DE10059463A1

DE10059463A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Lokalisieren von Rückständen auf Oberflächen

Info

Publication number: DE10059463A1
Application number: DE2000159463
Authority: DE
Inventors: Stefan Geyer; Ruediger Hunger
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2000-11-30
Filing date: 2000-11-30
Publication date: 2002-05-02

Abstract

Die Erfindung schafft eine Vorrichtung (1) und ein Verfahren zum Lokalisieren von Rückständen auf Oberflächen, insbesondere auf Halbleiteroberflächen für Analysezwecke, mit einer Lagerungseinrichtung (2) für einen zu analysierenden Gegenstand; mindestens einem an der Lagerungseinrichtung (2) angeordneten Führungsorgan (3, 3'); mindestens zwei in dem Führungsorgan (3, 3') gleitend verschiebbaren Führungsschlitten (4, 4'); und einer mit den Führungsschlitten (4, 4') zusammenwirkenden Erfassungseinrichtung (7) zum Erfassen eines Bereichs auf der Oberfläche des Gegenstandes.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Lokalisieren von Rückständen auf Oberflächen, insbesondere auf Halbleiteroberflächen für Analysezwecke.

Obwohl auf beliebige Oberflächen anwendbar, werden die vorliegende Erfindung sowie die ihr zugrundeliegende Problematik in bezug auf eine Lokalisierung von Rückständen auf Halbleiteroberflächen für Analysezwecke erläutert.

Allgemein ist bei der Herstellung von Halbleiterscheiben darauf zu achten, dass eine äußerst glatte und verunreinigungsfreie Oberfläche geschaffen wird. Um diesbezüglich die Herstellungsverfahren optimieren zu können, werden die auftretenden Verunreinigungen mittels verschiedener Methoden, wie bespielsweise VPD-TRFA (Dampfphäsenzersetzungs-Totalreflektions-Röntgenfluoreszenz- Analyse), VPD-AAS (Dampfphasenzersetzungs- Atomabsorpionsspektroskopie), VPD-ICPMS (Dampfphasenzersetzungs-induktivgekoppelte Plasmamassenspektroskopie), SIMS (Sekundärionen- Massenspektroskopie), TOF-SIMS (Flugdauer-Sekundärionen- Massenspektroskopie), REM-EDX (Rasterelektronensepektroskopoie-energiedispersive Röntgenfluoreszenz) oder dergleichen, analysiert.

Für eine Einsetzung der oben beschriebenen Analysemethoden ist es jedoch vorher erforderlich, eine genaue Standortbestimmung der sich auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Rückstände durchzuführen.

Es finden sich im Stand der Technik vornehmlich zwei bekannte Rückstandslokalisiervorrichtungen.

Es ist ein Messgerät bekannt, welches die Partikel auf Halbleiterscheibenoberflächen lokalisieren kann. Allerdings besitzt dieses Partikelmessgerät den Nachteil, dass es zum einen sehr teuer ist, recht umständlich an bestehende Systeme angebracht werden kann und ferner auch sehr kleine Partikel miterfasst werden, wobei sich eine eindeutige Zuordnung, ob es sich um einen Rückstand oder lediglich um ein einziges Partikel handelt, oftmals recht kompliziert gestaltet.

Außerdem ist eine Rückstandslokalisiervorrichtung nach dem Stand der Technik bekannt, die durch Positionierung einer mit einem Koordinatensystem versehenen durchsichtigen Folie oder Kunststoffplatte über der Halbleiterscheibe die Koordinaten des zu analysierenden Rückstandes erkennbar macht. Diese Lokalisiervorrichtung weist allerdings den Nachteil auf, dass kleinere zu analysierende Rückstände besonders sauberer Halbleiterscheiben ungenügend gut durch die durchsichtige Folie oder Kunststoffplatte erkennbar sind und somit eine exakte Lokalisierung des entsprechenden Rückstandes nicht möglich ist.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Lokalisieren von Rückständen auf Oberflächen zu schaffen, wodurch eine Rückstandslokalisierung auf einfache Weise exakt und somit eine genaue Analyse der entsprechenden Rückstände durchführbar ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Vorrichtung mit den im Patentanspruch 1 angegebenen Merkmalen und dem Verfahren mit den im Patentanspruch 13 angegebenen Schritten gelöst.

Die Erfindung schafft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Lokalisieren von Rückständen auf Oberflächen, insbesondere auf Halbleiteroberflächen für Analysezwecke, mit einer Lagerungseinrichtung zum Lagern eines zu analysierenden Gegenstandes; mindestens einem an der Lagerungseinrichtung angeordneten Führungsorgan; mindestens zwei in dem Führungsorgan gleitend verschiebbaren Führungsschlitten; und einer mit den Führungsschlitten zusammenwirkenden Erfassungseinrichtung zum Erfassen eines Bereichs auf der Oberfläche des Gegenstandes.

Die Rückstandslokalisiervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung hat gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass sie äußerst einfach aufgebaut, preiswert, absolut zuverlässig und mit jeder Analysemethode adaptiv verwendbar ist. Da keinerlei Folie oder durchsichtiger Kunststoff über der Halbleiterscheibe vorgesehen sind, können Lichtspiegelungs- und Schräglichteffekte zur Rückstandsanalyse bzw. -findung optimal ausgenutzt werden. Somit ist eine Lokalisierung auch allergeringster Rückstände kontaminationsfrei möglich.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist die Lagerungseinrichtung rechtwinklig ausgebildet. Diese Geometrie ist sowohl herstellungstechnisch als auch messtechnisch vorteilhaft.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist die Lagerungseinrichtung kreisförmige Vertiefungen mit verschiedenen Durchmessern in ihrer Oberfläche auf, in die zu analysierende Gegenstände fest einsetzbar sind. Somit können Rückstände auf Halbleiterscheiben mit verschiedenem Durchmesser mittels ein und derselben Lokalisiervorrichtung lokalisiert und anschließend analysiert werden.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform besitzen Vertiefungen mit einem kleineren Durchmesser eine größere Tiefe als Vertiefungen mit einem größeren Durchmesser.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist die Lagerungseinrichtung eine sich in radialer Richtung erstreckende längliche Ausnehmung für eine Herausnahmeerleichterung des eingesetzten Gegenstandes auf, wobei die Ausnehmung eine größere Tiefe als die Vertiefungen besitzt. Somit ist sichergestellt, dass die zu analysierenden Gegenstände bzw. Halbleiterscheiben problemlos ohne Gefahr einer Schädigung in die Vertiefung eingesetzt und aus der Vertiefung herausgenommen werden können.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist das Führungsorgan aus mindestens zwei geradlinigen Führungsschienen gebildet, die im Randbereich der Lagerungseinrichtung senkrecht zueinander angeordnet sind. Dies ermöglicht ein einfaches Erfassen eines bestimmten Bereiches auf der Oberfläche des zu analysierenden Gegenstandes. Allerdings ist eine kreisrunde Anordnung mit einer runden Führungsschiene vorstellbar, wobei ein entsprechendes Koordinatensystem gewählt werden muss.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weisen die Führungsschlitten einen Knebel für eine bessere Handhabe auf. Somit können die Führungsschlitten manuell auf einfache Weise in den Führungsschienen verschoben werden.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist die Erfassungseinrichtung mindestens zwei Lokalisierstäbe auf, wobei jeweils ein Lokalisierungsstab mit einem der Führungsschlitten verbindbar ist und im Zusammenspiel mit dem jeweils anderen Lokalisierstab einen Bereich auf der Oberfläche des Gegenstandes erfasst. Somit ist in einem zweidimensionalen System eindeutig ein Bereich bzw. Punkt auf der Oberfläche eines Gegenstandes festlegbar.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform sind die Lokalisierstäbe schwenkbar mit dem entsprechenden Führungsschlitten verbindbar. Somit können im Falle lediglich einer längs angeordneten Führungsschiene die Lokalisierstäbe derart geschwenkt werden, dass ihr Schnittpunkt ebenfalls den zu erfassenden Bereich auf der Oberfläche des Gegenstandes festlegt.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform sind die Lokalisierstäbe aus einem kohlenstofffaserverstärkten Epoxidharz ausgebildet. Diese Ausbildung schafft einen stabilen und unbiegsamen Stab, der eine genaue Erfassung des entsprechenden Bereiches gewährleistet.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weisen die Lokaliserstäbe einen Durchmesser von etwa 1 bis 2 mm auf. Dies trägt zusätzlich zu einem unbiegsamen und stabilen Verhalten der Stäbe bei.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist die Erfassungseinrichtung ein Skalensystem zum Zuordnen von Koordinaten für den erfassten Bereich auf. Somit kann vorzugsweise durch ein zweidimensionales x-y- Koordinatensystem jedem erfassten Bereich Koordinaten zugewiesen werden und dies garantiert eine exakte Justage der Analyseeinrichtung auf den zu analysierenden Bereich.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform werden die auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Rückstände mittels eines Tropfenrollverfahrens auf einen Bereich konzentriert. Somit werden die kleinen Rückstände besser sichtbar gemacht und eine genaue Lokalisierung wird erleichtert.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform werden die auf den Bereich konzentrierten Rückstände mittels einer Dampfphasenzersetzungs-Totalreflexionsröntgen fluoreszenzanalyse oder einem ähnlichen Verfahren analysiert.

Des weiteren wird eine bevorzugte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung zur Erläuterung erfindungswesentlicher Merkmale zusammen mit einem entsprechenden Verfahren unter Bezugnahme auf die beigefügte Figur beschrieben.

Die Fig. 1 zeigt eine Rückstandslokalisiervorrichtung 1 gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die Rückstandslokalisiervorrichtung 1 besteht aus einer quadratischen Lagerungseinrichtung 2, die vorzugsweise aus einem für Halbleiterscheiben günstigen Material hergestellt ist. Die Lagerungseinrichtung 2 weist beispielsweise zwei kreisförmige Vertiefungen 20, 20' auf, wobei die Vertiefung 20 einen kleineren Durchmesser besitzt als die Vertiefung 20'. Zudem ist die Vertiefung 20 etwas tiefer in die Oberfläche der Lagerungseinrichtung 2 eingelassen, wodurch ein Anlagerand am größeren Umfangsrand der Vertiefung 20 auftritt.

Ferner ist eine längliche Ausnehmung 21 in der Oberfläche der Lagerungseinrichtung 2 vorgesehen, wobei sich die Ausnehmung 21 in radialer Richtung über den äußeren Umfang der Vertiefung 20' hinaus erstreckt und tiefer in die Oberfläche der Lagerungseinrichtung 2 eingelassen ist als die beiden Vertiefungen 20 und 20'. Somit können die Halbleiterscheiben problemlos in die Vertiefungen 20 bzw. 20' eingesetzt werden und ohne der Gefahr einer Schädigung entnommen werden.

Außerdem weist die Lagerungseinrichtung 2 ein rechtwinkliges x-y-Koordinatensystem mit entsprechend gewählten Skaleneinheiten 10, 10' auf. Das Skalensystem 10, 10' ist um den gesamten quadratischen Umfangsbereich der Lagerungseinrichtung 2 angeordnet.

An zwei zueinander senkrecht angeordneten Längsseiten der Lagerungseinrichtung 2 ist gemäß diesem Ausführungsbeispiel eine rechtwinklige durchgehende Führungsschiene 3, 3' ausgebildet, wobei ebenso zwei nicht miteinander verbundene Führungsschienen vorstellbar sind.

Für jede der beiden senkrecht zueinander angeordneten Führungsschienenabschnitte ist jeweils ein Führungsschlitten 4, 4' derart vorgesehen, dass er gleitend verschiebbar in der zugeordneten Führungsschiene 3 bzw. 3' bewegbar ist. Dabei ist der Führungsschlitten 4, 4' entsprechend der Breite der Führungsschienen 3, 3' ausgebildet, so dass die Führungsschlitten 4, 4' stabile Positionen innerhalb der Führungsschienen einnehmen können. Es ist dafür zu sorgen, dass ein Wackeln bzw. ein Herausfallen der Führungsschlitten 4, 4' aus den Führungsschienen 3, 3' verhindert wird. Dies kann auf bekannte Weise ausgeführt werden. Zusätzlich ist auf der Oberseite der Führungsschlitten 4, 4' jeweils ein Knebel 5, 5' für eine bessere Handhabe bei einem manuellen Verschieben der Führungsschlitten 4, 4' in den Führungsschienen 3, 3' vorgesehen.

Die Rückstandslokalisiervorrichtung 1 weist ferner eine Erfassungseinrichtung 7 auf, wobei die Erfassungseinrichtung 7 aus dem bereits beschriebenen Skalensystem 10, 10' und zusätzlich zwei Lokalisierstäben 8, 8' besteht. Die beiden Lokalisierstäbe 8, 8' sind jeweils an dem zugeordneten Führungsschlitten 4 bzw. 4' fest angebracht und auf die jeweils gegenüberliegende Kante der Lagerungseinrichtung 2 gerichtet. Dabei, wie in Fig. 1 ersichtlich, ist der eine Lokalisierstab 8 auf dem oberen Rand der Lagerungseinrichtung 2 gehalten, wobei sich der andere Lokalisierstab 8' vorteilhaft an dem inneren Rand der entsprechend gegenüberliegenden Umfangskante der Lagerungseinrichtung 2 abstützt. Vorteilhaft kann in diesem inneren Rand ein Führungsschlitz (nicht dargestellt) vorgesehen sein, in welchem der Lokalisierstab 8' gleitend verschiebbar gehalten wird. Durch diese Anordnung ist eine Überlagerung der beiden Lokalisierstäbe 8, 8' möglich und sie bilden zusammen einen gemeinsamen Überlagerungspunkt 9, ohne dass sich die beiden Lokalisierstäbe gegenseitig behindern.

Die komplette Anordnung ist derart ausgebildet, dass für den gesamten Oberflächenbereich der Vertiefungen 20, 20' ein gemeinsamer Überlagerungspunkt 9 durch die beiden Lokalisierstäbe 8 und 8' geschaffen werden kann.

Die Lokalisierstäbe 8, 8' sind vorteilhaft für eine stabile und unbiegsame Anordnung aus einem kohlenstofffaser verstärkten Epoxidharz ausgebildet und weisen vorteilhaft einen Durchmesser von etwa 1 bis 2 mm auf.

Im folgenden wird noch detaillierter das Verfahren zum Analysieren von Rückständen auf Halbleiteroberflächen mittels der oben beschriebener. Vorrichtung erläutert.

Da eine direkte TRFA-Analyse (Totalreflektionsröntgen fluoreszenzanalyse) oftmals nicht die geforderten niedrigen Nachweisgrenzen für Rückstände (insbesondere Metallspuren) auf Halbleiteroberflächen erfüllt, wird oftmals eine sogenannte VPD-TRFA-Analyse (Dampfphasenzersetzungs- Totalreflektions-Röntgenfluoreszenz-Analyse) verwendet.

Dafür wird zunächst die Oberfläche der Halbleiterscheibe auf bekannte Weise hydrophob ausgebildet. Beispielhaft wird die Siliziumdioxid (SiO₂)-Schicht in einer Dampfkammer in eine Hexafluorokieselsäure (H₂SiF₆) bzw. in Siliziumtetrafluorid (SiF₄) umgewandelt. Dadurch werden die sich auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Metallspuren in Metallfluoride umgewandelt. Als nächstes wird ein Tropfen Flüssigkeit in an sich bekannter Weise mit einem Fluorkunststoffröhrchen über die Oberfläche gerollt und die Metallspuren werden somit im Tropfen gesammelt. Dieser Tropfen wird auf der Halbleiteroberfläche eingetrocknet und somit werden die gesamten Rückstände auf der Halbleiteroberfläche in einem bestimmten Bereich konzentriert.

Daraufhin wird die Halbleiterscheibe mit einem vorbestimmten Durchmesser in die entsprechende Vertiefung 20, 20' eingesetzt, wobei der äußere Umfangsrand der entsprechenden Vertiefungen als Anlage dient. Mittels der oben beschriebenen Lokalisiervorrichtung 1 können dem Bereich der konzentrierten Rückstände bestimmte Koordinaten zugewiesen werden. Dafür werden die beiden Führungsschlitten 4, 4' derart durch Verschieben in den Führungsschlitten 4, 4' in Stellung gebracht, dass der zu analysierende Rückstandsbereich unmittelbar senkrecht unter einem Eck liegt, das von den entsprechenden äußeren Rändern der sich überlagernden Lokalisierstäbe 8, 8' gebildet wird. Somit können dem Rückstandsbereich direkt entsprechende Koordinaten des Skalensystems 10, 10' zugewiesen werden.

Das Konzentrieren der Rückstände bzw. Metallspuren von der gesamten Halbleiteroberfläche auf beispielsweise etwa einen Quadratmillimeter großen Fleck ermöglicht den Einsatz herkömmlicher Analysemethoden, wie beispielsweise der TRFA- Analyse.

Die exakte Lokalisation des Rückstandes auf der Halbleiteroberfläche ist Voraussetzung für eine erfolgreiche TRFA-Messung, denn die entsprechende Analyseeinrichtung ist somit exakt auf den konzentrierten Rückstandsbereich justierbar.

Dadurch schafft die vorliegende Erfindung eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Lokalisieren von Rückständen auf insbesondere Halbleiteroberflächen, das äußerst einfach aufgebaut, preiswert, absolut zuverlässig und in Verbindung mit sämtlich bekannten Analysemethoden verwendbar ist. Es können ferner Lichtspiegelungs- und Schräglichteffekte zur Rückstandsfindung bzw. -analyse optimal ausgenutzt werden. Somit ist eine Lokalisierung auch allergeringster Rückstände auf der Halbleiteroberfläche kontaminationsfrei möglich.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels vorstehend beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizierbar.

Beispielsweise ist eine Rückstandslokalisiervorrichtung vorstellbar, die lediglich eine an einer bestimmten Kante der Lagerungseinrichtung angeordnete Führungsschiene aufweist, in welche die beiden Führungsschlitten einsetzbar und gleitend verschiebbar sind. Für eine Herstellung eines Überlagerungspunktes der beiden Lokalisierstäbe 8, 8' ist mindestens einer der beiden Lokalisierstäbe schwenkbar an dem entsprechenden Führungsschlitten angebracht. Dabei muss die Rückstandslokalisiervorrichtung derart dimensioniert werden, dass dem gesamten Oberflächenbereich der Vertiefungen Koordinaten zugewiesen werden können. Für eine genaue Justage des verwendeten Analysemessgerätes müssen diese Koordinaten allerdings entsprechend umgewandelt werden bzw. ein entsprechend angepasstes Skalensystem verwendet werden.

Ebenfalls ist eine kreisförmige Lagerungsvorrichtung mit einer runden Führungsschiene außenherum vorstellbar, wobei ein entsprechendes Skalensystem, beispielsweise ein Winkelmeßsystem, verwendet werden kann.

Bezugszeichenliste

1

Rückstandslokalisiervorrichtung

2

Lagerungseinrichtung

3

,

3

' Führungsschienen

4

,

4

' Führungsschlitten

5

,

5

' Knebel

7

Erfassungseinrichtung

8

,

8

' Lokalisierstäbe

9

Überlagerungspunkt

10

,

10

' Skalensystem

20

,

20

' Vertiefungen

21

Ausnehmung

Claims

1. Vorrichtung (1) zum Lokalisieren von Rückständen auf Oberflächen, insbesondere auf Halbleiteroberflächen für Analysezwecke, mit
einer Lagerungseinrichtung (2) für einen zu analysierenden Gegenstand;
mindestens einem an der Lagerungseinrichtung (2) angeordneten Führungsorgan (3, 3');
mindestens einem in jedem Führungsorgan (3, 3') gleitend verschiebbaren Führungsschlitten (4, 4'); und mit
einer mit den Führungsschlitten (4, 4') zusammenwirkenden Erfassungseinrichtung (7) für eine Erfassung eines wenigstens punktförmigen Bereiches auf der Oberfläche des Gegenstandes.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Lagerungseinrichtung (2) rechtwinklig ausgebildet ist.

3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Lagerungseinrichtung (2) kreisförmige Vertiefungen (20, 20') mit verschiedenen Durchmessern in ihrer Oberfläche aufweist, in die zu analysierende Gegenstände fest einsetzbar sind.

4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Vertiefungen (20) mit einem kleineren Durchmesser eine größere Tiefe besitzen als Vertiefungen (20') mit einem größeren Durchmesser.

5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Lagerungseinrichtung (2) eine sich in radialer Richtung erstreckende längliche Ausnehmung (21) für eine Herausnahmeerleichterung des eingesetzten Gegenstandes aufweist, wobei die Ausnehmung (21) eine größere Tiefe als die Vertiefungen (20, 20') besitzt.

6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Führungsorgan aus mindestens zwei geradlinigen Führungsschienen (3, 3') ausgebildet ist, die senkrecht zueinander im Randbereich der Lagerungseinrichtung (2) angeordnet sind.

7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Führungsschlitten (4, 4') einen Knebel (5, 5') für eine bessere Handhabe aufweisen.

8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Erfassungseinrichtung (7) mindestens zwei Lokalisierstäbe (8, 8') aufweist, wobei jeweils ein Lokalisierstab (8, 8') mit einem der Führungsschlitten (4, 4') verbindbar ist und im Zusammenspiel mit dem jeweils anderen Lokalisierstab einen Bereich auf der Oberfläche des Gegenstandes erfasst.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Lokalisierstäbe (8, 8') schwenkbar mit dem entsprechenden Führungsschlitten (4, 4') verbindbar sind.

10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Lokalisierstäbe (8, 8') aus einem kohlenstoffaserverstärkten Epoxidharz ausgebildet sind.

11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Lokalisierstäbe (8, 8') einen Durchmesser von etwa 1-2 mm aufweisen.

12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Erfassungseinrichtung (7) ein Skalensystem (10, 10') zum Zuordnen von Koordinaten für den erfassten Bereich aufweist.

13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Skalensystem (10, 10') in Nähe der Führungsschienen (3, 3') auf der Lagerungseinrichtung (2) angeordnet ist.

14. Verfahren zum Analysieren von Rückständen auf Halbleiteroberflächen mit folgenden Schritten:
Konzentrieren von auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Rückständen auf einen Bereich;
Erfassen des Bereiches mittels einer Lokalisiervorrichtung (1), die nach einem der Ansprüche 1 bis 13 ausgebildet ist; und
Analysieren der auf den Bereich konzentrierten Rückstände mittels einer Analyseeinrichtung, welche auf den erfassten Bereich mit den konzentrierten Rückständen justierbar ist.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die auf der Halbleiteroberfläche befindlichen Rückstände mittels eines Tropfenrollverfahrens auf einen Bereich konzentriert werden.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass die auf den Bereich konzentrierten Rückstände mittels einer Dampfphasenzersetzungs-Totalreflexions-Röntgen fluoreszenz-Analyse (VPD-TRFA-Analyse) oder einem ähnlichen Verfahren analysiert werden.