DE102004007241A1 - Protection circuit for semiconductor integrated circuit e.g. for automobile technology, uses control circuit for driving protection circuit - Google Patents

Protection circuit for semiconductor integrated circuit e.g. for automobile technology, uses control circuit for driving protection circuit Download PDF

Info

Publication number
DE102004007241A1
DE102004007241A1 DE200410007241 DE102004007241A DE102004007241A1 DE 102004007241 A1 DE102004007241 A1 DE 102004007241A1 DE 200410007241 DE200410007241 DE 200410007241 DE 102004007241 A DE102004007241 A DE 102004007241A DE 102004007241 A1 DE102004007241 A1 DE 102004007241A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
control
arrangement according
protection circuit
elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE200410007241
Other languages
German (de)
Inventor
Bernd Deutschmann
Bernd Fankhauser
Michael Mayerhofer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams AG
Original Assignee
Austriamicrosystems AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Austriamicrosystems AG filed Critical Austriamicrosystems AG
Priority to DE200410007241 priority Critical patent/DE102004007241A1/en
Priority to CNB2005800049500A priority patent/CN100468734C/en
Priority to US10/588,984 priority patent/US7738222B2/en
Priority to DE502005009563T priority patent/DE502005009563D1/en
Priority to EP05707380A priority patent/EP1714321B1/en
Priority to KR1020067016180A priority patent/KR100914790B1/en
Priority to JP2006552569A priority patent/JP4651044B2/en
Priority to PCT/EP2005/001476 priority patent/WO2005078798A2/en
Publication of DE102004007241A1 publication Critical patent/DE102004007241A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H01L27/0259—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using bipolar transistors as protective elements
    • H01L27/0262—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using bipolar transistors as protective elements including a PNP transistor and a NPN transistor, wherein each of said transistors has its base coupled to the collector of the other transistor, e.g. silicon controlled rectifier [SCR] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60—Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12036—PN diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H01L2924/13034—Silicon Controlled Rectifier [SCR]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

A circuit arrangement for protection of integrated circuit includes a protection circuit with thyristor structure and connected between an element to be protected and a reference potential. A control circuit is used for driving the protection circuit. The control circuit (TC;C1; R1,11-13) generates several control signals which drive an active element (T1,T2) of the protection circuit (SCR). An independent claim is included for a method of protecting an integrated semiconductor circuit.

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Schutz einer integrierten Halbleiterschaltung mit einer Schutzschaltung, die eine Thyristorstruktur enthält und zwischen ein zu schützendes Element und ein Bezugspotential geschaltet ist, und mit einer Steuerschaltung für die Ansteuerung der Schutzschaltung sowie ein entsprechendes Verfahren.The The invention relates to a circuit arrangement for protecting an integrated circuit Semiconductor circuit with a protection circuit having a thyristor structure contains and between an element to be protected and a reference potential is connected, and with a control circuit for the Control of the protection circuit and a corresponding method.

Integrierte Halbleiterschaltungen (ICs) können durch transiente Pulse oder Überspannungen, die über Anschlüsse (Pads) oder direkt in Leitungen eingekoppelt werden, so beschädigt werden, dass sie funktionsunfähig oder gar zerstört werden. Derartige Pulse oder Überspannungen können beispielsweise bei sogenannten elektrostatischen Entladungen (englisch: ESD, Electrostatic Discharge)auftreten. Auch in vielen Anwendungsgebieten, z.B. der Automobiltechnik, kann ein derartiger Puls (Burst) auftreten.integrated Semiconductor circuits (ICs) can by transient pulses or overvoltages across terminals (pads) or directly into lines can be so damaged, that they are inoperable or even destroyed become. Such pulses or surges can For example, in so-called electrostatic discharges (English: ESD, Electrostatic Discharge) occur. Also in many application areas, e.g. Automotive technology, such a pulse (burst) can occur.

Aktive Schaltungen zum Schutz von integrierten Schaltungen für verschiedenste Anwendungen haben deshalb besondere Bedeutung. In der Automobiltechnik beispielsweise besteht das Erfordernis, derartige Schaltungen, die im Hochvoltbereich bis 90 Volt oder darüber funktionieren müssen, auch für deutlich höhere Störpuls-Pegel auszulegen. Aktive Schaltungen zum Schutz des ICs werden oft durch den Anstieg des transienten Signals getriggert. Der Signalanstieg pro Zeiteinheit wird dabei detektiert und über eine Ansteuerschaltung ein Schutztransistor oder eine Schutzschaltung durchgeschaltet.active Circuits for the protection of integrated circuits for a variety of Applications are therefore of particular importance. In the automotive industry For example, there is a need to have such circuits, the in the high voltage range up to 90 volts or above must work, even for clear higher Interference pulse level interpreted. Active circuits for protecting the IC are often used by the Rise of the transient signal triggered. The signal increase per Time unit is detected and via a drive circuit a protective transistor or a protective circuit switched through.

Im Fehlerfall, z.B. bei Vorliegen einer unzulässig hohen Spannung, wird diese Überspannung durch die Schutzschaltung gegen Bezugspotential bzw. Masse abgeleitet und so nachfolgende Baugruppen vor der hohen Spannung geschützt. Die Schutzschaltung kann demnach als aktiv getriggerter Überspannungs- oder Überstromableiter verstanden werden. Im Fehlerfall ist eine schnelle Durchsteuerung der Schutzschaltung notwendig.in the Error case, e.g. in the presence of an impermissibly high voltage, this overvoltage is derived the protection circuit against reference potential or ground and so subsequent assemblies protected from the high voltage. The protection circuit can therefore be used as an actively triggered overvoltage or overcurrent arrester be understood. In case of error there is a fast control the protection circuit necessary.

Geringe Einschaltzeiten und eine präzise Einschaltschwelle der Schutzschaltung für den integrierten Schaltkreis sowie deren Schutzwirkung bei unterschiedlichen Formen von Störpulsen sind bedeutende Aspekte der Produktspezifikation und stellen einen Wettbewerbsvorteil dar.low Switch-on times and a precise switch-on threshold the protection circuit for the integrated circuit and its protective effect at different Forms of interference pulses are significant aspects of the product specification and provide one Competitive advantage.

Aus der US 5,982,601 ist ein Thyristor (SCR – Silicon Controlled Rectifier) für den ESD-Schutz bekannt, der direkt durch das transiente Signal getriggert wird. Der Thyristor ist in der Halbleiteranordnung in an sich bekannter Weise mittels einer n-Wanne, einer p-Wanne und hoch dotierten n- und p-Gebieten realisiert. Die transiente Spannung wird mit einem RC-Glied erfasst. Mit nachgeschalteten Invertern wird der an der Kapazität detektierte Spannungspegel in ein Steuersignal umgeformt, das die Basis des pnp Transistors der Thyristorstruktur ansteuert. Sobald der Ausgangsstrom des nun aktiven pnp-Transistors an einem Widerstand einen ausreichend großen Spannungsabfall erzeugt, schaltet der npn-Transistor der Thyristorstruktur durch, so dass der transiente Puls durch die niederohmige Thyristorstrecke vom Padpotential des I/O-Pins gegen Bezugspotential abgeleitet wird. Der Thyristor bleibt danach selbsttätig durchgeschaltet, bis sein Strom den Haltestrom unterschreitet und die Löschbedingung erfüllt ist.From the US 5,982,601 For example, a SCR (Silicon Controlled Rectifier) is known for ESD protection, which is triggered directly by the transient signal. The thyristor is realized in the semiconductor device in a conventional manner by means of an n-well, a p-well and highly doped n and p regions. The transient voltage is detected with an RC element. With downstream inverters, the voltage level detected at the capacitance is converted into a control signal which drives the base of the pnp transistor of the thyristor structure. As soon as the output current of the now active pnp transistor at a resistor generates a sufficiently large voltage drop, the npn transistor of the thyristor structure turns on, so that the transient pulse is derived by the low-resistance thyristor from the pad potential of the I / O pin to reference potential. The thyristor then remains automatically turned on until its current falls below the holding current and the extinguishing condition is met.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung zum Schutz von integrierten Halbleiterschaltungen anzugeben, die ein verbessertes Verhalten zeigt.Of the Invention is based on the object, a circuit arrangement for To provide protection of semiconductor integrated circuits, the shows improved behavior.

Diese Aufgabe löst die Erfindung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche.These Task solves the invention with the features of claim 1. Advantageous Embodiments and developments of the invention are the subject the dependent Claims.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den 1 und 2 näher erläutert.The invention will be described below with reference to embodiments in connection with 1 and 2 explained in more detail.

Es zeigen:It demonstrate:

1 eine schematisch dargestellte Schaltungsanordnung mit Schutzschaltung und Triggerschaltung als Prinzipschaltbild a) und in zwei Ausführungsformen b) und c) und 1 a schematically illustrated circuit arrangement with protection circuit and trigger circuit as a schematic diagram a) and in two embodiments b) and c) and

2 eine schematisch in den Teilfiguren a) und b) unterschiedlich detailliert dargestellte Schaltungsanordnung mit Schutzschaltung und Triggerschaltung. 2 a schematically shown in the partial figures a) and b) with different detail circuit arrangement with protection circuit and trigger circuit.

Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen.Same or equivalent elements are in the figures with the same reference numerals Mistake.

In 1 ist die Erfindung im Grundsatz und mit zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gemäß 1a ist ein Anschluss PV mit einer Leitung LV verbunden, die auf einem Potential W liegt. Das Potential VV kann z.B. das positive Versorgungspotential VDD oder das Potential eines Eingangs-/Ausgangs-Anschlusses (I/O Pad) sein. Der Anschluss PV bzw. die Leitung LV sind gegen transiente Pulse bzw. gegen Überspannung zu schützen. Diese Überspannung muss gegen ein Bezugspotential VB abgeleitet werden, das beispielsweise das Massepotential sein kann. Die das Bezugspotential VB führende Leitung LB ist mit dem Anschluss PB verbunden.In 1 the invention is explained in principle and with two exemplary embodiments. According to 1a a terminal PV is connected to a line LV, which is at a potential W. The potential VV may be, for example, the positive supply potential VDD or the potential of an input / output terminal (I / O pad). The PV connection or LV cable must be protected against transient pulses or against overvoltage. This over Voltage must be derived against a reference potential VB, which may be, for example, the ground potential. The reference potential VB leading line LB is connected to the terminal PB.

Die eigentliche Aufgabe der Ableitung von Störpulsen bzw. Überspannungen erfüllt die Schutzschaltung PC. Gesteuert bzw. getriggert wird die Schutzschaltung PC von einer Steuerschaltung TC, die eingangsseitig mit den Anschlüssen PV und PB verbunden ist. TC ist in der Lage, transiente Pulse, die an dem Anschluss PV bzw. der Leitung auftreten, zu erkennen und Steuersignale für die Schutzschaltung PC zu erzeugen. Gemäß der Erfindung ist vorgesehen, dass die Steuerschaltung TC mehrere Steuersignale erzeugt, die jeweils ein aktives Element der Schutzschaltung PC ansteuern. Die aktiven Elemente der Schutzschaltung PC sind dabei so verschaltet, dass sie bei einer Ansteuerung durch die Steuersignale der Trigger- bzw. Steuerschaltung TC eine niederohmige Verbindung zwischen der Leitung LV bzw. dem Anschluss PV und dem Bezugspotential VB herstellen. Die Schutzschaltung PC kann dabei auch höhere Ströme gegen Bezugspotential VB ableiten.The actual task of deriving interference pulses or overvoltages Fulfills the protection circuit PC. The protection circuit is controlled or triggered PC from a control circuit TC, the input side with the terminals PV and PB is connected. TC is capable of transient pulses that at the connection PV or the line occur, and to recognize Control signals for to generate the protection circuit PC. According to the invention it is provided that the control circuit TC generates a plurality of control signals, each activate an active element of the protection circuit PC. The active elements the protection circuit PC are connected so that they at a Triggered by the control signals of the trigger or control circuit TC a low-impedance Connection between the line LV or the connection PV and the Establish reference potential VB. The protection circuit PC can also higher streams derive reference potential VB.

Im typischen Anwendungsfall enthält die Schutzschaltung PC eine Thyristorstruktur. Ein Thyristor ist ein Vierschichtbauelement, das im Ersatzschaltbild als zwei miteinander verschaltete Bipolar-Transistoren dargestellt wird. Gemäß der Erfindung bedeutet dies, dass die Steuerschaltung TC im Fehlerfall die beiden Transistoren der Thyristorstruktur der Schutzschaltung mit zwei Steuersignalen aktiv ansteuert. Dazu werden direkt in die beiden Basis-Emitter-Übergänge Ströme injiziert.in the typical use case contains the protection circuit PC a thyristor structure. A thyristor is a four-layer device in the equivalent circuit diagram as two together interconnected bipolar transistors is shown. According to the invention this means that the control circuit TC in case of error, the two Transistors of thyristor structure of the protection circuit with two Actively activates control signals. This will be done directly in the two Base-emitter junctions injected currents.

Gemäß der Erfindung wird dabei erreicht, dass das Durchschalten der Schutzschaltung PC mit Steuersignalen für die aktiven Elemente der Schutzschaltung, die in ihrer Zusammenschaltung die niederohmige Verbindung zwischen der Leitung LV und der Leitung LB herstellen müssen, gezielt eingeleitet wird. Dadurch ist es möglich, die Schutzschaltung PC präzise und schnell in den durchgeschalteten Zustand zu führen. Dies führt zu einem verbesserten Ansprechverhalten der Schutzschaltung und damit zu einem besseren Schutz der integrierten Halbleiterschaltung, die in der Figur symbolisch anhand der Anschlüsse PB und PV und den damit verbundenen Leitungen dargestellt ist.According to the invention is achieved that the switching through the protection circuit PC with control signals for the active elements of the protection circuit, in their interconnection the low-resistance connection between the line LV and the line Need to produce LB, specifically initiated. This makes it possible for the protection circuit PC accurate and to quickly switch to the switched-on state. This leads to an improved response of the protection circuit and thus to a better protection of the semiconductor integrated circuit, the in the figure symbolically based on the connections PB and PV and thus connected lines is shown.

Gemäß 1b) ist ein erstes konkretes Ausführungsbeispiel der Erfindung dargestellt. Die Schutzschaltung ist als Thyristor SCR mit den beiden Transistoren T1 und T2 ausgeführt. T1 ist ein pnp-Transistor, der mit seinem Emitter an der Spannung führenden Leitung LV angeschlossen ist, während T2 ein npn-Transistor ist, der Emitterseitig an dem Bezugspotential VB angeschlossen ist. Die Kollektoren der beiden Transistoren sind kreuzweise mit der Basis des jeweils anderen Transistors verschaltet. Bei einer integrierten Schaltung kann eine derartige Transistorstruktur in an sich bekannter Weise durch eine n- bzw. p-Wanne mit entsprechend darin angeordneten hoch dotierten Bereichen realisiert werden.According to 1b ) A first concrete embodiment of the invention is shown. The protection circuit is designed as a thyristor SCR with the two transistors T1 and T2. T1 is a pnp transistor connected with its emitter to the voltage carrying line LV, while T2 is an npn transistor connected to the emitter side at the reference potential VB. The collectors of the two transistors are cross-connected to the base of the other transistor. In the case of an integrated circuit, such a transistor structure can be realized in a manner known per se by means of an n- or p-well with correspondingly arranged highly doped regions.

Die Steuerschaltung ist in der 1b) durch eine Detektorschaltung mit nachgeschalteten Invertern realisiert. Die Detektorschaltung ist als RC-Glied aus der Serienschaltung einer Kapazität C1 und eines Widerstands R1 ausgeführt, die mit den Leitungen LV bzw. LB und den entsprechenden Anschlüssen PV und PB verbunden ist. Dem Verbindungsknoten der Kapazität C1 und des Widerstandes R1 sind Inverter nachgeschaltet, die ausgangsseitig jeweils die Basen der Transistoren T1 und T2 ansteuern. Dabei ist der Inverter I1 mit de Basis des Transistors T1 verbunden und zwei in Serie geschaltete Inverter I2 und I3 mit der Basis des Transistors T2. Die Inverter sind notwendig, um das am Verbindungspunkt der Kapazität C1 und des Widerstands R1 anliegende Potential in definierte Steuersignale umzuwandeln, die die Transistorelemente des Thyristors SCR ansteuern.The control circuit is in the 1b ) realized by a detector circuit with downstream inverters. The detector circuit is designed as an RC element from the series circuit of a capacitor C1 and a resistor R1, which is connected to the lines LV and LB and the corresponding terminals PV and PB. The connection node of the capacitor C1 and the resistor R1 are followed by inverters, which control the bases of the transistors T1 and T2 on the output side. In this case, the inverter I1 is connected to the base of the transistor T1 and two series-connected inverters I2 and I3 to the base of the transistor T2. The inverters are necessary in order to convert the potential applied at the connection point of the capacitor C1 and the resistor R1 into defined control signals which drive the transistor elements of the thyristor SCR.

Die Detektorschaltung aus Kapazität C1 und Widerstand R1 bildet als RC-Glied einen komplexen Spannungsteiler, an dessen Mittelabgriff der Spannungsanstieg des Störpulses erfasst wird. Im Fehlerfall eines transienten Pulses wird die Kapazität C1 niederohmig, sodass sich am Ausgangspunkt der Detektorschaltung ein hohes Potential einstellt. Sobald die Spannung die Schaltschwelle des Inverters I1 erreicht, schaltet dessen Ausgang auf niedriges Potential, sodass der pn-Übergang zwischen Emitter und Basis von T1 die Schaltschwelle überschreitet und T1 durchschaltet.The Detector circuit of capacity C1 and resistor R1 forms a complex voltage divider as RC element, at the center tap of the voltage increase of the interference pulse is detected. In the event of a transient pulse, the capacitance C1 becomes low-ohmic, so that at the starting point of the detector circuit has a high potential established. As soon as the voltage reaches the switching threshold of the inverter I1 reached, its output switches to low potential, so the pn junction between emitter and base of T1 exceeds the switching threshold and T1 turns on.

Andererseits liegen parallel zu I1 die hintereinander geschalteten Inverter I2 und I3, die das am Abgriffsknoten der Detektorschaltung detektierte Spannungssignal in ein definiertes Steuersignal zur Ansteuerung des npn-Transistors T2 umsetzen. Somit schaltet T2 nahezu zeitgleich mit T1 in den leitenden Zustand über. Damit wird der Thyristor SCR leitend und der auf der Leitung LV bzw. dem Anschluss PV anliegende transiente Puls kann gegen Bezugspotential abgeleitet werden.on the other hand are parallel to I1 the series-connected inverter I2 and I3, which is the voltage signal detected at the tap node of the detector circuit in a defined control signal for driving the npn transistor Implement T2. Thus, T2 switches to conducting at almost the same time as T1 Condition over. Thus, the thyristor SCR becomes conductive and that on the line LV or the connection PV applied transient pulse can against reference potential be derived.

Das Ausführungsbeispiel gemäß 1c) unterscheidet sich vom Ausführungsbeispiel nach 1b) dadurch, dass die Detektorschaltung aus dem kapazitiven und dem resistiven Bauelement in umgedrehter Richtung mit den Anschlüssen PV und PB verbunden ist. Dabei liegt der Widerstand R2 am Anschluss PV und die Kapazität C2 am Anschluss PB. Somit drehen sich die Spannungsverhältnisse am Ausgang der Detektorschaltung, nämlich dem Verbindungspunkt von R2 und C2 um, sodass auch die Ansteuerung der Transistor T1 und T2 anders erfolgen muss. So ist im Ausgang der Detektorschaltung die Serienschaltung aus den Invertern I4 und I5 nachgeschaltet, um den Transistor T1 anzusteuern. Parallel zu diesen Invertern ist im Ausgang der Detektorschaltung der Inverter I6 nachgeschaltet, der den Transistor T2 ansteuert.The embodiment according to 1c ) differs from the exemplary embodiment 1b ) in that the detector circuit of the capacitive and the resistive device in the opposite direction to the terminals PV and PB is connected. In this case, the resistor R2 is at the terminal PV and the capacitor C2 at the terminal PB. Thus, the voltage conditions at the output of the detector circuit, namely the Connection point of R2 and C2, so that the control of the transistor T1 and T2 must be done differently. Thus, in the output of the detector circuit, the series circuit of the inverters I4 and I5 connected downstream to drive the transistor T1. Parallel to these inverters, the inverter I6, which drives the transistor T2, is connected downstream in the output of the detector circuit.

Im Fehlerfall eines transienten Pulses wird die Kapazität C2 niederohmig, sodass sich am Ausgangspunkt der Detektorschaltung ein niedriges Potential einstellt. Der Inverter I6 setzt dieses niedrige Potential in eine zur Durchsteuerung des Transistors T2 erforderliche Spannung bzw. einen entsprechenden Steuerstrom um. Andererseits formen die in Serie geschalteten Inverter I4 und I5 die Ausgangsspannung an der Kapazität C2 in ein Steuersignal niedrigen Potentials bzw. einen entsprechenden Strom um, so dass der Transistor T1 durchschaltet.in the Error case of a transient pulse, the capacitance C2 becomes low, so that at the starting point of the detector circuit, a low Potential stops. The inverter I6 sets this low potential in a voltage required for the control of the transistor T2 voltage or a corresponding control current. On the other hand, they form connected in series inverters I4 and I5 the output voltage the capacity C2 in a control signal of low potential or a corresponding Current to, so that the transistor T1 turns on.

Die Detektorschaltung ist in den Ausführungsbeispielen der 1 als RC-Glied ausgeführt, jedoch ist die Erfindung darauf nicht beschränkt. Es können auch andre Ausführungsformen der Detektorschaltung zweckmäßig sein, so lange die wesentliche Funktion, nämlich das Erkennen eines transienten abzuleitenden Pulses auf der Spannung führenden Leitung LV und das Erzeugen von Steuersignalen für die Durchsteuerung der aktiven Elemente bzw. Halbleiterübergänge der Schutzschaltung, im Ausführungsbeispiel der Transistoren des Thyristors SCR, funktional erfüllt werden.The detector circuit is in the embodiments of 1 designed as an RC element, but the invention is not limited thereto. Other embodiments of the detector circuit may also be useful, as long as the essential function, namely the detection of a transient pulse to be derived on the voltage-carrying line LV and the generation of control signals for the control of the active elements or semiconductor junctions of the protection circuit, in the embodiment of the transistors of the thyristor SCR, are functionally fulfilled.

Maßgebend ist, dass das transiente Signal einerseits erkannt wird und andererseits im Normalbetrieb der Thyristor SCR nicht gezündet wird. Die Zeitkonstante des RC-Gliedes aus R1 und C1 bestimmt einerseits das Erkennen eines transienten Pulses als auch andererseits die Zeit, während der die Detektorschaltung aktiv ist. Ein Puls wird erkannt und detektiert, so lange die Anstiegszeit der transienten Störung kleiner ist als die Zeitkonstante des RC-Gliedes. Andererseits bestimmt die Zeitkonstante nach Abklingen des Pulses die Zeit, nach der die Detektorschaltung inaktiv wird und abschaltet bzw. wieder in den Normalbetrieb zurückkehrt.authoritative is that the transient signal is recognized on the one hand and on the other hand in normal operation, the thyristor SCR is not ignited. The time constant the RC element of R1 and C1 determines on the one hand the recognition of a on the other hand, the time during which the Detector circuit is active. A pulse is detected and detected, as long as the rise time of the transient disturbance is smaller than the time constant of the RC element. On the other hand, the time constant determines after decay of the pulse, the time after which the detector circuit becomes inactive and shuts off or returns to normal operation.

Dazu wird in den Ausführungsbeispielen der 1 das RC-Glied mit seiner Zeitkonstante so eingestellt, dass diese Bedingungen erfüllt werden. Da in diesen Ausführungsbeispielen der Thyristor im Fehlerfall nur gezündet wird, nicht jedoch abgeschaltet werden muss, genügt es, die ansteigende Flanke eines transienten Pulses zu erkennen.For this purpose, in the embodiments of the 1 the RC element with its time constant adjusted so that these conditions are met. Since in these embodiments the thyristor only ignites in the event of a fault, but does not have to be switched off, it is sufficient to detect the rising edge of a transient pulse.

Bei jeweils einer kleinen Kapazität des RC-Gliedes, beispielsweise realisiert als Gateoxidkapazität, wird diese Kapazität bei transienten Vorgängen niederohmig, sodass im Ausführungsbeispiel der 1b) der Ausgang des RC-Gliedes sehr schnell auf hohes Potential gebracht wird, während der Ausgang der Detektorschaltung in der 1c) sehr schnell auf niedriges Potential gebracht wird. Bei kleinen Spannungsänderungen und bei Gleichspannung wirken die Kapazitäten des RC-Gliedes in beiden Ausführungsbeispielen als hochohmige Bauelemente, so dass in der 1b) der Ausgang der Detektorschaltung auf niedrigem Potential gehalten wird, während er in der Schaltung nach 1c) auf hohem Potential gehalten wird.In each case a small capacity of the RC element, for example realized as a gate oxide capacitance, this capacitance becomes low in transient processes, so that in the embodiment of the 1b ) the output of the RC element is brought very fast to high potential, while the output of the detector circuit in the 1c ) is brought to low potential very quickly. For small voltage changes and DC voltage, the capacitances of the RC element in both embodiments act as high-resistance components, so that in the 1b ) the output of the detector circuit is kept at low potential while in the circuit 1c ) is kept at high potential.

Die Schaltungsanordnungen der 2 zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung. Im Unterschied zu den in 1 gezeigten Ausführungsbeispielen ist in den Schaltungsanordnungen der 2 ein zusätzlicher Schaltkreis vorgesehen, der bestimmt, wie lange die Steuerschaltung aktiv bleibt. Damit kann gewährleistet werden, dass die Steuersignale der Steuerschaltung den Thyristor SCR zumindest so lange durchsteuern, bis der transiente Puls auf der Leitung LV oder dem Anschluss PV mit Sicherheit abgeklungen ist.The circuit arrangements of 2 show a further embodiment of the invention. Unlike the in 1 shown embodiments is in the circuit arrangements of 2 an additional circuit is provided which determines how long the control circuit remains active. It can thus be ensured that the control signals of the control circuit control the thyristor SCR at least until the transient pulse on the line LV or the terminal PV has decayed with certainty.

Im Vergleich des Ausführungsbeispiels nach 2a) mit dem Ausführungsbeispiel der 1b) besteht der Unterschied darin, dass zwischen das erste RC-Glied aus den Elementen C10 und R10, das den transienten Puls auf der Spannung führenden Leitung LV oder dem Anschluss PV detektiert und die Steuerschaltung aktiviert, und den Invertern für die Ansteuerung des Thyristors SCR eine Zusatzschaltung angeordnet ist. Dabei entsprechen zunächst der Inverter I1, I2 und I3 nach dem Ausführungsbeispiel der 1b) in der 2a) den Invertern I20, I30 und I40. Die Funktion dieser Inverter in der 2a) ist identisch wie bei den Invertern des ersten Ausführungsbeispiels, jedoch kann die Dimensionierung und die Realisierung der Inverter auf verschiedene Weise ausgeführt sein.In comparison of the embodiment according to 2a ) with the embodiment of 1b ), the difference is that between the first RC element of the elements C10 and R10, which detects the transient pulse on the voltage carrying line LV or the terminal PV and activates the control circuit, and the inverter for driving the thyristor SCR a Additional circuit is arranged. Initially, the inverters I1, I2 and I3 according to the exemplary embodiment correspond to FIG 1b ) in the 2a ) the inverters I20, I30 and I40. The function of this inverter in the 2a ) is identical to the inverters of the first embodiment, but the dimensioning and realization of the inverters can be carried out in various ways.

Dem Ausgang des ersten RC-Gliedes aus R10 und C10 ist als Element der Zusatzschaltung ein Inverter I10 nachgeschaltet, der einen PMOS-Transistor P10 ansteuert. Ausgangsseitig ist dieser Transistor einerseits mit der Spannung führenden Leitung LV und andererseits mit den Eingängen der Inverter I20 und I30 verbunden. An dem letzteren Verbindungspunkt ist weiterhin die Parallelschaltung eines zweiten RC-Gliedes aus der Kapazität C20 und dem Widerstand R20 angeschlossen, die mit ihrem anderen Anschluss jeweils an dem Bezugspotential VB bzw. der Leitung LB angeschlossen sind.the Output of the first RC element from R10 and C10 is as element of Additional circuit an inverter I10 connected downstream of a PMOS transistor P10 drives. On the output side, this transistor is on the one hand with the tension leading Line LV and on the other hand with the inputs of the inverters I20 and I30 connected. At the latter connection point is still the parallel circuit a second RC element of the capacitance C20 and the resistor R20 connected, with their other terminal in each case at the reference potential VB and the line LB are connected.

Bei einer transienten Störung auf der Leitung LV oder dem Anschluss PV wird diese durch das erste RC-Glied erkannt. Der Ausgang dieses ersten RC-Gliedes, das den Inverter I10 ansteuert, nimmt bei einem schnellen Pulsanstieg durch die dann niederohmige Kapazität C10 hohes Potential an, sodass der Inverter I10 ausgangsseitig auf niedriges Potential gebracht wird. Wie in den Ausführungsbeispielen der 1 muss die Anstiegszeit der transienten Störung auf der Leitung LV dabei kürzer sein als die Zeitkonstante des ersten RC-Gliedes.In the case of a transient fault on the line LV or the connection PV, this is detected by the first RC element. The output of this first RC element, which drives the inverter I10, assumes a high pulse at a fast pulse rise through the then low-resistance capacitance C10, so that the inverter I10 output side is brought to a low potential. As in the embodiments of the 1 the rise time of the transient disturbance on the line LV must be shorter than the time constant of the first RC element.

Mit dem dann niederohmigen Ausgang des Inverters I10 wird der PMOS-Transistor P10 durchgesteuert, dessen Ausgang die Invertereingänge der Inverter I20 und I30 auf hohes Potential legt. Wie schon anhand des Ausführungsbeispiels der 1b) erläutert, werden nachfolgend die Transistoren T1 und T2 durchgesteuert, so dass der Thyrister SCR leitend wird und den Puls auf der Leitung LV gegen Bezugspotential abführen kann.With the then low-impedance output of the inverter I10, the PMOS transistor P10 is turned on, the output of which sets the inverter inputs of the inverters I20 and I30 to a high potential. As already with reference to the embodiment of 1b ), subsequently the transistors T1 and T2 are turned on, so that the thyrister SCR becomes conductive and can dissipate the pulse on the line LV to reference potential.

Die Zeitkonstante des zweiten RC-Gliedes aus den Elementen C20 und R20 kann unabhängig von der zeitkonstante des ersten RC-Gliedes eingestellt werden und bestimmt in dieser Situation, wie lange die Steuerschaltung aktiv bleibt und Steuersignale an die Transistoren T1 und T2 erzeugt. Solange P10 durchgeschaltet bleibt, sind die Inverter I20, I30 und I40 in der Lage, die Steuerströme für die Durchschaltung der Transistoren T1 und T2 zu erzeugen. Sobald P10 abschaltet, z.B. weil sich der transiente Puls verflacht und die Zeitkonstante des ersten RC-Gliedes kürzer als die Spannungsänderungen auf der Leitung LV werden, wird der Verbindungsknoten der Eingän ge der Inverter I20 und I30 mit dem zweiten RC-Glied über dieses RC-Glied und dessen Zeitkonstante gegen Bezugspotential entladen. Typischerweise wird die Zeitkonstante des zweiten RC-Gliedes so eingestellt, dass die Steuerschaltung die Steuersignale an den Thyristor so lange abgibt, wie die transiente Störung andauert. Das bedeutet, dass die Zeitkonstante des zweiten RC-Gliedes länger ist als die Zeitkonstante des ersten RC-Gliedes. Auf diese Weise können mittels des ersten und des zweiten RC-Gliedes unterschiedliche transiente Pulsformen erfasst und abgeleitet werden.The Time constant of the second RC element from the elements C20 and R20 can be independent of the time constant of the first RC element are set and determined in this situation, how long the control circuit remains active and generates control signals to the transistors T1 and T2. As long as P10 remains switched, the inverters I20, I30 and I40 are in the Able to control currents for the Turning the transistors T1 and T2 to produce. As soon as P10 turns off, e.g. because the transient pulse is flattened and the Time constant of the first RC element shorter than the voltage changes the line LV, the connection node of the inputs is the GE Inverter I20 and I30 with the second RC element via this RC element and its time constant discharged against reference potential. Typically, the time constant becomes of the second RC element set so that the control circuit the Control signals to the thyristor as long as the transient disorder ongoing. This means that the time constant of the second RC element longer is the time constant of the first RC element. In this way can different transient pulse shapes by means of the first and the second RC element be detected and derived.

2b) unterscheidet sich vom Ausführungsbeispiel der 2a dadurch, dass die Inverter konkret als CMOS-Inverter I11, I21, I31 und I41 ausgeführt sind. 2 B ) differs from the embodiment of 2a in that the inverters are embodied concretely as CMOS inverters I11, I21, I31 and I41.

Selbstverständlich kann das Ausführungsbeispiel mit einem zweiten RC-Glied auch an das erste Ausführungsbeispiel nach 1c angepasst werden. Weitere Ausführungsformen der Steuerschaltung und der Schutzschaltung sind möglich und gehören, obwohl nicht dargestellt, zum Schutzumfang der Erfindung.Of course, the embodiment with a second RC element also to the first embodiment 1c be adjusted. Other embodiments of the control circuit and protection circuit are possible and, although not shown, are within the scope of the invention.

Claims (10)

Schaltungsanordnung zum Schutz einer integrierten Halbleiterschaltung mit – einer Schutzschaltung, die eine Thyristorstruktur enthält und zwischen ein zu schützendes Element und ein Bezugspotential geschaltet ist, und – einer Steuerschaltung für die Ansteuerung der Schutzschaltung, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerschaltung (TC; C1, R1, I1 bis I3) mehrere Steuersignale erzeugt, die jeweils ein aktives Element (T1, T2) der Schutzschaltung (SCR) ansteuern.Circuit arrangement for protecting a semiconductor integrated circuit, comprising: a protection circuit, which contains a thyristor structure and is connected between an element to be protected and a reference potential, and a control circuit for the activation of the protection circuit, characterized in that the control circuit (TC; C1, R1, I1 to I3) generates a plurality of control signals, which respectively control an active element (T1, T2) of the protection circuit (SCR). Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerschaltung eine Detektorschaltung (R1, C1) enthält, die eingangsseitig parallel zu der Schutzschaltung liegt und bei Erfüllen eines Detektionskriteriums Schaltelemente (I1 bis I3) ansteuert; die die Steuersignale erzeugen.Circuit arrangement according to Claim 1, characterized in that the control circuit contains a detector circuit (R1, C1) which the input side is parallel to the protection circuit and fulfills a Detection criterion switching elements (I1 to I3) drives; the the Generate control signals. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektorschaltung ein erstes RC-Glied (R1, C1) aus einem Widerstand und einer Kapazität enthält.Circuit arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the detector circuit comprises a first RC element (R1, C1) contains a resistance and a capacity. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Schaltelemente Inverter (I1 bis I3; I4 bis I6) enthalten.Circuit arrangement according to claim 2 or 3, characterized characterized in that the switching elements inverters (I1 to I3; I4 to I6). Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuersignale für aktive Elemente un terschiedlichen Leitfähigkeitstyps der Schutzschaltung gegenpolig sind und je einen Steuereingang der aktiven Elemente ansteuern.Circuit arrangement according to claim 1 to 4, characterized characterized in that the control signals for active elements un ferent Conductivity type of Protective circuit are opposite polarity and each have a control input of the active Control elements. Schaltungsanordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereingänge der aktiven Elemente der Schutzschaltung in einer Halbleiterstruktur mittels Wannen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps ausgeführt sind, in denen hochdotierte Bereiche für die Ausgangskreise der aktiven Elemente (T1, T2) angeordnet sind.Circuit arrangement according to one of the claims 1 to 5, characterized in that the control inputs of the active elements of the protection circuit in a semiconductor structure by means of wells of different conductivity type accomplished are where highly doped areas for the output circuits of the active Elements (T1, T2) are arranged. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektorschaltung der Steuerschaltung zum Erkennen eines Signalanstiegs mit vorgegebener Anstiegszeit an dem zu schützenden Element (PV, LV) ausgelegt ist.Circuit arrangement according to one of claims 1 to 6, characterized in that the detector circuit of the control circuit to detect a signal rise with a given rise time to be protected Element (PV, LV) is designed. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerschaltung zeitabhängige Elemente (R1, C1; R10, C10, R20, C20) enthält, die die Dauer der Aktivierung der Steuerschaltung bestimmen.Circuit arrangement according to one of claims 1 to 7, characterized in that the control circuit time-dependent elements (R1, C1, R10, C10, R20, C20) containing the duration of activation of the Determine control circuit. Schaltungsanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die zeitabhängigen Elemente RC-Glieder (R1, C1; R10, C10, R20, C20) sind, die einerseits für den Beginn der Aktivierung und andererseits für das Ende der Aktivierung der Steuerschaltung maßgebend sind.Circuit arrangement according to Claim 8, characterized that the time-dependent Elements RC elements (R1, C1, R10, C10, R20, C20) are, on the one hand for the Start of activation and on the other hand for the end of activation the control circuit prevail are. Verfahren zum Schutz einer integrierten Halbleiterschaltung mit einer Schaltungsanordnung nach einem der Patentansprüche 1 bis 9, bei dem der Zustand des zu schützenden Elements (PV, LV) detektiert wird, dadurch gekennzeichnet, dass mit einer Steuerschaltung (TC; C1, R1, I1 bis I3) mehrere Steuersignale erzeugt werden, die jeweils einem Steuereingang aktiver Elemente (T1, T2) der Schutzschaltung zugeführt werden.Method for protecting a semiconductor integrated circuit with a circuit arrangement according to one of the claims 1 to 9, in which the state of the element to be protected (PV, LV) detected is, characterized in that with a control circuit (TC; C1, R1, I1 to I3) a plurality of control signals are generated, respectively a control input of active elements (T1, T2) of the protection circuit supplied become.
DE200410007241 2004-02-13 2004-02-13 Protection circuit for semiconductor integrated circuit e.g. for automobile technology, uses control circuit for driving protection circuit Ceased DE102004007241A1 (en)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200410007241 DE102004007241A1 (en) 2004-02-13 2004-02-13 Protection circuit for semiconductor integrated circuit e.g. for automobile technology, uses control circuit for driving protection circuit
CNB2005800049500A CN100468734C (en) 2004-02-13 2005-02-14 Circuit arrangement and method for protecting an integrated semiconductor circuit
US10/588,984 US7738222B2 (en) 2004-02-13 2005-02-14 Circuit arrangement and method for protecting an integrated semiconductor circuit
DE502005009563T DE502005009563D1 (en) 2004-02-13 2005-02-14 Circuit arrangement and method for protecting a semiconductor integrated circuit
EP05707380A EP1714321B1 (en) 2004-02-13 2005-02-14 Circuit arrangement and method for protecting an integrated semiconductor circuit
KR1020067016180A KR100914790B1 (en) 2004-02-13 2005-02-14 Circuit arrangement and method for protecting an integrated semiconductor circuit
JP2006552569A JP4651044B2 (en) 2004-02-13 2005-02-14 Circuit apparatus and method for protecting integrated semiconductor circuits
PCT/EP2005/001476 WO2005078798A2 (en) 2004-02-13 2005-02-14 Circuit arrangement and method for protecting an integrated semiconductor circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200410007241 DE102004007241A1 (en) 2004-02-13 2004-02-13 Protection circuit for semiconductor integrated circuit e.g. for automobile technology, uses control circuit for driving protection circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102004007241A1 true DE102004007241A1 (en) 2005-09-01

Family

ID=34813350

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200410007241 Ceased DE102004007241A1 (en) 2004-02-13 2004-02-13 Protection circuit for semiconductor integrated circuit e.g. for automobile technology, uses control circuit for driving protection circuit

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN100468734C (en)
DE (1) DE102004007241A1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7738222B2 (en) 2004-02-13 2010-06-15 Austriamicrosystems Ag Circuit arrangement and method for protecting an integrated semiconductor circuit
DE102011109596A1 (en) * 2011-08-05 2013-02-07 Austriamicrosystems Ag Circuit arrangement for protection against electrostatic discharges

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010011043A1 (en) * 2010-03-11 2011-09-15 Borgwarner Beru Systems Gmbh Apparatus and method for protecting an electrical load from voltage spikes in a motor vehicle
US9077365B2 (en) 2010-10-15 2015-07-07 S.C. Johnson & Son, Inc. Application specific integrated circuit including a motion detection system
CN102148241B (en) * 2010-12-30 2012-10-24 浙江大学 Coupling-capacitor triggered silicon controlled device
JP2015153762A (en) * 2014-02-10 2015-08-24 株式会社東芝 electrostatic protection circuit
JP2016021536A (en) * 2014-07-15 2016-02-04 株式会社東芝 Electrostatic protection circuit
EP3107121B1 (en) * 2015-06-16 2018-02-21 Nxp B.V. An electrostatic discharge power rail clamp circuit
CN106849021A (en) * 2017-03-17 2017-06-13 深圳市禾望电气股份有限公司 Semiconductor switch over-current detecting method and current transformer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6177298B1 (en) * 1996-09-03 2001-01-23 Motorola, Inc. Electrostatic discharge protection circuit for an integrated circuit and method of manufacturing
WO2001011685A1 (en) * 1999-08-06 2001-02-15 Sarnoff Corporation Double triggering mechanism for achieving faster turn-on

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6177298B1 (en) * 1996-09-03 2001-01-23 Motorola, Inc. Electrostatic discharge protection circuit for an integrated circuit and method of manufacturing
WO2001011685A1 (en) * 1999-08-06 2001-02-15 Sarnoff Corporation Double triggering mechanism for achieving faster turn-on

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7738222B2 (en) 2004-02-13 2010-06-15 Austriamicrosystems Ag Circuit arrangement and method for protecting an integrated semiconductor circuit
DE102011109596A1 (en) * 2011-08-05 2013-02-07 Austriamicrosystems Ag Circuit arrangement for protection against electrostatic discharges
US9397495B2 (en) 2011-08-05 2016-07-19 Ams Ag Circuit arrangement for protecting against electrostatic discharges
DE102011109596B4 (en) 2011-08-05 2018-05-09 Austriamicrosystems Ag Circuit arrangement for protection against electrostatic discharges

Also Published As

Publication number Publication date
CN1918707A (en) 2007-02-21
CN100468734C (en) 2009-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1714321B1 (en) Circuit arrangement and method for protecting an integrated semiconductor circuit
DE60130146T2 (en) ESD PROTECTION
DE102007040875B4 (en) Circuit arrangement for protection against electrostatic discharges and method for operating such
DE102017112963B4 (en) Circuits, devices and processes for protection against transient voltages
DE102010045325B4 (en) ESD protection circuit
DE102012200276B4 (en) SYSTEM AND METHOD FOR PREVENTING BIPOLAR PARASITAL ACTIVATION IN A SEMICONDUCTOR CIRCUIT
EP0538507B1 (en) Protection circuit for connection contacts of monolithic integrated circuits
US20190165572A1 (en) Electrostatic discharge protection circuit with a high turn-on speed
EP0275872B1 (en) Integrated circuit with "latch-up" protective circuit in complementary MOS circuit techniques
EP1679746A2 (en) Device, arrangement and system for ESD protection
EP0401410B1 (en) Circuit arrangement for protecting electronic circuits against overvoltages
DE102021101690A1 (en) METHOD OF PROTECTING A CIRCUIT, ELECTROSTATIC DISCHARGE CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT
DE102013207542B4 (en) Apparatus for protecting the gate dielectric in a semiconductor device
DE2951421A1 (en) Integrated semiconductor circuit - with input terminal protected against electrostatic breakdown by alternating films of opposite conductivity type
DE102006021847B4 (en) Circuit arrangement for protection against electrostatic discharges
DE102006060075A1 (en) Input voltage measuring circuit
DE102004007241A1 (en) Protection circuit for semiconductor integrated circuit e.g. for automobile technology, uses control circuit for driving protection circuit
DE3838138A1 (en) STRUCTURE AND METHOD FOR PREVENTING SELF-HOLDING IN INTEGRATED CIRCUITS
DE102013203076B4 (en) Device with detection of the latch-up effect and method for forming this device
DE102011109596B4 (en) Circuit arrangement for protection against electrostatic discharges
DE102006026691B4 (en) ESD protection circuit and method
WO2005124863A1 (en) Protective arrangement for a semiconductor circuit system having a thyristor structure, and method for the operation thereof
DE60220828T2 (en) TOWARDS POLARITY TOLERANCE ELECTRICAL CIRCUIT FOR ESD PROTECTION
EP0826241B1 (en) Circuit for reducing the injection of a minority carrier into a substrate
EP0379199B1 (en) ESD protection structure

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final