DD280642A1 - CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CONTROLLING CIRCUIT BREAK TRANSISTORS - Google Patents
CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CONTROLLING CIRCUIT BREAK TRANSISTORS Download PDFInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Ansteuerung von Leistungsschalttransistoren. Bevorzugtes Anwendungsgebiet sind Schaltregler und Schaltnetzteile. Parallel zur Sekundaerwicklung eines im Kollektorzweig des Leistungsschalttransistors liegenden Stromwandlers ist ein Widerstand angeordnet. Parallel zu diesem Widerstand ist eine variable Stromquelle geschaltet, die ueber eine separat gesteuerte Umschalteinrichtung mit der Basis des Leistungsschalttransistors verbunden ist. Die ueber den Parallelwiderstand abfallende leistungsabhaengige Spannung stellt die Eingangsspannung fuer die variable Stromquelle dar. Proportional dieser Spannung liefert die variable Stromquelle einen lastabhaengigen Strom, der ueber die Umschalteinrichtung auf die Basis des Leistungsschalttransistors geschaltet wird. Fig. 1The invention relates to a circuit arrangement for driving power switching transistors. Preferred application are switching regulator and switching power supplies. Parallel to the secondary winding of a lying in the collector branch of the power switching transistor current transformer, a resistor is arranged. Parallel to this resistor, a variable current source is connected, which is connected via a separately controlled switching device to the base of the power switching transistor. The voltage drop across the shunt resistor is the input voltage to the variable current source. Proportionally of this voltage, the variable current source provides a load-dependent current which is switched to the base of the power switching transistor via the switching means. Fig. 1
Description
Kollektorstromkreises liegenden Stromwandler und wird im Verhältnis von Primär- zur Sekundärwicklung auf die Sekundärseite transformiert. In dem parallel zur Sekundärwicklung liegenden Widerstand wird dadurch die Eingangsspannung für die parallel zum Widerstand liegende variable Stromquelle erzeugt. Proportional dieser Spannung liefert die variable Stromquelle einen lastabhängigen Strom, der ebenfalls in die Basis des Leistungsschalttransistors fließt, womit eine Anpassung von Kollektorstrom und Basisstrom erfolgt.Collector circuit lying current transformer and is transformed in the ratio of primary to secondary to the secondary side. In the parallel to the secondary winding resistance, the input voltage for the parallel to the resistance variable current source is thereby generated. Proportional to this voltage, the variable current source provides a load dependent current which also flows into the base of the power switching transistor, thus matching collector current and base current.
Schaltet die separat gesteuerte Umschalteinrichtung den Basisstrom ab, so sperrt der Leistungsschalttransistor, die variable Stromquelle liefert keinen Strom mehr, und es fließt nur noch der Minimalstrom gegen Masse ab.If the separately controlled switching device switches off the base current, the power switching transistor blocks, the variable current source no longer supplies any current, and only the minimum current flows to ground.
Ausfuhrungsbeispielexemplary
Anschließend soll die erfindungsgemäße Lösung an einem Ausiührungsbeispiel näher erläutert werden. Dabei zeigenSubsequently, the solution according to the invention will be explained in more detail on a Ausiührungsbeispiel. Show
Fig. 1: eine Prinzipschaltung der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung und Fig. 2: ein praktisches Ausführungsbeispiel.Fig. 1: a basic circuit of the circuit arrangement according to the invention and Fig. 2: a practical embodiment.
Die variable Stromquelle 1 für den Basisstrom des Leistungsschalttransistors 3 ist mit der separat gesteuerten Umschalteinrichtung 2 verbunden. Diese kann den Strom indie Basis des Leistungsschalttransistors 3 oder gegen Masse leiten. Zur Ansteuerung der Umschalteinrichtung dient ein Impulsgenerator 6. Im Kollektorzweig des Leistungsschalttransistors 3 ist der Stromwandler 4 angeordnet zu dem parallel der Widerstand 5 liegt, der die Eingangsspannung für die variable Stromquelle 1 erzeugt.The variable current source 1 for the base current of the power switching transistor 3 is connected to the separately controlled switching device 2. This can conduct the current to the base of the power switching transistor 3 or to ground. To control the switching means is a pulse generator 6. In the collector branch of the power switching transistor 3, the current transformer 4 is arranged to the parallel resistor 5 which generates the input voltage for the variable current source 1.
Die Stromquelle 1 wird aus dem Transistor 1.1, dem Widerstand 1.2,1.3,1.4 und derDicde 1.5 gebildet. Die Diode 1.5 und der Widerstand 1.4 kompensieren die Emitter-Basis-Spannung des Transistors 1.1. Der Stromwandler 4 besteht aus der direkt im Kollektorzweig des Leistungsschalttransistors 3 liegenden Primärwicklung 4.1 und der Sekundärwicklung 4.2. Die separat gesteuerte Umschulteinrichtung 2 bildet der Transistor 7.The current source 1 is formed from the transistor 1.1, the resistor 1.2, 3.1, 4.1 and the diode 1.5. The diode 1.5 and the resistor 1.4 compensate for the emitter-base voltage of the transistor 1.1. The current transformer 4 consists of the directly in the collector branch of the power switching transistor 3 lying primary winding 4.1 and the secondary winding 4.2. The separately controlled Umschulteinrichtung 2 forms the transistor. 7
An die Basis des Transistors 7 gelangen die Einschaltimpulse aus der Ansteuerbaugruppe 6. Ist der Transistor 7 gesperrt, so fließt durch den Widerstand 1.3 ein relativ geringer Strom I0 in die Basis des Leistungsschalttransistors 3 und öffnet diesen. Der jetzt ansteigende Kollektorstrom iL It) fließt durch die Primärwicklung 4.1 des Stromwandlers 4, wird auf die Sekundärseite 4.2 transformiert und erzeugt am Widerstand 5 eine dem Kollektorstrom it (t) proportionale Spannung. Entsprechend dieser Spannung liefert die variable Stromquelle 1 ein Ausgangssignal Iq, welches in die Basis des Leistungsschalttransistors 3 geleitet wird. Ist der Transistor 7 der Umschalteinrichtung 2 durchgesteuert, so ist der Leistungsschalttransistor 3 gesperrt, der lastabhängige Kollektorstrom iL (<) hört auf zu fließen, wodurch die variable Stromquelle 1 kein Ausgangssignal iQ mehr liefert. Der Minimalstrom I0 wird über den Transistor 7 nach Masse abgeleitet.If the transistor 7 is turned off, a relatively small current I 0 flows through the resistor 1.3 into the base of the power switching transistor 3 and opens it. The now increasing collector current i L It) flows through the primary winding 4.1 of the current transformer 4, is transformed to the secondary side 4.2 and generates a voltage proportional to the collector current it (t) at the resistor 5. In accordance with this voltage, the variable current source 1 supplies an output signal Iq, which is conducted into the base of the power switching transistor 3. If the transistor 7 of the switching device 2 is turned on, then the power switching transistor 3 is blocked, the load-dependent collector current i L (<) stops flowing, whereby the variable current source 1 no more output signal i Q delivers. The minimum current I 0 is derived via the transistor 7 to ground.
Die Beeinflussung der variablen Stromquelle 1 durch den Stromwandler 4 über den Parallelwiderstand 5 gewährleistet eine optimale Anpassung des Basisstromes des Leistungsschalttransisiors 3 an seinen Kollektorstrom unter Berücksichtigung unterschiedlicher Lastfälle, wodurch es zur Vermeidung von überflüssigen Treiberverlusten kommt.The influencing of the variable current source 1 by the current transformer 4 via the parallel resistor 5 ensures optimum adaptation of the base current of the Leistungsschalttransisiors 3 to its collector current, taking into account different load cases, which is to avoid unnecessary driver losses.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DD32672889A DD280642A1 (en) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CONTROLLING CIRCUIT BREAK TRANSISTORS |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DD32672889A DD280642A1 (en) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CONTROLLING CIRCUIT BREAK TRANSISTORS |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DD280642A1 true DD280642A1 (en) | 1990-07-11 |
Family
ID=5607828
Family Applications (1)
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DD32672889A DD280642A1 (en) | 1989-03-20 | 1989-03-20 | CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CONTROLLING CIRCUIT BREAK TRANSISTORS |
Country Status (1)
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DD (1) | DD280642A1 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0554883A2 (en) * | 1992-02-07 | 1993-08-11 | Deutsche Thomson-Brandt GmbH | Power transistor drive circuit |
DE10303435A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-10-14 | Infineon Technologies Ag | Method for energising semiconductor switch in switching converter, e.g. power MOSFET in bulk converter, with load path of switch in series to energy storage element in converter, providing output voltage from input voltage |
-
1989
- 1989-03-20 DD DD32672889A patent/DD280642A1/en not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
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EP0554883A2 (en) * | 1992-02-07 | 1993-08-11 | Deutsche Thomson-Brandt GmbH | Power transistor drive circuit |
EP0554883A3 (en) * | 1992-02-07 | 1994-03-30 | Thomson Brandt Gmbh | |
DE10303435A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-10-14 | Infineon Technologies Ag | Method for energising semiconductor switch in switching converter, e.g. power MOSFET in bulk converter, with load path of switch in series to energy storage element in converter, providing output voltage from input voltage |
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