaltemperatur
ist.Alternatively, the drying gas may be fed together with a carrier gas. In this case, the drying gas 27 a mixture of the carrier gas and one of the group of ethyl glycol, 1-propanol, 2-propanol, tetrahydrofuran, 4-hydroxy-4-methyl-3-pentamino, 1-butanol, 2-butanol, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, acetone , n-propyl alcohol and dimethyl ether. The carrier gas may be nitrogen gas. The carrier gas may have a normal or a higher temperature. If the carrier gas has a temperature which is higher than a normal temperature, the drying gas 27 also have a temperature which is higher than the normal temperature. If the dry gas 27 For example, a mixture of isopropyl alcohol gas having a normal temperature and nitrogen gas having a temperature higher than the normal temperature, the isopropyl alcohol gas may also have a temperature which is higher than the normal temperature.
Das
Trockengas 27 kann in die zweite Kammer 3 wie
in 8 gezeigt, eingespeist
werden und durch die Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher 11a', 11a'', 11b', 11b'', 11c', 11c'' der ersten und zweiten schiebetürartigen
Entlüftungseinheiten 5a, 5b entlüftet werden.
Die Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöcher 11a', 11a'' können derart angeordnet werden,
daß sie
die höchste Anzahl
von Löchern
und/oder die größte Größe in dem
zu den inneren Seitenwänden 11d', 11d'' benachbarten Bereich aufweisen.
In dieser Anordnung ist der Trockeneffekt des Trockengases 27 an
der ersten Gruppe von Belüftungsöffnungen,
insbesondere Belüftungslöchern 11a', 11a'' benachbart zu den inneren Seitenwänden 11d', 11d'' wie in 8 gezeigt am größten. Demzufolge fließt das Trockengas 27,
welches durch einen oberen Bereich der unteren Oberflächen B des
Wafers hindurch passiert, gleichmäßig oder im wesentlichen gleichmäßig entlang
einer zu einer Abgrenzung bzw. einer Kontur der Ecke des Wafers 23 parallelen
oder im wesentlichen parallelen Richtung (in dem Beispiel der 8 die abgerundete Ecke).
Dies kann entsprechend auf die Oberfläche des Wafers 23 ausgebildete
Wasserflecken vermindern.The dry gas 27 can in the second chamber 3 as in 8th shown, and through the ventilation holes, in particular ventilation holes 11a ' . 11a '' . 11b ' . 11b ' . 11c ' . 11c '' the first and second sliding door-like ventilation units 5a . 5b be vented. The ventilation openings, especially ventilation holes 11a ' . 11a '' may be arranged to have the highest number of holes and / or the largest size in the inner sidewalls 11d ' . 11d '' have adjacent area. In this arrangement, the dry effect of the drying gas 27 at the first group of ventilation openings, in particular ventilation holes 11a ' . 11a '' adjacent to the inner sidewalls 11d ' . 11d '' as in 8th shown the largest. As a result, the drying gas flows 27 which passes through an upper portion of the lower surfaces B of the wafer, evenly or substantially uniformly along one to a boundary of the corner of the wafer 23 parallel or substantially parallel direction (in the example of FIG 8th the rounded corner). This can be done on the surface of the wafer 23 Reduce formed water marks.
Dem
Fachmann ist ersichtlich, daß andere Änderungen
und Modifikationen in den oben beschriebenen Ausführungsformen
vorgenommen werden können,
ohne von dem Umfang der Erfindung abzuweichen und es ist beabsichtigt,
daß sämtlicher in
der obigen Beschreibung enthaltene Inhalt in einem darstellenden
und nicht einschränkenden
Sinn interpretiert werden soll.It will be apparent to those skilled in the art that others Changes and modifications may be made in the embodiments described above without departing from the scope of the invention, and it is intended that all matter contained in the above description be interpreted in an illustrative and non-limiting sense.