DD143544A1

DD143544A1 - DRIVER TRANSFORMER FOR A TRANSISTORIZED LINE LEVEL

Info

Publication number: DD143544A1
Application number: DD21295279A
Authority: DD
Inventors: Siegfried Moschke
Original assignee: Siegfried Moschke
Priority date: 1979-05-17
Filing date: 1979-05-17
Publication date: 1980-08-27

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Treibertransformator für eine transistorisierte Zeilenablenkstufe, insbesondere für Niedervolttreiberstufen. Ziel und Aufgabe ist es, einen Treibertransformator, der geringstmöglichen Materialeinsatz und Fertigungsaufwand erfordert, zu schaffen, der als Steuermittel eine optimale Basisstromimpulsform für den -Endstufentransistor garantiert. Erreicht wird das dadurch, daß auf einem Zylinderkern die Primär- und Sekundärwicklung für den Treibertransformator derart aufgebracht sind, daß die Sekundärwicklung von der in zwei gleiche Teile aufgeteilten Primärwicklung umschlossen ist, wobei die Länge des Zylinderkernes etwa der Wicklungsbreite entspricht. Durch diesen Aufbau wird das richtige Maß an Streuinduktivität erreicht, um die gewünschte Basisstromimpulsform zu erzielen. Derartige Treibertransformatoren finden ' insbesondere in transportablen Fernsehgeräten und alphanumerischen Datensichtgeräten Anwendung. — Fig.1 —The invention relates to a driver transformer for a transistorized Zeilenablenkstufe, in particular for Low-voltage driver stages. The goal and task is to create a driver transformer, the lowest possible material usage and manufacturing effort required to create that as Control means an optimal base current pulse shape for the Final stage transistor guaranteed. This is achieved by the fact that on a cylinder core the primary and secondary winding for the Driver transformer are applied such that the secondary winding from the divided into two equal parts primary winding is enclosed, with the length of the cylinder core about the winding width corresponds. This setup will be the right one Level of leakage inductance reached to the desired base current pulse shape to achieve. Find such driver transformers especially in portable televisions and alphanumeric televisions application. - Fig.1 -

Description

Titel der ErfindungTitle of the invention

Treibertransformator für eine transistorisierte ZeilenablenkstufeDriver transformer for a transistorized Zeilenablenkstufe

Anwendungsgebiet der ErfindungField of application of the invention

Die Erfindung betrifft einen Treibertransformator für eine transistorisierte Zeilenablenkstufe, insbesondere für Niedervolttreiberstufen, in Fernsehgeräten sowie in alphanumerischen Datensichtgeräten.The invention relates to a driver transformer for a transistorized Zeilenablenkstufe, especially for low-voltage driver stages, in televisions and in alphanumeric data display devices.

Charakteristik der bekannten technischen Lösungen'Chara kteri stik of known technical solutions'

Für Treiberschaltungen sind Treibertransformatoren bekannt, die einen geschlossenen magnetischen Floß aufweisen, d. h. Übertrager die streuarm ausgebildet sind· Um bei derartigen Übertragern sekundärseitig bis zum Ende des Hinlaufs des Ablenksägezahnes einen Basisstrom zu erzeugen, der den Endstufentransistor ins Sättigungsgebiet steuert, aber auch die Ladungsträger aus der Basiszone des Transistors am Ende der Sperrflanke ausräumt j ist es erforderlich, durch zusätzliche Bauelemente die Abfallzeit zu beeinflussen. Dazu ist es bekannt, eine zusätzliche Basisdrossel (DE - AS 17 62 326) oder eine Parallelschaltung von Zenerdiode und Widerstand (Neuseeländische Patentschrift 144 016) in die Basiszuleitung einzuschalten. Gleichzeitig ist einer zu hohen Verlustleistung während der Rücklaufzeit entgegenzuwirken* Das wirdFor driver circuits, drive transformers are known which have a closed magnetic raft, i. H. Transformers which are formed by the spreader arm. In order to generate a base current in the case of such transformers on the secondary side until the end of the deflection saw tooth, which controls the final stage transistor to the saturation region, but also clears the charge carriers from the base zone of the transistor at the end of the blocking edge, it is necessary additional components to influence the fall time. For this purpose, it is known to turn on an additional base choke (DE - AS 17 62 326) or a parallel circuit of Zener diode and resistor (New Zealand Patent 144 016) in the base supply line. At the same time, a too high power loss during the return time is to be counteracted * This will

bekannterweise durch eine zweite Betriebsspannungsquelle (DE - OS 2? 56 839) erreicht.as is known, achieved by a second operating voltage source (DE-OS 2 56 839).

Des weiteren ist der Einsatz von Treibertransformatoren mit geschlossenem magnetischen Floß, d. h. mit geschlossenem Eisenkern, in Fernsehgeräten mit einer· in asymmetrischem Betrieb arbeitenden Endstufe ohne Inversbetrieb des Endstufentransistors bekannt, wobei asymmetrischer Betrieb bedeutet, die Sperrdauer des Endstu-,Furthermore, the use of closed-wave magnetic drive driver transformers, i. H. with closed iron core, known in televisions with a working in asymmetric mode power amplifier without inverse operation of the output stage transistor, where asymmetric operation means the duration of the endstu,

O fentransistors geht über die Rücklaufzeit des Ablenkstromes hinaus. Hierzu sind jedoch Endstufentransistoren großer Stromverstärkung erforderlich, außerdem muß zur Gewährleistung einer ausreichenden Betriebsspannung, die für die zu speichernde Energie erforderlich ist, die Speisung der Treiberstufe aus der Boosterspannung gewonnen werden, was sich negativ auf die Strombilanz des Gesamtgerätes auswirkt. Nachteilig bei derartigen Treibertransformatoren ist außerdem noch der Aufwand von Material und Fertigungszeit.O fentransistors goes beyond the flyback time of the deflection current. For this purpose, however, output stage transistors large current gain are required, also must be to ensure sufficient operating voltage, which is required for the energy to be stored, the power supply of the driver stage from the booster voltage, which has a negative effect on the current balance of the entire device. A disadvantage of such driver transformers is also still the cost of material and manufacturing time.

Es sind weiterhin Treibertransformatoren bekannt, die einen offenen magnetischen Fluß und damit eine hohe Streuinduktivität aufweisen (DE - OS 22 61 060). Derartige Treibertransformatoren lassen sich in Niedervolttreiberstufen nur in Verbindung mit asymmetrischen Transistoren betreiben, d. h. mit solchen Transistoren, die im sogenannten Inversbetrieb arbeiten können. Außerdem ist insbesondere bei transportablen Fernsehgeräten die zur Verfügung stehende Speisespannung fürThere are also known driver transformers having an open magnetic flux and thus a high leakage inductance (DE - OS 22 61 060). Such driver transformers can be operated in low-voltage driver stages only in conjunction with asymmetric transistors, d. H. with such transistors that can work in so-called inverse operation. In addition, especially in portable TVs, the available supply voltage for

O derartige Treiberstufen zu gering, um Endstufentransistoren mit den üblichen Stromverstärkungsfaktoren zu verwenden. Ein Anschluß der Treiberstufe an die Boosterspannung zur Erzielung einer höheren Betriebsspannung würde die Strombilanz des Gesamtgerätes erheblieh verschlechtern. Durch die hohe StreuinduktivitätO such driver stages too low to use output transistors with the usual current amplification factors. Connecting the driver stage to the booster voltage to achieve a higher operating voltage would severely degrade the current balance of the overall unit. Due to the high leakage inductance

dieses Treibertransformators ist die zur Verfügung stehende magnetische Energie geringer und steuert somit Transistoren geringer Stromverstärkung bzw* hoher Basisbahnwiderstände nicht ins Sättigungsgebiet und verursacht einen zu starken Dachabfall des. Basisstromimpuises am Ende der Hinlaufzeit. Die durch die Streuinduktivität verlängerte Sperrflanke, die Transistoren mit Inversbetrieb erforderlich machen, führt außerdem noch zu hoher tJbertragungsverlustleistung beim Anliegen des Rücklaufimpulses»This drive transformer is the available magnetic energy is lower and thus controls low current gain transistors or * high base line resistances not in the saturation region and causes excessive roof drop of the base current impulse at the end of Hinlaufzeit. The extended by the leakage inductance blocking edge, the transistors require inverse operation, also still leads to high tjbertragungsverlustleistung when applying the flyback pulse ».

Ziel der ErfindungObject of the invention

Ziel der Erfindung ist es, einen Treibertransformator zu finden, der bei geringstmoglichem Materialeinsatz und Eertigungsaufwand die elektrischen !Forderungen, insbesondere beim Einsatz in Niedervolttreiberstufen, ohne zusätzliche Bauelemente erfüllt.The aim of the invention is to find a driver transformer, which meets the electrical! Requirements, especially when used in low-voltage driver stages, without additional components with the least possible use of material and Eertigungsaufwand.

'° -Derlegung des Wesens der Erfindung'- Disruption of the essence of the invention

Der Erfindung liegt damit die Aufgabe zugrunde, einen Treibertransformator so zu gestalten, daß der Kopplungsgrad bzw. die Streuinduktivität solche Werte aufweist, daß beim Einsatz eines Endstufentransistors niedrigen Stromverstärkungsfaktors und ohne Inversbetrieb des Endstufentransistors sowie bei Speisung der Treiberstufe aus einer niedrigen, für Batteriebetrieb üblichen, Betriebsspannung die gewünschte Basisstromform mit geringem Dachabfall am Hinlaufende sowie Durchsteuerung_? vorzugsweise im tibernahmegebiet Paralleldiode-Transistor in der ersten Hinlaufhälfte und optimale Sperrflanke hinsichtlich Speicherzeit und Verlustleistung des Endstufentransistors erreicht wird«, -The invention is therefore based on the object to design a driver transformer so that the degree of coupling or the leakage inductance has such values that when using a power amplifier amplifier output stage and without inverse operation of the output stage transistor and when powering the driver stage from a low, usual for battery operation, Operating voltage the desired base current shape with low roof waste at the end of the trace and control _? Preferably in the tibernahmegebiet parallel diode transistor in the first Hinlaufhälfte and optimum blocking edge in terms of storage time and power dissipation of the output stage transistor is achieved «, -

-4 - ZI Z-4 - ZI Z

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß auf einem Zylinderkern die Primär- und Sekundärwicklung für einen Treibertransformator derart aufgebracht sind, daß die Sekundärwicklung von der in zwei gleiche Teile aufgeteilten Primärwicklung umschlossen ist, wobei die Lange des Zylinderkerns etwa der Wicklungsbreite entspricht. Es ist vorteilhaft, das Übersetzungsverhältnis zwischen Primär- und Sekundärwicklung etwa mit 5 ' 1 zu wählen und alle Wicklungen ohne Wicklungs-According to the invention the object is achieved in that on a cylinder core, the primary and secondary windings are applied for a driver transformer such that the secondary winding is enclosed by the divided into two equal parts primary winding, wherein the length of the cylinder core corresponds approximately to the winding width. It is advantageous to choose the transmission ratio between the primary and secondary windings with approximately 5 ' 1 and all windings without windings.

• . und Lagenisolation zu wickeln. Durch diesen Aufbau des Treibertransformators wird das richtige Maß der Streuinduktivität erreicht,um eine Basisstromimpulsform zu erzielen, die dadurch gekennzeichnet ist, das der Hinlaufanteil durch eine maximale Sättigungssteuerung und•. and layer insulation to wrap. By this structure of the drive transformer, the correct amount of the leakage inductance is achieved to obtain a base current pulse shape characterized in that the trace component is controlled by a maximum saturation control and

> " bei verkürzter Sperrzeit, trotzdem eine verkürzte Erholzeit des Endstufentransistors garantiert.> "with reduced blocking time, nevertheless a shortened recovery time of the output stage transistor guaranteed.

embodiment

) Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel naher erläutert werden. Die.zugehörigen . Zeichnungen zeigen:The invention will be explained in more detail below using an exemplary embodiment. The.related. Drawings show:

Fig. 1: erfindungsgemäßer Treibertransformator in schein matischer SchnittdarstellungFig. 1: inventive driver transformer in apparent matic sectional view

I?ig. 2; Schaltbild einer Horizontal-Ablenkstufe mit erfindungsgemäßem TreibertransformatorI? Ig. 2; Schematic diagram of a horizontal deflection stage with inventive driver transformer

Pig. 3: Kurvenverlauf des Horizontal-Rücklaufimpulses Fig. 4: Kurvenverlauf der BasisspannungPig. 3: Curve profile of the horizontal flyback pulse FIG. 4: Curve curve of the base voltage

Fig. ü>: Kurvenverlauf des Basisstromes .· Fig. 6: Kurvenverlauf des AblenkstromesFig. 6: Curve course of the base current. Fig. 6: Curve shape of the deflection current

Auf einem Zylinderkern 1 ist als erstes die erste Teil-Wicklung 2 der in zwei gleiche Teile aufgeteilten Primär?;icklung, darauf die Sekundärwicklung 3 und als letztes die zweite Teilwicklung 4 der-Primärwicklung gewickelt. Die Länge des Zylinderkernes 1 entspricht dabei etwa der Breite der Wicklungen 2, 3» 4. Alle Wicklungen sind ohne Wicklungs- und Lagenisolation ausgeführt.On a cylinder core 1, the first partial winding 2 of the primary winding divided into two equal parts is wound first, then the secondary winding 3 and, last, the second partial winding 4 of the primary winding. The length of the cylinder core 1 corresponds approximately to the width of the windings 2, 3 »4. All windings are designed without winding and layer insulation.

Der Treibertransformator ist in der Treiberstufe bzw. Horizontal-Ablenkstufe so eingeschaltet, daß die Sekundärwicklung 3 an den Basis-Emitterübergang des Endstufentransistors 5 direkt angekoppelt ist, während die Primärwicklung 2_$ 4 zwischen der Speisespannung TL· und dem Kollektor des Treibertransistors 6 liegt. DieThe driver transformer is switched on in the driver stage or horizontal deflection stage so that the secondary winding 3 is directly coupled to the base-emitter junction of the output stage transistor 5, while the primary winding 2 _$ 4 between the supply voltage TL · and the collector of the driver transistor 6 is located. The

Primärwicklung 2, 4 des Treibertransformators ist durch ein Bedämpfungsglied, bestehend aus der Reihenschaltung eines Widerstandes 8 und eines Kondensators 9» überbrückt. Der Basis des Treibertransistors 6 wird ein O Schaltsignal zugeführt, das über den Treibertransformator den Endstufentransistor 5 sperrt und entsperrt. In der hier angeführten Horizontal-Ablenkstufe mit einem Medervolt-Schalttransistor als Treibertransistor 6 ist die Emitter-Kollektorstrecke des Endstufentransistors ,5 mit einer Paralleldiode 7 überbrückt.Primary winding 2, 4 of the driver transformer is bridged by a attenuator, consisting of the series connection of a resistor 8 and a capacitor 9 ». The base of the driver transistor 6 is supplied with an O switching signal which blocks and unlocks the output stage transistor 5 via the driver transformer. In the horizontal deflection stage mentioned here with a Medervolt switching transistor as driver transistor 6, the emitter-collector path of the output stage transistor 5 is bridged with a parallel diode 7.

Die Anschaltung bzw. Ansteuerung der Horizontal-Ablenkstufe erfolgt so, daß die Treiberstufe als Sperrtreiber arbeitet« Da die gespeicherte Energie im Treibertransformator den Endstufentransistor 5 auch bei höherer Transistor-Sperrschichttemperatur durchsteuern muß, ist ein relativ hoher Kopplungsfaktor erforderlich, der durch den erfindungsgemaßen Aufbau des Treibertransformators realisiert wird. Die oben beschriebene Ansteue-The connection or control of the horizontal deflection stage is such that the driver stage operates as a blocking driver. Since the stored energy in the driver transformer must drive through the output stage transistor 5 even at a higher transistor junction temperature, a relatively high coupling factor is required Driver transformer is realized. The above described

rungsmethode ist erforderlich, da das Einschalten des Treibertransistors 6 wesentlich exakter erfolgen muß als sein Ausschalten, damit der Einfluß der Schaltverzögerung in der Treiberstufe auf den Endstufentransistor 5 vermieden wird. Weiterhin wird im Zeitpunkt der hohen Spannungsbeanspruchung des Endstufentransistors 5 eier Treibertransist.or 6 leitend, d. h., die Basis-Emitter-Strecke ist niederohmig abgeschlossen. Das bedeutet im vorliegenden Beispiel, daß 3 /is vor dem Hinlaufende der Treibertransistor 6 leitend geschaltet wird. Der leitend geschaltete Kollektorstrom im Treibertransistor 6 erzeugt in der Sekundärwicklung 3 des Treibertransformators das negative Sperrsignal im Zeitraum t^ - t^, (Pig. 5) für den Endstufentransistor 5· Das Sperrsignal im Zeitraum t~ - t^,· besitzt eine solche Amplitude ins negative Gebiet, damit die gespeicherten Ladungsträger restlos ausgeräumt werden. Dieser Zeitraum t~ - tn ist die Speicherzeit, die keinen Einfluß auf den Kollektorstrom I des Endstufen-Method is required because the switching on of the driver transistor 6 must be much more accurate than its turn off, so that the influence of the switching delay in the driver stage is avoided on the output stage transistor 5. Furthermore, at the time of the high voltage stress of the output stage transistor 5, the driver transistor 6 becomes conductive, i. h., the base-emitter path is completed low impedance. This means in the present example that 3 / is switched before the leading end of the driver transistor 6 is turned on. The switched collector current in the driver transistor 6 generates in the secondary winding 3 of the driver transformer, the negative blocking signal in the period t ^ - t ^, (Pig 5) for the output stage transistor 5 · The blocking signal in the period t ~ - t ^, · has such an amplitude into the negative area, so that the stored charge carriers are completely eliminated. This period t ~ - tn is the storage time, which has no influence on the collector current I of the final stage

transistor 5 hat. Der Endstufentransistor 5 ist dann nach kurzer Schaltzeit (0,5 /as) nach dem Zeitpunkt t^, nicht leitend. Dadurch trägt der Kollektorstrom I nurtransistor 5 has. The output stage transistor 5 is then after a short switching time (0.5 / as) after the time t ^, non-conductive. As a result, the collector current I carries only

während dieser Zeit zum Abschaltverlustleistungsimpuls bei. 'Der Verlauf des Ansteuerimpulses am Endstufentransistor 5 Nuß. abgestimmt sein auf die Faktoren: Verlustleistung, Speicherzeit und Durchsteuerung des Endstufentransistors 5· Die Steilheit des Ansteuerimpulses in Sperrichtung ist dabei die beeinflußbare Kenngröße des Basisstromes Ig. Die Speicherzeit ist unmittelbar mit der Sperrflanke verknüpft. Eine schnelle Sperrung vermindert die Speicherzeit, läßt aber den letzten Teil der Abfallzeit der Rücklaufspannung erheblich steigen, was wiederum eine höhere Verlustleistung bedeutet. Eine langsame Sperrung vermindert die Leitfähigkeit und den Anstieg der Sattigungsspannung aufgrund einer Erhöhung der Speicher-during this time to the Abschaltverlustleistungsimpuls at. The course of the drive pulse at the output transistor 5 Nuß. Be tuned to the factors: power loss, storage time and control of the output stage transistor 5 · The slope of the drive pulse in the reverse direction is the influenceable characteristic of the base current Ig. The storage time is directly linked to the blocking edge. A fast lock reduces the storage time, but allows the last part of the fall time of the flyback voltage to increase significantly, which in turn means a higher power dissipation. Slow blocking reduces the conductivity and increase in saturation voltage due to an increase in the storage

-7- J-7-

zeit im Baaisraum. Eine Veränderung der Steilheit der Sperrflanke·in beiden Richtungen führt zur Erhöhung der Verlustleistung« Dadurch ist es möglich, ein Optimum der Sperrflanke zu suchen* Die Höhe des Basisstromes I_time in the Baaisraum. A change in the slope of the blocking edge · in both directions leads to an increase in the power loss «This makes it possible to search for an optimum of the blocking edge * The height of the base current I_

am Ende des Hinlaufs wirkt indirekt ebenfalls auf die Verlustleistung ein und zwar insofern die nachfolgende Sperrflanke des Basisstromes I-g vom höheren Energieniveau erfolgen muß. Andererseits ist es erforderlich, am Ende des Hinlaufs ein hohes Stromniveau einzuspeisen, da der Kollektor des Endstufentransistors 5 zu diesem Zeitpunkt den größten Strombedarf, besonders bei Transistoren mit geringem Stromverstärkungsfaktor, hat. An die Einschaltflanke und die Schnelligkeit des Stromanstieges beim Eiilkippvorgang wird die ForderungAt the end of the trace also indirectly affects the power loss and in so far as the subsequent blocking edge of the base current I-g must be made from the higher energy level. On the other hand, it is necessary to feed in a high current level at the end of the trace, since the collector of the output stage transistor 5 at this time has the greatest power requirements, especially in transistors with a low current amplification factor. At the switch-on flank and the speed of the current increase during the egg tilting process becomes the demand

15 gestellt, den Endstufentransistor 5 schnell in einen hochleitenden Zustand zu kippen. Die Vorderflanke des Basisstromimpulses ab Zeitpunkt tp legt dabei die Übernahme des Ablenkstromes von der Paralleldiode 7 zum Endstufentransistor 5 fest« Da die Basis-Emitter-Strecke des Endstufentransistor 5 jetzt sehr niederohmig wird, muß der Endstufentransistor 5 ab Zeitpunkt tρ schnell genug mit entsprechend hohem Basisstrom I_ß in das Sättigungsgebiet des Kollektorstromes Iq gesteuert werden, damit kein Knick bzw. keine Nichtlinearität in den sägezahnförmigen Ablenkstrom gelangt., Im weiteren Verlauf, d. h. im Zeitraum tp - t~., muß die Basisstromform (EIg. 5) so gestaltet werden, daß für den Endstufentransistor 5 geringer Stromverstärkung noch eine genügend hohe Stromeinspeisung in die Bsüis des Endstufentransiator 5 entsprechend dem anwachsenden Strombedarf in der Ablenkwicklung vorhanden ist. Die gespeicherte Energie im Treibertrahsfcrmator wird deshalb durch eine Bedämpfung der Magnetisieruugsj.nduktivität durch die Reihenschaltung des Widerstandes 8 und des Kondensators 9 über diesen Zeitraum so verteilt, daß15, the output stage transistor 5 is quickly tilted to a highly conductive state. The leading edge of the base current pulse from time tp sets the acquisition of the deflection of the parallel diode 7 to the output stage transistor 5 fixed «Since the base-emitter path of the output stage transistor 5 is now very low impedance, the output stage transistor 5 from time tρ fast enough with a correspondingly high base current I _ß are controlled in the saturation region of the collector current Iq, so that no kink or no nonlinearity passes into the sawtooth deflection current, in the further course, ie in the period tp - t ~., The base current form (EIg. 5) must be designed so that for the output stage transistor 5 low current gain still a sufficiently high power supply in the Bsüis of the output stage transformer 5 according to the increasing power demand in the deflection winding is present. The stored energy in the driver-armature is therefore distributed by damping the magnetization through the series connection of the resistor 8 and the capacitor 9 over this period of time

— 8 ~- 8 ~

• - β- 21 2 95 2• - β- 21 2 95 2

sich ein relativ ansteigender Verlauf des Basisstromes I-n des Endstufentransistors 5 ergibt. Der in Fig. 5 gestrichelt dargestellte Verlauf des Basisstromes zeigt demgegenüber das zu erzielende Ergebnis gemäß DE - QS 22 61 060.a relatively increasing profile of the base current I-n of the output stage transistor 5 results. In contrast, the course of the base current shown by dashed lines in FIG. 5 shows the result to be achieved according to DE-QS 22 61 060.

Der Schnelligkeit des Stromanstieges im Endstufentransistor 5 während des Abschaltens der Treiberstufe wirkt die Streuinduktivität sowie die Wicklungs- und Schaltkapazität des Treibertransformators entgegen. Die Flankensteilheit bzw. der Verlauf des Ansteuerimpulses wird also weitestgehend vom Treibertransformator bestimmt. Durch den erfindungsgemäßen Aufbau sowie die Dimensionierung des Treibertransformators und somit sein Einsatz als Steuermittel lassen sich die obengenannten Bedingungen optimal realisieren.The rapidity of the current increase in the output stage transistor 5 during the shutdown of the driver stage counteracts the leakage inductance and the winding and switching capacity of the driver transformer. The slope or the course of the drive pulse is thus largely determined by the driver transformer. Due to the construction according to the invention and the dimensioning of the driver transformer and thus its use as a control means, the above conditions can be optimally realized.

Claims

invention claim

A driver transistor for a transistorized Zeilenäblenkstufej the a low-voltage driver and an output stage transistor, which by a

Parallel diode is bridged, characterized in that the on a cylinder core (1) applied, divided into two equal parts primary winding (2, 4), the secondary winding (3)

enclosing, wherein the length of the cylinder core (1)

about the Wicklurigsbreite corresponds.

2. Driver transformer according to item 1, characterized in that the transmission ratio between the primary and secondary winding is about 5 J 1.

3ο Driver transformer according to items 1 and 2, characterized in that the windings are wound without winding and layer insulation «

For this.

.3 pages drawings