DD241175A1 - METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT GUIDES FOR ELECTROLUMINESCENCE DISPLAYS - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung transparenter Leiterbahnen fuer Elektrolumineszenzdisplays (ELD), das den Aufbau der Displays in einem durchgaengigen Vakuumzyklus ermoeglicht und bei duennen Schichten Anwendung findet. Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zu entwickeln, das den Aufbau der Displays in einem durchgaengigen Vakuumzyklus ermoeglicht. Erfindungsgemaess wird die Aufgabe dadurch geloest, dass das Material fuer die transparenten Leiterbahnen grossflaechig auf dem Substrat abgeschieden wird, danach eine Maske moeglichst direkt vor dem Substrat aber ohne direkten Kontakt angebracht und vor dieser eine zweite positioniert wird. Auf den vorgesehenen Stellen des Substrates wird ein fuer die Kontaktierung geeignetes Material abgeschieden und die zweite Maske wird gegen eine dritte ausgetauscht. Nachdem die Haftmarke fuer das Ionenstrahlaetzen aufgedampft wird, werden alle Masken entfernt, und es erfolgt eine Strukturierung der leitfaehigen Schicht durch Ionenstrahlaetzen.The invention relates to a method for producing transparent printed conductors for electroluminescent displays (ELD), which enables the construction of the displays in a continuous vacuum cycle and is used in thin layers. The aim of the invention is to develop a method that allows the construction of the displays in a durchgaengigen vacuum cycle. According to the invention, the object is achieved in that the material for the transparent interconnects is deposited on the substrate in a large area, after which a mask is applied directly in front of the substrate but without direct contact and a second is positioned in front of it. On the intended locations of the substrate, a suitable material for contacting is deposited and the second mask is replaced with a third. After the adhesion mark for the ion beam etching is evaporated, all masks are removed, and there is a structuring of the conductive layer by ion beam etching.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung transparenter Leiterbahnen für Elektrolumineszenzdisplays (ELD), das den Aufbau der Displays in einem durchgängigen Vakuumzyklus ermöglicht, und bei dünnen Schichten angewendet wird, die mittels Vakuumbeschichtungsverfahren, wie Aufdampfen, Sputtern oder CVD abgeschieden werden und bei deren Abscheidung aus material- und/oder verfahrensspezifischen Gründen der Einsatz der Wechselmaskentechnik nicht möglich ist.The invention relates to a method for producing transparent tracks for electroluminescent displays (ELD), which allows the construction of the displays in a continuous vacuum cycle, and is applied to thin layers, which are deposited by means of vacuum deposition methods, such as vapor deposition, sputtering or CVD and their deposition Material- and / or process-specific reasons, the use of the change mask technology is not possible.
Transparente Leiterbahnen für ELD's bestehen in der Mehrzahl aus einem Gemisch von In2O3 und SnO2 (ITO), das als dünne Schicht mit Hilfe von Vakuumbeschichtungsverfahren wie Aufdampfen, Sputtern oder CVD abgeschieden wird. Sie haben bei Matrixdisplays eine Breite von 100 bis einigen 100/xm und eine Länge bis zu einigen 100 mm. Ihre Enden müssen beispielsweise durch Vernickeln so vorbereitet sein, daß eine dauerhafte niederohmige Kontaktierung lösbar oder unlösbar möglich wird. Zur Vermeidung von Feldstärkespitzen im Bauelement dürfen die Leiterbahnen über keine scharfen Kanten verfügen. Bei Verwendung alkalihaltiger Gläser erfordert die Stabilität des Bauelementes den Einsatz geeigneter Zwischenschichten, die Leiterbahn und Glas voneinander trennen und zusätzliche Anforderungen an die Strukturierungsverfahren der Leiterbahnen stellen.Transparent interconnects for ELDs consist in the majority of a mixture of In 2 O 3 and SnO 2 (ITO), which is deposited as a thin layer by means of vacuum coating methods such as vapor deposition, sputtering or CVD. For matrix displays they have a width of 100 to a few 100 / xm and a length of up to several 100 mm. Their ends must be prepared, for example, by nickel plating so that a permanent low-resistance contact is solvable or insoluble possible. To avoid field strength peaks in the component, the conductor tracks must have no sharp edges. When using alkaline glasses, the stability of the component requires the use of suitable intermediate layers which separate the conductor track and the glass from each other and make additional demands on the structuring methods of the conductor tracks.
Zur Strukturierung von ITO-Schichten für ELD's sind verschiedene chemigrafische Verfahren bekannt. Dazu gehören die konventionellen Verfahren, die eine Haftmaske aus fotolitografisch strukturiertem Lack zur Gewährleistung eines selektiven chemischen Ätzangriffes nutzen, bei denen die Haftmaske durch Siebdruck aufgetragen wird und bei denen wie in der DE-OS 2929589 das Ätzmittel selektiv durch Siebdruck aufgetragen wird.For structuring ITO layers for ELDs various chemigrafische methods are known. These include the conventional methods which use a photomultographic photoresist patterned lacquer to ensure a selective chemical etch attack in which the adhesive mask is applied by screen printing and where, as in DE-OS 2929589, the etchant is selectively applied by screen printing.
Diesen Verfahren ist der Nachteil gemeinsam, daß ihre Anwendung die Herstellung des kompletten ELD's in einem durchgängigen Vakuumzyklus ausschließt, der bezüglich der Reinhaltung der Oberflächen, der Anzahl der Verfahrensschritte und des Platzbedarfs der Anlagen Vorteile bietet.These methods have the common drawback that their use precludes the production of the complete ELD in a continuous vacuum cycle, which offers advantages in terms of surface cleanliness, the number of process steps and the space requirements of the systems.
Daneben ist es schwierig, Ätzmittel zu finden, die gegenüber allen beteiligten Materialien, ITO, Ni an den Leiterbahnenden, AI2O3 (T. SUNTOLA, Displays 84 p. 73—78) als Alkalibarriere unter dem ITO die notwendigen chemischen Eigenschaften besitzen. Das in DE-OS 2929589 angegebene Ätzmittel H3PO4 greift beispielsweise das AI2O3 der Unterlegung an, die zur Strukturierung des Ni geeignete HCI löst das darunterliegende ITO. Wie aus der DE-OS 3133853 hervorgeht, stellt die Herstellung runder Kanten zusätzliche Anforderungen an die verwendeten Ätzmittel. Um der Unterbrechung von Vakuumzyklen aus dem Wege zu gehen, werden auch die nicht zu beschichtenden Bereiche mittels Wechselmasken abgedeckt. Wenn dies gelingt, läßt sich gleichzeitig der Vorteil des Entstehens runder Kanten nutzen. Beim Aufdampfen von ITO-Schichten stößt die Wechselmaskentechnik auf Grenzen, da die Abscheidung bei hohen Sauerstoffpartialdrücken oberhalb 4 χ 10"4 Torr und Substrattemperaturen über 1500C notwendig ist, was selbst bei geringen Abständen zwischen Maske und Substrat infolge von Streuung und Oberflächendiffusion eine Trennung benachbarter Leiterbahnen bei Abständen von ca. ΙΟΟμ,ηι unmöglich macht.In addition, it is difficult to find etchants which have the necessary chemical properties as an alkali barrier under the ITO compared to all the materials involved, ITO, Ni at the conductor ends, Al 2 O 3 (T.SUNTOLA, displays 84 p 73-78). The etchant H 3 PO 4 specified in DE-OS 2929589 attacks, for example, the Al 2 O 3 of the backing, the HCI suitable for structuring the Ni dissolves the underlying ITO. As is apparent from DE-OS 3133853, the production of round edges makes additional demands on the etchant used. In order to avoid the interruption of vacuum cycles, the non-coated areas are covered by change masks. If this succeeds, the advantage of creating round edges can be used at the same time. When vapor deposition of ITO layers, the alternating mask technique encounters limits, since the deposition at high oxygen partial pressures above 4 χ 10 " 4 Torr and substrate temperatures above 150 0 C is necessary, which even with small distances between the mask and substrate due to scattering and surface diffusion separation neighboring tracks at intervals of about ΙΟΟμ, ηι impossible.
Die Verwendung magnetisch angehefteter Wechselmasken führt neben technischen Problemen bei der Substratheizung und dem verwerfungsfreien Anpassen der Masken vor allem zu mikroskopischen Beschädigungen der Substratoberfläche, die die Abscheidungsbedingungen für die Folgeschichten verändern, was im Bauelement Feldinhomogenitäten und damit letztlich Stabilitätsverlust zur Folge hat.The use of magnetically attached change masks leads in addition to technical problems in the substrate heating and the warp-free adjustment of the masks especially to microscopic damage to the substrate surface, which change the deposition conditions for the subsequent histories, which in the device field inhomogeneities and thus ultimately loss of stability.
Ziel der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung transparenter Leiterbahnen für Elektrolumineszenzdisplays zu entwickeln, das den Aufbau der Displays in einem durchgängigen Vakuumzyklus ermöglicht, keine zusätzlichen Anforderungen an die Unterlage der Leiterbahnen stellt sowie die Möglichkeit bietet, die Leiterbahnenden durch Einsatz geeigneter Materialien für die Kontaktierung vorzubereiten, runde Kanten zu erzeugen und für die Nachfolgebeschichtungen güngstige Aüfwachsbedingungen zu schaffen.The aim of the invention is to develop a method for producing transparent interconnects for electroluminescent displays, which allows the structure of the displays in a continuous vacuum cycle, no additional requirements placed on the base of the tracks and offers the possibility of the conductor ends by using suitable materials for the Prepare contacting, create round edges and to create favorable Aüfwachsbedingungen for the successor coatings.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung transparenter Leiterbahnen für Elektrolumineszenzdisplays zu schaffen, das den Einsatz der Masken während der Beschichtung, bei der die störenden Faktoren Streuung und Re-Verdampfung prinzipiell nicht zu vermeiden sind, ermöglicht.The invention has for its object to provide a method for producing transparent interconnects for electroluminescent displays, which allows the use of the masks during the coating, in which the disturbing factors scattering and re-evaporation are in principle unavoidable.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß das Material für die transparenten Leiterbahnen großflächig auf dem Substrat abgeschieden wird.According to the invention the object is achieved in that the material for the transparent interconnects is deposited over a large area on the substrate.
Danach wird eine Maske mit Öffnungen, deren Größe und Anordnung den geplanten Leiterbahnen entspricht, zwischen die beschichtete Seite des Substrates und einem Verdampfer möglichst dicht an das Substrat aber ohne direkten Kontakt zu diesem gebracht und in dieser Stellung fixiert. Anschließend wird vor dieser Maske eine zweite Maske positioniert, die lediglich die künftigen Kontaktbereiche freiläßt.Thereafter, a mask with openings whose size and arrangement corresponds to the planned conductor tracks, between the coated side of the substrate and an evaporator as close as possible to the substrate but brought without direct contact to this and fixed in this position. Subsequently, a second mask is positioned in front of this mask, leaving only the future contact areas free.
Im genannten Verdampfer wird das Material für die Kontaktbereiche der Leiterbahnen verdampft und durch die beiden Masken gemeinsamen Öffnungen im künftigen Kontaktbereich auf den für die Leiterbahnenden vorgesehenen Stellen auf dem Substrat abgeschieden. Dabei muß die Schichtdicke so gewählt werden, daß nach einem im weiteren Verlauf durchzuführendem lonenstrahlätzen noch soviel Material übrigbleibt, daß die Leiterbahnenden ihre Funktion bei der Kontaktierung des Bauelementes erfüllen können.In the said evaporator, the material for the contact regions of the conductor tracks is vaporized and separated by the two masks common openings in the future contact area on the intended locations for the conductor track locations on the substrate. In this case, the layer thickness must be chosen so that after an ion beam etching to be carried out in the further course, so much material remains that the conductor ends can fulfill their function in contacting the component.
Die zweite Maske, die lediglich die künftigen Kontaktbereichefreiläßt, wird danach gegen eine dritte Maske ausgetauscht, deren Öffnung den übrigen Bereich der ersten Maske und einen daran angrenzenden schmalen Streifen des Kontaktbereiches freigibt.The second mask, which leaves only the future contact areas open, is then exchanged for a third mask, the opening of which releases the remaining area of the first mask and a narrow strip of the contact area adjacent thereto.
Gleichzeitig wird durch Tiegelwechsel oder ähnliche geeignete Maßnahmen das Material im Verdampfer gegen ein zweites ausgetauscht, das zur Schaffung einer Haftmaske für das lonenstrahlätzen geeignet ist. Der Materialwechsel muß dabei so erfolgen, daß die dampfabgebende Oberfläche ihre Lage beibehält. Anschließend erfolgt die Abscheidung des Materials für die Haftmaske zum lonenstrahlätzen auf alle Stellen des Substrates, auf denen später Leiterbahnen sitzen sollen sowie auf die daran angrenzenden ebenfalls von den Masken noch freigelassenen Stellen der Kontaktbereiche.At the same time, the material in the evaporator is exchanged for a second one by crucible change or similar suitable measures, which material is suitable for creating an adhesive mask for ion beam etching. The change of material must be done so that the vapor-emitting surface retains its position. Subsequently, the deposition of the material for the adhesive mask for ion beam etching takes place on all points of the substrate on which later conductor tracks are to sit as well as on the adjoining areas of the contact areas still left free by the masks.
Alle Masken werden dann entfernt und die beschichtete Seite des Substrates einem großflächigem lonenbeschuß ausgesetzt.All masks are then removed and the coated side of the substrate exposed to large-area ion bombardment.
Dabei wird die Oberfläche selektiv nach den Sputterraten der verwendeten Materialien solange abgetragen, bis auf dem Substrat nur noch die getrennten Leiterbahnen vorhanden sind.In this case, the surface is removed selectively according to the sputtering rates of the materials used until only the separate conductor tracks are present on the substrate.
Die Tatsache, daß das Material für die transparenten Leiterbahnen großflächig abgeschieden wird, erlaubt es ohne Rücksicht auf Streuprozesse und Oberflächendiffusion die Abscheidungsparameter zu wählen, bei denen die günstigsten Schichteigenschaften erzielt werden.The fact that the material for the transparent interconnects is deposited over a large area makes it possible, without regard to scattering processes and surface diffusion, to select the deposition parameters at which the most favorable layer properties are achieved.
Die Trennung der Masken in eine am Substrat fixierte, mit der kompletten und in der Regel sehr feinen Leiterbahnstruktur und zwei Masken, die nur sehr grob bestimmte, sich überlappende Bereiche freilassen, bietet die Möglichkeit auch mit Maskenwechslern deren Positioniergenauigkeit viel geringer ist als die Strukturbreiten der Leiterbahnen eine exakte Abbildung der Leiterbahnstruktur zu erhalten, obwohl die Leiterbahnenden aus verschiedenen Materialien bestehen.The separation of the masks into a fixed to the substrate, with the complete and usually very fine trace structure and two masks, the only very roughly certain, overlapping areas release, offers the possibility with mask changers whose positioning accuracy is much lower than the feature widths of Conductor tracks to obtain an exact image of the conductor track structure, although the conductor ends are made of different materials.
Dadurch, daß nicht die leitende Schicht selbst, sondern eine zusätzlich, als Haftmaske beim lonenstrahlätzen dienende Schicht strukturiert wird, ist der Einsatz der Wechselmaskentechnik mit ihren Vorteilen möglich, da man für die Haftmaske ein Material wählt, dessen Abscheidung bei Bedingungen erfolgt, die für die Wechselmaskentechnik optimal sind und dessen Sputterrate wesentlich geringer ist als die der zu strukturierenden Schicht, wodurch die Dicke der Haftmaske wesentlich geringer ist als die Dicke der zu strukturierenden Schicht, was die Abbildungsgenauigkeit erhöht.The fact that not the conductive layer itself, but an additional, serving as an adhesive mask in the ion beam etching layer is structured, the use of the interchangeable mask technology with its advantages is possible, since one selects for the adhesive mask, a material whose deposition is carried out under conditions that for the Changeable mask technology are optimal and its sputtering rate is much lower than that of the layer to be structured, whereby the thickness of the adhesive mask is substantially less than the thickness of the layer to be structured, which increases the imaging accuracy.
Gelingt es ein Material zu finden, von dem Reste nach dem lonenstrahlätzen verbleiben können, sinken die Anforderungen an die Schichtdickenhomogenität der Haftmaske, da beim lonenstrahlätzen nur eine Mindestdicke nicht unterschritten werden darf.If it is possible to find a material from which residues can remain after the ion beam etching, the requirements for the layer thickness homogeneity of the adhesive mask are reduced since only a minimum thickness must not be undershot during ion beam etching.
Dies bietet die Möglichkeit, beim Bedampfen mit einem stehenden Substrat zu arbeiten, wodurch die notwendige Abbildungsgenauigkeit auch dann noch erreicht wird, wenn ein geringer Abstand zwischen Maske und Substrat bleibt. Dadurch gelingt es, mikroskopische Beschädigungen der Substratoberfläche zu vermeiden.This offers the possibility to work with a standing substrate during vapor deposition, whereby the necessary imaging accuracy is still achieved even if a small distance between mask and substrate remains. This makes it possible to avoid microscopic damage to the substrate surface.
In Verbindung mit der Wechselmaskentechnik wird die Durchgängigkeit des Vakuumzyklusses durch die Verwendung des lonenstrahlätzens als abtragendes Strukturierungsverfahren gesichert.In connection with the interchangeable mask technique, the continuity of the vacuum cycle is ensured by the use of ion beam etching as an ablative structuring method.
Dieses Verfahren überträgt die runden Kanten, die durch Einsatz der Wechselmaskentechnik an der Haftmaske vorhanden sind im Verhältnis der Sputterraten des Materials der Haftmasken und des Materials der zu strukturierenden Schicht auf die fertigen Leiterbahnen.This method transfers the round edges, which are present by the use of the interchangeable mask technique on the adhesive mask in proportion to the sputtering rates of the material of the adhesive masks and the material of the layer to be structured on the finished interconnects.
Leichte Schleier, die infolge von Oberflächendiffusion die eng benachbarten Strukturen der Haftmaske miteinander verbinden können, lassen sich durch geringfügiges Überätzen beseitigen. Da es beim lonenstrahlätzen keine Unterätzung gibt, erfüllt im Gegensatz zum chemischen Ätzen auch eine sehr dünne und damit poröse Haftmaske ihre Funktion. Ebenso ist ein Unterätzen der Leiterbahnen, das zu deren Ablösung führt, durch beschleunigten Ätzangriff der Unterlegung ausgeschlossen.Slight veils, which as a result of surface diffusion can join the closely adjacent structures of the adhesive mask, can be removed by slight overetching. Since there is no undercutting during ion beam etching, in contrast to chemical etching, a very thin and thus porous adhesive mask fulfills its function. Likewise, a Unterätzen the interconnects, which leads to their replacement, excluded by accelerated etching attack the underlay.
Da die Sputterraten, die die Ätzgeschwindigkeit beim lonenstrahlätzen bestimmen, in erster Linie von den Massezahlen der beteiligten Elemente abhängen, ist das Verfahren unempfindlich gegen die chemischen Eigenschaften der beteiligten Schichten.Since the sputtering rates that determine the etching rate during ion milling depend primarily on the mass numbers of the elements involved, the method is insensitive to the chemical properties of the layers involved.
Das bietet besonders bei der Strukturierung von ITO Vorteile, da dessen chemische Ätzbarkeit stark von den konkreten Abscheidungsbedingungen abhängt, da es von diesem Material chemisch äußerst stabile, praktisch nicht chemisch ätzbare Modifikationen gibt.This offers advantages, particularly in the structuring of ITO, since its chemical etchability depends strongly on the concrete deposition conditions, since there are chemically very stable, practically non-chemically etchable modifications of this material.
Hinsichtlich der nachgeordneten Beschichtungen ist das lonenstrahlätzen ein besonders vorteilhaftes Verfahren, da es saubere Oberflächen mit hoher Keimdichte hinterläßt, auf denen sehr gut haftende, dichte Schichten hergestellt werden können.With respect to the subjacent coatings, ion beam etching is a particularly advantageous process because it leaves clean high-germ-density surfaces on which very well-adherent, dense layers can be made.
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Das erfindungsgemäße Verfahren wird nachstehend am Beispiel der Herstellung von ITO-Leiterbahnen mit vernickelten Enden für Elektrolumineszenzdisplays näher erläutert.The process according to the invention is explained in more detail below using the example of the production of ITO printed conductors with nickel-plated ends for electroluminescent displays.
Dabei wird im ersten Schritt eine 1 800Ä dicke ITO-Schicht großflächig auf dem Substrat abgeschieden.In the first step, a 1 800 Å thick ITO layer is deposited over a large area on the substrate.
Danach wird eine Bronzemaske mit 128 jeweils 110mm langen, 450μ,ιη breiten und 175Mm voneinander entfernten parallelen Öffnungen im Abstand von etwa 0,5 mm vom Substrat zwischen dessen beschichtete Seite und einem Ni-Verdampfer angeordnet und fixiert.Thereafter, a bronze mask with 128 each 110mm long, 450μ, ιη wide and 175mm apart from each other parallel openings at a distance of about 0.5 mm from the substrate between the coated side and a Ni evaporator arranged and fixed.
Vor diese Maske wird eine zweite Maske im Abstand von etwa 10 mm positioniert, in der sich zwei 90 mm voneinander entfernte, 15mm breite, 90mm lange parallele, senkrecht zu den Öffnungen der ersten Maske stehende Durchbrüche befinden, die nur noch die Enden der Öffnungen der ersten Maske zur Bedampfung freigeben.In front of this mask a second mask is placed at a distance of about 10 mm, in which there are two 90 mm apart, 15mm wide, 90mm long parallel apertures perpendicular to the apertures of the first mask, leaving only the ends of the apertures of the first mask release first mask for vapor deposition.
Anschließend werden durch die beiden Masken gemeinsamen Öffnungen hindurch Ni auf dem Substrat abgeschieden und danach wird die zweite Maskegegen eine dritte mit einer 90 x 95 mm2 großen rechteckigen Öffnung ausgetauscht und im Verdampfer der Tiegel gewechselt, so daß jetzt AI2O3 verdampft wird.Subsequently, Ni is deposited on the substrate through the two masks through common openings, and thereafter the second mask is exchanged for a third with a 90 x 95 mm 2 rectangular opening and the crucible is changed in the evaporator, so that Al 2 O 3 is now vaporized.
Die dritte Maske ist so angeordnet, daß nach Abscheidung des AI2O3 ein Raster von 128 Streifen aus AI2O3 entsteht, die 2,5 mm überlappend auf vernickelte Enden trifft.The third mask is arranged so that after deposition of Al 2 O 3, a grid of 128 strips of Al 2 O 3 is formed, which meets 2.5 mm overlapping on nickel-plated ends.
Die Abscheidung des AI2O3 erfolgt bei einer Substrattemperatur unter 8O0C, einem Sauerstoffpartialdruckunter4 χ 10""6 Torr mit einer Rate von 4-5Ä/s. Die Schichtdicke beträgt 400Ä.The deposition of Al 2 O 3 is carried out at a substrate temperature below 8O 0 C, an oxygen partial pressureunter4 χ 10 "" 6 Torr at a rate of 4-5Ä / s. The layer thickness is 400Ä.
Nach Entfernen aller Masken wird die beschichtete Seite des Substrates bei einem Restgasdruck von 7 χ 10~6 Torr und einem Arbeitsdruck von 1,5 x 10~4Torr mit einem Ar-Ionenstrahl mit einer Energie von 60OeV bei einem Targetgesamtstrom von 20OmA beschossen und dabei abgetragen. Die Ätzzeiten liegen zwischen 3 und 4 Minuten.After removal of all the masks, the coated side of the substrate is χ at a residual gas pressure of 7 10 ~ bombarded 6 Torr and an operating pressure of 1.5 x 10 -4 Torr with an Ar ion beam having an energy of 60OeV at a target total current of 20OmA and thereby ablated. The etching times are between 3 and 4 minutes.
Dabei entsteht ein kurzschlußfreies Leiterbahnfeld, bei dem die Enden der Leiterbahnen aus Ni bestehen, und deren innere Bereiche mit AI2O3-Resten bedeckt werden.This results in a short-circuit conductor track, in which the ends of the tracks consist of Ni, and their inner areas are covered with Al 2 O 3 residues.
Anschließend erfolgt die Abscheidung von Isolatorschichten. Das auf diesem Leiterbahnfeld aufgebaute ELD zeichnet sich durch Homogenität der Leuchterscheinung im Bildpunkt und durch Stabilität aus. Es wird bei 2,5facher Schwellspannung betrieben.Subsequently, the deposition of insulator layers takes place. The ELD constructed on this trace field is characterized by homogeneity of the luminous appearance in the pixel and by stability. It is operated at 2.5 times the threshold voltage.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD28076085A DD241175A1 (en) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT GUIDES FOR ELECTROLUMINESCENCE DISPLAYS |
Applications Claiming Priority (1)
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| DD28076085A DD241175A1 (en) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT GUIDES FOR ELECTROLUMINESCENCE DISPLAYS |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD241175A1 true DD241175A1 (en) | 1986-11-26 |
Family
ID=5571386
Family Applications (1)
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| DD28076085A DD241175A1 (en) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT GUIDES FOR ELECTROLUMINESCENCE DISPLAYS |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD241175A1 (en) |
-
1985
- 1985-09-18 DD DD28076085A patent/DD241175A1/en unknown
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