DE10061828A1 - Verfahren zum Einbringen von Material in einen Plasmastrahl und Plasmadüse zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum Einbringen von Material in einen Plasmastrahl und Plasmadüse zur Durchführung des VerfahrensInfo
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Abstract
Verfahren zum Einbringen von Material (44) in einen Plasmastrahl (28), dadurch gekennzeichnet, daß das Material (44) in flüssigem Zustand über Kapillaren (34) in den Plasmastrahl (28) oder in eine zur Plasmaerzeugung dienende Anregungszone (12) zugeführt wird.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einbringen von Material in einen Plas
mastrahl sowie eine Plasmadüse zur Durchführung dieses Verfahrens.
Das Verfahren findet beispielsweise Anwendung bei der Plasmabeschichtung
von Oberflächen mit Hilfe eines atmosphärischen Plasmas. Das Beschichtungs
material wird dann in gasförmigem, flüssigem oder festem Zustand in den Plas
mastrahl zugeführt, so daß es sich in der Form eines dünnen Films auf der mit
dem Plasmastrahl behandelten Oberfläche abscheidet. Der Plasmastrahl wird
erzeugt, indem ein Arbeitsgas in einer Plasmadüse durch eine Anregungszone
geleitet wird, in der eine elektrische Entladung stattfindet. Wenn das Material in
gasförmigem Zustand zugeführt wird, kann es vorab mit dem Arbeitsgas ge
mischt und zusammen mit dem Arbeitsgas in die Plasmadüse eingeleitet wer
den.
Bei einigen Verfahrensvarianten, insbesondere bei der sogenannten Plasmapoly
merisation, besteht das zugeführte Material, das sogenannten Precursormateri
al. aus mehreren Komponenten, die erst im Plasma chemisch miteinander rea
gieren und das gewünschte Beschichtungsmaterial bilden. Wenn das Precursor
material zusammen mit dem Arbeitsgas zugeführt wird, muß es die gesamte An
regungszone durchqueren. Dabei besteht in einigen Fällen die Gefahr, daß die
Reaktionspartner durch die Energie der elektrischen Entladung chemisch zer
stört werden, bevor sie in der gewünschten Weise miteinander reagieren können.
Um diesen Effekt zu vermeiden, ist es zweckmäßig, das Precursormaterial erst
weiter stromabwärts in der Anregungszone oder in den austretenden Plasma
strahl zuzuführen, wie in DE 29 91 9142 U1 gezeigt wird.
Ein weiteres Anwendungsbeispiel für das erfindungsgemäße Verfahren ist die
Plasma-Vorbehandlung von Oberflächen, die mit Flüssigkeiten wie Klebstoffen,
Lacken oder dergleichen benetzt werden sollen. Diese Vorbehandlung hat den
Zweck, die Benetzbarkeit der Oberfläche zu erhöhen. Durch die Zugabe von Ad
ditiven in den Plasmastrahl kann eine solche Vorbehandlung verbessert werden.
Feste Materialien können mit bekannten Verfahren in Pulverform oder in der
Form einer Verbrauchselektrode oder eines durch das Plasma erodierten Stabes
in den Plasmastrahl eingebracht werden. Gasförmige und flüssige Materialien
werden bisher mit einer Düse in den Plasmastrahl eingeleitet bzw. eingespritzt
und ggf verdampft. All diese bekannten Verfahren sind jedoch relativ aufwendig
und erfordern den Einsatz von Hilfsaggregaten wie Pumpen, Gebläsen und der
gleichen. Vor allem erweist es sich als schwierig, die Menge des zugeführten Ma
terials geeignet zu dosieren.
Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, ein Verfahren zum Einbringen von Materi
al in einen Plasmastrahl anzugeben, das sich einfach durchführen läßt und eine
feinfühlige Dosierung des zugeführten Materials ermöglicht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Material in flüssi
gem Zustand über Kapillaren in den Plasmastrahl oder in eine zur Plasmaerzeu
gung dienende Anregungszone zugeführt wird.
An der Stelle, an der die Kapillaren in den Plasmastrahl oder in die Anregungs
zone münden, wird die Flüssigkeit fortlaufend verdampft, und die verdampfte
Flüssigkeit wird aufgrund der Kapillarwirkung kontinuierlich durch Flüssigkeit
aus einem Vorratsbehälter ersetzt. Für den Flüssigkeitstransport sind somit kei
ne Hilfsaggregate wie Pumpen oder dergleichen erforderlich. Ein wesentlicher
Vorteil besteht darin, daß sich die Menge der zugeführten Flüssigkeit äußerst
feinfühlig dosieren läßt, indem die Anzahl der Kapillaren, deren Querschnitte,
die Länge der Kapillar-Leitung und/oder der statische Druck der Flüssigkeit im
Vorratsbehälter geeignet gewählt werden.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprü
chen.
Die Kapillaren können durch einen Docht, beispielsweise in der Form eines Fa
serbündels gebildet werden, der mit einem Ende an den Vorratsbehälter für das
flüssige Material angeschlossen ist und mit dem anderen Ende in den Plasma
strahl oder die Anregungszone hineinragt.
Bei den Fasern des Dochtes kann es sich um Textilfasern, Kunststoffasern, so
wie auch um Fasern aus Metall oder um Glasfasern handeln. Fasern aus Metall,
beispielsweise feine Kupferdrähte, haben den Vorteil, daß das in die Plasmazo
ne hineinragende Ende des Dochtes nicht so leicht abbrennt. Beispielsweise
kann der Docht einfach durch ein Stück Litze aus Kupferdrähten mit oder ohne
isolierende Umhüllung gebildet werden, wie sie für elektrische Leitungen ver
wendet werden. Für chemisch aggressive Materialien sind Glasfasern besonders
geeignet.
Wenn das stromaufwärtige Ende des Dochtes fest in einem Vorratsbehälter für
das flüssige Material angebracht ist, läßt sich eine Feindosierung der zugeführ
ten Materialmenge dadurch erreichen, daß der Füllstand der Flüssigkeit im Vor
ratsbehälter geregelt wird. Die Höhe dieses Füllstands beeinflußt über den stati
schen Flüssigkeitsdruck die Geschwindigkeit, mit der die Flüssigkeit durch den
Docht transportiert wird.
Andererseits ist es möglich, das stromaufwärtige Ende des Dochtes beispielswei
se mit Hilfe eines Schwimmers stets bis zu einer konstanten Tiefe in die Flüssig
keit eintauchen zu lassen, so daß der statische Druck vom Füllstand unabhän
gig ist. Auf diese Weise läßt sich der Materialfluß mit hoher Präzision konstant
halten.
Eine zur Durchführung des Verfahrens besonders geeignete Plasmadüse weist
ein Gehäuse auf, das einen von dem Arbeitsgas durchströmten Düsenkanal bil
det, indem durch Anregung des Arbeitsgases ein Plasmastrahl erzeugt wird. Bei
spiele für solche Plasmadüsen werden beschrieben in DE 195 32 412 C2,
DE 29 80 5999 U1, DE 198 47 774 A1 (zum Beschichten oder Vorbehandeln von fa
denförmigen Materialien) sowie DE 29 91 1974 U1. Je nach Anwendungszweck
und gewünschter Form des Plasmastrahls kann eine dieser Plasmadüsen für
das erfindungsgemäße Verfahren benutzt werden. Die spezielle Anpassung der
Plasmadüse an das hier vorgeschlagene Verfahren besteht darin, daß minde
stens eine Kapillare in den Düsenkanal mündet.
Vorzugsweise ist das Gehäuse der Plasmadüse geerdet. Die Kapillaren können
dann auch durch einen Docht aus geflochtenen oder verdrillten Metalldrähten
ohne Isolierung gebildet werden, der in eine Bohrung des Gehäuses eingesteckt
ist. Durch Verdrallung des Arbeitsgases im Düsenkanal wird die Verdunstung
der zugeführten Flüssigkeit an der Mündung des Dochtes begünstigt und eine
gleichmäßige Verteilung des verdampften Materials im Arbeitsgas und in dem
daraus erzeugten Plasma erreicht.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeich
nung näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 einen axialen Schnitt durch eine Plasmadüse zur Ausführung des
erfindungsgemäßen Verfahrens; und
Fig. 2 einen Schnitt durch einen Docht, der zur Zuführung von flüssigem
Material in die Plasmadüse dient.
Die in Fig. 1 dargestellte Plasmadüse weist ein rohrförmiges Gehäuse 10 auf,
das einen langgestreckten, am unteren Ende konisch verjüngten Düsenkanal 12
bildet. In den Düsenkanal 12 ist ein elektrisch isolierendes Keramikrohr 14 ein
gesetzt. Ein Arbeitsgas, beispielsweise Luft, wird vom in der Zeichnung oberen
Ende her in den Düsenkanal 12 zugeführt und mit Hilfe einer in das Kerami
krohr 14 eingesetzten Dralleinrichtung 16 so verdrallt, daß es wirbelförmig
durch den Düsenkanal 12 strömt, wie in der Zeichnung durch einen schrauben
förmigen Pfeil symbolisiert wird. In dem Düsenkanal 12 entsteht so ein Wirbel
kern, der längs der Achse des Gehäuses verläuft.
An der Dralleinrichtung 16 ist eine stiftförmige Elektrode 18 montiert, die
koaxial in den Düsenkanal 12 ragt und an die mit Hilfe eines Hochspannungs
generators 20 eine hochfrequente Wechselspannung angelegt wird. Die mit Hilfe
des Hochspannungsgenerators 20 erzeugte Spannung liegt in der Größenord
nung von einigen Kilovolt und hat beispielsweise eine Frequenz in der Größen
ordnung von 20 Kiloherz.
Das aus Metall bestehende Gehäuse 10 ist geerdet und dient als Gegenelektro
de, so daß eine elektrische Entladung zwischen der Elektrode 18 und dem Ge
häuse 10 hervorgerufen werden kann. Beim Einschalten der Spannung kommt
es aufgrund der hohen Frequenz der Wechselspannung und aufgrund der Die
lektrizität des Keramikrohres 14 zunächst zu einer Korona-Entladung an der
Dralleinrichtung 16 und der Elektrode 18. Durch diese Korona-Entladung wird
eine Bogenentladung von der Elektrode 18 zum Gehäuse 10 gezündet. Der
Lichtbogen 22 dieser Entladung wird durch das verdrallt einströmende Arbeits
gas mitgenommen und im Kern der wirbelförmigen Gasströmung kanalisiert, so
daß der Lichtbogen dann nahezu geradlinig von der Spitze der Elektrode 18
längs der Gehäuseachse verläuft und sich erst im Bereich der Mündung des Ge
häuses 10 radial auf die Gehäusewand verzweigt. Im gezeigten Beispiel bildet
das Gehäuse 10 am verjüngten Ende des Düsenkanals 12 eine radial nach in
nen vorspringende Schulter 24, die die eigentliche Gegenelektrode bildet und die
sich radial verzweigenden Äste des Lichtbogens 22 aufnimmt. Die Äste rotieren
dabei in Drallrichtung der Gasströmung, so daß ein ungleichförmiger Abbrand
an der Schulter 24 vermieden wird.
In die Mündung des Gehäuses 10 ist im gezeigten Beispiel ein zylindrisches
Mundstück 26 aus Keramik eingesetzt, dessen axial inneres Ende mit der
Schulter 24 bündig ist und unmittelbar von dieser Schulter umgeben ist und
dessen Länge deutlich größer ist als der Innendurchmesser. Das von dem Licht
bogen 22 erzeugte Plasma strömt drallförmig durch das Mundstück 26 und wird
aufgrund thermischer Ausdehnung beim Durchströmen des Mundstücks 26 be
schleunigt und radial aufgeweitet, so daß man einen sehr stark fächerförmig
aufgeweiteten Plasmastrahl 28 erhält, der noch um einige Zentimeter über das
offene Ende 30 des Mundstücks 26 hinausreicht und dabei in Drallrichtung ro
tiert.
Diese Plasmadüse wird zur Plasmabeschichtung oder Plasmapolymerisation ei
nes Substrats 32 eingesetzt. Dazu wird das Precursormaterial über einen Docht
34 zugeführt, der in eine Bohrung 36 des Gehäuses 10 eingesteckt ist, so daß er
in der Nähe des verjüngten unteren Endes in den Düsenkanal 12 mündet. Der
Docht 34 wird im gezeigten Beispiel durch ein Bündel aus Fasern 38 gebildet,
das, wie Fig. 2 zeigt, von einer isolierenden Umhüllung 40 aus Kunststoff um
geben ist. In der Praxis kann es sich bei dem Docht 34 einfach um ein auf geeig
nete Länge geschnittenes Stück isolierter Kupferlitze handeln. Die Fasern 38
werden dann durch die feinen Kupferdrähte der Litze gebildet. Die Zwischenräu
me zwischen den einzelnen Fasern 38 wirken als Kapillaren 42, über die das
flüssige Precursormaterial 44 aus einem Vorratsbehälter 46 in den Düsenkanal
12 eingeleitet wird. Die pro Zeiteinheit eingeleitete Flüssigkeitsmenge ist dann
vom Querschnitt und der Anzahl der Kapilaren 42, von der Länge des Dochtes
34 und von der Höhe des Füllstands des Precursormaterials 44 im Vorratsbehäl
ter 46 abhängig.
Das in der Bohrung 36 aufgenommene Ende des Dochtes 34 kann abisoliert
sein, so daß die Kupferadern des Dochtes über das Gehäuse 10 geerdet werden.
Die freien Enden der Fasern 38 ragen vorzugsweise etwas in den Düsenkanal 12
hinein und sind aufgefächert, wie in Fig. 1 gezeigt ist, so daß die Verdunstung
des durch Kapillarwirkung zugeführten Materials begünstigt wird.
Das drallförmig durch den Düsenkanal 12 strömende Arbeitsgas strömt an der
Mündung des Dochtes 34 vorbei und nimmt das verdunstete Material auf, das
auf diese Weise gleichmäßig in dem austretenden Plasmastrahl 28 verteilt wird.
Wahlweise kann das Ende des Dochtes 34 einen Heizwiderstand, z. B. in der
Form einer kleinen Wendel, enthalten, duch die mit Hilfe von in den Docht inte
grierten, isolierten Zuleitungen ein elektrischer Strom geleitet wird, um die Ver
dampfung des Materials zu unterstützen.
Claims (11)
1. Verfahren zum Einbringen von Material (44) in einen Plasmastrahl (28), da
durch gekennzeichnet, daß das Material (44) in flüssigem Zustand über Kapil
laren (42) in den Plasmastrahl (28) oder in eine zur Plasmaerzeugung dienende
Anregungszone (12) zugeführt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das flüssige Ma
terial (44) aus einem Vorratsbehälter (46) über einen die Kapillaren (42) bilden
den Docht (34) zugeführt wird, dessen Ende in den Plasmastrahl (28) oder in die
Anregungszone (12) hineinragt.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Docht (34)
aus Fasern (38) aus Metall besteht.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Docht (34)
aus Glasfasern besteht.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
der auf das stromaufwärtige Ende des Dochtes (34) wirkende statische Druck
des flüssigen Materials (44) im Vorratsbehälter (46) im wesentlichen konstant
gehalten wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die Menge des pro Zeiteinheit zugeführten Materials über die Länge des Dochtes
(34) eingestellt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
die Menge des pro Zeiteinheit zugeführten Materials über den statischen Druck
des flüssigen Materials (44) im Vorratsbehälter (46) eingestellt wird.
8. Plasmadüse zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorstehen
den Ansprüche, mit einem Gehäuse (10), das einen von einem Arbeitsgas durch
strömten Düsenkanal (12) bildet, in dem durch Anregung des Arbeitsgases ein
Plasmastrahl (28) erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine
mit einem Vorratsbehälter (46) für flüssiges Material verbundene Kapillare (42)
in den Düsenkanal (12) mündet.
9. Plasmadüse nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapillaren
(42) durch einen Docht (34) gebildet werden, der durch eine Bohrung (36) des
Gehäuses (10) in den Düsenkanal (12) eintritt.
10. Plasmadüse nach Anspruch 8 oder 9, gekennzeichnet durch eine Drallein
richtung (16) zur Erzeugung einer wirbelförmigen Strömung des Arbeitsgases in
dem Düsenkanal (12).
11. Plasmadüse nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet,
daß eine Elektrode (18) koaxial in dem Düsenkanal (12) angeordnet ist und daß
die Elektrode (18) und das als Gegenelektrode dienende Gehäuse (10) an einen
Hochfrequenzgenerator (20) angeschlossen sind, der eine Bogenentladung zwi
schen der Elektrode (18) und dem Gehäuse (10) erzeugt.
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