DE102004001285A1 - Re programmable non volatile solid state memory has number of memory regions with counter functions to control use - Google Patents

Re programmable non volatile solid state memory has number of memory regions with counter functions to control use Download PDF

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Abstract

The programmable solid state memory unit has a number of memory regions [1-4] to store data. Each area has a control data word and this contains count value that is incremented each time that the memory the data is erased and overwritten. The counter operation is provided by a control unit [5]. A count value limit is fixed by the memory producer to control the number of re-programmes.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, d.h. eine umprogrammierbare nichtflüchtige Halbleiter-Speichereinrichtung mit einem oder mehreren Speicherbereichen zum Speichern von Daten.The The present invention relates to a device according to the preamble of claim 1, i. a reprogrammable nonvolatile semiconductor memory device with one or more storage areas for storing data.

Zu solchen Speichereinrichtungen gehören beispielsweise, aber nicht ausschließlich, die seit vielen Jahren bekannten und verwendeten EEPROMs und Flash-Speicher.To such storage devices include, for example, but not exclusively, the EEPROMs and flash memories that have been known and used for many years.

Solche Speichereinrichtungen bestehen aus einer Vielzahl von Speicherzellen, wobei pro Speicherzelle ein Bit der in der Speichereinrichtung gespeicherten Daten gespeichert ist.Such Memory devices consist of a plurality of memory cells, wherein for each memory cell one bit of the stored in the memory means Data is stored.

Die eingangs erwähnten Speicherbereiche sind zur Speicherung von einem oder mehreren Datenworten ausgelegte Teile der Speichereinrichtung, wobei ein Datenwort die Datenmenge (die Anzahl von Bits) umfaßt, die pro Zugriff auf die Speichereinrichtung in die Speichereinrichtung geschrieben wird oder aus der Speichereinrichtung ausgelesen wird.The mentioned in the beginning Memory areas are for storing one or more data words designed parts of the memory device, wherein a data word the Amount of data (the number of bits) allocated per access to the Memory device is written in the memory device or is read from the memory device.

Alle bekannten umprogrammierbaren nichtflüchtigen Halbleiter-Speichereinrichtungen weisen eine endliche Endurance auf. D.h., die einzelnen Speicherzellen können nicht unbegrenzt oft umprogrammiert, genauer gesagt nicht unbegrenzt oft gelöscht und neu beschrieben werden. Üblicherweise gibt der Hersteller der jeweiligen Speichereinrichtung an, wie oft die jeweiligen Speicherzellen umprogrammiert werden können. Werden die Speicherzellen öfter umprogrammiert als die vom Hersteller angegebene maximal zulässige Anzahl von Umprogrammierungen, so ist nicht mehr gewährleistet, daß die Speichereinrichtung ordnungsgemäß funktioniert.All known reprogrammable nonvolatile semiconductor memory devices have a finite endurance. That is, the individual memory cells can not indefinitely reprogrammed, more specifically not unlimited often deleted and rewritten. Usually there the manufacturer of the respective storage device, how often the respective memory cells can be reprogrammed. Become the memory cells more often reprogrammed as the maximum number allowed by the manufacturer of reprogramming, it is no longer guaranteed that the memory device works properly.

Der Benutzer einer solchen Speichereinrichtung bzw. eines eine solche Speichereinrichtung enthaltenden Systems hat im allgemeinen jedoch keine Kenntnis darüber, wie oft die einzelnen Speicherzellen der Speichereinrichtung bereits umprogrammiert wurden, und weiß folglich auch nicht, ob die Speichereinrichtung noch ordnungsgemäß arbeitet.Of the Users of such a storage device or one such However, in general, the system containing memory devices generally has not aware how many times the individual memory cells of the memory device already have been reprogrammed, and therefore knows also not whether the memory device is still working properly.

Bisher sind keine Möglichkeiten zur Lösung dieses Problems bekannt.So far are no possibilities to solve this Known problems.

Daher werden umprogrammierbare nichtflüchtige Halbleiter-Speichereinrichtungen nach Möglichkeit nur verwendet, wenn davon ausgegangen werden kann, daß die Speichereinrichtung während der üblichen Einsatzdauer der Speichereinrichtung oder des diese enthaltenden Systems nicht öfter als die vom Hersteller angegebene maximale Anzahl von Malen umprogrammiert wird.Therefore Be reprogrammable non-volatile Semiconductor memory devices if possible only used if it can be assumed that the storage device while the usual Duration of use of the storage device or of the containing them System not more than reprogrammed the maximum number of times specified by the manufacturer becomes.

Dies schränkt jedoch die Einsatzmöglichkeiten von umprogrammierbaren nichtflüchtigen Halbleiter-Speichereinrichtungen stark ein. Darüber hinaus ist es so, daß in bestimmten Fällen auf den Einsatz von häufig umzuprogrammierenden nichtflüchtigen Halbleiter-Speichereinrichtungen nicht verzichtet werden kann.This restricts however, the possible uses of reprogrammable nonvolatile Semiconductor memory devices strongly. Moreover, it is true that in certain make on the use of frequently reprogrammable nonvolatile semiconductor memory devices can not be waived.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Möglichkeit zu finden, durch welche verhinderbar ist, daß umprogrammierbare nichtflüchtige Halbleiter-Speichereinrichtungen über den Zeitpunkt hinaus verwendet werden, bis zu welchem ihre ordnungsgemäße Funktion zugesichert ist.Of the The present invention is therefore based on the object, a possibility by which is preventable that reprogrammable non-volatile semiconductor memory devices on the Time to be used, to which their proper functioning is assured.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die in Patentanspruch 1 beanspruchte Speichereinrichtung gelöst.These The object is achieved by the solved in claim 1 storage device.

Die erfindungsgemäße Speichereinrichtung zeichnet sich dadurch aus,

  • – daß in der Speichereinrichtung pro Speicherbereich ein dem jeweiligen Speicherbereich zugeordneter Kontrolldatenbereich vorgesehen ist,
  • – daß im Kontrolldatenbereich den zugeordneten Speicherbereich betreffende Informationen gespeichert sind, wobei diese Informationen einen Zählstand umfassen, und
  • – daß die Speichereinrichtung eine Steuereinrichtung enthält, welche jedes Mal, wenn die in einem Speicherbereich gespeicherten Daten gelöscht und überschrieben werden, den dem betreffenden Speicherbereich zugeordneten Zählstand erhöht.
The memory device according to the invention is characterized
  • In that a control data area assigned to the respective memory area is provided in the memory device per memory area,
  • - That in the control data area the memory area associated information is stored, this information includes a count, and
  • - That the memory device includes a control device which each time the data stored in a memory area is erased and overwritten increases the memory area associated count.

Durch einen Vergleich des im Kontrolldatenbereich enthaltenen Zählstandes mit der vom Hersteller der Speichereinrichtung angegebenen maximalen Umprogrammierungen des dem Zählstand zugeordneten Speicherbereiches kann ermittelt werden, ob die Anzahl der erfolgten Umprogrammierungen bereits die vom Hersteller angegebene maximale Anzahl von Umprogrammierungen erreicht hat. Durch eine entsprechende Auswertung des Ermittlungsergebnisses bzw. eine entsprechende Reaktion hierauf das kann zuverlässig erkannt und/oder verhindert werden, daß die Speichereinrichtung über den Zeitpunkt hinaus verwendet wird, bis zu welchem ihre ordnungsgemäße Funktion zugesichert ist.By a comparison of the count contained in the control data area with the maximum specified by the manufacturer of the storage device Reprogrammings of the count assigned memory area can be determined whether the number the reprogrammings have already been made by the manufacturer maximum number of reprogrammings has reached. By a appropriate evaluation of the investigation result or a corresponding Reaction to this can be reliable be recognized and / or prevented that the memory device via the Time is used, to which their proper functioning is assured.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen, der folgenden Beschreibung, und den Figuren entnehmbar.advantageous Further developments of the invention are the dependent claims, the following description, and the figures can be removed.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die Figuren näher erläutert. Es zeigenThe Invention will now be described with reference to exemplary embodiments with reference closer to the figures explained. Show it

1 den Aufbau der im folgenden beschriebenen Speichereinrichtung, 1 the structure of the memory device described below,

2 den Aufbau eines ersten Speicherbereiches der in der 1 gezeigten Speichereinrichtung, und 2 the structure of a first memory area in the 1 shown storage device, and

3 den Aufbau eines Kontrolldatenbereiches des in der 2 gezeigten Speicherbereiches. 3 the construction of a control data area of the 2 shown memory area.

Bei der im folgenden näher beschriebenen Speichereinrichtung handelt es sich um einen Flash-Speicher. Es könnte sich aber auch um ein EEPROM oder um einen beliebigen anderen umprogrammierbaren nichtflüchtigen Halbleiter-Speicher handeln.at the closer in the following described storage device is a flash memory. It could but also an EEPROM or any other reprogrammable nonvolatile Act semiconductor memory.

Die beschriebene Speichereinrichtung kann Bestandteil eines nur die Speichereinrichtung enthaltenden Speicher-Chips sein, kann aber auch Bestandteil eines noch andere Komponenten enthaltenden Halbleiter-Chips sein, also beispielsweise ein embedded Flash-Speicher einer programmgesteuerten Einheit wie etwa eines Mikrocontrollers.The described storage device may be part of only the Memory device containing memory, but can also part of a still other components containing semiconductor chip be, for example, an embedded flash memory programmatically Unit such as a microcontroller.

Der prinzipielle Aufbau der hier vorgestellten Speichereinrichtung ist in 1 gezeigt. Der Vollständigkeit halber sei bereits an dieser Stelle darauf hingewiesen, daß hier nur die vorliegend besonders interessierenden Komponenten der Speichereinrichtung gezeigt und beschrieben sind. Die Speichereinrichtung enthält darüber hinaus weitere Komponenten wie beispielsweise Adreßdecoder, Leseverstärker, Ausgangsmultiplexer, Ein- und Ausgangsanschlüsse für Adressen, Daten und Steuersignale etc.The basic structure of the memory device presented here is in 1 shown. For the sake of completeness, it should already be pointed out at this point that only the components of the memory device of particular interest here are shown and described here. The memory device further includes other components such as address decoder, sense amplifier, output multiplexer, input and output ports for addresses, data and control signals, etc.

Die in der 1 gezeigte Speichereinrichtung enthält vier Speicherbereiche 1 bis 4 und eine Steuereinrichtung 5.The in the 1 The memory device shown contains four memory areas 1 to 4 and a controller 5 ,

Wie später noch besser verstanden werden wird, kann die Anzahl der Speicherbereiche auch beliebig viel größer oder kleiner sein.As later can be better understood, the number of memory areas also arbitrarily much larger or be smaller.

Die Speicherbereiche 1 bis 4 sind unabhängig voneinander löschbar, beschreibbar und auslesbar. Das Beschreiben und Auslesen der Speicherbereiche erfolgt wortweise, wobei ein Wort im betrachteten Beispiel aus einem Byte besteht, aber auch beliebig viel größer oder kleiner sein könnte. Das Lö schen der Speicherbereiche erfolgt speicherbereichsweise. D.h., wenn ein Teil eines Speicherbereiches gelöscht werden soll, muß jeweils der gesamte Speicherbereich gelöscht werden. Dabei werden die eigentlich nicht zu löschenden Teile des Speichers vor dem Löschen ausgelesen, zwischengespeichert, und nach dem Löschen wieder in den betreffenden Speicherbereich zurückgeschrieben.The storage areas 1 to 4 are independently erasable, writable and readable. The writing and reading out of the memory areas is carried out word by word, wherein a word in the example considered consists of one byte, but could also be arbitrarily much larger or smaller. The deletion of the memory areas is memory area. That is, if a part of a memory area is to be deleted, the entire memory area must be deleted in each case. In this case, the parts of the memory that are not actually to be deleted are read out before being erased, buffered, and written back to the relevant memory area after erasure.

Der Aufbau des ersten Speicherbereiches 1 ist in 2 gezeigt. Der zweite Speicherbereich 2, der dritte Speicherbereich 3, und der vierte Speicherbereich 4 weisen exakt den selben Aufbau auf.The structure of the first memory area 1 is in 2 shown. The second memory area 2 , the third storage area 3 , and the fourth memory area 4 have exactly the same structure.

Wie aus der 2 ersichtlich ist, umfaßt der erste Speicherbereich 1 im betrachteten Beispiel insgesamt 16 Bytes BYTE1 bis BYTE16. Der erste Speicherbereich 1 könnte aber auch beliebig viel mehr oder weniger Bytes umfassen.Like from the 2 is apparent, comprises the first memory area 1 In the example considered, a total of 16 bytes BYTE1 to BYTE16. The first storage area 1 but could also include any number of more or fewer bytes.

Von diesen 16 Bytes bilden 13 Bytes, genauer gesagt die 13 ersten Bytes BYTE1 bis BYTE13 einen Nutzdatenbereich 11, und 3 Bytes, genauer gesagt die 3 letzten Bytes BYTE14 bis BYTE16 einen dem ersten Speicherbereich 1 zugeordneten Kontrolldatenbereich 12. Es sei bereits an dieser Stelle darauf hingewiesen, daß sowohl der Nutzdatenbereich 11 als auch der Kontrolldatenbereich 12 durch beliebige andere Bytes des Speicherbereiches 1 gebildet werden könnten. Darüber hinaus kann der Kontrolldatenbereich 12 auch mehr oder weniger als 3 Bytes umfassen (und folglich der Nutzdatenbereich 11 auch weniger oder mehr als 13 Bytes umfassen).Of these 16 bytes, 13 bytes, more specifically, the 13 first bytes BYTE1 to BYTE13 constitute a payload area 11 , and 3 bytes, more precisely the last 3 bytes BYTE14 to BYTE16 a the first memory area 1 associated control data area 12 , It should be noted at this point that both the user data area 11 as well as the control data area 12 by any other bytes of the memory area 1 could be formed. In addition, the control data area 12 also more or less than 3 bytes (and hence the payload area 11 also less than or longer than 13 bytes).

Im Nutzdatenbereich 11 werden die Daten gespeichert, die eigentlich in der hier vorgestellten Speichereinrichtung zu speichern sind. Auf den Nutzdatenbereich 11 kann von außerhalb der Speichereinrichtung sowohl lesend als auch schreibend zugegriffen werden.In the user data area 11 the data are stored, which are actually to be stored in the memory device presented here. On the user data area 11 can be accessed from outside the storage device both read and write.

Im Kontrolldatenbereich 12 wird ein Zählstand gespeichert, der angibt, wie häufig der den Kontrolldatenbereich 12 enthaltende Speicherbereich 1 bereits umprogrammiert wurde. Dieser Zählstand wird durch die Steuereinrichtung 5 aktualisiert und in den Kontrolldatenbereich 12 geschrieben. Von außerhalb der Speichereinrichtung kann auf den Kontrolldatenbereich nur lesend, nicht aber auch schreibend zugegriffen werden.In the control data area 12 a count is stored indicating how often the control data area 12 containing memory area 1 has already been reprogrammed. This count is by the controller 5 updated and in the control data area 12 written. From outside the memory device, the control data area can be read only, but not in writing.

Der Aufbau des Kontrolldatenbereiches 12 ist in 3 veranschaulicht. Wie aus der 3 ersichtlich ist, besteht der Kontrolldatenbereich 12 aus insgesamt 24 Bits, wobei 17 Bits, genauer gesagt die niederwertigsten 17 Bits einen Zählstandsbereich 121 bilden, und wobei 1 Bit, genauer gesagt das höchstwertige Bit einen Zählstandsauswertungsbereich 122 bilden. Die restlichen Bits des Kontrolldatenbereiches 12, genauer gesagt die Bits 18 bis 23 desselben sind im betrachteten Beispiel ungenutzt. Es sei bereits an dieser Stelle darauf hingewiesen, daß der Zählstandsbereich 121 beliebig viel größer oder kleiner sein kann als im betrachteten Beispiel, und daß auch der Zählstandsauswertungsbereich 122 beliebig viel größer oder kleiner sein kann als im betrachteten Beispiel.The structure of the control data area 12 is in 3 illustrated. Like from the 3 is apparent, there is the control data area 12 out of a total of 24 bits, with 17 bits, more specifically the least significant 17 bits, a count range 121 and where 1 bit, more particularly the most significant bit, is a count evaluation range 122 form. The remaining bits of the control data area 12 , more precisely the bits 18 to 23 are unused in the example considered. It should be noted at this point that the count range 121 arbitrarily much larger or smaller than in the example considered, and that also the count evaluation area 122 can be much larger or smaller than in the example considered.

Im Zählstandsbereich 121 ist der vorstehend bereits erwähnte Zählstand gespeichert, der angibt, wie häufig der zugeordnete Speicherbereich bereits umprogrammiert wurde. Der Zählstandsbereich 121 umfaßt, wie vorstehend bereits erwähnt wurde, im betrachteten Beispiel 17 Bits, so daß Zählstände bis 131072 gespeichert werden können.In the count range 121 is stored the above-mentioned count, which indicates how often the allocated memory area has already been reprogrammed. The count range 121 As noted above, in the example under consideration, there are 17 bits so that counts up to 131072 can be stored.

Der Zählstandsauswertungsbereich 122 enthält eine Information darüber, ob der Speicherbereich, welchem der den Zählstandsauswertungsbereich 122 enthaltende Kontrollbereich 12 zugeordnet ist, das Ende seiner Lebensdauer erreicht hat oder nicht. Es wird davon ausgegangen, daß das Ende der Lebensdauer erreicht ist, wenn die im Zählstandsbereich 121 gespeicherte Anzahl der Umprogrammierungen des ersten Speicher bereiches 1 die vom Hersteller der Speichereinrichtung angegebene maximale Anzahl von Umprogrammierungen erreicht hat. Es sei angenommen, daß der Inhalt des Zählstandsauswertungs-Bits 122 den Wert 0 aufweist, wenn der zugeordnete Speicherbereich das Ende seiner Lebensdauer noch nicht erreicht hat, und daß der Inhalt des Zählstandsauswertungs-Bits 122 auf den Wert 1 gesetzt wird, wenn der Speicherbereich das Ende seiner Lebensdauer erreicht hat.The count evaluation area 122 contains information about whether the memory area of which the count evaluation area 122 containing control area 12 assigned, the end of its life has reached or not. It is assumed that the end of the life is reached when the count range 121 stored number of reprogrammings of the first memory area 1 has reached the maximum number of reprogrammings specified by the manufacturer of the storage device. It is assumed that the contents of the count evaluation bit 122 has the value 0 if the allocated memory area has not yet reached the end of its life, and that the contents of the count evaluation bits 122 is set to the value 1 if the memory area has reached the end of its service life.

Der Kontrolldatenbereich 12, genauer gesagt der darin enthaltene Zählstandsbereich 121 und der darin enthaltene Zählstandsauswertungsbereich 122 werden, wie vorstehend bereits erwähnt wurde, von der Steuereinrichtung 5 beschrieben und können von keiner anderen Einrichtung beschrieben werden. Auch die Festlegung des Inhaltes der genannten Bereiche 121 und 122 erfolgt ausschließlich durch die Steuereinrichtung 5.The control data area 12 More specifically, the count range contained therein 121 and the count evaluation range contained therein 122 are, as already mentioned above, from the control device 5 described and can not be described by any other institution. Also the definition of the content of the mentioned areas 121 and 122 takes place exclusively by the control device 5 ,

Veränderungen des im Zählstandsbereich 121 gespeicherten Zählstandes erfolgen immer dann, und zwar nur dann, wenn der Speichereinrichtung von außerhalb derselben in den ersten Speicherbereich 1 zu schreibende Daten zugeführt werden, deren Einschreiben in den ersten Speicherbereich 1 eine Umprogrammierung des Speicherbereiches 1, d.h. ein Löschen und Wiederbeschreiben des ersten Speicherbereiches 1 erfordern. Es sei bereits an dieser Stelle darauf hingewiesen, daß Schreibzugriffe auf den ersten Speicherbereich 1, die kein vorheriges Löschen des Speicherbereiches 1 erfordern, nicht als Umprogrammierung angesehen werden und keine Veränderung des im Zählstandsbereich 121 gespeicherten Zählstandes zur Folge haben. Wenn nun also ein Schreibzugriff auf den ersten Speicherbereich 1 erfolgt, der ein vorheriges Löschen des ersten Speicherbereiches erfordert, wird vor dem Löschen des ersten Speicherbereiches 1 durch die Steuereinrichtung 5 zunächst der Kontrolldatenbereich 12 ausgelesen und zwischengespeichert. Darüber hinaus werden, wie vorstehend bereits erwähnt wurde, auch diejenigen Teile der im Nutzdatenbereich 11 gespeicherten Daten ausgelesen und zwischengespeichert, die durch den Schreibzugriff auf den ersten Speicherbereich 1 nicht verändert werden sollen. Anschließend wird der erste Speicherbereich 1, und zwar sowohl der Nutzdatenbereich 11 als auch der Kontrolldatenbereich 12 desselben gelöscht und neu beschrieben. Beim Beschreiben des Nutzdatenbereiches 11 werden die Daten in den Nutzdatenbereich 11 geschrieben, die der Speichereinrichtung durch den vorangehenden Schreibzugriff von außerhalb der Speichereinrichtung zugeführt wurden. Ferner werden in den Nutzdatenbereich 11 auch diejenigen Daten zurückgeschrieben, die vor dem Löschen des ersten Speicherbereiches 1 aus dem Nutzdatenbereich 11 desselben ausgelesen wurden und nicht durch die Daten zu ersetzen sind, die der Speichereinrichtung durch den vorangehenden Schreibzugriff von außerhalb der Speichereinrichtung zugeführt wurden. Im Anschluß an das Beschreiben des Nutzdatenbereiches 11 oder bereits davor wird auch der Kontrolldatenbereich 12 neu beschrieben. Vor dem Beschreiben des Kontrolldatenbereiches 12 aktualisiert die Steuereinrichtung 5 die einzuschreibenden Informationen. Genauer gesagt erhöht sie den zuvor im Zählstandsbereich 121 gespeicherten Zählstand, und setzt das Zählstandsauswertungs-Bit 121, wenn der aktualisierte Zählstand die vom Hersteller angegebene maximale Anzahl von Umprogrammierungen des ersten Speicherbereiches 1 erreicht hat. Diese aktualisierten Informationen schreibt die Steuereinrichtung 5 sodann in den Kontrolldatenbereich 12.Changes in the count range 121 stored count are always then, and only if the memory device from outside the same in the first memory area 1 be sent to writing data whose writing into the first memory area 1 a reprogramming of the memory area 1 ie deleting and rewriting the first memory area 1 require. It should be noted at this point that write accesses to the first memory area 1 which does not require previous deletion of the memory area 1 not to be considered as reprogramming and no change in the count range 121 stored count result. So now if a write access to the first memory area 1 takes place, which requires a previous deletion of the first memory area, is before deleting the first memory area 1 by the control device 5 first the control data area 12 read out and cached. In addition, as already mentioned above, those parts in the payload area are also used 11 stored data stored and cached by the write access to the first memory area 1 should not be changed. Subsequently, the first memory area 1 , both the payload area 11 as well as the control data area 12 deleted and rewritten. When describing the user data area 11 the data is in the payload area 11 which have been supplied to the memory device from the outside of the memory device by the preceding write access. Further, in the payload area 11 Also, those data are written back before deleting the first memory area 1 from the user data area 11 have been read out of it and are not to be replaced by the data that has been supplied to the memory device by the previous write access from outside the memory device. Following the description of the user data area 11 or even before that becomes the control data area 12 new described. Before describing the control data area 12 updates the controller 5 the information to be written. More specifically, it increases the previously in the count range 121 stored count, and sets the count evaluation bit 121 if the updated count is the maximum number of reprogrammings of the first memory range specified by the manufacturer 1 has reached. This updated information is written by the controller 5 then into the control data area 12 ,

Entsprechend wird vorgegangen, wenn in einen der anderen Speicherbereiche 2 bis 4 Daten geschrieben werden. Allerdings werden in diesen Fällen der dem zweiten Speicherbereich 2 zugeordnete Kontrolldatenbereich bzw. der dem dritten Speicherbereich 3 zugeordnete Kontrolldatenbereich bzw. der dem vierten Speicherbereich 4 zugeordnete Kontrolldatenbereich aktualisiert. Die den Speicherbereichen 2 bis 4 zugeordneten Kontrolldatenbereiche sind Bestandteil der Speicherbereiche, welchen sie jeweils zugeordnet sind; diese Speicherbereiche weisen, wie vorstehend bereits erwähnt wurde, den selben Aufbau auf wie der erste Speicherbereich 1.The same procedure is followed when in one of the other memory areas 2 to 4 Data is written. However, in these cases, the second memory area 2 associated control data area or the third memory area 3 associated control data area or the fourth memory area 4 updated control data area updated. The storage areas 2 to 4 associated control data areas are part of the memory areas to which they are assigned in each case; As already mentioned above, these memory areas have the same structure as the first memory area 1 ,

Bei einer wie beschrieben aufgebauten und betriebenen Speichereinrichtung kann anhand der im Kontrolldatenbereich 12 gespeicherten Informationen erkannt werden, ob der Speicherbereich, welchem der betreffende Kontrolldatenbereich zugeordnet ist, noch weiter verwendet werden kann, oder bereits das Ende seiner Lebensdauer erreicht hat. Genauer gesagt kann an diesen Informationen erkannt werden, ob der dem Kontrolldatenbereich zugeordnete Speicherbereich erneut umprogrammiert werden kann, oder sicherheitshalber besser nicht mehr erneut umprogrammiert wird.In a memory device constructed and operated as described can be based on the in the control data area 12 stored information can be detected, whether the memory area to which the relevant control data area is assigned, can still be used, or has already reached the end of its life. More specifically, it can be recognized from this information whether it has been assigned to the control data area memory area can be reprogrammed again or, for safety's sake, it is better not to reprogram it again.

Wenn auf die Speichereinrichtung von außerhalb der Speichereinrichtung ein Schreibzugriff erfolgt, wird daher vor der Ausführung der hierfür erforderlichen Operationen, d.h. vor dem Löschen und Beschreiben des adressierten Speicherbereiches überprüft, ob eine erneute Umprogrammierung des betreffenden Speicherbereiches durchgeführt werden kann. Diese Überprüfung erfolgt durch ein Auslesen und Auswerten des Zählstandsauswertungs-Bits 122. Ist das Zählstandsauswertungs-Bit 122 nicht gesetzt, kann die Umprogrammierung durchgeführt werden. Ist das Zählstandsauswertungs-Bit 122 hingegen bereits gesetzt, sollte die Umprogrammierung besser nicht durchgeführt werden. Das Auslesen und Auswerten des Zählstandsauswertungs-Bits 122 erfolgt vorzugsweise automatisch durch die Steuereinrichtung 5 oder eine sonstige Komponente der Speichereinrichtung, so daß das Einschreiben von Daten in den adressierten Speicherbereich aus der Sicht der Einrichtung, die Daten in den Speicherbereich schreiben möchte, wie bei herkömmlichen Speichereinrichtungen ohne einen Kontrolldatenbereich der vorstehend beschriebenen Art erfolgen kann.If a write access takes place on the memory device from outside the memory device, it is therefore checked before the execution of the operations required for this purpose, ie before erasure and writing of the addressed memory area, whether a renewed reprogramming of the relevant memory area can be performed. This check is performed by reading out and evaluating the count evaluation bit 122 , Is the count evaluation bit 122 not set, reprogramming can be performed. Is the count evaluation bit 122 however, already set, the reprogramming should better not be performed. The reading and evaluation of the count evaluation bit 122 is preferably done automatically by the controller 5 or any other component of the memory device so that writing data to the addressed memory area may be from the device's point of view writing data to the memory area, as in conventional memory devices without a control data area of the type described above.

Für die Reaktion auf das Erfassen des Umstandes, daß das Zählstandsauswertungs-Bit 122 bereits gesetzt ist, existieren mehrere Möglichkeiten.For responding to the detection of the fact that the count evaluation bit 122 already set, there are several possibilities.

Eine erste Möglichkeit besteht darin, daß die in den adressierten Speicherbereich zu schreibenden Daten nicht gespeichert werden, und daß die Speichereinrichtung einer außerhalb der Speichereinrichtung vorgesehenen Komponente des die Speichereinrichtung enthaltenden Systems, beispielsweise der Einrichtung, welche gerade Daten in den dem Zählstandsauswertungs-Bit 122 zugeordneten Speicherbereich schreiben möchte, oder der CPU eines die Speichereinrichtung enthaltenden Mikrocontrollers diesen Umstand signalisiert. Die Signalisierung kann beispielsweise durch die Ausgabe eines Interrupt-Request-Signals erfolgen.A first possibility is that the data to be written into the addressed memory area are not stored, and that the memory means of a non-memory component of the storage device containing means, such as the device, which currently data in the count evaluation bit 122 would like to write assigned memory area, or the CPU of a memory device containing microcontroller signals this fact. The signaling can be done for example by the output of an interrupt request signal.

Eine zweite Möglichkeit besteht darin, daß die in den adressierten Speicherbereich zu schreibenden Daten in dem betreffenden Speicherbereich gespeichert werden, und daß die Speichereinrichtung einer außerhalb der Speichereinrichtung vorgesehenen Komponente des die Speichereinrichtung enthaltenden Systems, beispielsweise der Einrichtung, welche die Daten in den dem Zählstandsauswertungs-Bit 122 zugeordneten Speicherbereich schreiben möchte, oder einer anderen Einrichtung wie beispielsweise der CPU eines die Speichereinrichtung enthaltenden Mikrocontrollers signalisiert, daß die Daten zwar gespeichert wurden, aber die ordnungsgemäße Funktion des Speicherbereiches nicht mehr gewährleistet ist. Die Signalisierung kann beispielsweise durch die Ausgabe eines Interrupt-Request-Signals erfolgen.A second possibility is that the data to be written into the addressed memory area are stored in the relevant memory area, and that the memory device is provided to a component of the memory system containing the memory device, for example the device which stores the data in the count register. bit 122 would like to write assigned memory area, or another device such as the CPU of a memory device containing microcontroller signals that the data has been stored, but the proper operation of the memory area is no longer guaranteed. The signaling can be done for example by the output of an interrupt request signal.

Eine dritte Möglichkeit besteht darin, daß die in den adressierten Speicherbereich zu schreibenden Daten in einem anderen Speicherbereich, beispielsweise in den zweiten Speicherbereich 2 der Speichereinrichtung anstatt in den ersten Speicherbereich 1 geschrieben werden, und fortan sämtliche Zugriffe, d.h. sowohl Lesezugriffe als auch Schreibzugriffe auf der adressierten Speicherbereich durch die Steuereinrichtung 5 oder eine sonstige Komponente der Speichereinrichtung automatisch auf den zweiten Speicherbereich 2 umgeleitet werden. wenn irgendwann auch der zweite Speicherbereich 2 so oft umprogrammiert wurde, daß er das Ende seiner Lebensdauer erreicht hat, kann vorgesehen werden, daß die in den ersten Speicherbereich 1 zu schreibenden Daten in einem abermals anderen Speicherbereich, beispielsweise in den dritten Speicherbereich 3 der Speichereinrichtung geschrieben werden, und fortan sämtliche Zugriffe, d.h. sowohl Lesezugriffe als auch Schreibzugriffe auf der ersten Speicherbereich 1 durch die Steuereinrichtung 5 oder eine sonstige Komponente der Speichereinrichtung automatisch auf den dritten Speicherbereich 3 umgeleitet werden. Entsprechend kann verfahren werden, wenn irgendwann auch der dritte Speicherbereich 3 so oft umprogrammiert wurde, daß er das Ende seiner Lebensdauer erreicht hat; dann könnte vorgesehen werden, den vierten Speicherbereich 4 anstelle des ersten Speicherbereiches 1 zu verwenden. Wenn von dieser dritten Möglichkeit Gebrauch gemacht wird, könnte vorgesehen werden, daß in den Kontrolldatenbereich 12 des ersten Speicherbereiches eingetragen wird, durch welchen anderen Speicherbereich der erste Speicherbereich 1 ersetzt wird. Dies Information könnte in einem oder mehreren der unbenutzten Bits 18 bis 23 des Kontrolldatenbereiches 12 geschrieben werden. Es besteht jedoch keine zwingende Notwendigkeit für einen solchen Eintrag. Insbesondere wenn in der Speichereinrichtung festgelegt ist, welcher Speicherbereich bei Bedarf durch welchen anderen Speicherbereich zu ersetzen ist, kann auch auf andere Art und Weise ermittelt werden, welcher andere Speicherbereich anstelle des ersten Speicherbereiches 1 zu verwenden ist. Hierzu muß lediglich vorgesehen werden, die Zählstandsauswertungs-Bits 122 der einzelnen Speicherbereiche der Reihe nach auszulesen, und denjenigen Speicherbereich als Ersatz für den ersten Speicherbereich 1 zu verwenden, der der erste Speicherbereich ist, dessen Zählstandsauswertungs-Bit 122 den Wert 0 aufweist.A third possibility is that the data to be written into the addressed memory area is stored in another memory area, for example in the second memory area 2 the memory device instead of the first memory area 1 and hence all accesses, ie both read accesses and write accesses to the addressed memory area by the control device 5 or any other component of the memory device automatically to the second memory area 2 be redirected. if at some point the second memory area 2 has been reprogrammed so that it has reached the end of its life, can be provided that in the first memory area 1 to be written data in a different memory area, for example, in the third memory area 3 the memory device are written, and hence all accesses, ie both read accesses and write accesses on the first memory area 1 by the control device 5 or any other component of the storage device automatically to the third storage area 3 be redirected. Accordingly, it is possible to proceed if at some point the third memory area 3 has been reprogrammed so many times that it has reached the end of its life; then the fourth memory area could be provided 4 instead of the first memory area 1 to use. If use is made of this third option, it could be provided that in the control data area 12 of the first memory area is entered, through which other memory area the first memory area 1 is replaced. This information could be in one or more of the unused bits 18 to 23 of the control data area 12 to be written. However, there is no compelling need for such an entry. In particular, if it is determined in the memory device which memory area is to be replaced by what other memory area if necessary, it is also possible to determine in another way which other memory area instead of the first memory area 1 to use. For this purpose, it is merely necessary to provide the count evaluation bits 122 the individual memory areas in turn read, and that memory area as a replacement for the first memory area 1 which is the first memory area whose count evaluation bit 122 has the value 0.

Voraussetzung für die Realisierung der dritten Möglichkeit ist, daß von den vorhandenen Speicherbereichen der Speichereinrichtung durch außerhalb der Speichereinrichtung vorgesehene Einrichtungen nur der erste Speicherbereich 1 (oder ein sonstiger einziger Speicherbereich) adressierbar ist. Bei der Realisierung der ersten Möglichkeit und der zweiten Möglichkeit können sämtliche Speicherbereiche der Speichereinrichtung durch außerhalb der Speichereinrichtung vorgesehene Einrichtungen adressiert und nach Belieben verwendet werden.A prerequisite for the realization of the third possibility is that of the existing memory areas of the memory device provided by outside the memory device A only the first memory area 1 (or any other single memory area) is addressable. When implementing the first option and the second option, all memory areas of the memory device can be addressed by devices provided outside the memory device and used as desired.

Es könnte auch vorgesehen werden, daß die Einrichtungen, die die Speichereinrichtung als Speicher verwenden, oder eine sonstige Einrichtung wie beispielsweise die CPU des die Speichereinrichtung enthaltenden Mikrocontrollers in mehr oder weniger großen zeitlichen Abständen die in den Kontrolldatenbereichen 12 der Speicherbereiche 1 bis 4 gespeicherten Informationen auslesen, auswerten und in geeigneter Weise darauf reagieren. In diesem Fall wäre es nicht erforderlich, daß die Speichereinrichtung in irgend einer Weise auf den Umstand reagiert, daß das Zählstandsauswertungs-Bit 122 bereits gesetzt ist; die Speichereinrichtung müßte nicht einmal überprüfen, ob das Zählstandsauswertungs-Bit gesetzt ist oder nicht.It could also be provided that the devices which use the memory device as memory, or another device such as the CPU of the microcontroller containing the memory device in more or less large time intervals in the control data areas 12 the storage areas 1 to 4 read out stored information, evaluate and respond appropriately. In this case, it would not be necessary for the memory device to respond in any way to the fact that the count evaluation bit 122 already set; the memory device would not even have to check whether the count evaluation bit is set or not.

Es dürfte einleuchten und bedarf keiner näheren Erläuterung, daß auf das Vorsehen eines Zählstandsauswertungs-Bits 122 auch verzichtet werden kann. Ob ein Speicherbereich das Ende seiner Lebensdauer erreicht hat, kann auch dadurch ermittelt werden, daß bei jedem Schreibzugriff überprüft wird, ob der im Zählstandsbereich 121 gespeicherte Zählwert die vom Hersteller der Speichereinrichtung vorgegebene maximale Anzahl von Umprogrammierungen erreicht hat.It will be understood and need not be further clarified that the provision of a count evaluation bit 122 can also be dispensed with. Whether a memory area has reached the end of its life, can also be determined by the fact that is checked at each write access, whether in the count range 121 stored count has reached the predetermined by the manufacturer of the memory device maximum number of reprogramming.

Es dürfte ferner einleuchten und bedarf keiner näheren Erläuterung, daß die Kontrolldaten, d.h. der Zählstand und das Zählstandsauswertungs-Bit nicht Bestandteil des Speicherbereichs sein müssen, welchem sie zugeordnet sind. Sie können auch an einer beliebigen anderen Stelle innerhalb der Speichereinrichtung gespeichert sein.It might Furthermore, it should be understood that there is no need for further explanation that the control data, i. of the count and the count evaluation bit is not Must be part of the memory area to which they are assigned are. You can also at any other location within the storage device be saved.

Unabhängig von alledem kann es sich als vorteilhaft erweisen, wenn die Steuereinrichtung 5 den im Zählstandsbereich 121 gespeicherten Zählstand nicht immer nur um 1 erhöht, sondern ihn unter bestimmten Umständen um mehr als 1, beispielsweise um 2 oder 3 erhöht. Die bestimmten Umstände sind dabei Umstände, die für die Speichereinrichtung eine besonders hohe Belastung darstellen und dazu führen können, daß sie schneller altert, genauer gesagt schon nicht mehr ordnungsgemäß arbeitet bevor die vom Hersteller angegebene maximale Anzahl an Umprogrammierungen erreicht ist. Eine besondere Belastung für die Speichereinrichtung liegt beispielsweise vor, wenn die Umgebungstemperatur der Speichereinrichtung oder die Temperatur des die Speichereinrichtung tragenden Halbleiter-Chips besonders hoch ist. Daher kann beispielsweise vorgesehen werden, daß der Zählstand bei hohen Umgebungs- oder Chip-Temperaturen bei jeder Umprogrammierung nicht jeweils um 1 sondern jeweils um 2 erhöht wird. Es könnte auch eine differenziertere Abstufung vorgesehen werden, beispielsweise daß der Zählstand bei Chip-Temperaturen bis 80°C um 1 erhöht wird, bei Chip-Temperaturen zwischen 80°C und 100°C um 2 erhöht wird, und bei Chip-Temperaturen von über 100°C um 3 erhöht wird. Eine Erhöhung des Zählstandes um mehr als 1 kann auch bei anderen Bedingungen vorgesehen werden, die eine außergewöhnlich hohe Belastung für die Speichereinrichtung darstellen. Beispielsweise könnte vorgesehen werden, daß der Umfang der Zählstands-Erhöhung mit zunehmendem Alter der Speichereinrichtung zunimmt. Die Schritte, in welchen der Zählstand erhöht wird, und/oder die Bedingungen, unter welchen eine Erhöhung des Zählstandes um mehr als 1 erfolgt, können in der Speichereinrichtung fest eingestellt sein oder der Speichereinrichtung von außerhalb derselben, beispielsweise von der CPU des die Speichereinrichtung enthaltenden Systems vorgegeben werden.Regardless of all this, it may prove advantageous if the control device 5 in the count range 121 stored count is not always increased by 1, but increased under certain circumstances by more than 1, for example by 2 or 3. The particular circumstances are circumstances that represent a particularly high burden on the storage device and can lead to it aging faster, more precisely, no longer works properly before the maximum number of reprogrammings specified by the manufacturer is reached. A particular burden on the memory device is, for example, when the ambient temperature of the memory device or the temperature of the semiconductor chip carrying the memory device is particularly high. Therefore, it can be provided, for example, that the count at high ambient or chip temperatures at each reprogramming is not increased by 1 but each by 2. It could also be provided a differentiated gradation, for example, that the count is increased by 1 at chip temperatures up to 80 ° C, is increased by 2 at chip temperatures between 80 ° C and 100 ° C, and at chip temperatures of about 100 ° C is increased by 3. Increasing the count by more than 1 may also be provided for other conditions that place an exceptionally high load on the memory device. For example, it could be provided that the extent of the count increase increases with increasing age of the memory device. The steps in which the count is increased and / or the conditions under which the count is increased by more than 1 may be fixed in the memory device or the memory device from outside thereof, for example, from the CPU of the memory device containing the memory device Systems are specified.

Die beschriebene Speichereinrichtung erweist sich unabhängig von den Einzelheiten der praktischen Realisierung als vorteilhaft. Eine solche Speichereinrichtung ermöglicht es, mit geringem Aufwand zuverlässig zu erkennen und/oder zu verhindern, daß die Speichereinrichtung über den Zeitpunkt hinaus verwendet wird, bis zu welchem ihre ordnungsgemäße Funktion zugesichert ist.The described memory device proves independent of the details of the practical implementation as advantageous. A such storage device allows it is reliable, with little effort to recognize and / or prevent the memory device on the Time is used, to which their proper functioning is assured.

11
Speicherbereichstorage area
22
Speicherbereichstorage area
33
Speicherbereichstorage area
44
Speicherbereichstorage area
55
Steuereinrichtungcontrol device
1111
Nutzdatenbereichuser data area
1212
KontrolldatenbereichControl data area
121121
ZählstandsbereichZählstandsbereich
122122
ZählstandsauswertungsbereichZählstandsauswertungsbereich

Claims (14)

Umprogrammierbare nichtflüchtige Halbleiter-Speichereinrichtung mit einem oder mehreren Speicherbereichen (1-4) zum Speichern von Daten, dadurch gekennzeichnet, – daß in der Speichereinrichtung pro Speicherbereich ein dem jeweiligen Speicherbereich zugeordneter Kontrolldatenbereich (12) vorgesehen ist, – daß im Kontrolldatenbereich den zugeordneten Speicherbereich betreffende Informationen (121, 122) gespeichert sind, wobei diese Informationen einen Zählstand (121) umfassen, und – daß die Speichereinrichtung eine Steuereinrichtung (5) enthält, welche jedes Mal, wenn die in einem Speicherbereich gespeicherten Daten gelöscht und überschrieben werden, den dem betreffenden Speicherbereich zugeordneten Zählstand erhöht.Reprogrammable nonvolatile semiconductor memory device having one or more memory areas ( 1 - 4 ) for storing data, characterized in that - in the memory device per memory area a control data area assigned to the respective memory area ( 12 ), that in the control data area the information concerning the associated memory area ( 121 . 122 ), this information being a count ( 121 ), and - that the memory device comprises a control device ( 5 ) which contains each time, if in one Memory area stored data deleted and overwritten, increases the memory area associated count. Speichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die im Kontrolldatenbereich (12) gespeicherten Informationen (121, 122) ferner eine Zählstandsauswertungs-Information (122) umfassen, durch welche angegeben wird, ob der Zählstand (121) die vom Hersteller der Speichereinrichtung angegebene Anzahl von Umprogrammierungen erreicht hat, bis zu welcher die ordnungsgemäße Funktion der Speichereinrichtung zugesichert wird.Memory device according to Claim 1, characterized in that the control data area ( 12 ) stored information ( 121 . 122 ) a count evaluation information ( 122 ), which indicates whether the count ( 121 ) has reached the number of reprogrammings specified by the manufacturer of the memory device up to which the proper functioning of the memory device is assured. Speichereinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Zählstandsauswertungs-Information (122) zusammen mit dem Zählstand (121) durch die Steuereinrichtung (5) aktualisiert wird.Memory device according to Claim 2, characterized in that the count-reading information ( 122 ) together with the count ( 121 ) by the control device ( 5 ) is updated. Speichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontrolldatenbereich (12) ausschließlich durch die Steuereinrichtung (5) beschrieben werden kann.Memory device according to Claim 1, characterized in that the control data area ( 12 ) exclusively by the control device ( 5 ) can be described. Speichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die im Kontrolldatenbereich (12) gespeicherten Informationen (121, 122) durch eine außerhalb der Speichereinrichtung vorgesehene Einrichtung ausgelesen werden können.Memory device according to Claim 1, characterized in that the control data area ( 12 ) stored information ( 121 . 122 ) can be read by a device provided outside the memory device. Speichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Schritte, um welche der Zählstand (121) erhöht wird, von der Belastung abhängt, welcher die Speichereinrichtung zum betreffenden Zeitpunkt ausgesetzt ist.Memory device according to claim 1, characterized in that the size of the steps by which the count ( 121 ) depends on the load to which the memory device is exposed at that time. Speichereinrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Schritte, in welchen der Zählstand (121) erhöht wird, von der Umgebungstemperatur der Speichereinrichtung oder von der Temperatur des die Speichereinrichtung tragenden Halbleiter-Chips abhängt.Memory device according to Claim 6, characterized in that the size of the steps in which the count ( 121 ), depends on the ambient temperature of the memory device or on the temperature of the semiconductor chip carrying the memory device. Speichereinrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe der Schritte bei hohen Temperaturen größer ist als bei niedrigen Temperaturen.Storage device according to claim 8, characterized in that that the Size of steps at high temperatures is greater as at low temperatures. Speichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dann, wenn ein Schreibzugriff auf einen Speicherbereich erfolgt, der schon so oft umprogrammiert wurde, daß der dem Speicherbereich zugeordnete Zählstand (121) die vom Hersteller der Speichereinrichtung angegebene Anzahl von Umprogrammierungen erreicht hat, bis zu welcher die ordnungsgemäße Funktion der Speichereinrichtung zugesichert wird, die in den betreffenden Speicherbereich zu schreibenden Daten nicht in den Speicherbereich geschrieben werden.Memory device according to claim 1, characterized in that, when a write access to a memory area occurs, which has already been reprogrammed so often that the memory area assigned count ( 121 ) has reached the number of reprogrammings specified by the manufacturer of the memory device, up to which the proper functioning of the memory device is assured, that the data to be written into the memory area concerned are not written into the memory area. Speichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Speichereinrichtung dann, wenn ein Schreibzugriff auf einen Speicherbereich erfolgt, der schon so oft umprogrammiert wurde, daß der dem Speicherbereich zugeordnete Zählstand (121) die vom Hersteller der Speichereinrichtung angegebene Anzahl von Umprogrammierungen erreicht hat, bis zu welcher die ordnungsgemäße Funktion der Speichereinrichtung zugesichert wird, diesen Umstand einer außerhalb der Speichereinrichtung vorgesehenen Komponente des die Speichereinrichtung enthaltenden Systems signalisiert.Memory device according to claim 1, characterized in that the memory device, when a write access to a memory area, which has already been reprogrammed so often that the memory area associated count ( 121 ) has reached the specified by the manufacturer of the memory device number of reprogrammings, to which the proper functioning of the memory device is assured, this fact of a provided outside the memory device component of the memory device containing system signals. Speichereinrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Signalisierung durch die Ausgabe eines Interrupt-Request-Signals erfolgt.Storage device according to claim 10, characterized in that that the Signaling is performed by the output of an interrupt request signal. Speichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Speichereinrichtung dann, wenn ein Speicherbereich schon so oft umprogrammiert wurde, daß der dem Speicherbereich zugeordnete Zählstand (121) die vom Hersteller der Speichereinrichtung angegebene Anzahl von Umprogrammierungen erreicht hat, bis zu welcher die ordnungsgemäße Funktion der Speichereinrichtung zugesichert wird, sämtliche Zugriffe auf den betreffenden Speicherbereich auf einen anderen Speicherbereich umleitet.Memory device according to claim 1, characterized in that the memory device, when a memory area has already been reprogrammed so often, that the count assigned to the memory area ( 121 ) has reached the number of reprogrammings specified by the manufacturer of the memory device up to which the proper functioning of the memory device is assured, redirects all accesses to the relevant memory area to another memory area. Speichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der Speicherbereiche der Speichereinrichtung ein Teil der Speichereinrichtung ist, der nur als eine zusammenhängende Einheit gelöscht werden kann.Storage device according to claim 1, characterized in that that everybody the memory areas of the memory device is a part of the memory device is that just as one coherent entity deleted can be. Speichereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kontrolldatenbereich (12) Bestandteil des Speicherbereiches ist, welchem der betreffende Kontrolldatenbereich zugeordnet ist.Memory device according to Claim 1, characterized in that the control data area ( 12 ) Is part of the memory area to which the relevant control data area is assigned.
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