DD152419A1 - PROCESS FOR DETECTION OF MASKED CRACKS AND PORES - Google Patents
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Abstract
Das Verfahren zum Nachweis maskierter Risse ist fuer die Qualitaetskontrolle an metallischen Veredlungsschichten geeignet. Ziel der Erfindung ist es, auch maskierte Risse und Poren mit geringem technologischem Aufwand nachweisen zu koennen. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Aussagekraft der bisher bekannten Tests zu erhoehen und auch maskierte Risse und Poren nachzuweisen. Die Erfindung wird charakterisiert durch die Durchfuehrung einer geeigneten Temperung im Diffusionsstadium A, wodurch die maskierten Risse und Poren infolge verstaerkter Diffusion von Grundmaterial an die Oberflaeche nachgewiesen werden koennen. Die Erfindung ist auf dem Gebiet der Elektrotechnik/Elektronik, speziell zur Qualitaetskontrolle und -ueberwachung bei der Fertigung elektrischer Kontaktbauelemente an wendbar.The masked crack detection method is suitable for quality control on metallic finishing layers. The aim of the invention is to be able to detect even masked cracks and pores with little technological effort. The invention has for its object to increase the validity of the previously known tests and also detected masked cracks and pores. The invention is characterized by the implementation of a suitable heat treatment in the diffusion stage A, whereby the masked cracks and pores can be detected as a result of increased diffusion of base material to the surface. The invention is applicable in the field of electrical engineering / electronics, especially for quality control and monitoring in the manufacture of electrical contact components to.
Description
Verfahren zum nachweis maskierter Risse und PorenMethod for detecting masked cracks and pores
Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Nachweis maskierter Risse und Poren, welches für die Qualitätskontrolle in der Elektrotechnik/Elektronik, speziell an Veredlungsschichten, geeignet ist.The invention relates to a method for detecting masked cracks and pores, which is suitable for quality control in electrical engineering / electronics, especially at finishing layers.
Charakteristik der bekannten technischen LösungenCharacteristic of the known technical solutions
Es sind bisher Verfahren bekannt, die den Nachweis von Rissen und Poren in Veredlungsschichten gestatten, die bis zum unedlen Grundmetall durchgehen. Mit diesen Verfahren sind jedoch maskierte Risse und Poren, die nicht bis zur Oberfläche reichen, nicht darstellbar. Maskierte Risse und Poren können sich neben den durchgehenden vor allem bezüglich der Diffusion der Grundmaterialien durch eine Deckschicht ebenfalls negativ auswirken.There are hitherto known methods that allow the detection of cracks and pores in finishing layers that go through to the base metal base. With these methods, however, masked cracks and pores that do not reach the surface can not be displayed. Masked cracks and pores in addition to the continuous, especially with respect to the diffusion of the base materials by a cover layer also have a negative effect.
Der mittels Querschlifftechnik mögliche Nachweis maskierter Risse und Poren erfordert einen hohen Arbeitsaufwand und liefert keine Aussage über eine größere Fläche.The detection of masked cracks and pores by means of cross-section technique requires a great deal of work and provides no information about a larger area.
Ziel der ErfindungObject of the invention
Das Ziel der Erfindung besteht darin, auch maskierte Risse und Poren mit geringem technologischem Aufwand nachweisen zu können.The aim of the invention is to be able to detect even masked cracks and pores with little technological effort.
Darlegung des Wesens der ErfindungExplanation of the essence of the invention
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Aussagekraft der bisher bekannten Tests zu erhöhen und auch maskierte Risse und Poren nachzuweisen.The invention has for its object to increase the validity of the previously known tests and also detected masked cracks and pores.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst, indem der nachweis in Form einer geeigneten Temperung der Proben durchgeführt wird, so daß das an maskierten Rissen und Poren verstärkt zur Oberfläche diffundierende Grundmaterial dort nachweisbar * wird.According to the invention, the object is achieved by carrying out the detection in the form of a suitable heat treatment of the samples, so that the base material which diffuses intensively on masked cracks and pores to the surface is detectable there.
Die Temperatur ist dabei so zu wählen, daß das Diffusionsstadium A vorliegt, d. h., daß die Diffusion bevorzugt über Strukturdefekte und innere Oberflächen von Rissen und Poren erfolgt.The temperature is to be chosen so that the diffusion stage A is present, d. h., Diffusion preferably occurs via structural defects and internal surfaces of cracks and pores.
Bei unmaskierten Schichten werden ebenfalls mit Hilfe dieses Verfahrens Risse und Poren dargestellt.In the case of unmasked layers, cracks and pores are also shown using this method.
Ausführungsbeispielembodiment
Die Erfindung wird an folgendem Ausführungsbeispiel näher erläutert.The invention will be explained in more detail in the following embodiment.
Eine Probe mit der Schichtfolge Cu-Pd-Au (4/um Pd, 1,5/um Au) wird bei 150 0C 260 h lang getempert und vor, während sowie nach der Temperung bei Vergrößerungen von 100 - 250 lichtmikroskopisch untersucht. Auf der Goldschicht waren vor der Temperung keine Risse erkennbar.A sample with the layer sequence Cu-Pd-Au (4 μm Pd, 1.5 μm Au) is annealed at 150 ° C. for 260 h and examined by light microscopy before, during and after annealing at magnifications of 100-250. On the gold layer, no cracks were visible before annealing.
Hach ca. 200 h erscheinen auf der Goldoberfläche Reaktionsprodukte, die auf die Reaktion des durch die Pd-Risse und die Au-Schicht diffundierten Cu mit der Umgebungsatmosphäre zurückgeführt werden können und die Lage der maskierten Risse und Poren erkennen lassen.After approximately 200 h, reaction products appear on the gold surface, which can be attributed to the reaction of the Cu diffused by the Pd cracks and the Au layer with the ambient atmosphere and reveal the position of the masked cracks and pores.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD22264380A DD152419A1 (en) | 1980-07-16 | 1980-07-16 | PROCESS FOR DETECTION OF MASKED CRACKS AND PORES |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DD22264380A DD152419A1 (en) | 1980-07-16 | 1980-07-16 | PROCESS FOR DETECTION OF MASKED CRACKS AND PORES |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD152419A1 true DD152419A1 (en) | 1981-11-25 |
Family
ID=5525338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD22264380A DD152419A1 (en) | 1980-07-16 | 1980-07-16 | PROCESS FOR DETECTION OF MASKED CRACKS AND PORES |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD152419A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993022663A1 (en) * | 1992-05-01 | 1993-11-11 | Exid, Inc. | Contactless testing of electronic materials and devices using microwave radiation |
-
1980
- 1980-07-16 DD DD22264380A patent/DD152419A1/en unknown
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993022663A1 (en) * | 1992-05-01 | 1993-11-11 | Exid, Inc. | Contactless testing of electronic materials and devices using microwave radiation |
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