DD292519A5 - Transparentes fotoelektrisches element - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000878 H alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017875 a-SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001015 abdomen Anatomy 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein transparentes fotoelektrisches Element. Das Ziel der Erfindung besteht in der Realisierung extrem duenner transparenter fotoelektrischer Elemente mit erhoehter Empfindlichkeit, vorwiegend zur Erhoehung der Leistungsfaehigkeit von Anordnungen oder zum Aufbau neuartiger Anordnungen der interferenzoptischen Laengenmessung. Diese Elemente koennen insbesondere dort angewendet werden, wo ein physikalisch-technischer Vorgang nur im Durchlichtverfahren nachgewiesen werden kann, wie beispielsweise der fotoelektrische Nachweis des Vorhandenseins oder des Zaehlens der Intensitaetsmaxima und -minima einer optischen stehenden Welle in einem laserinterferometrischen System oder zum Ansteuern mehrerer in Lichtrichtung hintereinandergeschalteter Elemente durch ein und denselben Lichtstrahl. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Materialien und den Aufbau fuer ein fotoelektrisches Element anzugeben, bei den der ankommende Lichtstrahl in der fotoempfindlichen Schicht des Elementes teilweise absorbiert wird und ein wesentlicher Teil des Lichtes durch das Element hindurchgeht. Erfindungsgemaesz wird die Aufgabe dadurch geloest, dasz das Element optisch transparent ist und dasz das Element als fotoempfindliches Material mindestens eine Komponente aus einem tetraedrisch koordinierten amorphen Halbleitermaterial besitzt. Fig. 1{stehende Welle; Interferometer; duenne transparente fotoempfindliche Schichten; Durchlichtverfahren}
Description
Hierzu 1 Seite Zeichnungen
Anwendungsgebiet der Erfindung
Die Erfindung stellt ein fotoelektrisches Element zum Nachweis von Lichtstrahlung dar und kann insbesondere dort angewendet werden, wo ein technisch-physikalischer Vorgang nur im Durchlichtverfahren nachgewiesen werden kann, wie beispielsweise der fotoelektrische Nachweis des Vorhandenseins oder des Zählens der Intensitätsmaxima und -minima einer optischen stehenden Welle in einem laserinterferometrischen System zur Präzisionslängenmessung oder zum Ansteuern mehrerer in Lichtrichtung hintereinandergeschalteter fotoelektrischer Elemente durch ein und denselben Lichtstrahl.
Bekannt ist ein transparenter dünner Film aus der JP PS 104255. Dieser besteht aus einer 0,1 pm dicken Kadmiumselenid- oder Indiumantimonidschicht. Zur Erhöhung der fotoelektrischen Empfindlichkeit dieser Schichten wird eine Fremdatomdotierung mit Kupferchlorid vorgenommen. Der dünne Film ist auf einer transparenten Platte aufgebracht und mit einer Antireflexionsschicht überzogen. Über Leitungen ist dor dünne Film, der entsprechend dem Lichteinfall seinen elektrischen Leitwert ändert, an eine Auswerteschaltung angeschlossen.
Weiterhin ist aus der US PS 4.443.107 ein Detektor bekannt. Dieser besteht aus einem transparenten Substrat, auf das eine fotoempfindliche Detektorschicht, beispielsweise ein Siliziummaterial und zwei Anschlußflächen aufgebracht sind. Die Detektorschicht ist über die Verbindungspuffer mit einer elektrischen Vorspannung beaufschlagt. Diese Vorspannung verursacht einen Strom durch die Anschlußflächen. Die Größe des Stromes ist proportional zur Zahl der Photonen, die pro Zeiteinf iü!t auf die Detektorschicht auftreffen. Die elektrische Schaltung dient auf diese Weise zur Erfassung der periodischen Intensitätsschwankungen der optischen stehenden Welle.
Bekannt sind au ;h semitransparente Sensoren aus der DE OS 3309091, die aus einer semitransparenten Sensorschicht auf einem semitransparenten Substrat bestehen.
Der Nachteil aller oben genannten Lösungen besteht darin, daß dort insbesondere für sichtbares Licht wegen des angegebenen Materials der fotoemp'indlichen Schicht entweder bei vorgegebener Mindesttransparenz nur eine niedrige fotoelektrische Empfindlichkeit oder bei vorgegebener Mindestempfindlichkeit nur eine niedrigere Transparenz der fotoempfindlichen Schicht als bei der vorliegenden Erfindung erreicht werden kann. Diese Nachteile bekannter Lösungen resultieren aus der vergleichsweise geringen optischen Absorption und Fotoleitfähigkeit der verwendeten Materialien für die fotoempfindliche Schicht sowie deren aufwendigen Herstellungstachnologie.
Bekannt ist ein Photosensor aus der DE OS 3612814, ein photoelektrisches Wandlerelement aus der DE OS 3112209 und fotoleitfähige Elemente aus den DE OS 3139531, DE OS 3241351, DE OS 3242611, DE OS 3448369, deren fotoelektrisch aktive Schicht aus amorphem Silizium besteht.
Nachteil dieser Lösungen ist, daß diese Elemente nicht transparent sind.
Bekannt ist weiterhin eine Si-pin-Diode aus R.Karsten „Einführung in die optische Nachrichtentechnik", Springer Verlag, 1983, S.382.
Nachteil dieser Lösung ist die zu große Dicke (1 bis 3μπι) des aktiven Bereiches und die damit verbundene zu geringe Transparenz der Diode. Die Schichtdickenbedingung zum Nachweis stehender Wellen im sichtbaren und im nahen IR-Bereich des Lichtes kann mit diesem Nachweiselement nicht erfüllt werden
Weiterhin ist noch ein Stehende-Wellen-Sensor bekannt aus Applied Optics Nr. 9 vom 1. Mai 1983, bestehend aus einem
befindet.
Nachteile dieser Lösung sind die großen räumlichen Abmessungen, die mechanische Empfindlichkeit und der komplizierte Aufbau des Sensors.
Ziel der Erfindung
Das Ziel der Erfindung besteht in der Realisierung extrem dünner transparenter fotoelektrischer Elemente mit erhöhter Empfindlichkeit vorwiegend zur Erhöhung der Leistungsfähigkeit von Anordnungen oder zum Aufbau neuartiger Anordnungen der interferenzoptischen Längenmessung.
Darlegung des Wesens der Erfindung
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Materialien und den Aufbau für ein fotoelektrisches Element anzugeben, bei dem der ankommende Lichtstrahl in einer dünnen fotoempfindlichen Schicht des Elementes teilweise absorbiert wird und ein wesentlicher Teil des Lichtstrahls durch das Element hindurchgeht und beispielsweise einen zweiten oder auch mehrere hintereinander angeordnete Elemente ansteuern kann.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß das Element optisch transparent ist und daß das Element als fotoempfindliches Material mindestens eine Komponente aus einem tetraedrisch koordinierten amorphen Halbleitermaterial besitzt.
Die erfindungsgemäße Lösung auf der Grundlage tetraerdrisch koordinierter amorpher Halbleiter beruht auf deren hoher Fotoleitfähigkeit, deren hoher optischer Absorption, die durch geeignete Legierungen an die Lichtwellenlänge angepaßt werden kann, sowie der einfachen Möglichkeit, diese Halbleiter als extrem dünne Schicht auf boliebigen Substraten abzuscheiden, In der auf einen transparenten Träger (Substrat) aufgebrachten amorphen Halbleiterschicht werden bei Einfall einer Lichtwelle Ladungsträgerpaare erzeugt, die über die Kontakte in einem äußeren Stromkreis als Strom- und/oder Spannungsänderung nachgewiesen und elektronisch weiterverarbeitet werden können. In einer Ausführungsform des Elementes als Fotowiderstand ist das Element in einer Ebene senkrecht zur Lichtrichtung aufgebaut, indem die lichtempfindliche Schicht zwischen zwei nichttransparenten Kontakten angeordnet ist. In dieser Ausführungsform können sowohl transparente als auch nichttransparente Kontakte verwendet werden. Im ersten Fall führt ein minimaler Kontaktabstand zu einer hohen Empfindlichkeit und Schaltgeschwindigkeit; im anderen Fall sollte der Kontaktabstand dem Lichtbündeldurchmesfier entsprechen. In einer zweiten Ausführungsform ist das Element unter Verwendung von zwei transparenten Kontakten in Lichtrichtung in einer Reihenfolge erster transparenter Kontakt, fotoempfindliche Schicht, zweiter transparenterKontakt aufgebaut. In der zweiten Ausführungsform arbeitet das Element bei Verwendung nichtsperrender Kontakte ebenfalls als Fotowiderstand. Diese Ausführungsform ist der vorhergehenden bezüglich Empfindlichkeit und Schaltgeschwindigkeit überlegen. Wird bei letztgenannter Ausführungsform einer der beiden Kontakte als für eine Ladungsträgerart sperrender Kontakt ausgelegt, dann arbeitet das Element als Fotodiode.
Zur Vermeidung einer Degradation des Halbleitermaterials empfiehlt sich eine Passivierung der Elemente mit einer zusätzlichen Schicht, die gleichzeitig die Funktion einer Antireflexschicht besitzen kann.
Ausf Ohrungsbeispiel
Die Erfindung soll anhand von Ausführungsbeispielen nähei jrläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigen
Fig. 1: Fotoelektrisches Element, dessen Funktionselemente in einer zur Lichtrichtung senkrechten Ebene angeordnet sind Fig. 2: Fotoelextrisches Element, dessen Funktionselemente in Lichtrichtung angeordnet sind Fig. 3: Fotoelektrisches Element nach Figur 1 oder 2 zur Fotodetektion des Intensitätsprofils einer optischen stehenden Welle Fig.4: Schaltungsanordnung zur Messung des Fotostroms
In der Ausführung nach Figur 1 sind auf einem Glassubstrat 1 zwei Kontakte 2 aus Chrom in einem Abstand a aufgedampft. Über die Kontakte 2 ist eine fotoempfindliche amorphe Siliziumschicht (a-Si:H-Schicht) 3 derart abgeschieden, daß jeweils ein Teil der Kontakte 2 frei bleibt. Eine Degradation der totoempfindlichen Schicht 3 durch atmosphärische Einflüsse wird durch Abdeckung mit einer Passivierungsschicht 4 aus a-SiN :H verhindert. Die Passivierungsschicht 4 vermindert gleichzeitig die Reflexionsverluste. Die Reihenfolge der Abscheidung der Kontakte 2 und der fotoempfindlichen Schicht 3 kann auch umgekehrt sein.
In der Ausführung nach Figur 2 werden auf ein Glassubstrat 1 nacheinander eine erste transparente Kontaktschicht 5 aus Indium-Zinn-Oxid, eine fotoempfindliche amorphe Siliziumschicht 3, eine zweite transparente Kontaktschicht 6 aus Indium-Zinnoxid und eine Passivierungsschicht 4 derart abgeschieden, daß ein Teil der Kontaktschichten 5,6 frei bleibt. Diese Anordnung arbeitet als Fotowiderstand. Eine der beiden Kontaktschichten 5,6 kann auch als eine für eine Ladungsträgerart sperrender Kontakt (z. B. aus Palladium) ausgeführt sein. Im letzteren Fall arbeitet die Anordnung als Fotodiode. Die Wirkung der Passivierungsschicht ist die gleiche wie in der Ausführung nach Figur 1.
In Figur 3 ist das fotoelektrische Element nach Figur 1 zur Fotodetektion des Profils der Intensität I einer optischen stehenden Welle dargestellt. Eine optische stehende Welle ist das Ergebnis der Interferenz zweier sich in antiparpllelen Richtungen ausbreitenden Strahlen. Bei senkrechtem Einfall des ankommenden Lichtstrahls auf einen Planspiegel 7 entsteht das mit dem Planspiegel 7 fest verkoppelte Intensitätsprofil der stehenden Welle, das durch die Intensitätsmaxima 8 und die Intensitätsminima 9 gekennzeichnet ist. Die Intensitätsmaxima 8 und die Intensitätsminima 9 spannen jeweils Scharen von Ebenen parallel zur Planspiegelfläche 7 auf. Bringt man eines der fotoelektrischen Elemente nach Figur 1 oder 2 so in die stehende Welle, daß die fotoempfindliche Schicht 3 parallel in den Ebenen der Intensitätsmaxima 8 und Intensitätsminima 9 liegt und bemißt die Dicke d der fotoempfindlichen Schicht 3 in Lichtrichtung s\/n.8 wobei λ die Wellenlänge der die stehende Welle erzeugenden optischen Strahlung und η die Brechzahl des Materials der fotoempfindlichen Schicht 3 ist, dann registriert das fotoelektrische Element 10 bei Relativbewegungen in Richtung der Ortskoordinate χ zwischen dem Element 10 und der stehenden Welle die Anzahl der Intensitätsmaxima 8 und Intensitätsminima 9, die durch die Ebene der fotoempfindlichen Schicht 3 hindurchgewandert sind.
In Figur 4 wurde bei Beleuchtung eines fotoelektrischen Elementes 10 nach Figur 1 mit einem He-Ne-Laser (Wellenlänge 630 nm. Intensität 5mW) als Lichtquelle 11 und einer Meßspannung 12 von 100V ein Fotostrom 13 von 1OnA bei einem Verhältnis von Foto- zu Dunkelstrom > 10 gemessen. Knoten und Bäuche einer mit He-NeLaserlicht erzeugten stehenden Welle konnten nachgewiesen werden.
Claims (4)
1. Transparentes fotoelektrisches Element, bestehend aus einem ebenen transparenten Träger, auf dem eine fotoempfindliche Schicht aufgebracht ist, die vom wesentlichen Teil des Lichtes, insbesondere einer optischen stehenden Welle durchdringbar ist, wobei außer der fotoempfindlichen Schicht elektrische Kontakte entweder in einer Ebene mit der fotoempfindlichen Schicht oder in der Reihenfolge erste transparente Kontaktschicht, fotoempfindliche Schicht, zweite transparente Kontaktschicht auf den Träger aufgebracht sind, die mit der fotoempfindlichen Schicht in elektrischer Verbindung stehen und auf die fotoempfindliche Schicht und teilweise auf die Kontakte eine Passivierungs- und/oder Antireflexschicht aufgebracht ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke derfotcempfindlichen Schicht (3) in Lichtrichtung kleiner als 100nm ist und die fotoempfindliche Schicht (3) mindestens eine Komponente aus einem tetraedrisch koordinierten amorphen Halbleitermaterial besitzt.
2. Transparentes fotoelektrisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die fotoempfindliche Schicht (3) mindestens eine amoVphe Legierung der Zusammensetzung —(Si1 -XAx)1 _y : By enthält, wobei A ein Element aus der 4. Gruppe (O Sx^ 1) und/oder ein Element aus der 5. Gruppe (x < 0,01) des periodischen Systems der Elemente und B Wasserstoff und/oder Fluor (0,05 < y < 0,4) sein kann.
3. Transparentes fotoelektrisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß einer der beiden Kontakte (2,2'); (5,6) des Elements als für eine Ladungsträgersorte sperrender Kontakt aufgebaut ist.
4. Transparentes fotoelektrisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Passivierungsschicht (4) einea-SiX : H-Legierung mit X=N,0,C verwendet wird.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD90338622A DD292519A5 (de) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | Transparentes fotoelektrisches element |
DE4017201A DE4017201A1 (de) | 1990-03-13 | 1990-05-29 | Transparentes fotoelektrisches element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD90338622A DD292519A5 (de) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | Transparentes fotoelektrisches element |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DD292519A5 true DD292519A5 (de) | 1991-08-01 |
Family
ID=5617014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DD90338622A DD292519A5 (de) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | Transparentes fotoelektrisches element |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DD (1) | DD292519A5 (de) |
DE (1) | DE4017201A1 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10127017B4 (de) * | 2001-06-01 | 2007-11-29 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Photosensor für ein Durchlichtverfahren zur Detektion des Intensitätsprofils einer optisch stehenden Welle |
DE10127018B4 (de) * | 2001-06-01 | 2007-09-27 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Photosensor für ein Durchlichtverfahren zur Detektion des Intensitätsprofils einer optisch stehenden Welle |
DE10131608B4 (de) * | 2001-06-29 | 2004-02-05 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Photosensor für ein Durchlichtverfahren zur Detektion der Bewegungsrichtung von Intensitätsmaxima und Intensitätsminima einer optischen stehenden Welle |
DE102017115162A1 (de) | 2017-07-06 | 2019-01-10 | Jacobs University Bremen Ggmbh | Photosensor für ein Durchlichtverfahren und Spektrometer |
EP4189752A1 (de) | 2020-07-27 | 2023-06-07 | Signify Holding B.V. | Anordnung für ein photonisches halbleiterbauelement |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR890004497B1 (ko) * | 1980-09-09 | 1989-11-06 | 에너지 컨버션 디바이시즈, 인코포레이티드 | 다중 셀의 감광성 비정질 합금 및 소자 |
DE3300369A1 (de) * | 1982-04-05 | 1983-10-06 | Suhl Feinmesszeugfab Veb | Stehende-wellen-interferometer zur messung von optischen gangunterschieden |
EP0215289B1 (de) * | 1985-08-23 | 1991-10-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung einer hochsperrenden Diodenanordnung auf der Basis von a-Si:H für Bildsensorzeilen |
DE3802365A1 (de) * | 1987-01-27 | 1988-10-27 | Ricoh Kk | Amorpher siliziumphotosensor |
JPH02123768A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | 有機半導体薄膜の製造方法および該薄膜を含む半導体デバイス |
-
1990
- 1990-03-13 DD DD90338622A patent/DD292519A5/de not_active IP Right Cessation
- 1990-05-29 DE DE4017201A patent/DE4017201A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4017201A1 (de) | 1991-10-10 |
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Date | Code | Title | Description |
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