DD225238A1 - DEVICE FOR MOVING THE COMBUSTION FLASH OF ELECTROMAGNETIC RADIATION - Google Patents
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Abstract
DIE ERFINDUNG BETRIFFT EINE VORRICHTUNG ZUM BEWEGEN DES BRENNFLECKS EINER ELEKTROMAGNETISCHEN STRAHLUNG, INSBESONDERE LASERSTRAHLUNG, UEBER EBENE ZU STRUKTURIERENDE ODER/UND ZU BEARBEITENDE OBJEKTOBERFLAECHEN. DIE VORRICHTUNG FINDET VORZUGSWEISE ANWENDUNG BEI DER BEARBEITUNG ELEKTRONISCHER BAUELEMENTE. DAS ZIEL DER ERFINDUNG IST ES, EINE VORRICHTUNG ANZUGEBEN, MIT DER DIE BEWEGUNG DES BRENNFLECKS EINER ELEKTROMAGNETISCHEN STRAHLUNG AUF DER OBJEKTOBERFLAECHE MIT EINER HOHEN POSITIONIERGENAUIGKEIT REALISIERT WERDEN KANN. DIE AUFGABE WIRD ERFINDUNGSGEMAESS DADURCH GELOEST, DASS DIE VON EINER STRAHLUNGSQUELLE AUSGEHENDEN GEPULSTEN ODER KONTINUIERLICHEN ELEKTROMAGNETISCHEN STRAHLEN, INSBESONDERE LASERSTRAHLEN, DURCH EIN FOKUSSIERSYSTEM LAUFEN UND AUF EINE VOR DER BRENNFLECKEBENE BEFINDLICHE, UM ZWEI ACHSEN SCHWENKBARE, FUER DIE ELEKTROMAGNETISCHE STRAHLUNG TRANSPARENTE PLANPARALLELE PLATTE TREFFEN, SO DASS DIE STRAHLEN ENTSPRECHEND DER STELLUNG DER PLATTE ABGELENKT WERDEN. DIE ERFINDERISCHE LOESUNG WIRD DURCHDIE FIGUR 1 DER BEIGEFUEGTEN ZEICHNUNGEN VERANSCHAULICHT.THE INVENTION MEANS A DEVICE FOR MOVING THE COMBUSTION FLOOD OF ELECTROMAGNETIC RADIATION, ESPECIALLY LASER RADIATION, OBJECT SURFACES TO BE STRUCTURED AND / OR PROCESSED BY LEVEL. The device is preferably used in the processing of electronic components. THE OBJECTIVE OF THE INVENTION IS TO APPLY A DEVICE WHICH CAN REALIZE THE MOVEMENT OF THE FLAMMABILITY OF AN ELECTROMAGNETIC RADIATION ON THE OBJECT SURFACE WITH A HIGH POSITIONING ACCURACY. THE TASK IS ERFINDUNGSGEMAESS THUS SOLVED THAT OF A RADIATION SOURCE OUTGOING PULSED OR CONTINUOUS ELECTROMAGNETIC RADIATION, PARTICULARLY LASER BEAMS, BY A focusing RUNNING AND ONE BEFORE FOCAL SPOT LEVEL PLACED TO TWO AXIS SWING, FOR RADIO WAVES TRANSPARENT PLAN PARALLEL PANEL MEETING, SO THE RAYS ARE DISTRACTED ACCORDING TO THE POSITION OF THE PLATE. THE INVENTIVE SOLUTION WILL BE INTRODUCED BY FIGURE 1 OF THE ATTACHED DRAWINGS.
Description
Vorrichtung zum Bewegen des Brennflecks einer elektromagnetischen StrahlungDevice for moving the focal spot of an electromagnetic radiation
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Bewegen des Brennflecks einer elektromagnetischen Strahlung, insbesondere Laserstrahlung, über eine Ebene, insbesondere eine zu strukturierende oder/und zu bearbeitende ebene Oberfläche. Der ebene Bereich, in dem der Brennfleck bewegt wird, hat dabei vorzugsweise Abmessungen in der Größenordnung elektronischer Mikrobauelemente und -hybridbaugruppen.The invention relates to a device for moving the focal spot of an electromagnetic radiation, in particular laser radiation, over a plane, in particular a flat surface to be structured and / or machined. The planar region in which the focal spot is moved preferably has dimensions on the order of electronic microcomponents and hybrid assemblies.
Vorrichtungen, mit denen Bewegungen eines Brennflecks auf der ebenen Oberfläche eines Objektes realisiert werden können, sind bekannt. Sie beruhen auf einem Mechanismus, der das zu bearbeitende Objekt mit seiner ebenen Oberfläche in der Brennfleckebene oder das den Brennfleck erzeugende System parallel zu dem zu bearbeitenden Objekt oder beides gegeneinander verschiebt. Dazu nüssen im allgemeinen vergleichsweise große Massen bewegt werden.Devices with which movements of a focal spot on the flat surface of an object can be realized are known. They are based on a mechanism that moves the object to be processed with its flat surface in the focal plane or the focal spot generating system parallel to the object to be processed or both against each other. For this purpose, in general comparatively large masses are moved.
Derartige Vorrichtungen ohne Meßsystem erreichen die bei der Herstellung von elektronischen Bauelementen nicht selten notwendigen Positioniergenauigkeiten von weniger als 1 um fertigungstechnisch bedingt nicht.Such devices without measuring system reach the necessary in the manufacture of electronic components not infrequently necessary positioning accuracies of less than 1 to manufacturing technology.
Weitere bereits bekannte Vorrichtungen arbeiten mit der Reflexion der elektromagnetischen Strahlung, insbesondere Laserstrahlung, an Metalloberflächen oder dielektrischen Schichtsystemen und vorheriger bzw. nachträglicher Fokussierung. Hier tritt bei der Reflexion an Metalloberflächen eine merkliche · Strahlungsabsorption und dadurch bei leistungsstarker Strahlung, insbesondereOther already known devices work with the reflection of electromagnetic radiation, in particular laser radiation, on metal surfaces or dielectric layer systems and prior or subsequent focusing. In the case of reflection on metal surfaces, noticeable absorption of radiation occurs, and thereby powerful radiation, in particular
Laserstrahlung, eine beträchtliche Erwärmung der reflektierenden KörperLaser radiation, a considerable heating of the reflective body
Bei der Reflexion der elektromagnetischen Strahlung an dielektrischen Schichtsystemen ist eine starke Abhängigkeit des Reflexionsvermögens vom Einfallwinkel der Strahlung zu verzeichnen. Die Bewegung des Brennflecks der elektromagnetischen Strahlung erfolgt bei Anwendung des Prinzips durch translatorische oder / und rotatorische Bewegung eines oder mehrerer Spiegel.Reflection of the electromagnetic radiation on dielectric layer systems shows a strong dependence of the reflectivity on the angle of incidence of the radiation. The movement of the focal spot of the electromagnetic radiation is carried out using the principle by translational and / or rotational movement of one or more mirrors.
Eine Strahlfokussierung vor dem Spiegelablenksystem führt zu einer merklichen Variation des Brennfleckdurchmessers und damit der Leistungsflußdichte der elektromagnetischen Strahlung, insbesondere Laserstrahlung, auf einer ebenen Objektoberfläche bei der Bewegung des Brennflecks. Erfolgt die Strahlungsfokussierung hinter dem Spiegelablenksystem, so'muß das Pokussiersystem bei Brennfleckbewegungen im allgemeinen mitbewegt werden.Beam focusing in front of the mirror deflection system leads to a noticeable variation of the focal spot diameter and thus of the power flux density of the electromagnetic radiation, in particular laser radiation, on a flat object surface during the movement of the focal spot. If the radiation focusing takes place behind the mirror deflecting system, then the pokering system must generally be moved during focal spot movements.
Andere bereits bekannte Vorrichtungen arbeiten mit für die abzulenkende elektromagnetische Strahlung, insbesondere Laserstrahlung, transparenten Festkörpern, Flüssigkeiten oder Gasen, in denen durch örtliche Dichte- und folglich auch BrechzahlSchwankungen eine Bragg-Reflexion erzeugt wird, die die Strahlungsablenkung bewirkt.Other already known devices work with for the deflected electromagnetic radiation, in particular laser radiation, transparent solids, liquids or gases, in which by local density and consequently also refractive index fluctuations, a Bragg reflection is generated, which causes the radiation deflection.
Beispiel hierfür ist ein Quarzblock, der mit einem piezoelektrischen Wandler ausgestattet ist. Entsprechend der Ansteuerung des piezoelektrischen Wandlers durch einen aufwendigen HF-Leistungsgenerator und einer Fokussierung der elektromagnetischen Strahlung ist in der Arbeitsebene eine eindimensionale Bewegung des Brennflecks möglich.An example of this is a quartz block equipped with a piezoelectric transducer. According to the control of the piezoelectric transducer by a complex RF power generator and a focusing of the electromagnetic radiation in the working plane a one-dimensional movement of the focal spot is possible.
Gekreuztes Betreiben zweier solcher Bragg-Ablenker erlaubt auch eine zweidimensionale Bewegung in der Bearbeitungsebene.Crossed operation of two such Bragg deflectors also allows two-dimensional motion in the working plane.
Weiterhin bereits bekannte Vorrichtungen stellen Kombinationen der genannten Vorrichtungen dar.Furthermore already known devices represent combinations of said devices.
Ziel der Erfindung ist es, eine Vorrichtung anzugeben, mit der sir.e Bewegung des Brennflecks einer elektromagnetischen Strahlung, insbesondere Laserstrahlung, auf einer ebenen Fläche mit einer sehr hohen Positioniergenauigkeit ermöglicht werden kann. Es sollen Positionen des Brennflecks mit weniger als 1 um Abweichung erreicht werden.The aim of the invention is to provide a device with the sir.e movement of the focal spot of an electromagnetic radiation, in particular laser radiation, can be made possible on a flat surface with a very high positioning accuracy. Positions of the focal spot with less than 1 μm deviation are to be achieved.
Unter dieser Voraussetzung können bestimmte Aufgaben, wie sie bei der Fertigung von elektronischen Bauelementen anstehen, gelöst werden. Die Vorrichtung soll eine sichere Brennfleckerzeugung und -bewegung in der Arbeitsebene bei einem maximalen Fehler von 2,5 % der Plattendicke für den bei + 45° Kippwinkel der Platte auftretenden Schnittweitenversatz ermöglichen.Under this condition certain tasks, such as those involved in the manufacture of electronic components, can be solved. The device is intended to allow safe focal spot generation and movement in the working plane with a maximum error of 2.5% of the plate thickness for the slice offset occurring at + 45 ° tilt angle of the plate.
Die Vorrichtung besteht aus bekannten optischen, elektronischen und elektrotechnisch-mechanischen Bauteilen (s. Fig. 1). Die relativ großen Massen dieser Bauteile haben erfindungsgemäß keine nachteilige Auswirkung auf die Bewegung des Brennflecks bei hoher Positioniergenauigkeit. Desweiteren waren die Strahlungsverluste, wie sie unvermeidlich sind, wenn das Prinzip der Reflexion der elektromagnetischen Strahlung zur Anwendung kommt, zu verringern.The device consists of known optical, electronic and electro-mechanical components (see Fig. 1). The relatively large masses of these components according to the invention have no adverse effect on the movement of the focal spot with high positioning accuracy. Furthermore, the radiation losses, which are unavoidable when the principle of reflection of the electromagnetic radiation is used, were to be reduced.
Damit erweitern sich die technologischen Einsatzmöglichkeiten fokussierter elektromagnetischer Strahlen durch die angegebene Vorrichtung. Die Anordnung der Bauteile der Vorrichtung ist so gestaltet, daß die Bewegung des Brennflecks über rechnergesteuerte Motore vorgenommen werden kann. Damit wird der Einsatz der Vorrichtung in der Produktion mikroelektronischer Bauelemente oder ähnlich gestalteter Objekte gewährleistet.Thus, the technological applications of focused electromagnetic radiation through the specified device expand. The arrangement of the components of the device is designed so that the movement of the focal spot can be made via computer-controlled motors. This ensures the use of the device in the production of microelectronic components or similarly designed objects.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Brennfleck einer elektromagnetischen Strahlung, insbesondere Laserstrahlung, auf der ebenen Oberfläche eines Objektes so zu positionieren und zu bewegen, daß vermittels des Brennflecks eine exakte Strukturierung oder anderweitige Bearbeitung der Oberfläche des Objektes möglich ist.The invention has for its object to position the focal spot of electromagnetic radiation, in particular laser radiation, on the flat surface of an object and to move, that by means of the focal point exact structuring or otherwise processing the surface of the object is possible.
Dazu ist von der Vorrichtung eine sehr hohe Genauigkeit der Positionierung des Brennflecks, eine sichere Brennfleckerzeugung und -bewegung, eine geringe Strahlungsabsorption, eine sehr geringe Defokussierung des Brennflecks bei seiner Bewegung in der Arbeitsebene, keine Abhängigkeit der Ausgangsleistung vom Strahlversatz, eine optimale Anpassung der Fläche der Arbeitsebene an das zu bearbeitende Objekt sowie durch eine rechnergesteuerte Bewegung des Brennflecks der Einsatz in der Produktion mikroelektronischer oder ähnlicher Bauelemente zu gewährleisten.For this purpose, from the device is a very high accuracy of the positioning of the focal spot, safe focal spot generation and movement, low radiation absorption, a very small defocusing of the focal spot in its movement in the working plane, no dependence of the output of the beam offset, an optimal adjustment of the area To ensure the working level of the object to be processed and by a computer-controlled movement of the focal spot, the use in the production of microelectronic or similar components.
Vorrichtungen, welche derartige Anforderungen in ihrer Gesamtheit erfüllen, sind nicht bekannt.Devices which meet such requirements in their entirety are not known.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Strahlungsquelle gerichtete, überwiegend parallele, Strahlen 1 aussendet, welche nach Durchgang durch ein optisches System in einem Brennfleck auf einer ebenen Oberfläche eines Objektes 2 zusammentreffen, wobei die Strahlungsquelle, das optische System und das Objekt zeitweise unverrückbar genau fixiert werden können.The object is achieved in that the radiation source directed, predominantly parallel, rays 1 emits, which meet after passing through an optical system in a focal spot on a flat surface of an object 2, wherein the radiation source, the optical system and the object temporarily immovable can be fixed exactly.
Die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung kann zum Schutz vor Umgebungseinflüssen und zur Vermeidung von Arbeitsunfällen mit einer für die Strahlung undurchlässigen, stabilen Haube abgedeckt werden, die aber das ungehinderte Wechseln der zu bearbeitenden Objekte und den Eintritt der von der Strahlungsquelle kommenden Strahlen in die Vorrichtung gestattet (Haube in Fig. 1 nicht dargestellt).The device shown in Fig. 1 can be covered to protect against environmental influences and to avoid accidents at work with a radiation-impermeable, stable hood, but the unimpeded change of objects to be processed and the entry of the radiation source coming rays into the device permitted (hood in Fig. 1 not shown).
Die Vorrichtung besitzt erfindungsgemäß ein auf einer Halterung 3 befindliches Fokussiersystem 4 in der optischen Achse 5, entlang der die Strahlung einfällt, und eine dahinterbefindliche, über die Motore 6 und 7 sowie die Schneckentriebe 8 und 9 um zwei senkrecht aufeinanderstellende Achsen 10 und 11 drehbare planparallele Platte 12.According to the invention, the device has a focusing system 4 located on a holder 3 in the optical axis 5, along which the radiation is incident, and a plane-parallel about the motors 6 and 7 and the worm gears 8 and 9 about two axes 10 and 11 perpendicular to each other Plate 12.
Die Objektoberfläche 2 wird durch eine Aufnahme 13 in der Arbeitsebene, in der der Brennfleck bewegt wird, gehalten. Über Kabel 14 werden die Motore 6 und 7 durch eine von einem Prozeßrechner 15 angesteuerte Motorverstelleinheit 16 definiert bewegt. Der Abstand zwischen Fokussiersystem 4 und Objektoberfläche 2 beträgt ca. 100 mm.The object surface 2 is held by a receptacle 13 in the working plane in which the focal spot is moved. Via cables 14, the motors 6 and 7 are defined by a controlled by a process computer 15 Motorverstelleinheit 16 moves. The distance between the focusing system 4 and the object surface 2 is approximately 100 mm.
Das Gebiet auf der Objektoberfläche 2, in dem der Brennfleck bewegt werden kann, beträgt bei einem Brechungsindex der planparallelen Platte 12 von η = 1,5 und einer Plattendicke von d = 20 mm wenigstens 11 mm χ 11 mm. Durch die Wahl der Plattendicke läßt sich die Größe der Fläche, in der der Brennfleck der elektromagnetischen Strahlung, insbesondere Laserstrahlung, in der Arbeitsebene bewegt werden kann, optimal an das zu bearbeitende Objekt anpassen, wodurch die Positioniergenauigkeit steigt und die Rate für die Bewegung des Brennflecks auf einen Wert von ca. 0,005 Plattendicke /1° gehalten wird.The area on the object surface 2 in which the focal spot can be moved is at least 11 mm χ 11 mm at a refractive index of the plane-parallel plate 12 of η = 1.5 and a plate thickness of d = 20 mm. By choosing the plate thickness, the size of the area in which the focal spot of the electromagnetic radiation, in particular laser radiation, can be moved in the working plane, optimally adapted to the object to be processed, whereby the positioning accuracy increases and the rate of movement of the focal spot is held at a value of about 0.005 plate thickness / 1 °.
Die Funktion der beschriebenen Vorrichtung wird anhand der vereinfachten Darstellung in Fig. 2 beschrieben.The function of the device described will be described with reference to the simplified representation in FIG.
Die von einer fest zur Objektoberfläche 2 stehende Strahlungsquelle ausgehende gerichtete, überwiegend parallele, Strahlen 1, insbesondere Laserstrahlen, treffen nach Passieren des Fokussiersystems 3 als konvergentes Strahlenbündel 17 eine planparallele Platte 12 der Dicke d, die im Falle der Platten-The directed, predominantly parallel, beams 1, in particular laser beams, emitted by a radiation source fixed to the object surface 2 strike, after passing through the focusing system 3 as a convergent beam 17, a plane-parallel plate 12 of thickness d, which in the case of the plate
grundstellung 18 (senkrechte Inzidenz) lediglich eine Verschiebung des Brennpunktes 19 ohne Platte entlang der optischen Achse 5 in den Brennpunkt 20 mit Platte bewirkt.basic position 18 (vertical incidence) causes only a shift of the focal point 19 without a plate along the optical axis 5 in the focal point 20 with plate.
Die Drehung der planparallelen Platte 12 mit der Dicke d und dem Brechungsindex η um eine Achse mit dem Winkel ψ bewirkt eine Bewegung des Brennfleckes in der Arbeitsebene entsprechend der GleichungThe rotation of the plane-parallel plate 12 with the thickness d and the refractive index η about an axis with the angle ψ causes a movement of the focal spot in the working plane according to the equation
χ = d .χ = d.
1 -1 -
cos f cos f
-/n2 - sin2 ψ - / n 2 - sin 2 ψ
. sin f , , sin f,
deren Graph für einen Brechungsindex von η = 1,5 in Fig. 3 dargestellt ist.whose graph is shown for a refractive index of η = 1.5 in FIG.
Ist, wie in Fig. 1 dargestellt, eine -Drehung der planparallelen Platte 12 um zwei senkrecht aufeinanderstellende Achsen 10 und 11 vermittels einer ' kardanischen Aufhängung möglich, so ist die Bewegung des Brennflecks 21 (Fig. 2) über eine Fläche möglich.If, as shown in Fig. 1, a rotation of the plane-parallel plate 12 about two mutually perpendicular axes 10 and 11 by means of a 'gimbal suspension possible, the movement of the focal spot 21 (Fig. 2) over a surface is possible.
Bei einem Kippwinkelbereich von /Ψ/, /ψ/ i + 45 ' tritt ein Schnittweitenversatz von weniger als 2,5 % der Plattendicke und bei /Ψ/, /Ψ/ § + 40 ° ein Schnittweitenversatz von weniger als 1,4 % der Plattendicke auf.With a tilt angle range of / Ψ /, / ψ / i + 45 ', a slice offset of less than 2.5 % of the plate thickness occurs and at / Ψ /, / Ψ / § + 40 ° a slice offset of less than 1.4% of the Plate thickness.
Erfindungsgemäß wird durch einen Prozeßrechner über Motore die Plattenbewegung gesteuert. Weiterhin ist es auch möglich, die Intensität der Strahlungsquelle mit dem Prozeßrechner so zu steuern, daß auch Abschwächungen oder Abschaltungen der elektromagnetischen Strahlung möglich werden.According to the invention, the plate movement is controlled by a process computer via motors. Furthermore, it is also possible to control the intensity of the radiation source with the process computer so that attenuation or shutdown of the electromagnetic radiation are possible.
Die Erfindung wird nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.The invention will be explained in more detail using an exemplary embodiment.
Als Strahlungsquelle dient ein Argon-Ionen-Laser, der gepulste elektrcraagnetische Strahlung der Wellenlänge 514,5 nm aussendet. Der durch das Fokussiersystem erzeugte Brennfleck soll auf einer Objektoberfläche mit den Abmaßen 10 mm χ 10 mm verfahren werden können, um dort z.B. gezielt thermische Effekte in begrenzten Bereichen auszulösen.The radiation source is an argon ion laser emitting pulsed electromagnetic radiation of 514.5 nm wavelength. The focal spot produced by the focusing system should be able to be moved on an object surface with the dimensions 10 mm χ 10 mm in order to be there, for example. specifically trigger thermal effects in limited areas.
Die erfindungsgemäße Anordnung muß in diesem Falle mit einer 20 mm dicken planparallelen Platte, die einen Brechungsindex von η = 1,5 besitzt, ausgestattet sein.The arrangement according to the invention must be equipped in this case with a 20 mm thick plane-parallel plate having a refractive index of η = 1.5.
Der während des Abfahrens des Gebietes mit dem Brennfleck bei Kippwinkeln von /?/, /Y/ £ + 40 β auftretende Schnittweitenversatz beträgt maximal ca. 280 μπι bei einer Brennweite des Fokussiersystems (im einfachsten Falle einer Linse) von f = 100 mm.The cutting distance offset occurring during the travel of the area with the focal spot at tilt angles of / / /, / Y / + + 40 β amounts to a maximum of approximately 280 μm at a focal length of the focusing system (in the simplest case of a lens) of f = 100 mm.
Eine weitere Anwendimg bietet die Vorrichtung in der Belichtung fotochemischer Schichten.Another application is provided by the device in the exposure of photochemical layers.
Um auf der Objektoberfläche mit dem Brennfleck eine diagonale Bahn, wie sie in Fig. 4 dargestellt ist, von ?q (-1; -1) bis P1 (1; 1) abzufahren, werden die Motore vom Prozeßrechner und der Motorverstelleinheit so angesteuert, daß sie von den maximalen Kippwinkeln - f und -Ψ ausgehendTo form on the object surface with the focal spot a diagonal path, as shown in Fig. 4, of ? q (-1; -1) to P 1 (1; 1), the motors are controlled by the process computer and the Motorverstelleinheit so that they starting from the maximum tilt angles - f and -Ψ
max maxmax. max
stetig oder schrittweise bis zu den Kippwinkeln + f und + Ψ bewegt werden, wobei ständig die Bedingung f = Ψ erfült sein muß.be moved steadily or stepwise up to the tilt angles + f and + Ψ , where constantly the condition f = Ψ must be satisfied.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD26472284A DD225238A1 (en) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | DEVICE FOR MOVING THE COMBUSTION FLASH OF ELECTROMAGNETIC RADIATION |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD26472284A DD225238A1 (en) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | DEVICE FOR MOVING THE COMBUSTION FLASH OF ELECTROMAGNETIC RADIATION |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD225238A1 true DD225238A1 (en) | 1985-07-24 |
Family
ID=5558405
Family Applications (1)
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| DD26472284A DD225238A1 (en) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | DEVICE FOR MOVING THE COMBUSTION FLASH OF ELECTROMAGNETIC RADIATION |
Country Status (1)
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|---|---|
| DD (1) | DD225238A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4127919A1 (en) * | 1990-08-24 | 1992-02-27 | Hitachi Koki Kk | Scanning light beam dia. control for laser printer - uses flat transparent filter to displace focus point of converging beam, varying effective dia. at printing plane |
-
1984
- 1984-06-29 DD DD26472284A patent/DD225238A1/en unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4127919A1 (en) * | 1990-08-24 | 1992-02-27 | Hitachi Koki Kk | Scanning light beam dia. control for laser printer - uses flat transparent filter to displace focus point of converging beam, varying effective dia. at printing plane |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| IF04 | In force in the year 2004 |
Expiry date: 20040630 |