DE10057698A1 - Übereinander gestapelte Halbleiter-Diodenlaser - Google Patents

Übereinander gestapelte Halbleiter-Diodenlaser

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Martin Behringer
Johann Luft
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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung übereinander gestapelter Halbleiter-Diodenlaser, die auf einem Substrat (1) angeordnet ist. Ein erster Diodenlaser (12) ist auf dem Substrat (1) und ein zweiter Diodenlaser (13) ist auf dem ersten Diodenlaser (12) angeordnet. Zwischen dem ersten Diodenlaser (12) und dem zweiten Diodenlaser (13) ist eine Kontaktschicht (6) angeordnet. Die Kontaktschicht (6) umfaßt eine erste leitfähige Schicht (18) eines ersten Leitungstyps und eine zweite leitfähige Schicht (20) eines zweiten Leitungstyps und eine Zwischenschicht (19), die zwischen der ersten und der zweiten leitfähigen Schicht (18, 20) angeordnet ist.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft übereinander gestapelte Halbleiter-Diodenlaser.
Hochleistungs-Diodenlaser, die eine hohe Leistung emittieren, belasten die Facetten der einzelnen Kristallschichten bis in den Grenzbereich. Um die erreichbare Leistung eines Diodenla­ sers zu erhöhen, können zwei Diodenlaser monolithisch über­ einander integriert werden. Dazu werden entsprechende Schich­ ten übereinandergewachsen. Der Kontakt zwischen zwei überein­ ander gewachsenen Diodenlasern wird, wie in dem Patent US 5,212,706 beschrieben, beispielsweise durch eine hoch do­ tierte Tunneldiode erreicht, die in Sperrrichtung gepolt ist. Die Tunneldiode ist extremen Belastungen in Bezug auf die durch sie fließende Stromstärke ausgesetzt und kann durch die vorherrschenden Belastungen zerstört werden. Ein weiteres Beispiel für einen Tunnelkontakt ist in dem Patent US 5,679,963 angegeben.
Die Laserdioden werden üblicherweise aus einer Reihe von Schichten aufgewachsen, wobei die einzelnen Schichten unter­ schiedliche Materialien und folglich unterschiedliche Gitter­ konstanten aufweisen können. Die unterschiedlichen Gitterkon­ stanten zwischen benachbarten Schichten führen zu Verspannun­ gen, so daß in dem Schichtstapel elastische Energie gespei­ chert wird und Kräfte zwischen benachbarten Schichten wirken. Ist die zwischen zwei Schichten wirkende Kraft zu groß, so entstehen Gitterversetzungen in oder zwischen den entspre­ chenden Schichten, wodurch die Diodenlaser unbrauchbar werden können.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, einen verbesserten Kontakt zwischen zwei übereinander angeordneten Diodenlasern anzuge­ ben.
Erfindungsgemäß wird die gestellte Aufgabe durch eine Anord­ nung übereinander gestapelter Halbleiter-Diodenlaser gelöst mit:
  • - einem Substrat, auf dem ein erster Diodenlaser angeordnet ist;
  • - einem zweiten Diodenlaser, der auf dem ersten Diodenlaser angeordnet ist;
  • - einer Kontaktschicht, die zwischen dem ersten Diodenlaser und dem zweiten Diodenlaser angeordnet ist, wobei die Kon­ taktschicht eine erste leitfähige Schicht eines ersten Lei­ tungstyps, eine zweite leitfähige Schicht eines zweiten Leitungstyps und eine Zwischenschicht umfaßt, wobei die Zwischenschicht zwischen der ersten und der zweiten leitfä­ higen Schicht angeordnet ist und die Tunnelwahrscheinlich­ keit für Ladungsträger erhöht.
Die erfindungsgemäße Zwischenschicht weist den Vorteil auf, daß die Ladungsträger-Absorption und die Streuung an ioni­ sierten Störstellen in ihr reduziert ist, so daß die Ladungs­ träger höhere Lebensdauern aufweisen und somit der elektri­ sche Widerstand vermindert ist. Der verminderte elektrische Widerstand führt dazu, daß der leitfähige Kontakt auch bei extremen Strombelastungen stabil bleibt und nicht zerstört wird. Dadurch wird die Lebensdauer der Diodenlaser-Anordnung in vorteilhafter Weise verlängert.
In einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Zwischenschicht undotiert ist. Eine undotierte (intrinsische) Schicht hat den Vorteil, daß die Ladungsträger-Absorption und die Streuung von Ladungsträgern an ionisierten Störstellen im unmittelbaren Übergangsbereich reduziert ist. Dadurch besit­ zen die Ladungsträger eine erhöhte Lebensdauer, so daß der elektrische Widerstand der leitfähigen Kontaktschicht redu­ ziert ist. In vorteilhafter Weise wird die Zwischenschicht relativ dünn ausgebildet. Sie kann eine Dicke zwischen einer Monolage und 50 nm aufweisen.
Eine weitere erfindungsgemäße Anordnung sieht vor, daß die Zwischenschicht mit dem ersten oder dem zweiten Leitungstyp dotiert ist, jedoch eine niedrigere Dotierstoffkonzentration aufweist, als die erste oder die zweite leitfähige Schicht.
Die erfindungsgemäße Aufgabe wird ebenfalls gelöst durch eine Anordnung übereinander gestapelter Halbleiter-Diodenlaser mit:
  • - einem Substrat, auf dem ein erster Diodenlaser angeordnet ist;
  • - einem zweiten Diodenlaser, der auf dem ersten Diodenlaser angeordnet ist;
  • - einer Kontaktschicht, die zwischen dem ersten Diodenlaser und dem zweiten Diodenlaser angeordnet ist, wobei die Kon­ taktschicht eine erste leitfähige Schicht eines ersten Lei­ tungstyps, eine zweite leitfähige Schicht eines zweiten Leitungstyps, eine erste Zwischenschicht und eine zweite Zwischenschicht aufweist, wobei die erste und die zweite Zwischenschicht zwischen der ersten und zweiten leitfähigen Schicht angeordnet sind, und die erste Zwischenschicht der ersten leitfähigen Schicht und die zweite Zwischenschicht der zweiten leitfähigen Schicht zugewandt ist.
Die erste und die zweite Zwischenschicht ermöglichen Quanten­ phänomene, da durch sie die Bandstruktur so modifiziert ist, daß Quantentrog-ähnliche Modifikationen des Ferminiveaus auf­ treten. Beispielsweise ist die effektiv erreichbare Dotierung in der ersten und zweiten Zwischenschicht gegenüber Bulk-Ma­ terial erhöht. Durch die erhöhte effektive Dotierung ist bei­ spielsweise die Ladungsträgerdichte ebenfalls erhöht, wodurch der elektrische Kontakt einen reduzierten Kontaktwiderstand aufweist.
Eine vorteilhafte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß die erste Zwischenschicht den gleichen Leitungstyp wie die erste leitfähige Schicht aufweist, jedoch eine höhere Dotier­ stoffkonzentration besitzt und die zweite Zwischenschicht den gleichen Leitungstyp wie die zweite leitfähige Schicht auf­ weist, jedoch eine höhere Dotierstoffkonzentration besitzt. Die erhöhte Dotierstoffkonzentration der ersten und zweiten Zwischenschicht ermöglicht es, eine erhöhte Ladungsträger­ dichte gegenüber herkömmlichen pn-Tunnel-Kontakten zu errei­ chen, wodurch der Kontaktwiderstand des elektrischen Kontak­ tes reduziert ist.
Weiterhin ist vorzugsweise vorgesehen, daß die erste und/oder die zweite Zwischenschicht eine Dicke zwischen einer Monolage und 30 nm, beziehungsweise zwischen 4 nm und 12 nm aufweist. Eine Dicke zwischen einer Monolage und 30 nm ermöglicht die Ausbildung von Quantentrog-ähnlichen Strukturen, wodurch Quantenphänomene ermöglicht werden, die eine erhöhte effektiv erreichbare Dotierung und damit eine erhöhte Ladungsträger­ dichte gegenüber herkömmlichen Strukturen ermöglichen. Eine Dicke zwischen 4 und 12 nm ist in vorteilhafter Weise dazu geeignet, Quantentrog-ähnliche Strukturen auszubilden.
Die erfindungsgemäße Aufgabe wird weiterhin gelöst durch eine Anordnung übereinander gestapelter Halbleiter-Diodenlaser mit:
  • - einem Substrat, auf dem ein erster Diodenlaser angeordnet ist;
  • - einem zweiten Diodenlaser, der auf dem ersten Diodenlaser angeordnet ist;
  • - einer Kontaktschicht, die zwischen dem ersten Diodenlaser und dem zweiten Diodenlaser angeordnet ist, wobei die Kon­ taktschicht so ausgebildet ist, daß eine Gitterfehlanpas­ sung zwischen dem Substrat und dem ersten Diodenlaser durch eine Gitterfehlanpassung mit entgegengesetztem Vorzeichen zwischen dem ersten Diodenlaser und der Kontaktschicht kom­ pensierbar ist.
Die kompensierbare Materialverspannung erhöht in vorteilhaf­ ter Weise die Lebensdauer der Halbleiter-Diodenlaser-Anord­ nung, da Verspannungen in dem Schichtstapel kompensiert werden. Durch den Abbau von Gitterspannungen wird eine Kumula­ tion von elastischer Energie verhindert, wodurch die Lebens­ dauer und die elektrische Belastbarkeit des elektrischen Kon­ takts verbessert wird.
Weiterhin ist vorgesehen, daß das Substrat eine erste Gitter­ konstante, der erste Diodenlaser eine zweite Gitterkonstante und die Kontaktschicht eine dritte Gitterkonstante aufweist, wobei die Differenz von zweiter Gitterkonstante minus erster Gitterkonstante das gleiche Vorzeichen hat wie die Differenz von erster Gitterkonstante minus dritter Gitterkonstante. Durch das gleiche Vorzeichen in der Differenz der angegebenen Gitterkonstanten wird gewährleistet, daß die Verspannung zwi­ schen Substrat und Diodenlaser durch eine Verspannung zwi­ schen Diodenlaser und Kontaktschicht teilweise oder gänzlich kompensiert wird. Weist beispielsweise die Laserstruktur eine größere Gitterkonstante als das Substrat auf, so sollte die Kontaktschicht eine kleinere Gitterkonstante als das Substrat aufweisen. Im Falle, daß die Laserstruktur eine kleinere Git­ terkonstante als das Substrat aufweist, so sollte die Kon­ taktschicht eine größere Gitterkonstante als das Substrat aufweisen
Eine weitere Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, daß die Kontaktschicht Galliumphosphid, Indiumgalliumphosphid, Zink­ sulfid, Zinktellurid, Zinksulfidtellurid, Zinkselenid, Zink­ sulfidselenid oder Indiumgalliumarsenphosphid enthält. Geeig­ net ist beispielsweise Aluminium-Gallium-Indium-Arsenid-Ni­ trid-Phosphid Die genannten Materialien sind in vorteilhafter Weise dazu geeignet, die Gitterverspannungen zwischen dem er­ sten Diodenlaser und dem Substrat mittels entgegengesetzter Gitterfehlanpassung zwischen der Kontaktschicht und dem Sub­ strat zu kompensieren.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der je­ weiligen Unteransprüche.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispie­ len und Figuren näher erläutert. In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche bzw. funktionsgleiche Elemente. In den Figuren zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Schnittes durch einen Chip mit einem Halbleiterkörper mit zwei übereinander gestapelten Halbleiter-Diodenlasern;
Fig. 2 eine weitere schematische Darstellung eines Schnit­ tes durch einen Chip mit einem Halbleiterkörper mit zwei übereinander gestapelten Halbleiter-Diodenla­ sern;
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines Schnittes durch eine erste erfindungsgemäße Ausgestaltung einer Kontaktschicht zwischen zwei übereinander gestapel­ ten Halbleiter-Diodenlasern;
Fig. 4 eine schematische Darstellung eines Schnittes durch ein weiteres Ausführungsbeispiel einer erfindungs­ gemäßen Kontaktschicht zwischen zwei übereinander gestapelten Halbleiter-Diodenlasern.
Bei der Beschreibung der Ausführungsbeispiele ist jeweils ein entsprechendes komplementäres Ausführungsbeispiel mitumfaßt, bei dem sämtliche Dotierungen durch ihre komplementäre Dotie­ rung ersetzt werden. Beispielsweise sind sämtliche p-Dotie­ rungen durch n-Dotierungen zu ersetzen.
In Fig. 1 ist ein Diodenlaser mit einem Substrat 1 darge­ stellt, welches mit einer ersten Kontaktierungsschicht 2 kon­ taktiert ist. Auf dem Substrat 1 ist auf einer der ersten Kontaktierungsschicht 2 abgewandten Oberfläche ein erster Diodenlaser 12 angeordnet. Dieser umfaßt beispielsweise eine erste Begrenzungsschicht 3 aus n-dotiertem Aluminiumgalliumarsenid (n-AlxGa1-xAs) und eine zweite Begrenzungsschicht 5 aus p-dotiertem Aluminiumgalliumarsenid (p-AlxGa1-xAs), zwi­ schen denen eine erste aktive Laserschicht 4 angeordnet ist, die beispielsweise Galliumarsenid bzw. Indiumgalliumarsenid aufweist. Weiterhin kann die Laserschicht 4 mit p-Typ bzw. n- Typ Dotierstoff dotiert sein. Durch Wahl des Materials der Laserschicht 4 kann die Wellenlänge der emittierten Strahlung verändert werden. Ebenso sind Laser umfaßt, die aus anderen Materialsystemen mit beispielsweise Phosphiden oder Seleniden bestehen.
Auf der zweiten Begrenzungsschicht 5 ist eine Kontaktschicht 6 angeordnet. Die Kontaktschicht 6 wird in Zusammenhang mit Fig. 3 und 4 näher erläutert. Auf der Kontaktschicht 6 ist ein zweiter Diodenlaser 13 angeordnet, der analog zu dem er­ sten Diodenlaser 12 aufgebaut ist und eine dritte Begren­ zungsschicht 7 aus n-dotiertem Aluminiumgalliumarsenid (n- AlxGa1-xAs), eine zweite aktive Laserschicht 8 und eine vierte Begrenzungsschicht 9 aus p-dotiertem Aluminiumgalliumarsenid (p-AlxGa1-xAs) umfaßt. Auf dem zweiten Diodenlaser 13 ist eine Verbindungsschicht 10 und auf dieser eine zweite Kontaktie­ rungsschicht 11 angeordnet.
Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist je­ weils auf der von der aktiven Laserschicht 4, 8 abgewandten Seite der Begrenzungsschichten 3, 5, 7, 9 eine Mantelschicht 14, 15, 16, 17 angeordnet. Die Mantelschichten begünstigen die Wellenführung in den Diodenlasern 12, 13. Weiterhin kann eine Ladungsträgerinversion erleichtert werden, wodurch die Schwelle für den Laser reduziert wird.
Beispielsweise kann vorgesehen werden, daß die erste und zweite Mantelschicht 14, 15 einen Aluminiumanteil von etwa 30 % und die erste und zweite Begrenzungsschicht 3, 5 einen Alu­ miniumanteil von etwa 60% aufweisen. Diese Ausgestaltung führt zu einer vorteilhaften Wellenführung in dem ersten Diodenlaser 12. Die dritte und vierte Mantelschicht 16, 17 weisen z. B. ebenfalls eine Aluminiumkonzentration von 30% und die dritte und vierte Begrenzungsschicht 7 und 9 eine Aluminiumkonzentration von 60% auf. Dies begünstigt die Wel­ lenführung in dem zweiten Diodenlaser 13.
In Fig. 3 ist die Kontaktschicht 6 dargestellt. Die Kontakt­ schicht 6 umfaßt eine erste leitfähige Schicht 18, die mit einem ersten Dotierstofftyp dotiert ist. Weiterhin umfaßt die Kontaktschicht 6 eine zweite leitfähige Schicht 20, die mit einem zweiten Dotierstofftyp dotiert ist. Der erste Dotier­ stofftyp ist dabei komplementär zu dem zweiten Dotierstofftyp gewählt. Weiterhin ist zwischen der ersten leitfähigen Schicht 18 und der zweiten leitfähigen Schicht 20 eine Zwi­ schenschicht 19 angeordnet. In einem Ausführungsbeispiel ist die Zwischenschicht 19 beispielsweise undotiert, also intrin­ sisch. Dies hat den Vorteil, daß die Ladungsträger-Absorption und die Streuung von Ladungsträgern an ionisierten Störstel­ len im Übergangsbereich reduziert wird, da die Anzahl der Störstellen reduziert ist. Folglich ist der elektrische Wi­ derstand der Kontaktschicht 6 reduziert.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel sieht vor, daß die Zwischen­ schicht 19 mit dem ersten oder dem zweiten Ladungsträgertyp dotiert ist.
Hierbei wird die Dotierstoffkonzentration der Zwischenschicht 19 geringer gewählt als die Dotierstoffkonzentration der er­ sten leitfähigen Schicht 18 oder der zweiten leitfähigen Schicht 20.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der Kontaktschicht 6 ist in Fig. 4 dargestellt. In diesem Fall umfaßt die Kontaktschicht 6 eine erste leitfähige Schicht 21, eine erste Zwischen­ schicht 22, die auf der leitfähigen Schicht 21 angeordnet ist, eine zweite Zwischenschicht 23, die auf der ersten Zwi­ schenschicht 22 angeordnet ist und eine zweite leitfähige Schicht 24, die auf der zweiten Zwischenschicht 23 angeordnet ist. Beispielsweise handelt es sich bei der ersten leitfähi­ gen Schicht 21 um eine p-dotierte Galliumarsenidschicht bzw. Aluminiumgalliumarsenidschicht. Weiterhin handelt es sich bei der ersten Zwischenschicht 22 um eine hoch-p-dotierte Galliumarsenidschicht und bei der zweiten Zwischenschicht 23 um eine hoch-n-dotierte Galliumarsenidschicht. Bei der zwei­ ten leitfähigen Schicht 24 handelt es sich beispielsweise um eine n-dotierte Galliumarsenidschicht. Darüber hinaus sind folgende Materialien für die erste leitfähige Schicht 21, die erste Zwischenschicht 22, die zweite Zwischenschicht 23 und die zweite leitfähige Schicht 24 geeignet. Beispielsweise kann Indium-Gallium-Aluminium-Arsenid in der ersten leitfähi­ gen Schicht 21, der ersten Zwischenschicht 22, der zweiten Zwischenschicht 23 und der zweiten leitfähigen Schicht 24 enthalten sein.
Wird die erste Zwischenschicht 22 und die zweite Zwischen­ schicht 23 mit einer Dicke zwischen einer Monolage und 50 nm - also beispielsweise 10 nm - gebildet, so bilden sich Quan­ tentrog-ähnliche Strukturen (quantum well), die höher dotier­ bar sind, als Bulk-Material. Dadurch wird eine erhöhte La­ dungsträgerdichte erreicht, die zu einer erhöhten Tunnelwahr­ scheinlichkeit und somit zu einem reduzierten Kontaktwider­ stand führt.
Die Beschreibung des Ausführungsbeispiels ist nicht als Ein­ schränkung auf Galliumarsenid zu verstehen. Die Schichten­ folge kann ebenso in entsprechender Weise durch Galliumni­ trid, Zinkselenid oder Zinktellurid ersetzt werden.
Mit Bezug auf Fig. 1 sieht eine weitere Ausgestaltung der Erfindung vor, daß das Substrat 1 eine erste Gitterkonstante A1, der erste Diodenlaser 12 eine zweite Gitterkonstante A2 und die Kontaktschicht 6 eine dritte Gitterkonstante A3 auf­ weist. Wirkt zum Beispiel die zweite Gitterkonstante A2 des Diodenlasers 12 kompressiv auf die erste Gitterkonstante A1 des Substrats 1, so wird die kompressive Wirkung auf das Substrat 1 durch eine Kontaktschicht 6 zumindest teilweise kom­ pensiert, wenn die zweite Gitterkonstante A2 des Diodenlasers 12 ebenfalls kompressiv auf die Kontaktschicht 6 wirkt. Vor­ teilhaft ist dabei, daß die Kontaktschicht eine kleine Git­ terkonstante als das Substrat besitzt, wenn der Laser eine größere Gitterkonstante als das Substrat aufweist. Im umge­ kehrten Fall ist es vorteilhaft, daß die Kontaktschicht eine größere Gitterkonstante als das Substrat besitzt, wenn der Laser eine kleinere Gitterkonstante als das Substrat auf­ weist. Dadurch wird die Verspannung in dem Diodenlaser 12 aufgrund der Gitterfehlanpassung auf das Substrat 1 abge­ schwächt. In entsprechender Weise kann die Kraft einer tensi­ len Gitterfehlanpassung teilweise kompensiert werden. Eine Kompensation findet folglich statt, wenn die Differenz von zweiter Gitterkonstante A2 minus erster Gitterkonstante A1 das gleiche Vorzeichen hat wie die Differenz von erster Git­ terkonstante A1 minus dritter Gitterkonstante A3.

Claims (10)

1. Anordnung übereinander gestapelter Halbleiter-Diodenla­ ser mit:
  • - einem Substrat (1), auf dem ein erster Diodenlaser (12) an­ geordnet ist;
  • - einem zweiten Diodenlaser (13), der auf dem ersten Dioden­ laser (12) angeordnet ist;
  • - einer Kontaktschicht (6), die zwischen dem ersten Diodenla­ ser (12) und dem zweiten Diodenlaser (13) angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Kontaktschicht (6) eine erste leitfähige Schicht (18) ei­ nes ersten Leitungstyps, eine zweite leitfähige Schicht (20) eines zweiten Leitungstyps und eine Zwischenschicht (19) um­ faßt, wobei die Zwischenschicht (19) zwischen der ersten und zweiten leitfähigen Schicht (18, 20) angeordnet ist und die Tunnelwahrscheinlichkeit für Ladungsträger erhöht.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (19) undotiert ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenschicht (19) mit dem ersten oder dem zweiten Lei­ tungstyp dotiert ist, jedoch eine niedrigere Dotierstoffkon­ zentration aufweist, als die erste leitfähige Schicht (18) oder die zweite leitfähige Schicht (20).
4. Anordnung übereinander gestapelter Halbleiter-Diodenla­ ser mit:
einem Substrat (1), auf dem ein erster Diodenlaser (12) an­ geordnet ist;
einem zweiten Diodenlaser (13), der auf dem ersten Dioden­ laser (12) angeordnet ist;
einer Kontaktschicht (6), die zwischen dem ersten Diodenla­ ser (12) und dem zweiten Diodenlaser (13) angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Kontaktschicht (6) eine erste leitfähige Schicht (21) ei­ nes ersten Leitungstyps, eine zweite leitfähige Schicht (24) eines zweiten Leitungstyps, eine erste Zwischenschicht (22) und eine zweite Zwischenschicht (23) aufweist, wobei die er­ ste und die zweite Zwischenschicht (22, 23) zwischen der er­ sten und zweiten leitfähigen Schicht (21, 24) angeordnet sind und die erste Zwischenschicht (22) der ersten leitfähigen Schicht (21) und die zweite Zwischenschicht (23) der zweiten leitfähigen Schicht (24) zugewandt ist.
5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Zwischenschicht (22) den gleichen Leitungstyp wie die erste leitfähige Schicht (21) aufweist, jedoch eine hö­ here Dotierstoffkonzentration besitzt und die zweite Zwi­ schenschicht (23) den gleichen Leitungstyp wie die zweite leitfähige Schicht (24) aufweist, jedoch eine höhere Dotier­ stoffkonzentration besitzt.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die erste oder die zweite Zwischenschicht (22, 23) eine Dicke zwischen einer Monolage und 30 nm aufweist.
7. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die erste oder die zweite Zwischenschicht (22, 23) eine Dicke zwischen 4 und 12 nm aufweist.
8. Anordnung übereinander gestapelter Halbleiter-Diodenla­ ser mit:
einem Substrat (1), auf dem ein erster Diodenlaser (12) an­ geordnet ist;
einem zweiten Diodenlaser (13), der auf dem ersten Dioden­ laser (12) angeordnet ist;
einer Kontaktschicht (6), die zwischen dem ersten Diodenla­ ser (12) und dem zweiten Diodenlaser (13) angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Kontaktschicht (6) so ausgebildet ist, daß eine Gitter­ fehlanpassung zwischen dem Substrat (1) und dem ersten Diodenlaser (12) durch eine Gitterfehlanpassung mit entgegen­ gesetztem Vorzeichen zwischen dem Substrat (1) und der Kon­ taktschicht (6) kompensierbar ist.
9. Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) eine erste Gitterkonstante (A1), der erste Diodenlaser (12) eine zweite Gitterkonstante (A2) und die Kontaktschicht (6) eine dritte Gitterkonstante (A3) aufwei­ sen, wobei die Differenz von zweiter Gitterkonstante (A2) mi­ nus erster Gitterkonstante (A1) das gleiche Vorzeichen hat wie die Differenz von erster Gitterkonstante (A1) minus drit­ ter Gitterkonstante (A3).
10. Anordnung nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktschicht (6) Galliumphosphid, Zinksulfid, Zinktel­ lurid, Zinksulfidtellurid, Zinkselenid, Zinksulfidselenid, Indiumgalliumphosphid oder Indiumgalliumarsenphosphid ent­ hält.
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