DE10104715A1 - Optisches Bauelement - Google Patents
Optisches BauelementInfo
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Abstract
Eine Photodiode (1) weist einen Diodenkörper (2) mit einem Fenster (14) auf, der auf einem transparenten Trägerkörper (9) aufgebracht ist. Der Trägerkörper (9) ist mit einem frequenzselektiv wirkenden Kantenfilter (17) versehen. Dadurch ergibt sich ein kompaktes hybrides Bauelement mit hoher Temperaturstabilität.
Description
Die Erfindung betrifft ein optisches Bauelement mit einem
Diodenkörper, der einen photoaktiven Bereich und ein für Pho
tonen transparentes Fenster aufweist und der auf einem Trä
gerkörper befestigt ist.
Derartige optische Bauelemente sind allgemein bekannt. Es
handelt sich dabei um sogenannte Leuchtdioden oder Photo
dioden, bei denen der Diodenchip auf einem Trägerkörper befe
stigt ist. Für WDM-Anwendungen (WDM = wave length division
multiplexing) werden insbesondere selektive Photodioden benö
tigt, die nur in einem bestimmten Wellenlängenfenster empfan
gen und auf Licht mit anderen Wellenlängen unempfindlich
sind. Diese Photodioden sollen beispielsweise bei einer Wel
lenlänge von 1,3 µm empfangen und Signale mit einer Wellen
länge von 1,55 µm dämpfen oder umgekehrt Signale bei 1,3 µm
dämpfen und bei 1,5 µm empfangen.
Die bekannten optischen Bauelemente weisen zum Teil einen un
selektiven Diodenchip hinter einem räumlich getrennten Filter
auf. Bei diesem Filter handelt es sich entweder um einen so
genannten Kantenfilter oder ein Gitter.
Außerdem ist bekannt, auf dem Diodenchip eine Absorberschicht
aus einem quaternären Material, insbesondere (GaIn)(AsP),
aufzubringen, oder für die aktive Schicht des Diodenchips das
genannte quaternäre Material zu verwenden. Denn dieses Mate
rial ermöglicht über seine Zusammensetzung die Größe der
Bandlücke und damit die Abschneidefrequenz einzustellen.
Die zuletzt beschriebene Lösung hat den Nachteil, daß auf
grund der Temperaturdrift der Bandlücke die Abschneidekante
um 0,2 bis 0,5 nm/K driftet.
Die bekannten dielektrischen Kantenfilter weisen zwar eine
geringere Temperaturabhängigkeit von 0,01 nm/K auf, müssen
aber nach der Herstellung des Diodenchips in ihrer Lage zum
Diodenchip justiert montiert und vermessen werden.
Die hier vorgestellten Überlegungen betreffen in gleicher
Weise Lumineszenzdioden, die nur in einem bestimmten Wellen
längenfenster Photonen emittieren sollen und Photodioden, die
nur auf Licht mit bestimmten Wellenlängen empfindlich sein
sollen.
Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung
die Aufgabe zugrunde, ein temperaturstabiles, frequenzselek
tives optisches Bauelement anzugeben, das auf einfache Weise
hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das
Fenster des Diodenkörpers dem für Photonen transparenten,
frequenzselektiven Trägerkörper zugewandt ist.
Durch die hybride Integration des Diodenkörpers mit einem
frequenzselektiven Trägerkörper entsteht ein kompaktes, fre
quenzselektives, optisches Bauelement, das vom Benutzer als
ein Bauteil gehandhabt werden kann. Die optischen Eigenschaf
ten dieses optischen Bauelementes können bereits vor der Aus
lieferung vollständig vermessen werden. Dadurch entfällt die
separate Justierung und Vermessung des Kantenfilters nach der
Fertigstellung des Diodenchips. Dadurch kann ein Fertigungs
schritt eingespart werden. Außerdem kann der Trägerkörper mit
dielektrischen Kantenfiltern versehen werden, deren Grenzfre
quenzen eine geringe Temperaturabhängigkeit von etwa 0,01 nm/K
aufweisen. Die optischen Bauelemente gemäß der Erfindung
stellen daher auf einfache Weise herstellbare, temperatursta
bile Bauelemente dar. Die erwähnten Kantenfilter können auch
als Bandfilter ausgelegt werden. Somit ist die temperatursta
tik Emission oder Detebtion eines Wellenlängenspektrums mög
lich.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist in den Träger
körper eine Linse integriert, die die auf das Bauelement ein
fallende Strahlung auf den photoaktiven Bereich des Dioden
körpers konzentriert.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der ab
hängigen Ansprüche.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der beigefügten Zeich
nung erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch eine Photodiode, die einen
auf einem Trägerkörper angeordneten Diodenkörper
aufweist;
Fig. 2 einen Querschnitt durch ein abgewandeltes Ausfüh
rungsbeispiel der Photodiode aus Fig. 1 und
Fig. 3 ein weiteres abgewandeltes Ausführungsbeispiel der
Photodiode aus Fig. 1.
Die in Fig. 1 dargestellte Photodiode 1 weist einen Dioden
körper 2 auf, der einen photoaktiven Bereich 3 umfaßt, in dem
einfallende Photonen absorbiert werden. Bei dem Diodenkörper
2 handelt es sich um eine rückseitig eingestrahlte Photo
diode. Auf einer Oberseite 4 des Diodenkörpers 2 ist ein Kon
takt 5 angeordnet. Auch auf einer Unterseite 6 sind Kontakte
7 vorgesehen, mit denen der Diodenkörper 2 auf einer Kontakt
schicht 8 eines Trägerkörpers 9 gebondet ist. Der Trägerkör
per 9 ist aus Silizium, Germanium oder Glas hergestellt. Die
Kontaktschicht 8 verfügt ferner über eine Anschlußstelle 10,
an die sich ebenso wie an den Kontakt 5 Kontaktdrähte an
schließen lassen, durch die das im aktiven Bereich 3 erzeugte
Signal abgegriffen werden kann. Der Trägerkörper 9 kann unter
der Kontaktschicht 8 eine weitere Antireflexionsschicht 11
aufweisen, die auf einer Oberfläche 12 eines Substrates 13
aufgebracht ist. Die Antireflexionsschicht 11 verhindert zu
sammen mit einer auf einem Fenster 14 des Diodenkörpers 2
aufgebrachten weiteren Antireflexionsschicht 15 das Ausbilden
von Resonanzen zwischen der Unterseite 14 des Diodenkörpers 2
und der Oberseite 12 des Substrates 13.
Auf einer Unterseite 16 des Substrates 13 ist ein dielektri
scher Kantenfilter 17 vorgesehen, der auf einfallendes Licht
18 frequenzselektiv wirkt. Derartige Kantenfilter bestehen
aus einer Vielzahl von dielektrischen Schichten mit unter
schiedlichem Brechungsindex. Derartige Kantenfilter sind aus
dem Stand der Technik bekannt und nicht Gegenstand der Anmel
dung. Die Grenzfrequenzen der aus dielektrischen Schichten
hergestellten Kantenfilter weisen üblicherweise eine geringe
Temperaturdrift von 0,01 nm/K auf. Die in Fig. 1 dargestell
te Photodiode 1 weist daher eine von der Temperatur nur ge
ringfügig abhängige Empfindlichkeit im vorgegebenen Frequenz
bereich auf. Außerdem läßt sich die Photodiode 1 als Ganzes
handhaben und vor der endgültigen Montage vollständig vermes
sen.
Von besonderem Vorteil ist auch die Kontaktschicht 8 zwischen
Diodenkörper 2 und Trägerkörper 9, die auf einem freien Ab
schnitt die Anschlußstelle 10 trägt. Dadurch ist die Photo
diode 1 von einer Seite her kontaktierbar.
Um das auf die Photodiode 1 einfallende Licht 18 auf den ak
tiven Bereich 3 zu konzentrieren, weisen die in den Fig. 2
und 3 dargestellten Ausführungsbeispiele im Trägerkörper 9
ausgebildete Linsen 19 und 20 auf. Die Linse 19 kann, wie in
Fig. 2 dargestellt, auf der Unterseite 16 des Trägerkörpers
9 oder entlang der Oberseite 12 angeordnet sein. Letzteres
ist in Fig. 3 dargestellt. Von besonderem Vorteil ist dabei
eine versenkte Ausführung der Linsen 19 und 20, wie sie in
Fig. 3 dargestellt ist. Dadurch kann der Trägerkörper 9 bei
der Herstellung und Montage wesentlich besser gehandhabt werden,
da die versenkten Linsen 19 und 20 vor mechanischen Be
schädigungen geschützt sind.
Von besonderem Vorteil ist, wenn wie in Fig. 3 dargestellt,
die Linse 20 auf der dem Diodenkörper 2 zugewandten Seite des
Trägerkörpers 9 angeordnet ist, da in diesem Fall auf die An
tireflexionsschicht auf dem Fenster 14 des Diodenkörpers 2
verzichtet werden kann. Denn in diesem Fall können sich keine
störenden Resonanzen zwischen der Unterseite des Diodenkör
pers 2 und der Oberseite der Linse 20 ausbilden.
Die hier beschriebene Photodiode 1 eignet sich insbesondere
für WDM-Anwendungen.
Bei der Fertigung der Photodiode 1 wird zunächst der Dioden
körper auf übliche Weise hergestellt und mit den Kontakten 5
und 7 versehen. Anschließend wird der Diodenkörper 2 auf dem
Trägerkörper neu gebondet und seine optischen Eigenschaften
vermessen. Die Photodiode 1 kann dann je nach Spezifikation
klassifiziert werden.
Die Erfindung wurde hier anhand der in den Fig. 1 bis 3
dargestellten Photodiode 1 näher erläutert. Es ist jedoch
auch möglich, Diodenkörper mit einem Photon emittierenden
photoaktiven Bereich auf einem Trägerkörper zu befestigen und
somit eine frequenzselektive Lumineszenzdiode herzustellen.
Die hier vorgestellten Überlegungen sind daher ohne weiteres
auf Lumineszenzdioden übertragbar.
1
Photodiode
2
Diodenkörper
3
Photoaktiver Bereich
4
Oberseite
5
Kontakt
6
Unterseite
7
Kontakt
8
Kontaktschicht
9
Trägerkörper
10
Anschlußstelle
11
Antireflexionsschicht
12
Oberseite
13
Substrat
14
Fenster
15
Antireflexionsschicht
16
Unterseite
17
Kantenfilter
18
Einfallendes Licht
19
Linse
20
Linse
Claims (8)
1. Optisches Bauelement mit einem Diodenkörper (2), der einen
photoaktiven Bereich (3) und ein für Photonen transparentes
Fenster (14) aufweist und der auf einem Trägerkörper (9) be
festigt ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Fenster (14) des Diodenkörpers (2) dem für Photonen
transparenten, frequenzselektiven Trägerkörper (9) zugewandt
ist.
2. Optisches Bauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Trägerkörper (9) ein mit einer Filterschicht (17)
versehenes Substrat (13) aufweist.
3. Optisches Bauelement nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Filterschicht (17) auf der dem Diodenkörper (2) zuge
wandten Seite des Trägerkörpers (9) angeordnet ist.
4. Optisches Bauelement nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Filterschicht (17) auf der dem Diodenkörper (2) abge
wandten Seite des Trägerkörpers (9) angeordnet ist.
5. Optisches Bauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Filterschicht ein Kantenfilter (17) ist.
6. Optisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß auf der dem Diodenkörper (2) zugewandten Seite des Trä
gerkörpers (9) eine Linse (20) ausgebildet ist.
7. Optisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß auf der dem Diodenkörper (2) abgewandten Seite eine Linse
(19) ausgebildet ist.
8. Optisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Diodenkörper (2) auf den Trägerkörper (9) gebondet
ist.
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DE10104715A Expired - Fee Related DE10104715B4 (de) | 2001-02-02 | 2001-02-02 | Optisches Bauelement |
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Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10104715B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011119352B4 (de) * | 2010-11-24 | 2020-10-01 | Raytheon Co. | Vorrichtung und Verfahren zum Schutz einer optischen Oberfläche |
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DE19527026A1 (de) * | 1995-07-24 | 1997-02-06 | Siemens Ag | Optoelektronischer Wandler und Herstellungsverfahren |
US5801430A (en) * | 1994-12-16 | 1998-09-01 | Advanced Photonix, Inc. | Solid state photodetector with light-responsive rear face |
-
2001
- 2001-02-02 DE DE10104715A patent/DE10104715B4/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10104715B4 (de) | 2006-04-13 |
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8127 | New person/name/address of the applicant |
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