DE10056776A1 - Anordnung von Multi-Chip-Sensormodulen und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Anordnung von Multi-Chip-Sensormodulen und Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number
DE10056776A1
DE10056776A1 DE10056776A DE10056776A DE10056776A1 DE 10056776 A1 DE10056776 A1 DE 10056776A1 DE 10056776 A DE10056776 A DE 10056776A DE 10056776 A DE10056776 A DE 10056776A DE 10056776 A1 DE10056776 A1 DE 10056776A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sensor
chip
arrangement according
substrate
arrangement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE10056776A
Other languages
English (en)
Inventor
Stefan Voellmeke
Dieter Preus
Guenter Schwarzrock
Dieter Roemhild
Arndt Steinke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CiS Institut fuer Mikrosensorik gGmbH
Original Assignee
CiS Institut fuer Mikrosensorik gGmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CiS Institut fuer Mikrosensorik gGmbH filed Critical CiS Institut fuer Mikrosensorik gGmbH
Priority to DE10056776A priority Critical patent/DE10056776A1/de
Publication of DE10056776A1 publication Critical patent/DE10056776A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Anordnung der eingangs genannten Art anzugeben, bei dem die Kontaktsysteme aggressiven Umweltbedingungen über eine längere Zeit standhalten, die in einem Batchprozess herstellbar und damit zur Herstellung größerer Stückzahlen und Schädigungen des sensitiven Materials weitgehend vermeiden. DOLLAR A Erfindungsgemäß gelingt die Lösung der Aufgabe dadurch, dass das Trägersubstrat strukturiert ist und Aussparungen enthält, unter denen jeweils mindestens ein Sensorchip so befestigt ist, das die Sensorflächen nach oben hin freiliegen und an den Sensorchip angebrachte Kontaktpads vom Substrat abgedeckt werden und dass das sensitive Material, technologisch entkoppelt von den übrigen Prozessschritten, in einem back-end Batch-Prozess, ohne Schädigung in den Aufbau integriert wird. DOLLAR A Die Erfindung betrifft eine Anordnung und eine Herstellung von Multi-Chip-Sensormodulen, insbesondere für Feuchte-, Gas- und Biosensoren, bei denen das sensitive Material in einem back-end Batch-Prozess in den Aufbau integriert wird. DOLLAR A

Description

Die Erfindung betrifft eine Anordnung und eine Herstellung von Multi-Chip Sensormodulen, insbesondere für Feuchte-, Gas- und Biosensoren, bei denen das sensitive Material in einem back-end Batchprozeß in den Aufbau integriert wird.
Im Stand der Technik sind Verfahren bekannt, nach denen dünne sensitive Schichten zur Herstellung von Feuchte-, Gas- und Biosensoren in einer Vielzahl von Anwendungen in einem Spin-Coating-Prozess oder mittels Plasma-, PVD- und CVD-Prozesse im Waferverbund aufgetragen und anschließend photolithographisch strukturiert werden. Am Ende des Herstellungsprozesses werden die Sensorelemente vereinzelt und einem Aufbauprozess wie z. B. der SMD-, COB- oder Flip-Chip-Technologie zugeführt.
Die Vorgehensweise hat auf einem planaren Substrat den Vorteil eines sehr homogenen Schichtauftrages. Nachfolgende Strukturierungs-, Trenn- und Aufbauprozesse schädigen jedoch das sensitive Material beträchtlich, so dass sich die Ausbeute verringern kann, die Funktion durch z. B. Drift, Kennlinienverschiebung oder Parameterstreuung sowie die Langlebigkeit beeinträchtigt wird.
Einige Sensorhersteller versuchen die Schädigung durch Autbauprozesse zu vermeiden, indem zuerst im Substratnutzen die Kontaktsysteme hergestellt und abgedeckt werden und erst danach das sensitive Material aufgebracht wird. Ein Aufschleudern des Materials mittels Spin-Coating liefert bei solchen Aufbauten aufgrund der nichtplanaren Oberfläche sehr inhomoge Schichten. Die Anwendung anderer Prozesse schränkt die Materialauswahl stark ein. Bei diesem Verfahren ist ebenfalls eine Schädigung des sensitiven Materials durch den Vereinzelungsprozess zu erwarten.
Die bislang vorwiegend in der Sensorik verwendeten konventionellen Aufbaukonzeptionen wie z. B. SMD-, COB- andere Löt- oder Bondtechniken mit den entsprechenden Verkappungen sind derart, dass insbesondere die Kontaktsysteme aggressiven Umweltbedingungen nicht oder nur sehr kurze Zeit standhalten.
Bei neueren Aufbaukonzepten wird versucht, mit Hilfe einer Chip-Durchkontaktierung das Kontaktsystem von der Sensorfläche auf die Unterseite des Chips zu verlagern, damit die der Umwelt ausgesetzte Fläche des Vergußmaterials minimiert wird. Zudem kann das sensitive Material ohne die Notwendigkeit einer Strukturierung auf der Oberseite mit einem Spin-Coating-Prozess aufgebracht werden. Nachteile dieser Vorgehensweise ist der erhöhte Aufwand durch die Durchkontaktierung und die dadurch entstehenden Mehrkosten und die wiederum durch den Vereinzelungsprozess zu erwartenden Schädigungen des sensitiven Materials.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Anordnung der eingangs genannten Art anzugeben, bei dem die Kontaktsysteme aggressiven Umweltbedingungen über eine längere Zeit standhalten, die in einem Batchprozeß herstellbar und damit zur Herstellung größerer Stückzahlen und Schädigungen des sensitiven Materials weitgehend vermeiden.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den kennzeichnenden Merkmalen der Patentansprüche 1 und 15 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren und eine Anordnung zur Herstellung von Multi-Chip Sensormodulen, bei dem das sensitive Material, technologisch entkoppelt von den übrigen Prozessschritten, in einem back-end Batch-Prozess ohne eine Schädigung in den Aufbau integriert wird. Der Aufbau- und Herstellungprozess erfolgt im Träger-Substratnutzen, wobei viele Teilschritte als austauschbare Technologiemodule und alle Teilschritte als Batchprozesse konzipiert sind. Dies ermöglicht die Herstellung sehr unterschiedlicher Sensorkonfigurationen und eine sehr kostengünstige Produktion mittlerer bis großer Stückzahlen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert.
In den zugehörigen Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 eine Ausführungsform für ein Sensormodul im Schnitt,
Fig. 2 die prinzipielle Anordnung der Integration des sensitiven Materials in einem back-end Batchprozess im Schnitt,
Fig. 3 die Anordnung von Sensormodulen im Nutzen nach Vereinzelung, wobei die erste Reihe im Schnitt dargestellt ist,
Fig. 4 Ausführungsformen einer Rückseitenverkappung mit einem Rahmensystem im Schnitt und
Fig. 5 Konfigurationen von Trägersubstrat und Sensorsubstrat zueinander im Schnitt.
Der Ablauf für die erfindungsgemäße Herstellung eines Sensormoduls erfolgt nach den im folgenden erläuterten Verfahrensschritten.
Fig. 1 zeigt die Schnittdarstellung einer erfindungsgemäße Anordnung. In einen skalierbaren Träger-Substratnutzen (1) werden Aussparungen für die Sensorchips eingebracht. Auf der Unterseite des Nutzens wird ein Leitbahnsystem erstellt. Der Substratnutzen kann optional auf der Unterseite mit einem Rahmensystem bestückt werden, welches beim Vereinzelungsprozess so zerteilt wird, dass jedes Sensormodul auf der Unterseite mit einem Rahmen umgeben ist.
Die Sensorchips (3) und gegebenenfalls Signalverarbeitungschips (2) werden zur Verbesserung der Kontaktstabilität mit einer Under-Bump-Metallisierung versehen und bevorzugt durch eine Flip-Chip Technologie unter dem Substrat befestigt. Die Ränder der Sensorchips (3), die die Kontaktpads enthalten, decken dabei die Aussparung des Substrats ab, während die noch nicht beschichteten Sensorflächen nach oben hin zur Umwelt freiliegen. Die Kontaktsysteme der Chips werden anschließend mit einem chemisch und thermisch resistenten Underfiller abgedichtet.
Wie aus den Figuren (2) bis (3) ersichtlich ist, wird nach der abgeschlossenen . Herstellung des Kontaktsystems die Rückseite des Substrats mit oder ohne optionales Rahmensystem mit einem Verkappungsmaterial verschlossen und danach optional auf die Rückseite noch eine dünne Metallfolie aufgeklebt. Anschließend wird dann vorzugsweise über eine Schattenmaske (8) das sensitive Material (4) aufgebracht. Dies geschieht je nach Material und dessen Eigenschaften mit einer fortschrittlichen Sprühbeschichtung, bei der eine Schichtdickenhomogenität von <5% über die Sensorfläche angestrebt wird, mittels Plasma-, PVD-, CVD-Prozess oder bei planaren Oberflächen bzw. in Fällen mit geringen Ansprüchen an die Homogenität des Auftrags mittels Spin-Coating (7). Durch komplementäre Schattenmasken, lassen sich so unterschiedliche Sensorflächen mit verschiedenen Materialien beschichten. Je nach Anwendungsfall lassen sich die sensitiven Schichten und/oder zusätzliche Metallisierungsschichten auf dem sensitiven Material durch einen zusätzlich aufgesprühten Photolack lithographisch strukturieren.
Anschließend wird bevorzugt auf den gesamten Substratnutzen ein Filter (5) aus Keramikmaterial, einer Polymer- oder Glasfasermembran aufgebracht. Als nächstes wird der gesamte Nutzen zum Schutz mit einer Folie abgedeckt und vereinzelt. Als letzter Schritt erfolgt das Anlöten eines Flexkabels.
Sowohl das Träger-Substrat (1) als auch die Sensorchips (3) können je nach Anwendung und Anforderungen des Sensors in verschiedenen Formen ausgeführt sein. Das Trägersubstrat mit Leitbahnsystem kann in planarer Ausführung (9) oder in einer zu den Aussparungen hin nach oben hin abgedünnten Ausführung (10) gestaltet werden. Die Sensorchips können ebenfalls planar (11) oder mit dem Randgebieten, die das Kontaktpads enthalten, abgesenkt sein (12). Die Absenkung der Sensorchips kann dergestalt sein, dass nach der Montage mit dem entsprechenden Substrat die Sensorfläche oberhalb, auf gleicher Höhe oder unterhalb der Substratoberfläche liegen kann.
Die Fig. 4 und 5 erläutern mögliche Kombinationen von Substrat- und Sensorchip-Ausführungen sind in den Ausführungsformen (13) bis (20).
Die erfindungsgemäße Anordnung ermöglicht die Integration sensitiver Materialien ohne diese zu schädigen und vermeidet damit die oben angeführten Nachteile bisheriger Sensor-Aufbauvarianten.
Die Herstellung des Kontaktsystems und dessen Verkappung wird vor dem Auftrag des sensitiven Materials durchgeführt, so dass diese Prozesse keine Schädigung des sensitiven Materials hervorrufen können. Das sensitive Material wird nicht bzw. nur über eine Schattenmaske strukturiert, so dass auch durch diesen Prozess keine Schädigung auftritt. Der Trenn- und Vereinzelungsprozess wird durchgeführt, nachdem das Filtermaterial auf dem Substratnutzen mit einer Schutzfolie überzogen ist, so dass auch durch diesen Vorgang keine Schädigung entsteht.
Gleichzeitig können verschiedene Maßnahmen ergriffen werden, um die Zuverlässigkeit und die Langlebigkeit des Sensormoduls zu erhöhen. Dazu gehört die Anwendung der Flip-Chip-Technologie, die die Angriffsfläche des Kontaktsystems zur Umwelt minimiert und mit einer zusätzliche Under-Bump-Metallisierung und einer chemisch sehr resistenten Underfiller-Verkappung deutliche Vorteile gegenüber konventionellen Kontaktsystemen bietet. Durch die Integration eines effektiven Filters wird die Standzeit des Sensors zudem deutlich erhöht.
Durch die Anwendung einer Nutzenstechnologie und einer durchgängigen Verwendung von Batchprozessen eröffnen sich völlig neue Möglichkeiten in der Produktion größerer Stückzahlen, verbunden mit einer deutlichen Preisreduktion.
Die vorgeschlagene Anordnung zeichnet sich zudem durch eine sehr große Flexibilität aus. Je nach Art des Sensors können bevorzugte Ausführungsformen von Trägersubstrat und Sensorchip miteinander kombiniert werden. Durch die Auswahl und die Kombination von Signalverarbeitungs- und Sensorchips und der Möglichkeit auf unterschiedliche Sensorchips verschiedene sensitive Materialien aufzubringen und diese ggf. mit Hilfe einer Lack-Sprühbeschichtung noch photolithographisch zu strukturieren bzw. mit Deckelektroden zu versehen, ist eine Vielzahl von Möglichkeiten der Sensorkonfiguration gegeben.
BEZUGSZEICHENLISTE
1
Träger-Substratnutzen
2
Signalverarbeitungschip
3
Sensorchip
4
sensitives Material
5
Filter
6
optionale Rückseitenverkappung
7
Schichtabscheidung in Kavitäten
8
Schattenmaske
9
planares Trägersubstrat mit Leitbahnsystem
10
nach oben verdünntes Trägersubstrat mit Leitbahnsystem
11
planares Sensorchip
12
Sensorchip mit Kontaktpads in Randgebieten
13
. . .
20
mögliche Kombination von Substrat- und Sensorchip-Ausführungen

Claims (22)

1. Anordnung von Multi-Chip Sensormodulen, insbesondere zur Herstellung von Feuchte-, Gas- und Biosensoren, bei dem dünne sensitive Schichten im Waferverbund aufgetragen werden, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägersubstrat strukturiert ist und Aussparungen enthält unter denen jeweils mindestens ein Sensorchip so befestigt ist, dass die Sensorflächen nach oben hin freiliegen und an den Sensorchips angebrachte Kontaktpads vom Substrat abgedeckt werden.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägersubstrat aus Silizium-, Keramik oder Glas besteht.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägersubstrat von unten mit einem Rahmensystem so bestückt ist, dass nach einem Vereinzelungsprozess jedes Sensormodul mit einem Rahmen umgeben ist.
4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Rahmensystem aus Keramik oder Glas besteht.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass sich unterhalb des Trägersubstrats (1) pro Sensormodul mindestens ein Signalverarbeitungschip (2) befindet.
6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägersubstrat (1) auf der Unterseite Leitbahnen enthält und mit den Kontaktpads des Sensorchips (3) und/oder Signalverarbeitungschips (2) ein Kontaktsystem bildet.
7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die zu kontaktierenden Chips mit einer Under-Bump-Metallisierung versehen sind.
8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktsystem mit einem chemisch und thermisch resistenten Underfiller hermetisiert ist.
9. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktsystem durch Flip-Chip-Technologie realisiert ist.
10. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktsystem durch anodisches oder eutektisches Bonden realisiert ist.
11. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet dass die Rückseite des Trägersubstrats mit einer Vergußmasse (6) verkappt wird.
12. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass auf die verkappte Rückseite des Trägersubstrats eine dünne Metallfolie aufgebracht ist.
13. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Substratnutzen mit einem Filter (5) aus einem Keramik-, einer Polymer- oder Glasfasermaterial gedeckelt ist.
14. Anordnung einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontakte der vereinzelten und vollständig verkapselten Sensormodule mit einem Flexkabel verbunden sind.
15. Verfahren zur Herstellung von Multi-Chip Sensormodulen gemäß den Ansprüchen 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das sensitive Material, technologisch entkoppelt von den übrigen Prozessschritten, in einem back-end Batch-Prozess, ohne Schädigung in den Aufbau integriert wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Herstellung der Multi-Chip Sensormodule in Substrat-Nutzen (1) erfolgt, wobei die einzelnen Prozessschritte durchgängig als Batchprozesse ausgeführt werden.
17. Verfahren nach Anspruch 15 oder 16, dadurch gekennzeichnet, dass das sensitive Material (4) nach Fertigstellung des Kontaktsystems, dessen Hermetisierung und nach der Rückseitenverkappung aufgebracht wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass das sensitive Material (4) über eine Schattenmaske (8) mit einer Sprühbeschichtung, Plasma-, PVD-, CVD-Prozessen oder bei planaren Oberflächen oder mittels Spin-Coating (7) in den Kavitäten auf das Sensorchip aufgebracht wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass durch komplementäre Schattenmasken (8) auf verschiedenen Sensorflächen unterschiedliche Materialien im Batchprozess aufgebracht werden.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das sensitive Material (4) und/oder mindestens eine zusätzlich aufgebrachte Metallisierungschichten zur Herstellung von Leitbahnen bzw. Elektroden auf der Sensorfläche durch Aufsprühen oder Aufschleudern eines Photolacks photolithographisch strukturiert werden.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktsystem mit einer Flip-Chip Technologie erzeugt wird.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass das Kontaktsystem durch anodisches oder eutektisches Bonden erzeugt wird.
DE10056776A 2000-03-20 2000-11-16 Anordnung von Multi-Chip-Sensormodulen und Verfahren zu deren Herstellung Ceased DE10056776A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10056776A DE10056776A1 (de) 2000-03-20 2000-11-16 Anordnung von Multi-Chip-Sensormodulen und Verfahren zu deren Herstellung

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10013500 2000-03-20
DE10056776A DE10056776A1 (de) 2000-03-20 2000-11-16 Anordnung von Multi-Chip-Sensormodulen und Verfahren zu deren Herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10056776A1 true DE10056776A1 (de) 2001-10-11

Family

ID=7635443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10056776A Ceased DE10056776A1 (de) 2000-03-20 2000-11-16 Anordnung von Multi-Chip-Sensormodulen und Verfahren zu deren Herstellung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10056776A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10328265A1 (de) * 2003-06-23 2005-01-27 Infineon Technologies Ag Sensorbauteil und Nutzen zu seiner Herstellung
WO2011028484A3 (en) * 2009-09-04 2011-05-19 Analog Devices, Inc. System with recessed sensing or processing elements
US9407997B2 (en) 2010-10-12 2016-08-02 Invensense, Inc. Microphone package with embedded ASIC
US9666558B2 (en) 2015-06-29 2017-05-30 Point Engineering Co., Ltd. Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate
US9847462B2 (en) 2013-10-29 2017-12-19 Point Engineering Co., Ltd. Array substrate for mounting chip and method for manufacturing the same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10328265A1 (de) * 2003-06-23 2005-01-27 Infineon Technologies Ag Sensorbauteil und Nutzen zu seiner Herstellung
US7700956B2 (en) 2003-06-23 2010-04-20 Infineon Technologies Ag Sensor component and panel used for the production thereof
WO2011028484A3 (en) * 2009-09-04 2011-05-19 Analog Devices, Inc. System with recessed sensing or processing elements
US8390083B2 (en) 2009-09-04 2013-03-05 Analog Devices, Inc. System with recessed sensing or processing elements
US8779532B2 (en) 2009-09-04 2014-07-15 Analog Devices, Inc. System with recessed sensing or processing elements
US9407997B2 (en) 2010-10-12 2016-08-02 Invensense, Inc. Microphone package with embedded ASIC
US9847462B2 (en) 2013-10-29 2017-12-19 Point Engineering Co., Ltd. Array substrate for mounting chip and method for manufacturing the same
US9666558B2 (en) 2015-06-29 2017-05-30 Point Engineering Co., Ltd. Substrate for mounting a chip and chip package using the substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1869705B1 (de) Verfahren zur herstellung gehäuster elektronischer bauelemente und gehäustes elektronisches bauelement
DE4107658C2 (de)
DE2727751C3 (de) Deformografisches Membran-BUdanzeigegerät
DE19809084C2 (de) Flüssigkristallanzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP1805101B1 (de) Verfahren zum montieren von halbleiterchips und entsprechende halbleiterchipanordnung
DE102006011753B4 (de) Halbleitersensorbauteil, Verfahren zur Herstellung eines Nutzens und Verfahren zur Herstellung von Halbleitersensorbauteilen
DE102004005668B4 (de) Elektrisches Bauelement und Herstellungsverfahren
EP3004858B1 (de) Verfahren zum erzeugen einer vielzahl von messbereichen auf einem chip sowie chip mit messbereichen
DE10325020B4 (de) Verfahren zum Versiegeln eines Halbleiterbauelements und damit hergestellte Vorrichtung
WO2000079589A1 (de) Elektronisches bauelement mit flexiblen kontaktierungsstellen und verfahren zum herstellen eines derartigen bauelements
DE102007001518B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Häusen eines mikromechanischen oder mikrooptoelektronischen Systems
DE102004042784B4 (de) Beschleunigungssensor und Verfahren zum Herstellen eines Beschleunigungssensors
DE19956744C2 (de) Gassensor
EP1688997B1 (de) Elektronisches Bauteil mit gestapelten Halbleiterchips
DE10056776A1 (de) Anordnung von Multi-Chip-Sensormodulen und Verfahren zu deren Herstellung
WO2018068991A1 (de) Verfahren zum herstellen eines stressentkoppelten mikromechanischen drucksensors
DE60223053T2 (de) Verfahren zur herstellung eines farbbildsensors mit auf dem substrat gehaltener, verschweisster verbindung-auf-verbindung
EP1110243A1 (de) Integriertes bauelement, verbundkörper aus einem integrierten bauelement und einer leiterstruktur, chip-karte und verfahren zur herstellung des integrierten bauelementes
DE60304902T2 (de) Verfahren zur herstellung von flüssigkristallzellen auf siliciumsubstrat und solche zellen
EP1821091B1 (de) Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauelementen und Drucksensor
WO2005042401A1 (de) Festes isolierendes und elektrisch leitendes verbinden prozessierter halbleiterscheiben
EP1406831B1 (de) Mikromechanische Kappenstruktur und entsprechendes Herstellungsverfahren
WO2020156852A1 (de) Mikromechanische sensorvorrichtung und entsprechendes herstellungsverfahren
WO2009130279A1 (de) Filterchip mit unterschiedlichen leitschichten und verfahren zur herstellung
EP2575175B1 (de) Bildsensor mit großer Chipfläche

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee
8170 Reinstatement of the former position
8131 Rejection