DE102004019435A1 - On a cooling fin arranged component - Google Patents

On a cooling fin arranged component Download PDF

Info

Publication number
DE102004019435A1
DE102004019435A1 DE200410019435 DE102004019435A DE102004019435A1 DE 102004019435 A1 DE102004019435 A1 DE 102004019435A1 DE 200410019435 DE200410019435 DE 200410019435 DE 102004019435 A DE102004019435 A DE 102004019435A DE 102004019435 A1 DE102004019435 A1 DE 102004019435A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
insulating material
electrically insulating
contact surface
electrical contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE200410019435
Other languages
German (de)
Inventor
Markus Frühauf
Kurt GÖPFRICH
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE200410019435 priority Critical patent/DE102004019435A1/en
Priority to PCT/EP2005/051652 priority patent/WO2005101490A2/en
Publication of DE102004019435A1 publication Critical patent/DE102004019435A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2401—Structure
    • H01L2224/24011—Deposited, e.g. MCM-D type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2401—Structure
    • H01L2224/2402—Laminated, e.g. MCM-L type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2405—Shape
    • H01L2224/24051—Conformal with the semiconductor or solid-state device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241—Disposition
    • H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0101—Neon [Ne]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01052—Tellurium [Te]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01061—Promethium [Pm]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]

Abstract

Eine Vorrichtung weist eine Kühlrippe auf, an der eine Isolationsschicht angeordnet ist, auf der ein Bauelement angeordnet ist. Das Bauelement weist eine elektrische Kontaktfläche auf. Eine Schicht aus elektrisch isolierendem Material ist auf der Kühlrippe mit der Isolationsschicht und dem Bauelement aufgebracht. Die elektrische Kontaktfläche des Bauelements ist von der Schicht aus elektrisch isolierendem Material freigelegt. Eine Schicht aus elektrisch leitendem Material ist auf der Schicht aus elektrisch isolierendem Material und der freigelegten elektrischen Kontaktfläche des Bauelements aufgebracht.A device has a cooling rib, on which an insulating layer is arranged, on which a component is arranged. The component has an electrical contact surface. A layer of electrically insulating material is applied to the cooling fin with the insulating layer and the device. The electrical contact surface of the device is exposed by the layer of electrically insulating material. A layer of electrically conductive material is applied to the layer of electrically insulating material and the exposed electrical contact surface of the device.

Description

Leistungshalbleiter verursachen thermische Verluste. Diese Verluste führen zur Erwärmung der Bauelemente. Um die Temperaturen in einem Bereich zu halten, in dem ein zuverlässiger Betrieb garantiert ist, müssen die Leistungshalbleiter gekühlt werden. Dafür eingesetzte Kühlkörper sind in der Regel schwer und teuer.Power semiconductor cause thermal losses. These losses lead to warming of the components. To keep the temperatures in one range, in which a reliable Operation is guaranteed the power semiconductors are cooled. Used for this Heat sink are usually heavy and expensive.

In typischen Aufbauten werden die Leistungshalbleiter 101 auf eine DCB (Direct Copper Bonding)-Keramik 102 gelötet, wie dies in 1 dargestellt ist. Diese DCB-Keramik 102 wird dann entweder direkt auf einen Kühlkörper 103 montiert oder aber ihrerseits auf eine Cu-Bodenplatte gelötet, die dann auf den Kühlkörper montiert wird.In typical constructions, the power semiconductors become 101 on a DCB (Direct Copper Bonding) ceramic 102 soldered, like this in 1 is shown. This DCB ceramics 102 is then either directly on a heat sink 103 mounted or in turn soldered to a Cu bottom plate, which is then mounted on the heat sink.

Der Kühlkörper 103 seinerseits weist zwei Arten von Elementen auf: einen Wärmeverteiler 104 und Kühlrippen 105. Der Wärmeverteiler 104 sorgt dafür, dass die Wärme möglichst gleichmäßig den Kühlrippen 105 zugeführt wird. Diese wiederum werden von einem Kühlmedium in Form eines Gases oder einer Flüssigkeit umströmt und geben dadurch Wärme an das Kühlmedium ab.The heat sink 103 in turn, has two types of elements: a heat spreader 104 and cooling fins 105 , The heat spreader 104 ensures that the heat as evenly as possible the cooling fins 105 is supplied. These in turn are flowed around by a cooling medium in the form of a gas or a liquid and thereby give off heat to the cooling medium.

Aus der WO 03/030247 A2 ist eine Kontaktierungstechnik für Bauelemente, insbesondere Leistungshalbleiter, bekannt, bei der diese über eine auflaminierte Folie und eine darauf aufgebrachte leitende Schicht kontaktiert werden.Out WO 03/030247 A2 is a contacting technique for components, in particular power semiconductors, known in which these have a laminated film and a conductive layer applied thereto be contacted.

Aufgabe der Erfindung ist es, eine bessere Kühlung von Leistungshalbleitern zu ermöglichen und dabei ein besonders kostengünstig aufzubauendes Leistungsmodul zur Verfügung zu stellen.task The invention is a better cooling of power semiconductors to enable and doing a particularly cost-effective to be provided power module to be provided.

Diese Aufgabe wird durch die in den unabhängigen Ansprüchen angegebenen Erfindungen gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.These The object is achieved by those specified in the independent claims Inventions solved. Advantageous embodiments emerge from the subclaims.

Dementsprechend wird in einem Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung an einer Kühlrippe eine Isolationsschicht angeordnet, auf der ein Bauelement angeordnet wird, das eine elektrische Kontaktfläche aufweist. Auf die Kühlrippe mit der Isolationsschicht und das Bauelement wird eine Schicht aus elektrisch isolierendem Material aufgebracht. Die elektrische Kontaktfläche des Bauelements bleibt beim Aufbringen der Schicht aus elektrisch isolierendem Material frei und/oder wird nach dem Aufbringen der Schicht aus elektrisch isolierendem Material freigelegt, insbesondere durch Öffnen eines Fensters. Weiterhin wird eine Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Schicht aus elektrisch isolierendem Material und der elektrischen Kontaktfläche des Bauelements aufgebracht. Die Schicht aus elektrisch isolierendem Material ist also eine Trägerschicht für die Schicht aus elektrisch leitendem Material.Accordingly is in a method of manufacturing a device on a Cooling fin one Insulation layer arranged on which a component arranged is having an electrical contact surface. On the cooling fin with the insulating layer and the device is a layer of applied electrically insulating material. The electrical contact surface of the Component remains when applying the layer of electrically insulating Material is free and / or is made after the application of the layer electrically insulating material exposed, in particular by opening a Window. Furthermore, a layer of electrically conductive material on the layer of electrically insulating material and the electrical contact area applied to the device. The layer of electrically insulating Material is therefore a carrier layer for the shift made of electrically conductive material.

Da das Bauelement auf der Kühlrippe mit der Isolationsschicht angeordnet ist, bilden die Kühlrippe mit der Isolationsschicht und das Bauelement eine Oberflächenkontur. Vorzugsweise folgt die Schicht aus elektrisch isolierendem Material der aus der Kühlrippe mit der Isolationsschicht und dem Bauelement gebildeten Oberflächenkontur, d.h., dass die Schicht aus elektrisch isolierendem Material entsprechend der aus Kühlrippe mit Isolationsschicht und Bauelement gebildeten Oberflächenkontur auf dieser Oberflächenkontur verläuft.There the component on the cooling fin is arranged with the insulating layer, form the cooling fin with the insulating layer and the device a surface contour. Preferably, the layer of electrically insulating material follows the out of the cooling fin surface contour formed with the insulating layer and the component, that is, the layer of electrically insulating material corresponding to the cooling fin Surface contour formed with insulation layer and component on this surface contour runs.

Dadurch dass die Schicht aus elektrisch isolierendem Material in ihrer Gesamtheit der aus Kühlrippe mit Isolationsschicht und Bauelement gebildeten Oberflächenkontur folgt, ergeben sich, insbesondere wenn ein Leistungsbauelement als Bauelement verwendet wird, gleich zwei Vorteile. Zum einen ist eine noch ausreichende Dicke der Schicht aus elektrisch isolieren dem Material über den der Kühlrippe mit der Isolationsschicht abgewandten Kanten des Bauelements gewährleistet, so dass ein Durchschlag bei hohen Spannungen bzw. Feldstärken verhindert wird. Zum anderen ist die Schicht aus elektrisch isolierendem Material neben dem in der Regel sehr hohen Leistungsbauelement auf der Kühlrippe mit der Isolationsschicht nicht so dick, dass ein Freilegen und Kontaktieren von Kontaktflächen auf Leiterbahnen auf der Kühlrippe mit der Isolationsschicht problematisch wäre.Thereby that the layer of electrically insulating material in its entirety the cooling fin Surface contour formed with insulation layer and component follows, in particular if a power component than Component is used, two advantages. For one thing is one still sufficient thickness of the layer of electrically insulating the Material over the cooling fin with ensures the insulation layer facing away from the edge of the device, so that a breakdown at high voltages or field strengths is prevented. On the other hand, the layer of electrically insulating material in addition to the usually very high power component on the cooling fin with the insulation layer not so thick that exposing and Contacting contact surfaces on tracks on the cooling fin would be problematic with the insulation layer.

Die elektrische Kontaktfläche des Bauelements bleibt beim Aufbringen der Schicht aus elektrisch isolierendem Material frei und/oder wird nach dem Aufbringen der Schicht aus elektrisch isolierendem Material freigelegt, insbesondere durch Öffnen eines Fensters.The electrical contact surface of the device remains electrically when applying the layer of isolating material free and / or will after applying the Layer of electrically insulating material exposed, in particular by opening one Window.

Weiterhin wird eine Schicht aus elektrisch leitendem Material auf der Schicht aus elektrisch isolierendem Material und der elektrischen Kontaktfläche des Bauelements aufgebracht. Die Schicht aus elektrisch isolierendem Material ist also eine Trägerschicht für die Schicht aus elektrisch leitendem Material.Farther is a layer of electrically conductive material on the layer made of electrically insulating material and the electrical contact surface of the Applied component. The layer of electrically insulating Material is therefore a carrier layer for the Layer of electrically conductive material.

Selbstverständlich liegt es auch im Rahmen der Erfindung bei einem Substrat, auf dem mehrere Bauelemente mit Kontaktflächen angeordnet sind, und/oder bei Bauelementen mit mehreren Kontaktflächen entsprechend vorzugehen.Of course it lies it also in the context of the invention in a substrate on which several components with contact surfaces are arranged, and / or in components having a plurality of contact surfaces accordingly proceed.

Die Dicke der Schicht aus elektrisch isolierendem Material über der Kühlrippe mit der Isolationsschicht weicht in ihrem geradlinig verlaufenden Bereich um weniger als 50% von ihrer Dicke über dem Bauelement in ihrem dort geradlinig verlaufenden Bereich ab, insbesondere um weniger als 20%. Vorzugsweise sind die Dicken in etwa gleich, weichen also um weniger als 5% oder sogar weniger als 1% voneinander ab. Die Prozentangaben beziehen sich insbesondere auf die Dicke der Schicht über dem Bauelement in deren geradlinig verlaufenden Bereich, die dementsprechend die 100% angibt. Auf den geradlinig verlaufenden Bereich wird abgestellt, da die Schicht in Innenkanten von Kühlrippe mit Isolationsschicht und Bauelement in der Regel dicker, über den der Kühlrippe mit der Isolationsschicht abgewandten Kanten des Bauelements in der Regel dünner verläuft.The thickness of the layer of electrically insulating material over the cooling fin with the Isolati Onsschicht deviates in its rectilinear region by less than 50% of its thickness over the device in its rectilinear region there, in particular by less than 20%. Preferably, the thicknesses are approximately the same, ie deviate from one another by less than 5% or even less than 1%. In particular, the percentages refer to the thickness of the layer over the device in its rectilinear region, which correspondingly indicates the 100%. On the rectilinear region is turned off because the layer in the inner edges of the fin with insulating layer and component usually thicker, over which the cooling fin with the insulating layer facing away from the edge of the component is usually thinner.

Zur Kontaktierung des Bauelements mit einer auf der Kühlrippe mit der Isolationsschicht verlaufenden Leiterbahn weist diese Leiterbahn vorzugsweise eine elektrische Kontaktfläche auf, die beim Aufbringen der Schicht aus elektrisch leitendem Material frei bleibt oder nach dem Aufbringen der Schicht aus elektrisch isolierendem Material freigelegt wird und auf die Schicht aus elektrisch leitendem Material ebenfalls aufgebracht wird. So wird die Kontaktfläche des Bauelements über die Schicht aus elektrisch leitendem Material mit der Kontaktfläche der Leiterbahn verbunden.to Contacting the component with one on the cooling fin with the insulating layer extending conductor has this trace preferably an electrical contact surface, which during application the layer of electrically conductive material remains free or after the application of the layer of electrically insulating material is exposed and on the layer of electrically conductive material is also applied. So the contact surface of the Component over the layer of electrically conductive material with the contact surface of Interconnected track.

Die Kontaktfläche des Bauelements und die Kontaktfläche der Leiterbahn sind vorzugsweise in etwa gleich groß, um einen durchgängigen Stromfluss zu gewährleisten.The contact area of the device and the contact surface of the conductor are preferably about the same size, to a consistent To ensure flow of electricity.

Die elektrische Kontaktfläche des Bauelements kann beim Aufbringen der Schicht aus elektrisch isolierendem Material freigelassen und/oder später freigelegt werden. Das vollständige oder partielle Freilassen schon beim Aufbringen lässt sich besonders vorteilhaft verwirklichen, wenn die Schicht aus elektrisch isolierendem Material mit Öffnungen aufgebracht wird. Dann lässt sich nämlich von vornherein eine Schicht aus elektrisch isolierendem Material mit einer oder mehreren entsprechenden Öffnungen bzw. Fenstern verwenden, die sich beispielsweise zuvor durch kostengünstiges Ausstanzen oder Ausschneiden schaffen lassen.The electrical contact surface of the device can during the application of the layer of electric isolating material released and / or exposed later. The full or partial release already during application can be realize particularly advantageous if the layer of electrical applied insulating material with openings becomes. Then lets Namely from the outset a layer of electrically insulating material use with one or more corresponding openings or windows, for example, previously by cost punching or cutting let create.

Wird durch das Freilegen der Kontaktfläche ein Fenster mit mehr als 60% der Größe der Seite und/oder Fläche des Bauelementes geöffnet, an der das Fenster geöffnet wird, insbeson dere mehr als 80%, so kann das Verfahren für Leistungsbauelemente verwendet werden, deren Kontaktfläche ein entsprechende Größe aufweisen. Um eine saubere Kantenverarbeitung zu gewährleisten, sollte die Größe des Fensters aber andererseits nicht mehr als 99,9% der Größe der Seite und/oder Fläche des Bauelementes betragen, an der das Fenster geöffnet wird, insbesondere nicht mehr als 99% und weiter bevorzugt nicht mehr als 95%. Das Fenster wird insbesondere an der größten und/oder an der von der Kühlrippe abgewandten Seite des Bauelements geöffnet und hat vorzugsweise eine absolute Größe von mehr als 50 mm2, insbesondere mehr als 70 mm2.Is opened by exposing the contact surface, a window with more than 60% of the size of the side and / or surface of the device at which the window is opened, in particular more than 80%, the method can be used for power devices whose contact surface have a corresponding size. On the other hand, in order to ensure clean edge processing, the size of the window should not be more than 99.9% of the size of the side and / or face of the device at which the window is opened, in particular not more than 99% and more preferably not more than 95%. The window is opened in particular on the largest and / or on the side facing away from the cooling fin side of the device and preferably has an absolute size of more than 50 mm 2 , in particular more than 70 mm 2 .

Die Kühlrippe ist insbesondere aus Metall.The cooling fin is in particular of metal.

Die Schicht aus elektrisch isolierendem Material und/oder die Isolationsschicht sind insbesondere aus Kunststoff. Je nach Weiterverarbeitung können sie fotoempfindlich oder nicht fotoempfindlich sein.The Layer of electrically insulating material and / or the insulating layer are in particular made of plastic. Depending on the further processing you can be photosensitive or not photosensitive.

Sie werden vorzugsweise mit einer oder mehreren der folgenden Vorgehensweisen aufgebracht: Lackieren, Auflaminieren einer Folie, Vorhanggießen, Tauchen, insbesondere einseitiges Tauchen, Sprühen, insbesondere elektrostatisches Sprühen, Drucken, insbesondere Siebdrucken, Overmolden, Dispensen, Spincoaten.she are preferably with one or more of the following procedures applied: painting, laminating a foil, curtain coating, dipping, especially one-sided diving, spraying, in particular electrostatic spraying, Printing, in particular screen printing, overmolding, dispensing, spincoating.

Zum Aufbringen der Schicht aus elektrisch leitendem Material, also zum flächigen Kontaktieren, wird vorteilhaft ein physikalisches oder chemisches Abscheiden des elektrisch leitenden Materials durchgeführt. Derartige physikalische Verfahren sind Sputtern und Bedampfen (Physical Vapor Deposition, PVD). Das chemische Abscheiden kann aus gasförmiger Phase (Chemical Vapor Deposition, CVD) und/oder flüssiger Phase (Liquid Phase Chemical Vapor Deposition) erfolgen. Denkbar ist auch, dass zunächst durch eines dieser Verfahren eine dünne elektrisch leitende Teilschicht beispielsweise aus Titan/Kupfer aufgetragen wird, auf der dann eine dickere elektrisch leitende Teilschicht beispielsweise aus Kupfer galvanisch abgeschieden wird.To the Applying the layer of electrically conductive material, ie to flat Contact, advantageously, a physical or chemical deposition carried out of the electrically conductive material. Such physical Methods are sputtering and vapor deposition (Physical Vapor Deposition, PVD). The chemical deposition can from gaseous phase (Chemical Vapor Deposition, CVD) and / or liquid Phase (Liquid Phase Chemical Vapor Deposition). Conceivable is also that first by one of these methods a thin electrically conductive sublayer for example, is applied from titanium / copper, then on the one thicker electrically conductive sub-layer, for example made of copper is electrodeposited.

Vorzugsweise wird eine Kühlrippe mit Isolationsschicht mit einer Oberfläche verwendet, die mit einem oder mehreren Halbleiterchips, insbesondere Leistungshalbleiterchips bestückt ist, auf deren jedem je eine oder mehrere zu kontaktierende Kontaktflächen vorhanden ist oder sind, wobei die Schicht aus elektrisch isolierendem Material auf dieser Oberfläche unter Vakuum aufgebracht wird, so dass die Schicht aus elektrisch isolierendem Material diese Oberfläche einschließlich jedes Halbleiterchips und jeder Kontaktfläche eng anliegend bedeckt und auf dieser Oberfläche einschließlich jedes Halbleiterchips haftet.Preferably becomes a cooling fin used with insulating layer with a surface that with a or a plurality of semiconductor chips, in particular power semiconductor chips stocked is on each of which each one or more to be contacted contact surfaces available is or are, wherein the layer of electrically insulating material on this surface is applied under vacuum, so that the layer of electrical insulating material this surface including each one Covered semiconductor chips and each contact surface tightly and on this surface including each semiconductor chip adheres.

Die Schicht aus elektrisch isolierendem Material ist dabei so gestaltet, dass ein Höhenunterschied von bis zu 1000 μm überwunden werden kann. Der Höhenunterschied ist unter anderem durch die Topologie des Substrats und durch die auf der Kühlrippe mit der Isolationsschicht angeordneten Halbleiterchips verursacht.The Layer of electrically insulating material is designed in this way that a height difference overcome by up to 1000 microns can be. The height difference is partly due to the topology of the substrate and by the on the cooling fin caused with the insulating layer arranged semiconductor chips.

Die Dicke der Schicht aus elektrisch isolierendem Material und der Isolationsschicht kann 10 μm bis 500 μm betragen. Vorzugsweise wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eine Schicht aus elektrisch isolierendem Material und eine Isolationsschicht mit einer Dicke von 25 bis 150 μm aufgebracht.The Thickness of the layer of electrically insulating material and the insulating layer can be 10 μm up to 500 μm be. Preferably, in the method according to the invention a layer of electrically insulating material and an insulating layer with a thickness of 25 to 150 microns applied.

In einer weiteren Ausgestaltung wird das Aufbringen sooft wiederholt, bis eine bestimmte Dicke der Schicht aus elektrisch isolierendem Material erreicht ist. Beispielsweise werden Teilschichten aus elektrisch isolierendem Material geringerer Dicke zu einer Schicht aus elektrisch isolierendem Material höherer Dicke verarbeitet. Diese Teilschichten aus elektrisch isolierendem Material bestehen vorteilhaft aus einer Art Kunststoffmaterial. Denkbar ist dabei auch, dass die Teilschichten aus elektrisch isolierendem Material aus mehre ren unterschiedlichen Kunststoffmaterialen bestehen, Es resultiert eine aus Teilschichten aufgebaute Schicht aus elektrisch isolierendem Material.In In another embodiment, the application is repeated as often, to a certain thickness of the layer of electrically insulating Material is reached. For example, partial layers of electrical insulating material of lesser thickness to a layer of electrical insulating material higher Thickness processed. These sub-layers of electrically insulating Material advantageously consist of a kind of plastic material. It is also conceivable that the sub-layers of electrically insulating Material consist of several ren different plastic materials, The result is a built up of layers of layers of electrical insulating material.

In einer besonderen Ausgestaltung wird zum Freilegen der elektrischen Kontaktfläche des Bauelements ein Fenster in der Schicht aus elektrisch isolierendem Material durch Laserablation geöffnet. Eine Wellenlänge eines dazu verwendeten Lasers beträgt zwischen 0,1 μm und 11 μm. Die Leistung des Lasers beträgt zwischen 1 W und 100 W. Vorzugsweise wird ein CO2-Laser mit einer Wellenlänge von 9,24 μm verwendet. Das Öffnen der Fenster erfolgt dabei ohne eine Beschädigung eines eventuell unter der Schicht aus isolierendem Material liegenden Chipkontakts aus Aluminium, Gold oder Kupfer.In a particular embodiment, a window in the layer of electrically insulating material is opened by laser ablation to expose the electrical contact surface of the device. One wavelength of a laser used for this purpose is between 0.1 μm and 11 μm. The power of the laser is between 1 W and 100 W. Preferably, a CO 2 laser with a wavelength of 9.24 microns is used. The windows are opened without damaging a chip contact made of aluminum, gold or copper, which may be under the layer of insulating material.

In einer weiteren Ausgestaltung wird eine fotoempfindliche Schicht aus elektrisch isolierendem Material verwendet und zum Freilegen der elektrischen Kontaktfläche des Bauelements ein Fenster durch einen fotolithographischen Prozess geöffnet. Der fotolithographische Prozess umfasst ein Belichten der fotoempfindlichen Schicht aus elektrisch isolierendem Material und ein Entwickeln und damit Entfernen der belichteten oder nicht belichteten Stellen der Schicht aus elektrisch isolierendem Material.In In another embodiment, a photosensitive layer made of electrically insulating material and used for exposure the electrical contact surface of the device a window through a photolithographic process open. Of the Photolithographic process involves exposing the photosensitive Layer of electrically insulating material and developing and thus removing the exposed or unexposed areas of the Layer of electrically insulating material.

Nach dem Öffnen der Fenster erfolgt gegebenenfalls ein Reinigungsschritt, bei dem Reste der Schicht aus elektrisch isolierendem Material entfernt werden. Der Reinigungsschritt erfolgt beispielsweise nasschemisch. Denkbar ist insbesondere auch ein Plasmareinigungsverfahren.To opening the window is optionally carried out a cleaning step in which Remains of the layer of electrically insulating material are removed. The cleaning step takes place, for example, wet-chemically. Conceivable is in particular also a plasma cleaning process.

In einer weiteren Ausgestaltung wird eine Schicht aus elektrisch leitendem Material mit mehreren übereinander angeordneten Teilschichten aus unterschiedlichem, elektrisch leitendem Material verwendet. Es werden beispielsweise verschiedene Metalllagen übereinander aufgetragen. Die Anzahl der Teil schichten beziehungsweise Metalllagen beträgt insbesondere 2 bis 5. Durch die aus mehreren Teilschichten aufgebaute elektrisch leitende Schicht kann beispielsweise eine als Diffusionsbarriere fungierende Teilschicht integriert sein. Eine derartige Teilschicht besteht beispielsweise aus einer Titan-Wolfram-Legierung (TiW). Vorteilhafterweise wird bei einem mehrschichtigen Aufbau direkt auf der zu kontaktierenden Oberfläche eine die Haftung vermittelnde oder verbessernde Teilschicht aufgebracht. Eine derartige Teilschicht besteht beispielsweise aus Titan.In In another embodiment, a layer of electrically conductive Material with several superimposed arranged sub-layers of different, electrically conductive Material used. For example, different metal layers are stacked on top of each other applied. The number of partial layers or metal layers in particular 2 to 5. By the built up of several sub-layers electrically conductive layer, for example, as a diffusion barrier functioning sub-layer to be integrated. Such a sub-layer For example, it consists of a titanium-tungsten alloy (TiW). advantageously, is in a multi-layered construction directly on the to be contacted surface an adhesion mediating or improving partial layer applied. A such sub-layer consists for example of titanium.

Das Strukturieren erfolgt üblicherweise in einem fotolithographischen Prozess. Dazu kann auf der elektrisch leitenden Schicht ein Fotolack aufgetragen, getrocknet und anschließend belichtet und entwickelt werden. Unter Umständen folgt ein Temperschritt, um den aufgetragenen Fotolack gegenüber nachfolgenden Behandlungsprozessen zu stabilisieren. Als Fotolack kommen herkömmliche positive und negative Resists (Beschichtungsmaterialien) in Frage. Das Auftragen des Fotolacks erfolgt beispielsweise durch einen Sprüh- oder Tauchprozess. Electro-Deposition (elektrostatisches oder elektrophoretisches Abscheiden) ist ebenfalls denkbar.The Structuring is usually done in a photolithographic process. This can be done on the electric applied a photoresist layer, dried and then exposed and be developed. Under certain circumstances, an annealing step, to the applied photoresist against subsequent treatment processes to stabilize. The photoresist is conventional positive and negative Resists (coating materials) in question. Applying the photoresist for example, by a spraying or dipping process. Electro-Deposition (electrostatic or electrophoretic deposition) is also conceivable.

Statt eines Fotolacks kann auch ein anderes strukturierbares Material mit einer oder mehreren der folgenden Vorgehensweisen aufgebracht werden: Vorhanggießen, Tauchen, insbesondere einseitiges Tauchen, Sprühen, insbesondere elektrostatisches Sprühen, Drucken, insbesondere Siebdrucken, Overmolden, Dispensen, Spincoaten, Auflaminieren einer Folie.Instead of A photoresist can also be another structurable material applied with one or more of the following procedures be: curtain coating, Dipping, especially one-sided dipping, spraying, in particular electrostatic spraying, printing, especially screen printing, overmolding, dispensing, spincoating, laminating a slide.

Zum Strukturieren können auch fotoempfindliche Folien eingesetzt werden, die auflaminiert und vergleichbar mit der aufgetragenen Fotolackschicht belichtet und entwickelt werden.To the Can structure Also photosensitive films are used, which lamination and exposed comparable to the applied photoresist layer and be developed.

Zum Erzeugen der Leiterbahn kann beispielsweise wie folgt vorgegangen werden: In einem ersten Teilschritt wird die elektrisch leitende Schicht strukturiert und in einem darauf folgenden Teilschritt wird auf der erzeugten Leiterbahn eine weitere Metallisierung aufgebracht. Durch die weitere Metallisierung wird die Leiterbahn verstärkt. Beispielsweise wird auf der durch Strukturieren erzeugten Leiterbahn Kupfer galvanisch in einer Dicke von 1 μm bis 400 μm abgeschieden. Danach wird die Fotolackschicht beziehungsweise die auflaminierte Folie oder das alternativ verwendete strukturierbare Material abgelöst. Dies gelingt beispielsweise mit einem organischen Lösungsmittel, einem alkalischen Entwickler oder dergleichen. Durch nachfolgendes Differenzätzen wird die flächige, nicht mit der Metallisierung verstärkte, metallisch leitende Schicht wieder entfernt. Die verstärkte Leiterbahn bleibt erhalten.To the Generating the conductor can, for example, proceed as follows In a first partial step, the electrically conductive Layer is structured and in a subsequent sub-step applied on the generated trace another metallization. The further metallization strengthens the printed circuit. For example on the conductor track copper produced by structuring in a thickness of 1 micron up to 400 μm deposited. Thereafter, the photoresist layer or the laminated film or alternatively structurable used Material detached. This is achieved, for example, with an organic solvent, an alkaline developer or the like. By following differential etching becomes the plane, non metallization reinforced, metallically conductive layer removed again. The amplified Track remains intact.

In einer besonderen Ausgestaltung werden zum Herstellen einer mehrlagigen Vorrichtung die Schritte Auflaminieren, Freilegen, Kontaktieren und Erzeugen der Leiterbahn mehrmals durchgeführt.In a particular embodiment are for producing a multilayer Device the steps laminating, exposing, contacting and generating the trace several times.

Bevorzugte und vorteilhafte Ausgestaltungen der Vorrichtung ergeben sich aus den bevorzugten Ausgestaltungen des Verfahrens.preferred and advantageous embodiments of the device emerge the preferred embodiments of the method.

Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung anhand der Zeichnung. Dabei zeigen:Further Features and advantages of the invention will become apparent from the description based on the drawing. Showing:

1 eine Leistungshalbleiter mit zugehöriger Kühlrippe nach dem Stand der Technik; 1 a power semiconductor with associated cooling rib according to the prior art;

2 ein Verfahren zum Kontaktieren eines Leistungshalbleiters auf einer Kühlrippe; 2 a method for contacting a power semiconductor on a cooling fin;

3 einen Kühlkörper mit mehreren Kühlrippen, auf denen jeweils ein Leistungshalbleitermodul angeordnet ist. 3 a heat sink with a plurality of cooling fins, on each of which a power semiconductor module is arranged.

In der 2 erkennt man eine Vorrichtung 1 aufweisend eine Kühlrippe 12 mit einer Isolationsschicht 10. Auf die Isolationsschicht 10 ist eine Schicht 11 aus Kupfer aufgebracht.In the 2 you recognize a device 1 having a cooling fin 12 with an insulation layer 10 , On the insulation layer 10 is a layer 11 applied from copper.

Die Schicht 11 aus Kupfer auf der oberen Oberfläche der Isolationsschicht 10 ist bereichsweise bis auf die obere Oberfläche der Isolationsschicht 10 herab entfernt, so dass dort die obere Oberfläche frei liegt. Durch die Schicht 11 aus Kupfer werden Leiterbahnen auf der Kühlrippe mit der Isolationsschicht gebildet.The layer 11 made of copper on the upper surface of the insulation layer 10 is partially down to the upper surface of the insulation layer 10 down so that the upper surface is exposed there. Through the layer 11 copper tracks are formed on the cooling fin with the insulation layer.

Auf die von der Isolationsschicht 10 abgekehrte Oberfläche der verbliebenen Schicht 11 aus Kupfer sind ein oder mehrere Bauelemente 2 aufgebracht, die zueinander gleich und/oder voneinander verschieden sein können.On the of the insulation layer 10 uneven surface of the remaining layer 11 Copper is one or more components 2 applied, which may be the same and / or different from each other.

Das Bauelement 2, das vorzugsweise ein Halbleiter, Chip und/oder Leistungshalbleiterchip ist, kontaktiert mit einer nicht dargestellten Kontaktfläche, die auf einer der Schicht 11 aus Kupfer zugekehrten unteren Oberfläche des Bauelements 2 vorhanden ist, flächig die obere Oberfläche der Schicht 11 aus Kupfer. Beispielsweise ist diese Kontaktfläche mit der Schicht 11 aus Kupfer verlötet.The component 2 , which is preferably a semiconductor, chip and / or power semiconductor chip, contacted with a contact surface, not shown, on one of the layer 11 copper facing lower surface of the device 2 is present, flat the upper surface of the layer 11 made of copper. For example, this contact surface is with the layer 11 soldered from copper.

Auf der von der Schicht 11 aus Kupfer und der unteren Oberfläche abgekehrten oberen Oberfläche des Chips 2 ist je ein Kontakt mit einer vom Bauelement 2 abgekehrten Kontaktfläche 210 vorhanden.On the of the layer 11 made of copper and the lower surface facing away from the upper surface of the chip 2 is ever a contact with one of the device 2 remote contact surface 210 available.

Ist beispielsweise das Bauelement 2 ein Transistor, ist die Kontaktfläche auf der unteren Oberfläche dieses Bauelements 2 die Kontaktfläche eines Kollektor- bzw. Drainkontaktes und der Kontakt auf der oberen Oberfläche des Bauelements 2 ein Emitter- bzw. Sourcekontakt, dessen Kontaktfläche die Kontaktfläche 210 ist.For example, is the device 2 a transistor, is the contact area on the bottom surface of this device 2 the contact surface of a collector or drain contact and the contact on the upper surface of the device 2 an emitter or source contact whose contact surface is the contact surface 210 is.

Die gesamte obere Oberfläche des mit dem Bauelement 2 bestückten Substrats ist durch die freiliegenden Teile der oberen Oberfläche der Isolationsschicht 10, der oberen Oberfläche der Schicht 11 aus Kupfer außerhalb der Bauelemente 2 und durch die freie Oberfläche jedes Bauelements 2 selbst gegeben, die durch die obere Oberfläche und die seitliche Oberfläche dieses Chips 2 bestimmt ist.The entire upper surface of the device 2 Stocked substrate is through the exposed portions of the top surface of the insulating layer 10 , the upper surface of the layer 11 made of copper outside the components 2 and through the free surface of each device 2 even given by the top surface and the side surface of this chip 2 is determined.

Auf die Oberfläche der mit dem Bauelement 2 bestückten Kühlrippe 12 mit der Isolationsschicht 10 wird im Schritt 301 eine Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial unter Vakuum aufgebracht, so dass die Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material die Oberfläche der mit dem Bauelement 2 bestückten Kühlrippe 12 mit den Kontaktflächen eng anliegend bedeckt und auf dieser Oberfläche haftet. Die Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material folgt dabei der durch die freiliegenden Teile der oberen Oberfläche der Isolationsschicht 10, der oberen Oberfläche der Schicht 11 aus Kupfer außerhalb der Bauelemente 2 und durch die freie Oberfläche der Bauelemente 2 selbst, die durch die obere Oberfläche und die seitliche Oberfläche dieses Bauelements 2 bestimmt ist, gegebenen Oberflächenkontur.On the surface of the device 2 equipped cooling fin 12 with the insulation layer 10 is in the step 301 a layer 3 made of electrically insulating plastic material applied under vacuum, so that the layer 3 made of electrically insulating material, the surface of the device 2 equipped cooling fin 12 covered closely with the contact surfaces and adheres to this surface. The layer 3 made of electrically insulating material follows the through the exposed parts of the upper surface of the insulating layer 10 , the upper surface of the layer 11 made of copper outside the components 2 and through the free surface of the components 2 even through the top surface and the side surface of this device 2 is determined, given surface contour.

Das Aufbringen der Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material in Schritt 301 erfolgt vorzugsweise mit einer oder mehreren der folgenden Vorgehensweisen: Auflaminieren einer Folie, Vorhanggießen, Tauchen, insbesondere einseitiges Tauchen, Sprühen, insbesondere elektrostatisches Sprühen, Drucken, insbesondere Siebdrucken, Overmolden, Dispensen, Spincoaten.Applying the layer 3 made of electrically insulating material in step 301 is preferably carried out with one or more of the following procedures: laminating a film, curtain coating, dipping, in particular one-sided dipping, spraying, in particular electrostatic spraying, printing, in particular screen printing, overmolding, dispensing, spincoating.

Die Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material dient als Isolator und als Träger einer im Weiteren aufgebrachten Schicht 4 aus elektrisch leitendem Material.The layer 3 made of electrically insulating material serves as an insulator and as a carrier of a subsequently applied layer 4 made of electrically conductive material.

Typische Dicken der Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material liegen im Bereich von 25–150 μm, wobei größere Dicken auch aus Schichtenfolgen von dünneren Teilschichten aus elektrisch isolierendem Material erreicht werden können. Damit lassen sich vorteilhafter Weise Isolationsfeldstärken im Bereich von einigen 10 kV/mm realisieren.Typical thicknesses of the layer 3 of electrically insulating material are in the range of 25-150 microns, with larger thicknesses can also be achieved from layer sequences of thinner sub-layers of electrically insulating material. Insulation field strengths in the range of a few 10 kV / mm can thus be advantageously realized.

Nun wird in Schritt 302 jede zu kontaktierende Kontaktfläche auf der Oberfläche des Substrats 1 einschließlich des Bauelements 2 durch Öffnen jeweiliger Fenster 31 in der Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material freigelegt.Now in step 302 Each contact surface to be contacted on the surface of the substrate 1 including the component 2 by opening respective windows 31 in the layer 3 made of electrically insulating material exposed.

Eine zu kontaktierende Kontaktfläche ist nicht nur eine Kontaktfläche 210 auf einem Bauelement 2, sondern kann auch jeder durch Öffnen eines Fensters 31 in der Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material freigelegte Bereich der oberen Oberfläche der Schicht 11 aus Kupfer oder einem sonstigen Metall sein.A contact surface to be contacted is not just a contact surface 210 on a component 2 But everyone can also by opening a window 31 in the layer 3 made of electrically insulating material exposed portion of the upper surface of the layer 11 be made of copper or other metal.

Die Größe des Fensters, das zum Kontaktieren der Kontaktfläche 210 geöffnet wird, beträgt mehr als 60% der Größe des Bauelements, insbesondere mehr als 80%.The size of the window used to contact the contact surface 210 is opened, is more than 60% of the size of the device, in particular more than 80%.

Das Öffnen eines der Fenster 31 in der Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material wird vorzugsweise durch Laserablation vorgenommen.Opening one of the windows 31 in the layer 3 made of electrically insulating material is preferably made by laser ablation.

Danach wird in Schritt 303 jede freigelegte Kontaktfläche 210 des Bauelements und freigelegte Kontaktfläche 212 des Substrats mit einer Schicht 4 aus elektrisch leitendem Material, vorzugsweise Metall, flächig kontaktiert, indem die freigelegten Kontaktflächen 210 und 212 mit den üblichen Verfahren metallisiert und strukturiert und somit planar kontaktiert werden.After that, in step 303 every exposed contact area 210 of the device and exposed contact surface 212 of the substrate with a layer 4 made of electrically conductive material, preferably metal, surface contacted by the exposed contact surfaces 210 and 212 metallized and patterned using the usual methods and thus contacted in a planar manner.

Beispielsweise kann die Schicht 4 aus elektrisch leitendem Material ganzflächig sowohl auf jede Kontaktfläche 210 und 212 als auch auf die von der Oberfläche des Substrats 1 abgekehrte obere Oberfläche der Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material aufgebracht und danach beispielsweise fotolithographisch so strukturiert werden, dass jede Kontaktfläche 210 und 212 flächig kontaktiert bleibt und über die Kontaktflächen 210 und 212 und die Schicht 3 aus isolierendem Material verlaufende Leiterbahnen entstehen.For example, the layer 4 made of electrically conductive material over the entire surface on each contact surface 210 and 212 as well as on the surface of the substrate 1 Abgewandten upper surface of the layer 3 be applied from electrically insulating material and then, for example, photolithographically structured so that each contact surface 210 and 212 surface contacted and over the contact surfaces 210 and 212 and the layer 3 arise from insulating material running tracks.

Vorzugsweise werden dazu folgende Prozessschritte (semiadditiver Aufbau) durchgeführt:

  • – Sputtern einer Ti-Haftschicht von ca. 100 nm Dicke und einer Cu-Leitschicht 4 von ca. 200 nm Dicke (Schritt 303).
  • – Fotolithographie unter Verwendung dicker Lackschichten oder von Fotofolien 5 (Schritt 304).
  • – Galvanische Verstärkung der freientwickelten Bereiche mit einer elektrisch leitenden Schicht 6. Hier sind Schichtdicken bis 500 μm möglich (Schritt 305).
  • – Lackentschichtung und Differenzätzen von Cu und Ti (Schritt 306).
The following process steps (semi-additive construction) are preferably carried out for this purpose:
  • - Sputtering a Ti-adhesive layer of about 100 nm thickness and a Cu-conductive layer 4 of about 200 nm thickness (step 303 ).
  • - Photolithography using thick layers of paint or photographic film 5 (Step 304 ).
  • Galvanic amplification of the freely wound areas with an electrically conductive layer 6 , Layer thicknesses of up to 500 μm are possible here (step 305 ).
  • - Lackentschichtung and differential etching of Cu and Ti (step 306 ).

Es kann auch so vorgegangen werden, dass auf die von der Oberfläche der Kühlrippe 12 mit der Isolationsschicht 10 abgekehrte obere Oberfläche der Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material eine Maske aufgebracht wird, welche die Kontaktflächen 210 und 212 sowie Bereiche für die über die Kontaktflächen 210 und 212 und die Schicht 3 aus isolierendem Material verlaufenden Leiterbahnen freilässt, und dass dann die Schicht 4 aus dem elektrisch leitenden Material ganzflächig auf die Maske und die Kontaktflächen 210 und 212 sowie die von der Maske freien Bereiche aufgebracht wird. Danach wird die Maske mit der darauf befindlichen Schicht 4 entfernt, so dass nur die flächig kontaktierten Kontaktflächen 210 und 212 und die über die Kontaktflächen 210 und 212 und die Schicht 3 aus isolierendem Material verlaufenden Leiterbahnen auf den maskenfreien Bereichen übrig bleiben.It can also be done so that on the surface of the cooling fin 12 with the insulation layer 10 Abgewandten upper surface of the layer 3 made of electrically insulating material, a mask is applied, which the contact surfaces 210 and 212 as well as areas for over the contact areas 210 and 212 and the layer 3 made of insulating material running tracks leaves free, and then that the layer 4 from the electrically conductive material over the entire surface of the mask and the contact surfaces 210 and 212 as well as the mask-free areas is applied. Then the mask with the layer on it 4 removed, leaving only the area contacted contact surfaces 210 and 212 and the over the contact surfaces 210 and 212 and the layer 3 made of insulating material running tracks remain on the mask-free areas.

Jedenfalls ist danach eine Vorrichtung aus der Kühlrippe 12 mit der Isolationsschicht 10 und dem Bauelement 2 mit einer Oberfläche, auf der elektrische Kontaktflächen 210, 212 angeordnet sind, bereitgestellt, bei der auf der Oberfläche ein Isolator in Form einer Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material aufgebracht ist, die eng an der Oberfläche anliegt und an der Oberfläche haftet und bei der die Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material bei den Kontaktflächen 210 und 212 jeweils Fenster 31 aufweist, in welchem diese Kontaktfläche 210, 212 frei von der Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material und flächig mit einer Schicht 4 und beispielsweise zusätzlich mit einer Schicht 6 aus elektrisch leitendem Material kontaktiert ist. Spezielle Ausbildungen dieser Vorrichtung ergeben sich aus der vorstehenden Beschreibung.Anyway, after that is a device from the cooling fin 12 with the insulation layer 10 and the device 2 with a surface on the electrical contact surfaces 210 . 212 are arranged, provided on the surface of an insulator in the form of a layer 3 is applied from electrically insulating material, which rests close to the surface and adheres to the surface and in which the layer 3 made of electrically insulating material at the contact surfaces 210 and 212 each window 31 in which this contact surface 210 . 212 free from the shift 3 made of electrically insulating material and flat with a layer 4 and for example additionally with a layer 6 made of electrically conductive material is contacted. Specific embodiments of this device will be apparent from the foregoing description.

Insgesamt erhält man so ein Leistungsmodul 20, das die Isolationsschicht 10, das Bauelement 2, die Schicht 11 aus Kupfer, die Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material und die Schicht 4 aus elektrisch leitendem Material enthält und das auf der Kühlrippe 12 angeordnet ist.Overall, one obtains such a power module 20 that the isolation layer 10 , the component 2 , the layer 11 made of copper, the layer 3 made of electrically insulating material and the layer 4 made of electrically conductive material and that on the cooling fin 12 is arranged.

Wie in 3 dargestellt ist, kann dadurch auf den teuren, in 1 gezeigten Wärmeverteiler 104 verzichtet werden. Stattdessen werden jeweils eines oder mehrere Leistungsmodule 20 direkt auf einer Kühlrippe 12 angeordnet und über Leitungen 21 miteinander verbunden. Dies wird wie oben gezeigt ermöglicht, weil die elektrisch leitfähigen Schichten durch die Isolierfolie, also die Schicht aus elektrisch isolierendem Material und die Isolierschicht nicht nur gegeneinander, sondern auch gegenüber der Kühlrippe 12 isoliert werden.As in 3 can be represented on the expensive, in 1 shown heat spreader 104 be waived. Instead, each one or more power modules 20 directly on a cooling fin 12 arranged and via lines 21 connected with each other. This is possible as shown above, because the electrically conductive layers through the insulating film, so the layer of electrically insulating material and the insulating layer not only against each other, but also with respect to the cooling fin 12 be isolated.

Statt des Wärmeverteilers ist nur noch ein Verbindungselement 22 notwendig, das die Kühlrippen 12 mechanisch miteinander verbindet und die Leitungen 21 trägt.Instead of the heat spreader is only a connecting element 22 necessary, that the cooling fins 12 mechanically interconnects and the lines 21 wearing.

Da das Bauelement 2, das beispielsweise ein IGBT ist, durch die Schicht 3 aus elektrisch isolierendem Material und die Schicht 4 aus elektrisch leitendem Material geschützt ist, können Kühlmedien auch direkt an ihm vorbeigeleitet werden.As the component 2 , which is, for example, an IGBT, through the layer 3 made of electrically insulating material and the layer 4 is protected from electrically conductive material, cooling media can also be passed directly past him.

Ein 10 kW-Umrichter lässt sich so beispielsweise durch 6 Kühlrippen mit daran angeordneten Leistungsmodulen und ein Verbindungselement realisieren, ein 100 kW-Umrichter mit 60 Kühlrippen mit daran angeordneten Leistungsmodulen und ein Verbindungselement.A 10 kW inverter can be so for example way by 6 cooling fins with power modules arranged thereon and realize a connecting element, a 100 kW inverter with 60 cooling fins with power modules arranged thereon and a connecting element.

Claims (14)

Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung (1), bei dem – an einer Kühlrippe (12) eine Isolationsschicht (10) angeordnet wird, – auf der Isolationsschicht (10) ein Bauelement (2) angeordnet wird, das eine elektrische Kontaktfläche (210) aufweist, – eine Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material auf der Kühlrippe (12) mit der Isolationsschicht (10) und dem Bauelement (2) aufgebracht wird, – die elektrische Kontaktfläche (210) des Bauelements zumindest teilweise beim Aufbringen der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material frei bleibt und/oder nach dem Aufbringen der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material freigelegt wird, – eine Schicht (4) aus elektrisch leitendem Material auf der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material und der elektrischen Kontaktfläche (210) des Bauelements aufgebracht wird.Method for producing a device ( 1 ), in which - on a cooling rib ( 12 ) an insulation layer ( 10 ), - on the insulating layer ( 10 ) a component ( 2 ) is arranged, which has an electrical contact surface ( 210 ), - a layer ( 3 ) made of electrically insulating material on the cooling fin ( 12 ) with the insulation layer ( 10 ) and the component ( 2 ), - the electrical contact surface ( 210 ) of the component at least partially during the application of the layer ( 3 ) remains free of electrically insulating material and / or after the application of the layer ( 3 ) is exposed from electrically insulating material, - a layer ( 4 ) of electrically conductive material on the layer ( 3 ) of electrically insulating material and the electrical contact surface ( 210 ) of the device is applied. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Dicke der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material über der Kühlrippe mit der Isolationsschicht (1) in ihrem geradlinig verlaufenden Bereich um weniger als 50% von der Dicke der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material über dem Bauelement (2) in ihrem geradlinig verlaufenden Bereich abweicht, insbesondere um weniger als 20%.Method according to one of the preceding claims, in which the thickness of the layer ( 3 ) of electrically insulating material over the cooling fin with the insulating layer ( 1 ) in its rectilinear region by less than 50% of the thickness of the layer ( 3 ) of electrically insulating material over the device ( 2 ) deviates in its rectilinear region, in particular by less than 20%. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Kühlrippe mit der Isolationsschicht (1) eine Leiterbahn (11) mit einer elektrischen Kontaktfläche (212) aufweist, die elektrische Kontaktfläche (212) zumindest teilweise beim Aufbringen der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material frei bleibt und/oder nach dem Aufbringen der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material freigelegt wird und die Schicht (4) aus elektrisch leitendem Material auch auf der elektrischen Kontaktfläche (212) des Substrats aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, wherein the cooling rib with the insulating layer ( 1 ) a conductor track ( 11 ) with an electrical contact surface ( 212 ), the electrical contact surface ( 212 ) at least partially during the application of the layer ( 3 ) remains free of electrically insulating material and / or after the application of the layer ( 3 ) is exposed from electrically insulating material and the layer ( 4 ) of electrically conductive material also on the electrical contact surface ( 212 ) of the substrate is applied. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Isolationsschicht (10) und/oder die Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material mithilfe einer oder mehrerer der folgenden Vorgehensweisen aufgebracht wird: Auflaminieren einer Folie, Vorhanggießen, Tauchen, insbesondere einseitiges Tauchen, Sprühen, insbesondere elektrostatisches Sprühen, Drucken, insbesondere Siebdrucken, Overmolden, Dispensen, Spincoaten.Method according to one of the preceding claims, in which the insulating layer ( 10 ) and / or the layer ( 3 ) is applied from electrically insulating material by one or more of the following methods: laminating a film, curtain coating, dipping, in particular dipping on one side, spraying, in particular electrostatic spraying, printing, in particular screen printing, overmolding, dispensing, spincoating. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Bauelement (2) ein Leistungselektronikbauelement ist, insbesondere ein Leistungshalbleiter.Method according to one of the preceding claims, in which the component ( 2 ) is a power electronics device, in particular a power semiconductor. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Bauelement (2) in Richtung der Flächennormalen des Substrats (1) mindestens 70 μm dick ist, insbesondere mindestens 100 μm.Method according to one of the preceding claims, in which the component ( 2 ) in the direction of the surface normal of the substrate ( 1 ) is at least 70 microns thick, in particular at least 100 microns. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Kühlrippe mit der Isolationsschicht (1) eine Leiterbahn (11, 12) aufweist, die mindestens 100 μm dick ist, insbesondere mindestens 150 μm.Method according to one of the preceding claims, wherein the cooling rib with the insulating layer ( 1 ) a conductor track ( 11 . 12 ) which is at least 100 μm thick, in particular at least 150 μm. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die elektrische Kontaktfläche (210) des Bauelements zumindest teilweise beim Aufbringen der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material frei bleibt und/oder nach dem Aufbringen der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material freigelegt wird, indem in der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material ein Fenster mit mehr als 60% der Größe der Seite und/oder Fläche des Bauelementes geöffnet ist und/oder wird, an der das Fenster geöffnet ist und/oder wird, insbesondere mehr als 80%.Method according to one of the preceding claims, in which the electrical contact surface ( 210 ) of the component at least partially during the application of the layer ( 3 ) remains free of electrically insulating material and / or after the application of the layer ( 3 ) is exposed from electrically insulating material by placing in the layer ( 3 ) is made of electrically insulating material, a window with more than 60% of the size of the side and / or surface of the device is open and / or will, where the window is open and / or is, in particular more than 80%. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die elektrische Kontaktfläche (210) des Bauelements zumindest teilweise durch Laserablation freigelegt wird.Method according to one of the preceding claims, in which the electrical contact surface ( 210 ) of the device is at least partially exposed by laser ablation. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem für die Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material ein fotoempfindliches Material verwendet wird und die elektrische Kontaktfläche des Bauelements zumindest teilweise durch einen fotolithographischen Prozess freigelegt wird.Method according to one of the preceding claims, in which for the layer ( 3 ) of electrically insulating material, a photosensitive material is used and the electrical contact surface of the device is at least partially exposed by a photolithographic process. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Schicht (4) aus elektrisch leitendem Material in mehreren übereinander angeordneten Teilschichten aus unterschiedlichem, elektrisch leitenden Material aufgebracht wird, wobei insbesondere eine obere Teilschicht durch galvanisches Aufwachsen aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, in which the layer ( 4 ) is applied from electrically conductive material in a plurality of superimposed sub-layers of different, electrically conductive material, in particular an upper sub-layer is applied by galvanic growth. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zum Herstellen einer mehrlagigen Vorrichtung die Schritte Aufbringen der Schicht aus elektrisch isolierendem Material, Freilegen der Kontaktflächen und Aufbringen der Schicht aus elektrisch leitendem Material mehrmals durchgeführt werden.Method according to one of the preceding claims, in to apply the steps of making a multilayer device the layer of electrically insulating material, exposing the contact surfaces and Applying the layer of electrically conductive material several times be performed. Vorrichtung mit einer Kühlrippe (12), an der eine Isolationsschicht (10) angeordnet ist, auf der ein Bauelement (2) angeordnet ist, wobei das Bauelement (2) eine elektrische Kontaktfläche (210) aufweist und wobei – eine Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material auf der Kühlrippe (12) mit der Isolationsschicht (10) und dem Bauelement (2) aufgebracht ist, – die elektrische Kontaktfläche (210) des Bauelements von der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material freigelegt ist, – eine Schicht (4) aus elektrisch leitendem Material auf der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material und der freigelegten elektrischen Kontaktfläche (210) des Bauelements aufgebracht ist.Device with a cooling rib ( 12 ), at which an insulation layer ( 10 ) is arranged, on which a component ( 2 ), wherein the compo ment ( 2 ) an electrical contact surface ( 210 ) and wherein - a layer ( 3 ) made of electrically insulating material on the cooling fin ( 12 ) with the insulation layer ( 10 ) and the component ( 2 ), - the electrical contact surface ( 210 ) of the device from the layer ( 3 ) is exposed from electrically insulating material, - a layer ( 4 ) of electrically conductive material on the layer ( 3 ) of electrically insulating material and the exposed electrical contact surface ( 210 ) of the component is applied. Vorrichtung, insbesondere Umrichter, mit mehreren Kühlrippen (12), an denen jeweils eine Isolationsschicht (10) angeordnet ist, auf der ein Bauelement (2) angeordnet ist, wobei das Bauelement (2) eine elektrische Kontaktfläche (210) aufweist und wobei – eine Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material auf der Kühlrippe (12) mit der Isolationsschicht (10) und dem Bauelement (2) aufgebracht ist, – die elektrische Kontaktfläche (210) des Bauelements von der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material zumindest teilweise frei ist, – eine Schicht (4) aus elektrisch leitendem Material auf der Schicht (3) aus elektrisch isolierendem Material und der freigelegten elektrischen Kontaktfläche (210) des Bauelements aufgebracht ist.Device, in particular converter, with a plurality of cooling fins ( 12 ), on each of which an insulation layer ( 10 ) is arranged, on which a component ( 2 ) is arranged, wherein the component ( 2 ) an electrical contact surface ( 210 ) and wherein - a layer ( 3 ) made of electrically insulating material on the cooling fin ( 12 ) with the insulation layer ( 10 ) and the component ( 2 ), - the electrical contact surface ( 210 ) of the device from the layer ( 3 ) is at least partially free of electrically insulating material, - a layer ( 4 ) of electrically conductive material on the layer ( 3 ) of electrically insulating material and the exposed electrical contact surface ( 210 ) of the component is applied.
DE200410019435 2004-04-19 2004-04-19 On a cooling fin arranged component Withdrawn DE102004019435A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200410019435 DE102004019435A1 (en) 2004-04-19 2004-04-19 On a cooling fin arranged component
PCT/EP2005/051652 WO2005101490A2 (en) 2004-04-19 2005-04-14 Component that is situated on a cooling fin

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200410019435 DE102004019435A1 (en) 2004-04-19 2004-04-19 On a cooling fin arranged component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102004019435A1 true DE102004019435A1 (en) 2005-11-03

Family

ID=34981674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200410019435 Withdrawn DE102004019435A1 (en) 2004-04-19 2004-04-19 On a cooling fin arranged component

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102004019435A1 (en)
WO (1) WO2005101490A2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005053396A1 (en) * 2005-11-09 2007-05-16 Semikron Elektronik Gmbh Circuit device, in particular frequency converter
US8823175B2 (en) 2012-05-15 2014-09-02 Infineon Technologies Ag Reliable area joints for power semiconductors

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5293301A (en) * 1990-11-30 1994-03-08 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device and lead frame used therein
DE10058446A1 (en) * 1999-11-24 2001-05-31 Denso Corp Semiconducting device with radiation structure has connecting components between first and second radiating components and chip with better conductivity than tungsten and molybdenum
WO2003030247A2 (en) * 2001-09-28 2003-04-10 Siemens Aktiengesellschaft Method for contacting electrical contact surfaces of a substrate and device consisting of a substrate having electrical contact surfaces

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6188547A (en) * 1984-10-05 1986-05-06 Fujitsu Ltd Semiconductor device
US5229916A (en) * 1992-03-04 1993-07-20 International Business Machines Corporation Chip edge interconnect overlay element
US5731633A (en) * 1992-09-16 1998-03-24 Gary W. Hamilton Thin multichip module
US5545924A (en) * 1993-08-05 1996-08-13 Honeywell Inc. Three dimensional package for monolithic microwave/millimeterwave integrated circuits
US6002589A (en) * 1997-07-21 1999-12-14 Rambus Inc. Integrated circuit package for coupling to a printed circuit board
KR100236671B1 (en) * 1997-09-09 2000-01-15 윤종용 Vertical semiconductor chip package having printed circuit board and heat spreader, and module having the packages
US5963427A (en) * 1997-12-11 1999-10-05 Sun Microsystems, Inc. Multi-chip module with flexible circuit board
US6449159B1 (en) * 2000-05-03 2002-09-10 Rambus Inc. Semiconductor module with imbedded heat spreader
FR2818801B1 (en) * 2000-12-21 2003-04-04 Gemplus Card Int INTERCONNECTION BY CUT-OUT INSULATION DEVICE AND CONDUCTION CORD

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5293301A (en) * 1990-11-30 1994-03-08 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device and lead frame used therein
DE10058446A1 (en) * 1999-11-24 2001-05-31 Denso Corp Semiconducting device with radiation structure has connecting components between first and second radiating components and chip with better conductivity than tungsten and molybdenum
WO2003030247A2 (en) * 2001-09-28 2003-04-10 Siemens Aktiengesellschaft Method for contacting electrical contact surfaces of a substrate and device consisting of a substrate having electrical contact surfaces

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005053396A1 (en) * 2005-11-09 2007-05-16 Semikron Elektronik Gmbh Circuit device, in particular frequency converter
DE102005053396B4 (en) * 2005-11-09 2010-04-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Circuit device, in particular frequency converter
US8823175B2 (en) 2012-05-15 2014-09-02 Infineon Technologies Ag Reliable area joints for power semiconductors
DE102013208818B4 (en) 2012-05-15 2023-12-28 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module and method for producing a power semiconductor module

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005101490A3 (en) 2006-04-13
WO2005101490A2 (en) 2005-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2004077548A2 (en) Connection technology for power semiconductors
WO2005101928A1 (en) Hybrid printed circuit board assembly system for the compact assembly of electric components
WO2003030247A2 (en) Method for contacting electrical contact surfaces of a substrate and device consisting of a substrate having electrical contact surfaces
DE102007046337A1 (en) Optoelectronic semiconductor chip, optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
EP1817795A1 (en) Metallised film for sheet contacting
DE102012206758B3 (en) Method for manufacturing substrate for power semiconductor component such as MOSFET of power semiconductor module, involves performing galvanic isolation of metal film on broad strip conductor
DE10308928B4 (en) Method for producing self-supporting contacting structures of a non-insulated component
DE10351028B4 (en) Semiconductor component and suitable manufacturing / assembly process
DE10314172B4 (en) A method of operating an assembly of an electrical component on a substrate and method of making the assembly
DE102004009296B4 (en) Method for producing an arrangement of an electrical component
DE19507547A1 (en) Assembly of semiconductor chips using double-sided supporting plate
WO2004077547A2 (en) Internal connection system for power semiconductors comprising large-area terminals
DE102004019435A1 (en) On a cooling fin arranged component
DE10023834B4 (en) Method for layer formation and structuring
WO2005101480A2 (en) Circuit mounted on an especially electroconductive substrate by means of a planar connection technique
DE102004019442A1 (en) Method for manufacturing low power converters, involves applying layer of electrically insulating material to substrate and component
WO2006058860A2 (en) Heat exchange device for a semiconductor component and method for producing said heat exchange device
WO2004100259A2 (en) Semi-conductor component and method for the production of a semi-conductor component
WO2005078793A1 (en) Method for producing a power module and corresponding power module
WO2005101501A1 (en) Housing formed by a metallic layer
DE102004061908B4 (en) Method for producing a circuit arrangement on a substrate
EP2028686B1 (en) Method for electrodepositing a metal, especially copper, and use of said method
DE102012213555A1 (en) Method for manufacturing DCB substrate for e.g. power semiconductor component in power converter, involves electroplating metal film on metallization layer and around cover so as to form pocket at desired position of power component
DE102004018468A1 (en) Process for the structured application of a laminatable film to a substrate for a semiconductor module
DE112012004917T5 (en) A method of preventing an electrical short in a semiconductor layer stack, a thin substrate CPV cell, and a solar cell array

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee