CZ306250B6 - Method of passivating tantalum metal surface and apparatus therefor - Google Patents

Method of passivating tantalum metal surface and apparatus therefor Download PDF

Info

Publication number
CZ306250B6
CZ306250B6 CZ2013-807A CZ2013807A CZ306250B6 CZ 306250 B6 CZ306250 B6 CZ 306250B6 CZ 2013807 A CZ2013807 A CZ 2013807A CZ 306250 B6 CZ306250 B6 CZ 306250B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
oxygen
tantalum
argon
heat treatment
containing gas
Prior art date
Application number
CZ2013-807A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CZ2013807A3 (en
Inventor
Aiguo Zheng
Yuezhong Ma
Shiping Zheng
Xuecheng Dong
Hongbo Qin
Zhijun Yang
Shiwu Hua
Hui Li
Xudong Xi
Qingsheng Zhang
Shengfang Yang
Yong Jin
Original Assignee
Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd. filed Critical Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd.
Publication of CZ2013807A3 publication Critical patent/CZ2013807A3/en
Publication of CZ306250B6 publication Critical patent/CZ306250B6/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/02Pretreatment of the material to be coated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/08Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
    • C23C8/10Oxidising
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/08Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
    • C23C8/10Oxidising
    • C23C8/12Oxidising using elemental oxygen or ozone

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

In the present invention, there is provided a method of passivating tantalum metal surface, wherein the method comprises cooling tantalum metal to or below 32 degC and/or passivating tantalum metal surface by oxygen-containing gas with a temperature of 0 degC. or below. Also provided is an apparatus for passivating tantalum metal surface for applying the method, comprising a heat treatment furnace, an argon forced-cooling device and/or a device for cooling oxygen-containing gas.

Description

Způsob pasivace povrchu tantalového kovu a zařízení k provádění způsobuA method of passivating a tantalum metal surface and an apparatus for carrying out the method

Oblast technikyField of technology

Předložený vynález se týká oblasti výroby tantalového kovu, a zejména způsobu a zařízení na výrobu tantalového prášku nebo porézního tantalového kovu pro elektrolytický kondenzátor.The present invention relates to the field of tantalum metal production, and in particular to a method and apparatus for producing tantalum powder or porous tantalum metal for an electrolytic capacitor.

Dosavadní stav technikyPrior art

Tantalový kov se zejména používá pro výrobu tantalových elektrolytických kondenzátorů. Avšak způsob výroby tantalových elektrolytických kondenzátorů obvykle obsahuje lisování tantalového prášku do výlisku, slinování výlisku ve vakuové peci do porézního tělesa, ve kterém jsou částice vzájemně spojeny, podrobení porézního aglomerátu anodické oxidaci ve vhodném elektrolytu, aby se vytvořil homogenní, vzájemně spojený dielektrický oxidační film na povrchu porézních částic, tj. vytvořila se anoda, pokrývající kationaktivní materiál na povrchu oxidového filmu, a potom se obalila a vytvořila anoda a katoda kondenzátorů. Parametry použité pro zhodnocení tantalových elektrolytických kondenzátorů zejména obsahují kapacitní odpor, DC (svodový stejnosměrný proud) a ekvivalentní sérii odporů (ESR). Vývojová tendence kondenzátorů je to, aby měly vysokou kapacitu, nízký svodový proud a nízký ekvivalent sérií odporů (nízký tg6 anody). Množství nečistot v hladině tantalového prášku kondenzátorů, který je hlavním výchozím produktem tantalových elektrolytických kondenzátorů, zejména množství kyslíku, má největší vliv na svodový proud. Nízký svodový proud vyžaduje, aby tantalový prášek měl nízký obsah kyslíku.Tantalum metal is mainly used for the production of tantalum electrolytic capacitors. However, a method of making tantalum electrolytic capacitors usually comprises pressing tantalum powder into a molding, sintering the molding in a vacuum furnace into a porous body in which the particles are bonded together, subjecting the porous agglomerate to anodic oxidation in a suitable electrolyte to form a homogeneous, bonded dielectric oxidation film. surface of the porous particles, i.e., an anode covering the cationic material on the surface of the oxide film is formed, and then the anode and cathode of the capacitors are coated and formed. The parameters used to evaluate tantalum electrolytic capacitors mainly include capacitive resistance, DC (leakage direct current) and equivalent series of resistors (ESR). The development tendency of capacitors is to have a high capacitance, a low leakage current and a low equivalent series of resistors (low tg6 anodes). The amount of impurities in the level of tantalum powder capacitors, which is the main starting product of tantalum electrolytic capacitors, especially the amount of oxygen, has the greatest effect on the leakage current. The low leakage current requires that the tantalum powder have a low oxygen content.

Obvykle by měly být tantalové prášky pro elektrolytické kondenzátory vystaveny tepelnému zpracování, za účelem vyčištění tantalových prášků na jedné straně a kondenzaci tantalových mikročástic do porézních částic na druhé straně, tak aby se zlepšily fyzikální vlastnosti, jako je tekutost tantalových prášků, a tak aby se zlepšily vlastnosti elektrolytických kondenzátorů vyrobených z nich, jako je kapacita, svodový proud a ekvivalentní série odporů (ESR) kondenzátorů. Patent US 3 473 915 popisuje tepelné zpracování tantalových prášků, obsahující tepelnou kondenzaci 2 až 30 pm tantalových prášků při 1200 až 1500 °C pod inertní atmosférou, aby se vytvořily mnohonásobně spojené porézní částice, aby se tak získaly kondenzované tantalové prášky. V nedávných několika desetiletích, výrobci tantalových prášků a výrobci kondenzátorů prováděli extenzivní studie tepelného zpracování tantalových prášků během vývoje tantalových prášků, majících vysokou měrnou povrchovou plochou a malých typů kondenzátorů. Stav techniky týkající se aglomerace (kondenzace) tepelného zpracování tantalových prášků lze najít v následujících patentových dokumentech: JP 2-34701, US 5 954 856, WO 99/61 184, CN 1 197 707 A, CN 1 238 251 A, CN 1 899 730 A.Typically, tantalum powders for electrolytic capacitors should be subjected to heat treatment to purify the tantalum powders on the one hand and condense the tantalum microparticles into porous particles on the other hand to improve physical properties such as the flowability of the tantalum powders. properties of electrolytic capacitors made from them, such as capacitance, leakage current and equivalent series resistors (ESR) of capacitors. U.S. Pat. No. 3,473,915 discloses the heat treatment of tantalum powders comprising heat condensing 2 to 30 microns of tantalum powders at 1200 to 1500 ° C under an inert atmosphere to form multiple bonded porous particles to obtain condensed tantalum powders. In the last few decades, tantalum powder manufacturers and capacitor manufacturers have conducted extensive studies of the heat treatment of tantalum powders during the development of tantalum powders having a high specific surface area and small types of capacitors. The state of the art concerning the agglomeration (condensation) of heat treatment of tantalum powders can be found in the following patent documents: JP 2-34701, US 5,954,856, WO 99/61,184, CN 1,197,707 A, CN 1,238,251 A, CN 1,899 730 A.

Dezoxidační tepelné zpracování tantalových prášků obvykle obsahuje smíchání příslušného množství redukčního prostředku obsahujícího alkalické kovy nebo kovy vzácných zemin nebo jejich hydridy s tantalovými prášky, podrobení tepelnému zpracování při 700 až 1100 °C ve vakuu nebo inertní atmosféře, aby tantalové prášky zkondenzovaly a odstranil se kyslík. Známý stav techniky, týkající se dezoxidačního tepelného zpracování tantalových prášků lze najít v následujících patentových dokumentech. US 4 483 819, US 4 537 641, CN 1 052 070 A, atd.The deoxidizing heat treatment of tantalum powders usually involves mixing an appropriate amount of an alkali or rare earth metal reducing agent or hydride thereof with tantalum powders, heat treating at 700 to 1100 ° C under vacuum or an inert atmosphere to condense the tantalum powders and remove oxygen. The prior art relating to the deoxidizing heat treatment of tantalum powders can be found in the following patent documents. U.S. 4,483,819, U.S. 4,537,641, CN 1,052,070 A, etc.

Protože tantalový kov je kov, mající silnou afinitu ke kyslíku, tantal a kyslík jsou chemicky vázány na Ta2O5, což je exotermická reakce. Jestliže povrch tantalových prášků má vrstvu hustého kyslíkového filmu, tantal může být chráněn proti dalšímu zoxidování. Když se takové tantalové částice pokryté hustým kyslíkovým filmem ohřejí na teplotu nad 300 °C, oxid tantalu popraská a poškodí se, nějaký kyslík se rozpustí v tantalovém substrátu a nějaký kyslík se rozptýlí nebo koncentruje. Proto se ohřáté tantalové prášky oxidují po ochlazení směrem od povrchu a ve styku s médiem obsahujícím kyslík. Prášky adsorbují nový kyslík a obsah kyslíku se zvyšuje. Jestliže . i .Because tantalum metal is a metal having a strong affinity for oxygen, tantalum and oxygen are chemically bonded to Ta 2 O 5 , which is an exothermic reaction. If the surface of the tantalum powders has a layer of dense oxygen film, the tantalum can be protected against further oxidation. When such tantalum particles coated with a dense oxygen film are heated to a temperature above 300 ° C, the tantalum oxide cracks and is damaged, some oxygen dissolves in the tantalum substrate, and some oxygen is dispersed or concentrated. Therefore, the heated tantalum powders are oxidized after cooling away from the surface and in contact with the oxygen-containing medium. The powders adsorb new oxygen and the oxygen content increases. If. i.

rychlost adsorpce kyslíku nemůže být účinně řízena, tantalové prášky se samočinně vznítí. Proto se vyvinula technologie pasivace tantalových prášků s řízenou oxidací. Taková pasivace tantalu znamená, že když se oxidační film tantalových prášků poškodí v kontaktu s médiem obsahujícím kyslík, rychlost přivádění kyslíku je uměle řízena, aby se řídila rychlost oxidace a teplota tantalových prášků při řízených podmínkách, aby se tak vytvořil pasivovaný oxidový film na povrchu tantalových prášků a zabránilo se prudké oxidaci. Proto tantalové prášky mající vysokou měrnou povrchovou plochu (měrná povrchová plocha nad 0,1 m2/g) by měly být podrobeny pasivaci po tepelném zpracování.the rate of oxygen adsorption cannot be effectively controlled, tantalum powders ignite automatically. Therefore, the technology of passivation of tantalum powders with controlled oxidation has developed. Such tantalum passivation means that when the oxidation film of tantalum powders is damaged in contact with the oxygen-containing medium, the oxygen supply rate is artificially controlled to control the oxidation rate and temperature of the tantalum powders under controlled conditions to form a passivated oxide film on the tantalum surface. powders and prevented oxidative oxidation. Therefore, tantalum powders having a high specific surface area (specific surface area above 0.1 m 2 / g) should be subjected to passivation after heat treatment.

Pasivace povrchu tantalového kovu popsaná v předloženém popisu obsahuje povrchovou pasivaci tantalových prášků a povrchovou pasivaci porézního tělesa, vytvořeného slisováním tantalových prášků.The tantalum metal surface passivation described in the present disclosure includes surface passivation of tantalum powders and surface passivation of a porous body formed by compressing tantalum powders.

Protože elektronické součásti se vyvíjejí směrem k miniaturizaci, jsou potřeba tantalové mikročástice mající vetší měrnou povrchovou plochu. Pokud se týká tantalových prášků majících vysokou měrnou povrchovou plochu, když tantalový prášek na jednotku objemu vytvořil během pasivace více tepla, teplota tantalového prášku se během pasivace zvyšuje mnohem rychleji. Během pasivace tantalového prášku po tepelném zpracování se často zjistilo, že se teplota zvýší náhle. To je v důsledku skutečnosti, že tantalové prášky začnou oxidovat prudce, a provzdušňovací pasivace se musí okamžitě zastavit. Potom co se teplota snížila, provzdušňovací pasivace mohla pomalu pokračovat. Po pasivaci a vyprázdnění se zjistilo, že na povrchu tantalových prášků byly bílé destičky z oxidu tantalu a tantalový prášek, který neměl žádný bílý oxid tantalu, také měl vysoký obsah kyslíku. Když se pasivace přesně neřídí, tantalový prášek se může vznítit. Proto se stává obtížnou pasivace tantalového prášku a klíčová technologie pro vývoj tantalových prášků s vysokou měrnou povrchovou plochou.As electronic components evolve toward miniaturization, tantalum microparticles having a larger specific surface area are needed. In the case of tantalum powders having a high specific surface area, when the tantalum powder per unit volume generated more heat during passivation, the temperature of the tantalum powder increases much faster during passivation. During the passivation of tantalum powder after heat treatment, it has often been found that the temperature rises abruptly. This is due to the fact that tantalum powders begin to oxidize violently, and aeration passivation must stop immediately. After the temperature dropped, the aeration passivation could proceed slowly. After passivation and emptying, white tantalum oxide plates were found on the surface of the tantalum powders, and the tantalum powder, which had no white tantalum oxide, also had a high oxygen content. If the passivation is not precisely controlled, the tantalum powder may ignite. Therefore, passivation of tantalum powder and a key technology for the development of tantalum powders with a high specific surface area become difficult.

Ačkoliv se povrchová plocha porézních výlisků vytvořených z tantalových prášků majících vysokou měrnou povrchovou plochu, např. tantalové výlisky na výrobu anod elektrolytických kondenzátorů, sníží po slinování, plocha porézního aglomerátu se také oxiduje a vytváří vysokou teplotu, aby se vyrobil porézní aglomerát obsahující nadměrný kyslík a tantalové dráty křehké, nebo i způsobil prudkou oxidaci porézního tantalového aglomerátu. Tantalová anoda vyrobená s takovým tantalovým aglomerátem má vysoký svodový proud. Tak porézní aglomerát vytvořený z tantalových prášků s vysokou měrnou povrchovou plochou by se měl podrobit pasivačnímu zpracování po slinování.Although the surface area of porous moldings formed from tantalum powders having a high specific surface area, e.g., tantalum moldings for making anode electrolytic capacitors, decreases after sintering, the area of the porous agglomerate also oxidizes and forms a high temperature to produce a porous agglomerate containing excess oxygen and tantalum brittle wires, or even caused sharp oxidation of the porous tantalum agglomerate. The tantalum anode made with such a tantalum agglomerate has a high leakage current. Thus, a porous agglomerate formed from tantalum powders with a high specific surface area should be subjected to a passivation treatment after sintering.

Známý stav obsahující US 6 927 967 B2, US 6 435 161 Bl, US 6 238 456 Bl, CN 1 919 508 A, CN 101 404 213 A, US 6 992 881 B2, US 7 485 256 B2 a CN 1 899 728 A popisuje pasivaci tantalových prášků. Avšak tento známý stav techniky vyžaduje zavedení plynu obsahujícího kyslík při pokojové teplotě do vakuové pece vystavené tepelnému zpracování a ochlazené na pokojovou teplotu nebo vyšší, aby došlo k pasivaci tantalových prášků. Takové zpracování a pasivace potřebuje dlouhou dobu a způsobuje prudkou oxidaci tantalových prášků. Čínská patentová přihláška CN 101348891 A popisuje způsob redukce kyslíku řízenou pasivaci tantalového prášku a zpracování hořčíku, kde se zpracování pasivaci provádí s použitím čistého kyslíku. Tento způsob není vhodný pro pasivaci tantalových prášků s vysokou měrnou povrchovou plochou a zpracování pasivaci spotřebuje dlouhou dobu a má nízký výnos.Known state comprising US 6,927,967 B2, US 6,435,161 B1, US 6,238,456 B1, CN 1,919,508 A, CN 101,404,213 A, US 6,992,881 B2, US 7,485,256 B2 and CN 1,899,728 A describes the passivation of tantalum powders. However, this prior art requires the introduction of an oxygen-containing gas at room temperature into a vacuum furnace subjected to heat treatment and cooled to room temperature or higher to passivate the tantalum powders. Such processing and passivation takes a long time and causes violent oxidation of tantalum powders. Chinese Patent Application CN 101348891 A discloses a method of reducing oxygen by controlled passivation of tantalum powder and processing magnesium, wherein the passivation treatment is performed using pure oxygen. This method is not suitable for the passivation of tantalum powders with a high specific surface area and the passivation treatment takes a long time and has a low yield.

V důsledku shora uvedených problémů stavu techniky je proto žádoucí vytvořit způsob a zařízení pro výrobu tantalových prášků s nízkým obsahem kyslíku a porézních tantalových aglomerátů a tento způsob a zařízení může zabránit prudké oxidaci během pasivace tantalového kovového povrchu.Due to the above problems of the prior art, it is therefore desirable to provide a method and apparatus for producing low oxygen tantalum powders and porous tantalum agglomerates, and this method and apparatus can prevent violent oxidation during passivation of the tantalum metal surface.

. 7 CZ 306250 B6. 7 CZ 306250 B6

Podstata vynálezuThe essence of the invention

Z hlediska problémů existujících u stavu techniky, cílem předloženého vynálezu je vytvořit způsob pasivace povrchu tantalového kovu, kterým se může zabránit prudké oxidaci během pasivace. Dalším cílem vynálezu je vytvořit zařízení pro provádění způsobu pasivace povrchu tantalového kovu.In view of the problems existing in the prior art, it is an object of the present invention to provide a method for passivating a tantalum metal surface which can prevent violent oxidation during passivation. Another object of the invention is to provide an apparatus for carrying out a method for passivating a tantalum metal surface.

Předloženým vynálezem se dosáhne shora uvedených cílů vytvořením způsobu a zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu. U tohoto způsobu se tantalový kov podrobí tepelnému zpracování a potom se ochladí a pasivace se provádí s použitím plynů obsahujících kyslík při nízké teplotě.The present invention achieves the above objects by providing a method and apparatus for passivating a tantalum metal surface. In this method, the tantalum metal is subjected to a heat treatment and then cooled, and the passivation is performed using low-temperature oxygen-containing gases.

Zejména předložený vynález poskytuje následující technická řešení:In particular, the present invention provides the following technical solutions:

(1) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu, charakterizovaný tím, že obsahuje následující kroky:(1) A method of passivating a tantalum metal surface, characterized in that it comprises the following steps:

(a) vytvoření tantalového kovu, který byl podroben tepelnému zpracování;(a) forming a tantalum metal that has been heat treated;

(b) snížení teploty tantalového kovu na teplotu 32 °C nebo nižší, s výhodou pod 30 °C a ještě výhodněji na 10 až 30 °C, s použitím ochlazených inertních plynů;(b) reducing the temperature of the tantalum metal to a temperature of 32 ° C or lower, preferably below 30 ° C and even more preferably to 10 to 30 ° C, using cooled inert gases;

(c) přivedení plynu obsahujícího kyslík, pro pasivaci povrchu tantalového kovu;(c) introducing an oxygen-containing gas to passivate the tantalum metal surface;

(d) případné opakování kroku (c) jednou nebo vícekrát.(d) optionally repeating step (c) one or more times.

(2) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu, charakterizovaný tím, že obsahuje následující kroky:(2) A method of passivating a tantalum metal surface, characterized in that it comprises the following steps:

(a) vytvoření tantalového kovu, který byl podroben tepelnému zpracování;(a) forming a tantalum metal that has been heat treated;

(b) snížení teploty tantalového kovu na pokojovou teplotu;(b) lowering the temperature of the tantalum metal to room temperature;

(c) přivedení plynu obsahujícího kyslík při teplotě 0 °C nebo nižší, s výhodou 0 až - 40 °C, aby se pasivoval povrch tantalového kovu; a (d) případné opakování kroku (c) jednou nebo vícekrát.(c) introducing an oxygen-containing gas at a temperature of 0 ° C or lower, preferably 0 to -40 ° C, to passivate the tantalum metal surface; and (d) optionally repeating step (c) one or more times.

(3) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu, charakterizovaný následujícími kroky:(3) A method of passivating a tantalum metal surface, characterized by the following steps:

(a) vytvoření tantalového kovu, který byl podroben tepelnému zpracování;(a) forming a tantalum metal that has been heat treated;

(b) snížení teploty tantalového kovu na teplotu 32 °C nebo nižší, s výhodou pod 30 °C, a ještě výhodněji 10 až 30 °C, s použitím ochlazených inertních plynů;(b) lowering the temperature of the tantalum metal to a temperature of 32 ° C or lower, preferably below 30 ° C, and even more preferably 10 to 30 ° C, using cooled inert gases;

(c) zavedení plynu obsahujícího kyslík při teplotě 0 °C nebo nižší a s výhodou 0 až - 40 °C, aby se pasivoval povrch tantalového kovu.; a (d) případné opakování kroku (c) jednou nebo vícekrát.(c) introducing an oxygen-containing gas at a temperature of 0 ° C or lower, and preferably 0 to -40 ° C, to passivate the tantalum metal surface; and (d) optionally repeating step (c) one or more times.

(4) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle technického řešení (1) nebo (2) nebo (3), charakterizovaný tím, že plyn obsahující kyslík je vzduch, směsný plyn inertního plynu a kyslíku, nebo směsný plyn inertního plynu a vzduchu.(4) The method for passivating a tantalum metal surface according to the technical solution (1) or (2) or (3), characterized in that the oxygen-containing gas is air, a mixed gas of inert gas and oxygen, or a mixed gas of inert gas and air.

(5) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle technického řešení (1) nebo (2) nebo (3) charakterizovaný tím, že plyn obsahující kyslík je směsný plyn z argonu a vzduchu.(5) The method for passivating a tantalum metal surface according to the technical solution (1) or (2) or (3), characterized in that the oxygen-containing gas is a mixed gas of argon and air.

(6) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle technického řešení (1) nebo (2)nebo (3), charakterizovaný tím, že koncentrace kyslíku v plynu obsahujícím plyn je 21 % obj. nebo nižší, s výhodou 5 až 20 % obj.(6) The method for passivating a tantalum metal surface according to the technical solution (1) or (2) or (3), characterized in that the oxygen concentration in the gas-containing gas is 21% by volume or less, preferably 5 to 20% by volume.

(7) Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle technického řešení (1) nebo (3), charakterizovaný tím, že inertní plyn je argon.(7) The method for passivating a tantalum metal surface according to the technical solution (1) or (3), characterized in that the inert gas is argon.

(8) Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu obsahující pec pro tepelné zpracování a zařízení pro nucené chlazení argonu, kde pec pro tepelné zpracování obsahuje: nístěj, plášť(8) Equipment for passivation of tantalum metal surface containing heat treatment furnace and equipment for forced cooling of argon, where heat treatment furnace contains: hearth, casing

-3CZ 306250 B6 s vodou chlazeným opláštěním tvořící nístěj, přívod pasivačního vzduchu obsahujícího kyslík, přívod argonu, vstupujícího do nístěje, výstup argonu umístěný v horní části pece pro tepelné zpracování, topné těleso uspořádané v nístěji a tyglík pro tepelné zpracování pro umístění zpracovávaného tantalového kovu; zařízení pro nucené chlazení argonem obsahuje chladič, výměníkovou komoru tepla, přívod ochlazovaného argonu, výstup ochlazovaného argonu a cirkulační čerpadlo;-3GB 306250 B6 with a water-cooled jacket forming a hearth, a supply of oxygen-containing passivation air, a supply of argon entering the hearth, an argon outlet located at the top of the heat treatment furnace, a heating element arranged in the hearth and a heat treatment crucible for locating the tantalum metal being processed ; the argon forced cooling device comprises a condenser, a heat exchanger chamber, a cooled argon inlet, a cooled argon outlet, and a circulation pump;

kde přívod ochlazovaného argonu je připojen k výstupu argonu v horní části nístěje pece pro tepelné zpracování; během pasivačního zpracování argon o vysoké teplotě v peci pro tepelné zpracování vychází z výstupu argonu, prochází spojovacím potrubím ochlazovaný chladicí vodou na obvodu, a vstupuje do výměníkové komory zjedné strany výměníkové komory; ve výměníkové komoře se vstupující argon ochlazuje, a potom vychází z výstupu argonu na druhé straně výměníkové komory a přivádí se do cirkulačního čerpadla, ochlazený argon se vytlačuje cirkulačním čerpadlem a prochází spojovacím potrubím do pece pro tepelné zpracování z přívodu argonu ve spodní části pece pro tepelné zpracování, aby se redukoval pasivovaný tantalový kov na teplotu 32 °C nebo nižší, aby se pasivoval plynem obsahujícím kyslík.wherein the supply of cooled argon is connected to the outlet of argon at the top of the hearth of the heat treatment furnace; during the passivation treatment, the high temperature argon in the heat treatment furnace exits the argon outlet, passes through a connecting pipe cooled by cooling water on the periphery, and enters the exchanger chamber on one side of the exchanger chamber; in the exchanger chamber, the incoming argon is cooled, and then exits the argon outlet on the other side of the exchanger chamber and is fed to a circulating pump, the cooled argon is extruded by a circulating pump and passed through a connecting pipe to a heat treatment furnace from an argon inlet at the bottom of the heat furnace. processing to reduce the passivated tantalum metal to a temperature of 32 ° C or lower to passivate it with an oxygen-containing gas.

(9) Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu obsahující pec pro tepelné zpracování a chladicí systém pro plyny obsahující kyslík, kde pec pro tepelné zpracování obsahuje: nístěj, plášť s vodou chlazeným opláštěním tvořící tuto nístěj, přívod plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci vnitřku nístěje, odsávací trubky, topné těleso uspořádané uvnitř nístěje a tyglík pro tepelné zpracování pro umístění zpracovávaného tantalového kovu; chladicí systém plynů obsahujících kyslík obsahuje: chladič, výměníkovou komoru, přívod plynů obsahujících kyslík spojený s jednou stranou výměníkové komory, přívod argonu, a výstup plynů obsahujících kyslík spojený s druhou stranou výměníkové komory;(9) Apparatus for passivating a tantalum metal surface comprising a heat treatment furnace and a cooling system for oxygen-containing gases, the heat treatment furnace comprising: a hearth, a jacket with a water-cooled jacket forming the hearth, an oxygen-containing gas supply for passivating the interior of the hearth; tubes, a heater arranged inside the hearth and a heat treatment crucible for locating the tantalum metal to be processed; the oxygen-containing gas cooling system comprises: a condenser, an exchanger chamber, an oxygen-containing gas inlet connected to one side of the exchanger chamber, an argon inlet, and an oxygen-containing gas outlet connected to the other side of the exchanger chamber;

kde, během zpracování pasivaci, plyny obsahující kyslík a argon se přivádějí ze svých příslušných přívodů do výměníkové komory a smíchají se, smísené plyny se ochladí na teplotu pod 0 °C výměnou tepla s trubkou média ve výměníkové komoře, ochlazené plyny obsahující kyslík vycházejí zjiného výstupu plynů obsahujících kyslík z výměníkové komory, procházejí tepelně izolačními potrubími a přivádějí se do pece pro tepelné zpracování z horní části pece pro tepelné zpracování pro pasivaci pasivovaného tantalového kovu.where, during the passivation treatment, the oxygen-containing gases and argon are fed from their respective inlets to the exchanger chamber and mixed, the mixed gases are cooled to below 0 ° C by heat exchange with a medium tube in the exchanger chamber, the oxygen-containing cooled gases leaving a different outlet Oxygen-containing gases from the exchanger chamber are passed through thermal insulation pipes and fed to a heat treatment furnace from the top of the heat treatment furnace for passivation of passivated tantalum metal.

(10) Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu obsahující pec pro tepelné zpracování, zařízení pro nucené chlazení argonu, a chladicí systém pro plyn obsahující kyslík, kde pec pro tepelné zpracování obsahuje: nístěj, plášť s vodou chlazeným opláštěním tvořící tuto nístěj, přívod plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, aby se přivedl do nístěje, přívod argonu přiváděného do nístěje, výstup argonu, umístěný v horní části pece pro tepelné zpracování, topné těleso uspořádané uvnitř nístěje a tyglík pro tepelné zpracování pro umístění zpracovávaného tantalového kovu;(10) An apparatus for passivating a tantalum metal surface comprising a heat treatment furnace, an argon forced cooling apparatus, and an oxygen-containing gas cooling system, the heat treatment furnace comprising: a hearth, a shell with a water-cooled jacket forming the hearth, a gas supply containing oxygen for passivation to be introduced into the hearth, an argon supply to the hearth, an argon outlet located at the top of the heat treatment furnace, a heater arranged inside the hearth, and a heat treatment crucible for locating the tantalum metal being processed;

zařízení pro nucené chlazení argonu obsahuje chladič, výměníkovou komoru, přívod ochlazovaného argonu, výstup ochlazeného argonu a cirkulační čerpadlo; kde přívod ochlazovaného argonu je spojen s výstupem argonu na horní části nístěje pece pro tepelné zpracování, během zpracování pasivaci argon s vysokou teplotou v peci pro tepelné zpracování vychází z výstupu argonu, prochází spojovacími potrubími ochlazovaný chladicí vodou po obvodu a vstupuje do výměníkové komory zjedné strany výměníkové komory; ve výměníkové komoře je přiváděný argon ochlazován, a potom vychází z výstupu argonu na druhé straně výměníkové komory a vede se do cirkulačního čerpadla, ochlazený argon se vytlačuje ven cirkulačním čerpadlem a přivádí se procházením přes spojovací potrubí do pece pro tepelné zpracování z přívodu argonu v dolní části pece pro tepelné zpracování, aby se redukoval pasivovaný tantalový kov na teplotu 32 °C nebo nižší; a chladicí systém plynů obsahujících kyslík obsahuje chladič, výměníkovou komoru tepla, přívod plynu obsahujícího kyslík spojený s jedním koncem výměníkové komory, přívod argonu a výstup plynu obsahujícího kyslík spojený s druhým koncem výměníkové komory; během pasivačního zpracování plyny obsahující kyslík a argon vstupují ze svých odpovídajících přívodů do výměníkové komory a směšují se, smíšené plyny se ochlazují na teplotu pod 0 °C výměnou tepla s potrubím média ve výměníkové komoře, ochlazené plyny obsahující kyslík vycházejí z výstupů na druhé straně výměníkové komory, procházejí tepelně izolačními potrubími a vstupují do pece z horní části pece pro tepelné zpracování pro pasivaci pasivovaného tantalového kovu.the forced argon cooling device comprises a condenser, an exchanger chamber, a cooled argon inlet, a cooled argon outlet and a circulation pump; where the supply of cooled argon is connected to the outlet of argon at the top of the hearth of the heat treatment furnace, during the passivation of high temperature argon in the heat treatment furnace exits the argon outlet, passes through cooling water cooled by connecting pipes around the perimeter and enters the exchanger chamber on one side exchanger chambers; in the exchanger chamber, the supplied argon is cooled, and then leaves the argon outlet on the other side of the exchanger chamber and is fed to the circulation pump, the cooled argon is forced out by the circulation pump and fed through a connecting pipe to the heat treatment furnace from the argon supply in the lower parts of a heat treatment furnace to reduce passivated tantalum metal to a temperature of 32 ° C or lower; and the oxygen-containing gas cooling system comprises a condenser, a heat exchanger chamber, an oxygen-containing gas inlet connected to one end of the exchanger chamber, an argon inlet, and an oxygen-containing gas outlet connected to the other end of the exchanger chamber; during the passivation treatment, the oxygen-containing gases and argon enter the exchanger chamber from their respective inlets and mix, the mixed gases are cooled to below 0 ° C by heat exchange with the medium line in the exchanger chamber, the oxygen-containing cooled gases exit the outlets on the other side of the exchanger. chambers, pass through thermal insulation pipes and enter the furnace from the top of the heat treatment furnace to passivate the passivated tantalum metal.

(11) Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu podle technického řešení (8) nebo (10), charakterizované tím, že tantalový kov se ochladí na 10 až 30 °C pomocí zařízení pro nucené chlazení argonu tak, aby se pasivoval plyny obsahujícími kyslík.(11) Apparatus for passivating the surface of tantalum metal according to technical solution (8) or (10), characterized in that the tantalum metal is cooled to 10 to 30 ° C by means of a forced argon cooling device so as to passivate oxygen-containing gases.

(12) Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu podle technického řešení (9) nebo (10) charakterizované tím, že smísené plyny se ochlazují, aby se vytvořil plyn obsahující kyslík pro pasivaci při - 40 až 0 °C.(12) Apparatus for passivating a tantalum metal surface according to technical solution (9) or (10), characterized in that the mixed gases are cooled to form an oxygen-containing gas for passivation at -40 to 0 ° C.

Výhody způsobu pro pasivaci povrchu tantalového kovu jsou bezpečnost, spolehlivost a vysoký výtěžek a získané tantalové prášky mají nízký obsah kyslíku a vodíku a anody a tantalové elektrolytické kondenzátory vyrobené z tantalových prášků vykazují dobré elektrické vlastnosti.The advantages of the method for passivating the tantalum metal surface are safety, reliability and high yield, and the obtained tantalum powders have a low oxygen and hydrogen content and the anodes and tantalum electrolytic capacitors made of tantalum powders show good electrical properties.

Je nutno chápat, že shora uvedené všeobecné popisy a následující podrobný popis ve spojení s výkresy a podrobný popis výhodných příkladů jsou demonstrativní popisy, které jsou použity pro další vysvětlení nárokovaného vynálezu, neomezující vynález.It is to be understood that the foregoing general descriptions and the following detailed description taken in conjunction with the drawings and detailed description of the preferred examples are illustrative descriptions that are used to further explain the claimed invention, not to limit the invention.

Objasnění výkresůExplanation of drawings

Obr. 1 je schéma zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu podle stavu techniky.Giant. 1 is a diagram of a device for passivating a tantalum metal surface according to the prior art.

Obr. 2 znázorňuje zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu se zařízením pro nucené chlazení inertního plynu podle předloženého vynálezu.Giant. 2 shows an apparatus for passivating a tantalum metal surface with an apparatus for forcibly cooling an inert gas according to the present invention.

Obr. 3 znázorňuje příklad zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu s chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu.Giant. 3 shows an example of an apparatus for passivating a tantalum metal surface with an oxygen-containing gas cooling system according to the present invention.

Obr. 4 znázorňuje příklad zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu se zařízením pro nucené chlazení inertního plynu a chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu.Giant. 4 shows an example of an apparatus for passivating a tantalum metal surface with an apparatus for forcibly cooling an inert gas and an oxygen-containing gas cooling system according to the present invention.

Obr. 5 znázorňuje jiné schéma zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu podle stavu techniky.Giant. 5 shows another diagram of a device for passivating a tantalum metal surface according to the prior art.

Obr. 6 znázorňuje jiný příklad zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu se zařízením pro chlazení inertního plynu podle předloženého vynálezu.Giant. 6 shows another example of an apparatus for passivating a tantalum metal surface with an inert gas cooling apparatus according to the present invention.

Obr. 7 znázorňuje další příklad zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu s chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu.Giant. 7 shows another example of an apparatus for passivating a tantalum metal surface with an oxygen-containing gas cooling system according to the present invention.

Obr. 8 znázorňuje další příklad zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu se zařízením pro nucené chlazení inertního plynu a chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu.Giant. 8 shows another example of an apparatus for passivating a tantalum metal surface with an apparatus for forcibly cooling an inert gas and an oxygen-containing gas cooling system according to the present invention.

Příklady uskutečnění vynálezuExamples of embodiments of the invention

Předložený vynález je dále popsán s odkazem na výkresy a výhodné příklady:The present invention is further described with reference to the drawings and preferred examples:

-5i-5i

V popisu, jednotka ppm označuje „částice na milion založené na hmotnostním poměru, pokud to není jinak výslovně uvedeno.In the description, the unit ppm refers to "parts per million based on weight ratio, unless otherwise explicitly stated.

Předloženým vynálezem je vytvořen způsob pasivace povrchu tantalového kovu. U způsobu podle předloženého vynálezu tantalovým kovem, který se má tepelně zpracovat a pasivovat, mohou být chemicky redukované tantalové prášky, které nebyly tepelně zpracovány, např. tantalové prášky připravené redukcí fluoridu tantalu se sodíkem, prášek surového materiálu získaný hydrogenací a mletím tantalových ingotů a tepelně zpracované tantalové prášky a porézní tantalové aglomeráty vytvořené slisováním tantalových prášků, atd. Před tepelným zpracováním jsou tantalové prášky s výhodou peletizovány, zejména podrobeny sféroidizační granulaci. Během granulace tantalových prášků každou chemickou látku prospěšnou pro řízení rychlosti smršťování tantalových prášků při vysoké teplotě slinování a snižující ztráty povrchové plochy při požadovaném poměru lze přidat jako ohnivzdorný prostředek, jako je například látka obsahující fosfor, dusík, bor, kyslík. U způsobu podle vynálezu tantalové prášky mohou být podrobeny tepelnému zpracování známými technologiemi, například, způsoby uvedenými v CN 1410 209 A, CN 1 238 251 A a CN 1 899 730 A, které jsou zde zahrnuty v odkazech.The present invention provides a method for passivating a tantalum metal surface. In the process of the present invention, the tantalum metal to be heat treated and passivated may be chemically reduced tantalum powders that have not been heat treated, e.g., tantalum powders prepared by reducing tantalum fluoride with sodium, raw material powder obtained by hydrogenation and grinding of tantalum ingots and heat processed tantalum powders and porous tantalum agglomerates formed by compressing tantalum powders, etc. Prior to the heat treatment, the tantalum powders are preferably pelletized, in particular subjected to spheroid granulation. During the granulation of tantalum powders, any chemical beneficial for controlling the shrinkage rate of tantalum powders at high sintering temperature and reducing surface area loss at the desired ratio can be added as a refractory such as phosphorus, nitrogen, boron, oxygen. In the process according to the invention, the tantalum powders can be subjected to heat treatment by known technologies, for example, the processes mentioned in CN 1410 209 A, CN 1 238 251 A and CN 1 899 730 A, which are incorporated herein by reference.

U způsobu podle vynálezu zařízení pro nucené chlazení inertního plynu lze použít pro ochlazení tepelně zpracovávaného tantalového kovu na teplotu pod 32 °C. Inertním plynem může být argon, helium, xenon nebo jejich směs. Avšak z hlediska nákladů se pro provádění nuceného ochlazování používá přednostně argon.In the process according to the invention, the inert gas forced cooling device can be used to cool the heat-treated tantalum metal to a temperature below 32 ° C. The inert gas may be argon, helium, xenon or a mixture thereof. However, from a cost point of view, argon is preferably used to perform the forced cooling.

Podle způsobu podle předloženého vynálezu není tvar částic tantalových prášků, které se mají tepelně zpracovat, omezen; mohou být zrnité, ploché, ve tvaru mnohoúhelníku nebo jakákoliv jejich kombinace. Měrná povrchová plocha tantalových prášků není zvláště nutná a může být 0,1 m2/g až 102/g, s výhodou 0,2 až 5 m2/g.According to the method of the present invention, the particle shape of the tantalum powders to be heat-treated is not limited; they can be grainy, flat, polygonal, or any combination thereof. The specific surface area of the tantalum powders is not particularly necessary and may be 0.1 m 2 / g to 10 2 / g, preferably 0.2 to 5 m 2 / g.

Dezoxidační tepelné zpracování tantalových prášků v redukční atmosféře lze provádět o sobě známými technologiemi. Obvykle lze přidat do tantalových prášků malé množství redukčního prostředku, majícího afinitu ke kyslíku větší než tantal ke kyslíku, jako jsou alkalické kovy vzácných zemin, kovy vzácných zemin a jejich hydridy; nejobvykleji se přidává do tantalových prášků prášek kovového hořčíku v množství 0,5 až ž 4 %, vztaženo k hmotnosti tantalu.The deoxidizing heat treatment of tantalum powders in a reducing atmosphere can be carried out by technologies known per se. Typically, small amounts of a reducing agent having an affinity for oxygen greater than tantalum for oxygen, such as rare earth alkali metals, rare earth metals and their hydrides, can be added to tantalum powders; most commonly, magnesium metal powder is added to the tantalum powders in an amount of 0.5 to 4% by weight of the tantalum.

Obr. 1 je schéma zařízení 100 pro pasivaci povrchu tepelně zpracovaného tantalového kovu podle stavu techniky. Zařízení pro pasivaci povrchu tepelně zpracovaného tantalového kovu obsahuje: nístěj HO, plášť 111 s vodou chlazeným opláštěním, majícím přívod 111-1 vody a výstup 111-2 vody, plášť tvoří nístěj 110 a podtlakový tlakoměr 112 spojený s nístějí 110, přívod 120 pasivačního plynu obsahujícího kyslík vstupujícího do nístěje HO, přívod 140 argonu, odsávací potrubí 141, tepelně izolační stínítko 130 uspořádané v nístěji, topné těleso 150 uspořádané v tepelně izolačním stínítku 130, termočlánek 160 pro měření teploty, tyglík 180 pro tepelné zpracování a tantalový prášek 170, který se má v tyglíku 180 tepelně zpracovat.Giant. 1 is a diagram of an apparatus 100 for passivating a surface of heat-treated tantalum metal according to the prior art. The device for passivating the surface of heat-treated tantalum metal comprises: a hearth HO, a jacket 111 with a water-cooled jacket having a water inlet 111-1 and a water outlet 111-2, the shell forming a hearth 110 and a vacuum gauge 112 connected to the hearth 110, a passivation gas inlet 120 containing oxygen entering the hearth HO, an argon inlet 140, a suction line 141, a thermal insulation screen 130 arranged in the hearth, a heater 150 arranged in the thermal insulation screen 130, a thermocouple 160 for measuring temperature, a crucible 180 for heat treatment and tantalum powder 170, which to be heat treated in the crucible 180.

Obr. 2 je schéma zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu se zařízením pro nucené chlazení argonu podle předloženého vynálezu. Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu obsahuje: nístěj 210, plášť 211 s vodou chlazeným opláštěním, mající přívod 211-1 vody a výstup 211-2 vody, plášť tvoří nístěj 2J_0, a podtlakový tlakoměr 212 spojený s nístějí 210, přívod plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, přívod 240 argonu, odsávací potrubí 241, tepelně izolační stínítko 230 uspořádané v nístěji 210, topné těleso 250 uspořádané v tepelně izolačním stínítku 230, termočlánek 260 pro měření teploty, tyglík 280 pro tepelné zpracování a zpracovávaný tantalový prášek 270 naplněný v tyglíku 280. Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu dále obsahuje zařízení 200A pro nucené chlazení argonu; součásti v zařízení 200A pro nucené chlazení argonu a jejich funkce jsou následující: výstup 207 v horní části pece pro tepelné zpracování, argon o vysoké teplotě vychází z výstupu 207 argonu, prochází spojovacími trubkami 208, ochlazovaný chladicí vodou na obvodu, a přivádí se do výměníkové komory 201 z přívodu 202 argonu na jedné straně výměníkové komory. Ve výměníkové komoře 201 je potrubí 204 média chlazené chladičem 200, chladič 200 umožňuje, aby chladicí médium procházelo výměníkovou komorou 201; ve výměníkové komoře 201 se argon ochladí a potom vychází z výstupu 205 a vede se do cirkulačního čerpadla 209, ochlazený argon se vytlačuje cirkulačním čerpadlem 209 a přivedený prochází spojovacími trubkami do pece pro tepelné zpracování z výstupu 240 argonu ve spodní části pece pro tepelné zpracování, přičemž chladicí voda na obvodu trubky 208 vstupuje z 208-1 na jedné straně výměníkové komory vedle chladicí výměníkové komory a vychází z 208-2 vedle jedné strany pece pro tepelné zpracování, před tím než se tantalový prášek pasivuje, je nucené chlazen pomocí zařízení pro nucené chlazení argonu, aby se snížila teplota tantalového prášku na teplotu 30 °C nebo nižší, s výhodou na 10 až 30 °C, aby se účinně řídila oxidace tantalového prášku a zabránilo se prudké oxidaci tantalového prášku. Během nuceného chlazení argonem tlak systému se udržuje mezi 0,09 až 0,11 MPa přiváděním argonu do cirkulačního systému nebo odsáváním.Giant. 2 is a diagram of an apparatus for passivating a tantalum metal surface with an argon forced cooling apparatus according to the present invention. The tantalum metal surface passivation device comprises: a hearth 210, a jacket 211 with a water-cooled jacket having a water inlet 211-1 and a water outlet 211-2, the jacket forming a hearth 20, and a vacuum gauge 212 connected to the hearth 210, an oxygen-containing gas supply for passivation, argon inlet 240, suction line 241, thermal insulation screen 230 arranged in the hearth 210, heater 250 arranged in the thermal insulation screen 230, thermocouple 260 for temperature measurement, heat treatment crucible 280 and processed tantalum powder 270 filled in the crucible 280. The tantalum metal surface passivation device further includes an argon forced cooling device 200A; the components in the argon forced cooling device 200A and their functions are as follows: outlet 207 at the top of the heat treatment furnace, high temperature argon exits the argon outlet 207, passes through connecting pipes 208, cooled by cooling water at the periphery, and fed to the exchanger. chamber 201 from the argon inlet 202 on one side of the exchanger chamber. In the exchanger chamber 201, the medium line 204 is cooled by a cooler 200, the cooler 200 allowing the cooling medium to pass through the exchanger chamber 201; in the exchanger chamber 201, the argon is cooled and then exits the outlet 205 and led to the circulation pump 209, the cooled argon is extruded by the circulation pump 209 and fed through connecting pipes to the heat treatment furnace from the argon outlet 240 at the bottom of the heat treatment furnace, wherein the cooling water on the circumference of the tube 208 enters 208-1 on one side of the exchanger chamber next to the cooling exchanger chamber and exits 208-2 next to one side of the heat treatment furnace, before the tantalum powder is passivated, it is forced cooled by a forced cooling the argon to reduce the temperature of the tantalum powder to 30 ° C or lower, preferably to 10 to 30 ° C, to effectively control the oxidation of the tantalum powder and prevent abrupt oxidation of the tantalum powder. During forced argon cooling, the system pressure is maintained between 0.09 and 0.11 MPa by feeding argon to the circulating system or by suction.

Obr. 3 znázorňuje zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu s chladicím systémem plynem obsahujícím kyslík pro pasivaci povrchu tantalového kovu. Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu obsahuje: nístěj 310. plášť 311 s vodou chlazeným opláštěním, majícím přívod 3111 vody a výstup 311-2 vody, plášť tvoří nístěj 310 a podtlakový tlakoměr 312 spojený s nístějí 310, přívod 320 plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci v horní části nístěje, přívod 340 argonu, odsávací trubky 341, tepelně izolační stínítko uspořádané v nístěji, topné těleso 350 uspořádané v tepelně izolačním stínítku 330, termočlánek 360 pro měření teploty, tyglík 380 pro tepelné zpracování a zpracovávaný tantalový prášek 370 obsažený v tyglíku 380. Zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu dále obsahuje chladicí systém 390A plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, chladicí systém 390A plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci obsahuje: chladič 390, výměníkovou komoru 391, médium ochlazené chladičem prochází výměníkovou komorou 391; plyn obsahující kyslík a argon vstupuje z přívodu 392, a resp. přívodu 393, argonu do výměníkové komory 391 a smíchá se, potrubí 394 směsného plynu obsahujícího kyslík a chladicího média spojené s chladičem 390 se podrobí výměně tepla, ochlazený plyn obsahující kyslík vychází z výstupu 395 na druhé straně výměníkové komory 391, prochází tepelně izolačními trubkami 396 spojujícími výstup 395 a přívod 320 v horní části pece pro tepelné zpracování a vede se do nístěje 310; ve které je tlakoměr 398 spojený s výměníkovou komorou 391, teploměr 397 je uspořádán poblíž výstupu 395 plynu obsahujícího kyslík; a výstup 399 vody uspořádaný na dnu výměníku tepla 391. Když se pasivace dávky tantalového kovu dokončí, každá součást ve výměníku tepla se vyčistí s použitím horkého vzduchu, rozpuštěná voda proudí ven výstupem 399 vody. Plyny obsahující kyslík se ochladí pod 0 °C, s výhodou pod - 10 °C, ještě výhodněji na-10 °C až-40 °C.Giant. 3 shows an apparatus for passivating a tantalum metal surface with an oxygen-containing gas cooling system for passivating a tantalum metal surface. The tantalum metal surface passivation device comprises: a hearth 310. a shell 311 with a water-cooled jacket having a water inlet 3111 and a water outlet 311-2, the shell forming a hearth 310 and a vacuum gauge 312 connected to the hearth 310, an oxygen-containing gas inlet 320 for passivation in upper part of the hearth, argon inlet 340, suction tubes 341, heat-insulating screen arranged in the hearth, heating element 350 arranged in the heat-insulating screen 330, thermocouple 360 for measuring temperature, crucible 380 for heat treatment and processed tantalum powder 370 contained in the crucible 380. The tantalum metal surface passivation device further includes an oxygen-containing gas cooling system 390A for passivation, the oxygen-containing gas cooling system 390A for passivation comprising: a condenser 390, an exchanger chamber 391, the condenser-cooled medium passing through the exchanger chamber 391; a gas containing oxygen and argon enters from inlet 392, and resp. supply 393, argon to the exchanger chamber 391 and mixed, the mixed gas-containing gas and refrigerant line 394 connected to the condenser 390 is subjected to heat exchange, the cooled oxygen-containing gas exits the outlet 395 on the other side of the exchanger chamber 391, passes through heat insulating tubes 396 connecting the outlet 395 and the inlet 320 at the top of the heat treatment furnace and leading to the hearth 310; in which a pressure gauge 398 is connected to the exchanger chamber 391, the thermometer 397 is arranged near the oxygen-containing gas outlet 395; and a water outlet 399 arranged at the bottom of the heat exchanger 391. When the passivation of the tantalum metal batch is completed, each component in the heat exchanger is cleaned using hot air, the dissolved water flowing out through the water outlet 399. The oxygen-containing gases are cooled below 0 ° C, preferably below -10 ° C, more preferably -10 ° C to -40 ° C.

Obr. 4 je schéma zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu se zařízením pro nucené chlazení argonu a chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu, obsahující: nístěj 410, plášť 411 s vodou chlazeným opláštěním, majícím přívod 411-1 vody a výstup 411-2 vody, plášť tvoří nístěj 410 a podtlakový tlakoměr 412 spojený s nístějí 410, přívod 420 plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, přívod 440 argonu, odsávací trubky 441. tepelně izolační stínítko 430 uspořádané v nístěji, topné těleso 450 uspořádané v tepelně izolačním stínítku 430, termočlánek 460 pro měření teploty, tyglík 480 pro tepelné zpracování a zpracovávaný tantalový prášek 470 obsažený v tyglíku 480, charakterizované tím, že zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu dále obsahuje: zařízení pro nucené chlazení argonu 400A a chladicí systém 490A plynu obsahujícího kyslík, přičemž součásti zařízení 400A pro nucené chlazení argonu a jeho funkce jsou následující: výstup 407 argonu na horní části pece pro tepelné zpracování, argon při vysoké teplotě v peci vychází z výstupu 407 argonu, prochází spojovacími potrubími 408, ochlazuje se chladicí vodou, přivádí se z 408-1 a vychází z 408-2 na obvodu a přivádí se do výměníkové komory 401 z jedné strany výměníkové komory 401, ve výměníkové komoře 401 je potrubí 404 média chlazené chladičem, ve výměníkové komoře 401 se argon ochladí, a vychází z výstupu 405 argonu na druhé straně výměníkové komory 401, prochází potrubím 406 a vstupuje do cirkulačního čerpadla 409, vychlazený argon se vytlačuje cirkulačním čerpadlem 409 a přivedený prochází spojovacími trubkami do pece 410 pro tepelné zpracování z přívodu 440 ve spodní části pece pro tepelné zpracování, součásti v chladicím systému 490A plynu obsahujícího . 7 .Giant. 4 is a diagram of an apparatus for passivating a tantalum metal surface with an argon cooling device and an oxygen-containing gas cooling system according to the present invention, comprising: a hearth 410, a shell 411 with a water-cooled jacket having a water inlet 411-1 and a water outlet 411-2; the jacket consists of a hearth 410 and a vacuum gauge 412 connected to the hearth 410, an oxygen-containing gas supply 420 for passivation, an argon inlet 440, suction tubes 441. a thermal insulation screen 430 arranged in the hearth, a heater 450 arranged in the thermal insulation screen 430, a thermocouple 460 for a temperature measuring crucible 480 for heat treatment and the treated tantalum powder 470 contained in the crucible 480, characterized in that the tantalum metal surface passivation device further comprises: an argon 400A forced cooling device and an oxygen-containing gas cooling system 490A. forced cooling of argon and its functions are as follows: outlet 407 of argon at the top of the furnace p for heat treatment, argon at high temperature in the furnace exits the argon outlet 407, passes through the connecting pipes 408, cools with cooling water, is fed from the 408-1 and exits the 408-2 on the periphery and is fed to the exchanger chamber 401 from one side exchanger chamber 401, in the exchanger chamber 401 there is a cooler-cooled medium line 404, in the exchanger chamber 401 the argon is cooled and leaves the argon outlet 405 on the other side of the exchanger chamber 401, passes through the line 406 and enters the circulation pump 409, the cooled argon is expelled circulating pump 409 and fed through connecting pipes to the heat treatment furnace 410 from the inlet 440 at the bottom of the heat treatment furnace, components in the gas cooling system 490A containing. 7.

kyslík a jejich funkce jsou následující: chladicí médium se ochlazuje chladičem 490; ochlazené médium proudí a prochází potrubím 494 média do výměníkové komory 491, ve které je tlakoměr 498 spojený s výměníkovou komorou 491; ve výměníkové komoře 491 plyn obsahující kyslík a argon se přivádějí ze svých příslušných přívodů 492, a resp. 493, do výměníkové komory 491 a směšují se; smísený plyn obsahující kyslík se ochlazuje výměnou tepla s potrubím 494 média ve výměníkové komoře 491, ochlazený plyn obsahující kyslík vychází z jiného výstupu 495 výměníkové komory 491, prochází tepelně izolačními potrubími 496 a přivádí se do pece 410 pro tepelné zpracování z výstupu 420 v horní části pece pro tepelné zpracování, teploměr 497 je uspořádán poblíž výstupu plynu obsahujícího kyslík, teploměr se používá pro měření teploty plynu obsahujícího kyslík; výstup vody 499 je uspořádán na dně výměníkové komory 491. Když je pasivace dávky tantalového kovu dokončena, každá součást ve výměníku tepla se vysuší s použitím horkého vzduchu, rozpuštěná voda proudí ven z výstupu 499 vody.oxygen and their functions are as follows: the cooling medium is cooled by a condenser 490; the cooled medium flows and passes through the medium line 494 into the exchanger chamber 491, in which the pressure gauge 498 is connected to the exchanger chamber 491; in the exchanger chamber 491, the oxygen-containing gas and argon are fed from their respective inlets 492, respectively. 493, into the exchanger chamber 491 and mixed; the oxygen-containing mixed gas is cooled by heat exchange with a medium line 494 in the exchanger chamber 491, the oxygen-containing cooled gas exits another outlet 495 of the exchanger chamber 491, passes through heat insulating lines 496 and is fed to a heat treatment furnace 410 from outlet 420 at the top a heat treatment furnace, a thermometer 497 is arranged near the outlet of the oxygen-containing gas, the thermometer is used to measure the temperature of the oxygen-containing gas; the water outlet 499 is arranged at the bottom of the exchanger chamber 491. When the passivation of the tantalum metal dose is completed, each component in the heat exchanger is dried using hot air, the dissolved water flowing out of the water outlet 499.

Obr. 5 je schéma známého zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu poté, co byl tantalový prášek podroben dezoxidačnímu tepelnému zpracování vnějším ohříváním (neznázoměno), obsahujícího: reaktor 510 pro dezoxidační tepelné zpracování, horní kryt 511, vstupní trubku 540 argonu, uspořádanou na horním krytu 511, odsávací potrubí 541, vstupní trubku 542 dusíku, vstupní trubku 520 plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, podtlakový tlakoměr 512 pro měření tlaku v reaktoru, tantalový tyglík 580 uspořádaný v reaktoru 510, tantalový prášek smísený s hořčíkovým práškem obsažený v tyglíku 580, termočlánek 561, 562 a 563 pro měření teploty horní části, střední části a resp. spodní části reaktoru a sestavu 550 tepelně izolačního stínítka umístěnou v horní části tyglíku 580.Giant. 5 is a diagram of a known apparatus for passivating a tantalum metal surface after a tantalum powder has been subjected to deoxidation heat treatment by external heating (not shown), comprising: a deoxidation heat treatment reactor 510, a top cover 511, an argon inlet pipe 540 arranged on the top cover 511; suction line 541, nitrogen inlet pipe 542, oxygen-containing gas inlet pipe 520 for passivation, vacuum pressure gauge 512 for measuring reactor pressure, tantalum crucible 580 arranged in reactor 510, tantalum powder mixed with magnesium powder contained in crucible 580, thermocouple 561, 562 and 563 for measuring the temperature of the upper part, the middle part and resp. the bottom of the reactor and the thermal insulation screen assembly 550 located at the top of the crucible 580.

Obr. 6 je schéma zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu poté, co byl tantalový prášek podroben dezoxidačnímu tepelnému zpracování vnějším ohříváním (neznázoměno) se zařízením na nucené ochlazování inertního plynu podle předloženého vynálezu, obsahujícího: reaktor 610 pro dezoxidační tepelné zpracování, vstupní trubku 640 argonu, uspořádanou na horním krytu 611 a protaženou do spodní části reaktoru 610, odváděči potrubí 641, vstupní trubku 642 dusíku, vstupní trubku 620 plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, podtlakový tlakoměr 612 pro měření tlaku v reaktoru, tantalový tyglík 680 uspořádaný v reaktoru, tantalový prášek 670 smísený s hořčíkovým práškem obsažený v tyglíku 680, termočlánek 661, 662 a 663 pro měření teploty v horní části, střední části a resp. spodní části reaktoru a sestavu 650 tepelně izolačního stínítka, umístěnou na horní části tyglíku 680, charakterizované tím, že dále obsahuje zařízení 600A pro nucené chlazení argonu, zařízení 600A pro nucené chlazení argonu obsahuje: výstup argonu 607 na horní části reaktoru 610, argon o vysoké teplotě vychází z výstupu 607 argonu, prochází spojovacím potrubím 608, ochlazovaný chladicí vodou přiváděnou z 608-1 a vycházející z 608-2 na obvodu, a přivádí se do výměníkové komory 601 z jedné straně výměníkové komory 601, ve výměníkové komoře 601 je potrubí 604 média ochlazované chladičem, ve výměníkové komoře 601 se přivedený argon ochlazuje a vychází z výstupu 605 argonu na druhé straně výměníkové komory 601, prochází potrubím 607 a vede se do cirkulačního čerpadla 609, ochlazený argon se vytlačuje cirkulačním čerpadlem 609, a přivádí se procházením spojovacími potrubími do pece 610 pro tepelné zpracování z výstupu 640 na spodní části pece pro tepelné zpracování. Nuceným ochlazováním argonem se teplota tantalového prášku sníží na teplotu 30 °C nebo nižší, s výhodou na 10 až 20 °C, před pasivaci tantalového prášku.Giant. 6 is a diagram of an apparatus for passivating a tantalum metal surface after a tantalum powder has been subjected to deoxidation heat treatment by external heating (not shown) with an inert gas forced cooling apparatus according to the present invention, comprising: deoxidation heat treatment reactor 610, argon inlet pipe 640 arranged on the top cover 611 and extending to the bottom of the reactor 610, a discharge line 641, a nitrogen inlet pipe 642, an oxygen-containing gas inlet pipe 620 for passivation, a vacuum pressure gauge 612 for measuring reactor pressure, a tantalum crucible 680 arranged in the reactor, tantalum powder 670 mixed with magnesium powder contained in the crucible 680, thermocouple 661, 662 and 663 for measuring the temperature in the upper part, the middle part and resp. the bottom of the reactor and a thermal insulation screen assembly 650 located on top of the crucible 680, further comprising an argon forced cooling device 600A, the argon forced cooling device 600A comprising: an argon outlet 607 at the top of the reactor 610, high argon temperature arises from the argon outlet 607, passes through a connecting pipe 608, cooled by cooling water supplied from 608-1 and exiting the circuit 608-2, and is fed to the exchanger chamber 601 on one side of the exchanger chamber 601, in the exchanger chamber 601 there is a pipe 604 cooler-cooled medium, the argon supplied in the exchanger chamber 601 is cooled and exits the argon outlet 605 on the other side of the exchanger chamber 601, passes through line 607 and is fed to a circulation pump 609, the cooled argon is expelled by a circulation pump 609, and supplied by passing through connecting pipes to the heat treatment furnace 610 from the outlet 640 at the bottom of the heat treatment furnace. By forced cooling with argon, the temperature of the tantalum powder is reduced to 30 ° C or lower, preferably to 10 to 20 ° C, before the passivation of the tantalum powder.

Obr. 7 je schéma zařízení pro pasivaci povrchu tantalového kovu poté, co byl tantalový prášek podroben dezoxidačnímu tepelnému zpracování vnějším ohříváním (na obrázku neznázoměno) s chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu, obsahujícího: reaktor 710 pro dezoxidační tepelné zpracování, horní kryt 711, vstupní trubku 740 argonu uspořádanou na horním krytu 711, odsávací potrubí 741, vstupní trubku 742 dusíku, vstupní trubku 720 plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, podtlakový tlakoměr 712 pro měření tlaku v reaktoru, tantalový tyglík 780 uspořádaný v reaktoru 710, tantalový prášek 770 smísený s hořčíkovým práškem obsažený v tyglíku 780, termočlánky 761. 762 a 763 pro měření teploty horní části, střední části a resp. spodní části reaktoru a sestavu 750 tepelně izolačního stínítka, umístěného na horní části tyglíku 780, charakterizované tím, že dále obsahuje chladicí systém 790AGiant. 7 is a diagram of an apparatus for passivating a tantalum metal surface after a tantalum powder has been subjected to deoxidation heat treatment by external heating (not shown) with an oxygen-containing gas cooling system of the present invention, comprising: a deoxidation heat treatment reactor 710, top cover 711, inlet argon tube 740 disposed on top cover 711, suction line 741, nitrogen inlet tube 742, oxygen-containing gas inlet tube 720 for passivation, vacuum pressure gauge 712 for measuring reactor pressure, tantalum crucible 780 arranged in reactor 710, tantalum powder 770 mixed with magnesium powder contained in the crucible 780, thermocouples 761, 762 and 763 for measuring the temperature of the upper part, the middle part and resp. the bottom of the reactor and the thermal insulation screen assembly 750, located on top of the crucible 780, further comprising a cooling system 790A

Q plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, chladicí systém 790A plynu obsahujícího kyslík obsahuje: chladič 490 pro chlazení chladicího média; ochlazené médium proudí potrubím 794 média do výměníkové komory 791, ve které je tlakoměr 798 spojený s výměníkovou komorou 791; ve výměníkové komoře 791 plyn obsahující kyslík a argon se přivádějí ze svých příslušných vstupů 792 a 793 do výměníkové komory 791 a směšují se; smísený plyn obsahující kyslík je podroben reakci tepelného zpracování s potrubím 794 média ve výměníkové komoře 791 a tak se ochladí, plyn obsahující kyslík vychází s výstupu 795 na druhé straně výměníkové komory 791, prochází tepelně izolačními potrubími 796 a přivádí se do reaktoru 710 z výstupu 720 na horní části reaktoru, teploměr 797 je uspořádán poblíž výstupu plynu obsahujícího kyslík, teploměr se používá pro měření teploty plynu obsahujícího kyslík; výstup 799 vody je uspořádán na dně výměníkové komory 791.Q of oxygen-containing gas for passivation, the oxygen-containing gas cooling system 790A includes: a condenser 490 for cooling the cooling medium; the cooled medium flows through the medium line 794 into the exchanger chamber 791, in which the pressure gauge 798 is connected to the exchanger chamber 791; in the exchanger chamber 791, oxygen-containing gas and argon are fed from their respective inlets 792 and 793 to the exchanger chamber 791 and mixed; the mixed oxygen-containing gas is heat-treated with the medium line 794 in the exchanger chamber 791 and thus cooled, the oxygen-containing gas exits the outlet 795 on the other side of the exchanger chamber 791, passes through thermal insulation lines 796 and is fed to the reactor 710 from outlet 720 at the top of the reactor, a thermometer 797 is arranged near the outlet of the oxygen-containing gas, the thermometer being used to measure the temperature of the oxygen-containing gas; the water outlet 799 is arranged at the bottom of the exchanger chamber 791.

Když se pasivace dávky tantalového kovu dokončí, každá součást výměníku tepla se vysuší s použitím horkého vzduchu, rozpuštěná voda proudí ven výstupem 799 vody.When the passivation of the tantalum metal batch is complete, each component of the heat exchanger is dried using hot air, the dissolved water flowing out of the water outlet 799.

Obr. 8 je schéma zařízeni pro pasivaci povrchu tantalového kovu, poté, co byl tantalový prášek podroben dezoxidačnímu tepelnému zpracování se zařízením pro nucené ochlazování inertního plynu a chladicím systémem plynu obsahujícího kyslík podle předloženého vynálezu, obsahujícího: reaktor 810 pro dezoxidační tepelné zpracování, horní kryt 811, vstupní trubku 840 argonu, uspořádanou na horním krytu 811 a procházející do spodní části reaktoru 810, odsávací potrubí 841, vstup 842 dusíku, vstupní trubku 820 plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci, podtlakový tlakoměr 812 pro měření tlaku v reaktoru, tantalový tyglík 880 uspořádaný v reaktoru 810, tantalový prášek 870 smísený s hořčíkovým práškem obsažený v tyglíku 880, termočlánky 861, 862 a 863 pro měření teploty horní části, střední části a resp. spodní části reaktoru a sestavu 850 tepelně izolačního stínítka, umístěného v horní části tyglíku 880, charakterizovaného tím, že dále obsahuje zařízení 800A pro nucené ochlazování argonu a chladicí systém 890A plynu obsahujícího kyslík, součásti zařízení 800A pro nucené chlazení argonu a jejich funkce jsou následující: výstup 807 argonu uspořádaný na horní části reaktoru 810, argon o vysoké teplotě v peci vychází z výstupu 807 argonu, prochází spojovacími potrubími 808 chlazenými chladicí vodou vstupující z 808-1 a vycházející z 808-2 na obvodu, a vstupuje do výměníkové komory 801 z jedné strany výměníkové komory 801, ve výměníkové komoře 801 je potrubí 804 média ochlazované chladičem, ve výměníkové komoře přivedený argon se ochlazuje a vychází z výstupu 805 argonu na druhé straně výměníkové komory 801, prochází potrubím 807 a přivádí se do cirkulačního čerpadla 809, ochlazený argon se vytlačuje cirkulačním čerpadlem 809 a přivedený prochází spojovacími potrubími do pece 810 pro tepelné zpracování z výstupu 840 na spodní části reaktoru. Součásti v chladicím systému 890A plynu obsahujícího kyslík a jejich funkce je následující: chladicí médium se ochlazuje chladičem 890; ochlazené médium proudí potrubím 894 média do výměníkové komory 891, ve které je tlakoměr 898 spojený s výměníkovou komorou 891; ve výměníkové komoře 891 plyn obsahující kyslík a argon vstupují ze svých příslušných přívodů 892 a 893 do výměníkové komory 891 a směšují se; smísený plyn obsahující kyslík podstupuje výměnu tepla s potrubím 894 média ve výměníkové komoře 891 a tím se ochlazuje, ochlazený plyn obsahující kyslík vychází z výstupu 895 na druhé straně výměníkové komory 891, prochází tepelně izolačními potrubími 896 a vstupuje do reaktoru 810 z přívodu 820 na horní části reaktoru, teploměr 897 je uspořádán poblíž výstupu plynu obsahujícího kyslík, teploměr se používá pro měření teploty plynu obsahujícího kyslík; výstup 899 vody je uspořádán na dně výměníkové komory 891.Giant. 8 is a diagram of an apparatus for passivating a surface of tantalum metal after the tantalum powder has been subjected to deoxidation heat treatment with an inert gas forced cooling device and an oxygen-containing gas cooling system according to the present invention, comprising: deoxidation heat treatment reactor 810, top cover 811; argon inlet pipe 840 arranged on the upper cover 811 and passing into the lower part of the reactor 810, suction line 841, nitrogen inlet 842, oxygen-containing gas inlet pipe 820 for passivation, vacuum pressure gauge 812 for measuring reactor pressure, tantalum crucible 880 arranged in the reactor 810, tantalum powder 870 mixed with magnesium powder contained in a crucible 880, thermocouples 861, 862 and 863 for measuring the temperature of the upper part, the middle part and the resp. the bottom of the reactor and the thermal insulation screen assembly 850 located at the top of the crucible 880, further comprising an argon forced cooling device 800A and an oxygen-containing gas cooling system 890A, argon forced cooling device 800A components, and functions: an argon outlet 807 arranged at the top of the reactor 810, the high temperature argon in the furnace exits the argon outlet 807, passes through cooling water cooled piping pipes 808 entering 808-1 and exiting 808-2 on the periphery, and enters the exchanger chamber 801 from on one side of the exchanger chamber 801, in the exchanger chamber 801 there is a cooler-cooled medium line 804, the argon supplied in the exchanger chamber is cooled and exits the argon outlet 805 on the other side of the exchanger chamber 801, passes through the line 807 and is supplied to the circulating pump 809 is extruded by a circulation pump 809 and fed through connecting pipes to a furnace 810 for heat processing from outlet 840 at the bottom of the reactor. The components in the oxygen-containing gas cooling system 890A and their functions are as follows: the cooling medium is cooled by a condenser 890; the cooled medium flows through the medium line 894 into the exchanger chamber 891, in which the pressure gauge 898 is connected to the exchanger chamber 891; in the exchanger chamber 891, the oxygen- and argon-containing gas enters the exchanger chamber 891 from its respective inlets 892 and 893 and mixes; the oxygen-containing mixed gas undergoes heat exchange with the medium line 894 in the exchanger chamber 891 and is thereby cooled; the oxygen-containing cooled gas exits the outlet 895 on the other side of the exchanger chamber 891, passes through thermal insulation lines 896 and enters the reactor 810 from the inlet 820 to the upper part of the reactor, a thermometer 897 is arranged near the outlet of the oxygen-containing gas, the thermometer being used to measure the temperature of the oxygen-containing gas; the water outlet 899 is arranged at the bottom of the exchanger chamber 891.

Když se pasivace dávky tantalového kovu dokončí, každá součást ve výměníku tepla se vysuší s použitím horkého vzduchu, rozpuštěná vody proudí ven z výstupu 899 vody.When the passivation of the tantalum metal batch is complete, each component in the heat exchanger is dried using hot air, the dissolved water flowing out of the water outlet 899.

U předloženého vynálezu není dávkování tantalového prášku do pece pro tepelné zpracování zvláště omezeno. Avšak, se, zřetelem k stejnoměrnosti tepla, nitridaci a stejnoměrnosti pasivace a výkonnosti, tloušťka tantalového prášku je s výhodou 60 mm nebo menší a s výhodou 40 až 50 mm. Za účelem bezpečnosti a vyššího výtěžku, tantalový prášek je s výhodou pozvolna dávkován do tyglíku a srovnán. Předložený vynález obvykle využívá kruhový nebo čtvercový tyglíkIn the present invention, the dosing of tantalum powder into the heat treatment furnace is not particularly limited. However, with respect to heat uniformity, nitriding and passivation uniformity and performance, the thickness of the tantalum powder is preferably 60 mm or less, and preferably 40 to 50 mm. For safety and higher yields, the tantalum powder is preferably slowly dosed into a crucible and leveled. The present invention typically utilizes a circular or square crucible

-9CZ 306250 B6 s mělkou hloubkou, jako je tantalový tyglík, mající délku x šířku x hloubku asi 350 x 210 x 75 mm.-9EN 306250 B6 with a shallow depth, such as a tantalum crucible, having a length x width x depth of about 350 x 210 x 75 mm.

Teplota tepelného zpracování a doba zdržení tantalového práškuje stanovena na základě různých typů tantalových prášků a požadavcích, obvyklé zdržení je 30 až 90 minut při teplotě 900 až 1400 °C a podtlak je nižší než 1,33 x 10'1 Pa.The heat treatment temperature and the residence time of the tantalum powder are determined based on different types of tantalum powders and requirements, the usual residence time is 30 to 90 minutes at 900 to 1400 ° C and the vacuum is less than 1.33 x 10 -1 Pa.

Tepelně zpracovávaný tantalový prášek je optimálně nitridován přiváděním dusíku během chlazení.The heat-treated tantalum powder is optimally nitrided by supplying nitrogen during cooling.

Poté co byl tantalový prášek vystaven udržovací teplotě 900 až 1400 °C, ochladí se ve vakuové peci, a potom ho lze chladit pláštěm s vodou chlazeným opláštěním, tantalový prášek se ochladí argonem s pokojovou teplotou na teplotu asi 80 °C nebo nižší, a potom podrobí nucenému cirkulačnímu ochlazování argonem pod pokojovou teplotu tak, aby tantalový prášek byl ochlazen na teplotu 30 °C nebo nižší, s výhodou 20 °C nebo nižší, například na 10 až 20 °C, a potom podroben pasivačnímu zpracování přivedením plynu obsahujícího kyslík.After the tantalum powder has been exposed to a holding temperature of 900 to 1400 ° C, it is cooled in a vacuum oven, and then cooled with a water-cooled jacket, the tantalum powder is cooled with argon at room temperature to about 80 ° C or lower, and then subjected to forced circulating cooling with argon below room temperature so that the tantalum powder is cooled to a temperature of 30 ° C or lower, preferably 20 ° C or lower, for example to 10 to 20 ° C, and then subjected to a passivation treatment by introducing an oxygen-containing gas.

Plyn obsahující kyslík se smíchá s plynem obsahujícím argon a kyslík, s ohledem na ekonomiku plyn obsahující kyslík je s výhodou směsný plyn obsahující vzduch a argon. Podle předloženého vynálezu koncentrace kyslíku vplynu obsahujícím kyslík je 21 % obj. nebo nižší; čím je nižší koncentrace kyslíku, tím účinněji může být řízena oxidace tantalu. Protože čím je měrné teplo plynu nižší, s ohledem na účinek je žádoucí, aby koncentrace kyslíku v plynu obsahujícím kyslík byla co možná nejnižší. Avšak, s ohledem na výtěžek a ekonomiku, na začátku pasivace s výhodou je obsah kyslíku v plynu obsahujícím kyslík 5 až 15 % obj.The oxygen-containing gas is mixed with the argon-oxygen-containing gas and, in view of economics, the oxygen-containing gas is preferably a mixed gas containing air and argon. According to the present invention, the oxygen concentration of the oxygen-containing effect is 21% by volume or less; the lower the oxygen concentration, the more effectively the oxidation of tantalum can be controlled. Because the lower the specific heat of the gas, in view of the effect, it is desirable that the oxygen concentration in the oxygen-containing gas be as low as possible. However, in view of yield and economy, at the beginning of the passivation, the oxygen content of the oxygen-containing gas is preferably 5 to 15% by volume.

Pokud se týká tantalového prášku majícího malou měrnou povrchovou plochu, je dostatečné, aby se pasivace prováděla jednou. Pokud se týká tantalového prášku majícího značnou měrnou povrchovou plochu, je výhodné, aby se pasivace prováděla dvakrát nebo vícekrát. První pasivace se provádí s použitím plynu s nízkým obsahem kyslíku, a potom se koncentrace plynu obsahujícího kyslík postupně zvyšuje, koncentrace je až do koncentrace kyslíku ve vzduchu, okolo 21 % obj.In the case of tantalum powder having a small specific surface area, it is sufficient that the passivation be performed once. In the case of tantalum powder having a considerable specific surface area, it is preferable that the passivation be performed twice or more. The first passivation is performed using a low oxygen gas, and then the concentration of the oxygen-containing gas is gradually increased, up to an oxygen concentration in the air, about 21% by volume.

Podle předloženého vynálezu se plyn obsahující kyslík a přídavný plyn, např. argon, přiváděly ze svých příslušných přívodů do výměníkové komory v objemovém poměru vypočítaném z tlaku plynu, plyny se směšují a procházejí výměnou tepla ve výměníku tepla, teplota odváděného plynu obsahujícího kyslík se měřila na výstupu. Teplota plynu obsahujícího kyslík popsaná v předloženém vynálezu znamená teplotu vypouštěného plynu měřenou na výstupu.According to the present invention, the oxygen-containing gas and the make-up gas, e.g. argon, are fed from their respective inlets to the exchanger chamber in a volume ratio calculated from the gas pressure, the gases are mixed and passed by heat exchange in the heat exchanger, the temperature of the oxygen-containing exhaust gas being measured at output. The temperature of the oxygen-containing gas described in the present invention means the temperature of the exhaust gas measured at the outlet.

Když se tantalový prášek pasivoval, pec pro tepelné zpracování se vyčerpala na asi 200 Pa, a potom plyn obsahující kyslík se plynule nebo přerušovaně přivedl do pece pro tepelné zpracování, aby konečný tlak v peci pro tepelné zpracování dosáhl asi 0,1 MPa.When the tantalum powder was passivated, the heat treatment furnace was depleted to about 200 Pa, and then the oxygen-containing gas was continuously or intermittently introduced into the heat treatment furnace so that the final pressure in the heat treatment furnace reached about 0.1 MPa.

Tepelné zpracování zde popsané znamená průběh ohřívání tantalového prášku při teplotě nad 300 °C ve vakuu nebo inertní atmosféře nebo redukční atmosféře a obsahuje slinování porézního tantalového výlisku, např. slinování pro výrobu anody tantalového elektrolytického kondenzátoru, a lze použít zařízení podobné tepelnému zpracování tantalového prášku, např. zařízení, které je znázorněno na obr. 2 až obr. 4.The heat treatment described herein means heating the tantalum powder at a temperature above 300 ° C in a vacuum or inert atmosphere or reducing atmosphere and includes sintering the porous tantalum molding, e.g., sintering to produce an anode of the tantalum electrolytic capacitor, and equipment similar to tantalum powder heat treatment. e.g. the device shown in Figs. 2 to 4.

Obsah kyslíku v tantalovém prášku zde popsaný byl stanoven pomocí společného determinátoru TC-436 kyslík dusík; obsah vodíku tantalového prášku byl stanoven pomocí determinátoru obsahu vodíku RH-404. Údaje o elektronických vlastnostech tantalového prášku za mokra zde popsané se měřily následovně: tantalový prášek se slisoval do válcového výlisku s hustotou 4,5 g/cm3, průměrem 3,0 mm a výškou 4,72 mm, do kterého byl vložen 0,3 mm tantalový drát, každý výlisek obsahoval asi 150 mg tantalového prášku; výlisek se slinoval při 1320 °C po dobu 10 minut, aby se vytvořil aglomerát; aglomerát se vložil do 0,1 % hmotn. kyseliny fosforečné při 80 °C, napětí bylo zvýšeno na 30 V při hustotě proudu 60 mA/g a napětí se udržovalo po dobu 120 miThe oxygen content of the tantalum powder described herein was determined using the common determinant TC-436 oxygen nitrogen; the hydrogen content of the tantalum powder was determined using the hydrogen content determinant RH-404. The wet electronic properties of the tantalum powder described herein were measured as follows: The tantalum powder was compressed into a cylindrical compact with a density of 4.5 g / cm 3 , a diameter of 3.0 mm and a height of 4.72 mm, into which 0.3 mm tantalum wire, each molding contained about 150 mg of tantalum powder; the compact was sintered at 1320 ° C for 10 minutes to form an agglomerate; the agglomerate was placed in 0.1 wt. phosphoric acid at 80 ° C, the voltage was increased to 30 V at a current density of 60 mA / g and the voltage was maintained for 120 ml

Λ nut, aby se vytvořila anoda, u které byl povrch tantalových částic pokryt dielektrickým filmem; svodový proud anody byl stanoven v 0,1 % hmotn. kyselině fosforečné při 25 °C a měrná elektrická kapacita (měrná jímavost) a ztráty byly stanoveny v 20 % hmotn. roztoku kyseliny sírové.Λ to form an anode in which the surface of the tantalum particles has been covered with a dielectric film; the leakage current of the anode was determined in 0.1 wt. phosphoric acid at 25 ° C and the specific electrical capacity (specific capacity) and losses were determined in 20 wt. sulfuric acid solution.

Aby se dále vysvětlil předložený vynález, výhodná provedení předloženého vynálezu jsou popsána následujícím způsobem kombinováním příkladů a výkresů. Avšak je nutno chápat, že tyto popisy jsou pouze další vysvětlení znaků a výhod předloženého vynálezu, ale neznamenají omezení rozsahu vynálezu.To further explain the present invention, preferred embodiments of the present invention are described as follows by combining examples and drawings. However, it is to be understood that these descriptions are merely further explanations of the features and advantages of the present invention, but are not intended to limit the scope of the invention.

Příklady uskutečnění vynálezuExamples of embodiments of the invention

Příklad 1Example 1

Vytvořil se výchozí prášek, který se připravil redukcí fluoridu draselno-tantalového se sodíkem; výchozí prášek měl měrnou povrchovou plochu 1,82 m2/g, objemová hmotnost 0,51 g/cm3 a obsah kyslíku 6200 ppm. Surový prášek se smíchal se 120 ppm fosforu, vztaženo k hmotnosti tantalového prášku, byl granulovaný žíháním na měkko, aby se získaly sférické částice s objemovou hmotností 1,02 g/cm3. Na měkko žíhaný granulovaný tantalový prášek se dávkoval do tyglíku a tyglík se umístil do zařízení pro pasivaci tepelným zpracováním tantalového prášku, jak je znázorněno na obr. 4, ohříván ve vakuu pod 1,33 x 101 Pa na 1200 °C a podržen po dobu 30 minut, a potom se ohřívání zastavilo a teplota se snížila na 200 °C; přivedl se argon, aby se snížila teplota na 80 °C, byl uveden v činnost systém 400A pro nucené chlazení argonu, argon o vysoké teplotě v peci pro tepelné zpracování vycházel z výstupu 407, procházel potrubím 408 chlazeným chladicí vodou, přivedl se do výměníkové komory 401 z přívodu plynu 402 a podstoupil výměnu tepla s trubkou 404 chladicího média spojenou s chladičem; argon se ochladil výměnou tepla, ochlazený argon vycházel z výstupu 405, čerpal s použitím cirkulačního čerpadla 409. aby procházel potrubím 406 a přivedl se do pece pro tepelné zpracování z přívodu 440 plynu pece pro tepelné zpracování, což představuje cirkulaci argonu. Cirkulující argon způsobil, že se tyglík a tantalový prášek v peci pro tepelné zpracování ochladí, po ochlazení po dobu asi 2 hodiny se teplota v peci snížila na 25 °C a tantalový prášek byl pasivován. Způsob pasivace obsahuje vyprázdnění plynu z pece zavzdušňovacím potrubím 441 na podtlak asi 200 Pa, chladicí systém 490A plynu obsahujícího kyslík se uvede v činnost, aby se vzduch a argon přivedl do výměníkové komory 491 z 492 a resp. 493 za následujících podmínek, smíchají se, podrobí výměně tepla s 494. a potom vycházejí z výstupu 495. procházejí tepelně izolačním potrubím 496 a přivádějí se do nístěje 410 z přívodu 420; nejprve se plyn obsahující kyslík s koncentrací kyslíku asi 5 % obj. (1 díl obj. vzduchu a 3 díly obj. argonu se zavedly tlakoměrem z přívodu 492 a výstupem 493 do výměníkové komory 491) podrobil výměně tepla s trubkou 494 chladicího média, spojenou s chladičem, a tím se ochladil, plyn obsahující kyslík o teplotě -10 do -20 °C vychází z výstupu 495 plynu obsahujícího kyslík, prochází tepelně izolační trubkou 496 a přivádí se do pece pro tepelné zpracování z přívodu 420 plynu na horní části pece pro tepelné zpracování, tlak se zvýšil v 8 stupních a za 3 hodiny z 200 Pa na 0,1 MPa: (200 Pa až 0,005 MPa)/30 minut, (0,005 až 0,01 MPa)/30 minut, (0,1 až 0,02 MPa)/20 minut, (0,02 až 0,03 MPa)/20 minut, 0,03 až 0,045 MPa)/20 minut, (0,045 až 0,06 MPa)/20 minut, 0,06 až 0,08 MPa)/20 minut, (0,08 až 0,1 MPa)/20 minut, celkově 3 hodiny; zadruhé, plyn obsahující kyslík při -10 až -20 °C s koncentrací kyslíku 10% obj. (1 díl obj. vzduchu a 1 díl obj. argonu se smíchaly) se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa za 3 hodiny k prvnímu postupu aerace; za třetí, tlak se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa za 3 hodiny s použitím vzduchu při -10 až -20 °C stejným způsobem jako u prvního postupu; za čtvrté, tlak se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa ve čtyřech stupních celkem 2 hodiny s použitím vzduchu při -10 až -20 °C: (200 Pa až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/30minut, (0,03 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,10 MPa)/30minut. Provedly se čtyři pasivace za celkem 11 hodin. Během celého postupu, teplota v peci se nejdříve postupně zvýšila na 28 °C, potom byla teplota postupně stálá a měněna mezi 25 a 28 °C a nakonec se teplota snížila postupně na 25 °C. Po vyprázdnění se tantalový prášek vyjmul a nenastala žádná prudká oxidace. TeA starting powder was formed which was prepared by reducing potassium tantalum fluoride with sodium; the starting powder had a specific surface area of 1.82 m 2 / g, a bulk density of 0.51 g / cm 3 and an oxygen content of 6200 ppm. The crude powder was mixed with 120 ppm of phosphorus, based on the weight of the tantalum powder, granulated by soft annealing to obtain spherical particles having a bulk density of 1.02 g / cm 3 . The soft-annealed granular tantalum powder was metered into a crucible, and the crucible was placed in a passivation device by heat treating the tantalum powder, as shown in Fig. 4, heated under vacuum at 1.33 x 10 1 Pa at 1200 ° C, and held for 30 minutes, and then the heating was stopped and the temperature was reduced to 200 ° C; argon was introduced to reduce the temperature to 80 ° C, a system 400A for forced cooling of argon was put into operation, argon with high temperature in the heat treatment furnace came out of outlet 407, passed through pipe 408 cooled by cooling water, it was introduced into the exchanger chamber 401 from the gas supply 402 and underwent heat exchange with a refrigerant pipe 404 connected to the condenser; the argon was cooled by heat exchange, the cooled argon exiting the outlet 405, pumped using a circulating pump 409 to pass through line 406 and fed to the heat treatment furnace from the heat treatment furnace gas inlet 440, which represents the circulation of argon. Circulating argon caused the crucible and tantalum powder to cool in the heat treatment furnace, after cooling for about 2 hours, the temperature in the furnace was reduced to 25 ° C and the tantalum powder was passivated. The passivation method includes discharging the gas from the furnace through an aeration line 441 to a vacuum of about 200 Pa, and an oxygen-containing gas cooling system 490A is actuated to supply air and argon to the exchanger chamber 491 of 492 and 492, respectively. 493 under the following conditions, are mixed, heat exchanged with 494, and then exit the outlet 495, pass through a thermally insulating pipe 496 and be fed to the hearth 410 from the inlet 420; first, an oxygen-containing gas with an oxygen concentration of about 5% by volume (1 part by volume of air and 3 parts by volume of argon were introduced by a pressure gauge from inlet 492 and outlet 493 into exchanger chamber 491) was heat exchanged with a refrigerant tube 494 connected to The oxygen-containing gas at -10 to -20 ° C exits the oxygen-containing gas outlet 495, passes through the heat insulating tube 496, and is fed to the heat treatment furnace from the gas supply 420 at the top of the heat furnace. processing, the pressure increased in 8 stages and in 3 hours from 200 Pa to 0.1 MPa: (200 Pa to 0.005 MPa) / 30 minutes, (0.005 to 0.01 MPa) / 30 minutes, (0.1 to 0 .02 MPa) / 20 minutes, (0.02 to 0.03 MPa) / 20 minutes, 0.03 to 0.045 MPa) / 20 minutes, (0.045 to 0.06 MPa) / 20 minutes, 0.06 to 0 .08 MPa) / 20 minutes, (0.08 to 0.1 MPa) / 20 minutes, total 3 hours; second, the oxygen-containing gas at -10 to -20 ° C with an oxygen concentration of 10% by volume (1 part by volume of air and 1 part by volume of argon were mixed) increased from 200 Pa to 0.1 MPa in 3 hours to the first aeration procedure; third, the pressure was increased from 200 Pa to 0.1 MPa in 3 hours using air at -10 to -20 ° C in the same manner as in the first procedure; fourth, the pressure was increased from 200 Pa to 0.1 MPa in four stages for a total of 2 hours using air at -10 to -20 ° C: (200 Pa to 0.01 MPa) / 30 minutes, (0.01 to 0.03 MPa) / 30 minutes, (0.03 to 0.06 MPa) / 30 minutes, (0.06 to 0.10 MPa) / 30 minutes. Four passivations were performed in a total of 11 hours. Throughout the process, the temperature in the furnace first gradually increased to 28 ° C, then the temperature was gradually constant and changed between 25 and 28 ° C, and finally the temperature gradually decreased to 25 ° C. After emptying, the tantalum powder was removed and no violent oxidation occurred. Te

- 11 CZ 306250 B6 pelně zpracovaný tantalový prášek se proséval sítem s 80 oky, aby se získal S-lh tantalový prášek. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. 2% hmotn. hořčíkový prášek, vztaženo ktantalovému prášku, se smíchal, aby vytvořil smíšený prášek, smísený prášek se dávkoval do reaktoru pro dezoxidaci tantalového prášku, jak je znázorněno na obr. 6, podrží při 850 °C po dobu 3 hodin, aby se provedlo dezoxidační zpracování, ohřívání se zastavilo a teplota se snížila a zpracovaný tantalový prášek se nitridoval při 280 °C, ochladil argonem, kdy byla teplota tantalového prášku snížena na 15 °C, podle postupu pasivace podobnému shora popsanému tepelnému zpracování přiváděl se plyn obsahující kyslík při 31 °C a pasivace se prováděla 4krát s použitím plynu obsahujícího kyslík s koncentrací kyslíku asi 5 % obj., 10 % obj., 21 % obj. a 21 % obj., první 3 pasivace se prováděly každá po dobu 3 hodin a poslední pasivace se prováděla po dobu 2 hodin, celkově 11 hodin. Po vyprázdnění pasivovaný tantalový prášek se mořil, promýval vodou a sušil, aby se získal S-ld tantalový prášek. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. Stanovil se elektrický výkon tantalového prášku a výsledky jsou znázorněny v tabulce 2.The finely treated tantalum powder was sieved through an 80-mesh sieve to obtain an S-1h tantalum powder. The oxygen and hydrogen contents of the tantalum powder were analyzed, the results being shown in Table 1. 2 wt. magnesium powder, based on the tantalum powder, was mixed to form a mixed powder, the mixed powder was fed to a tantalum powder deoxidation reactor as shown in Fig. 6, held at 850 ° C for 3 hours to perform deoxidation treatment. the heating was stopped and the temperature was reduced, and the treated tantalum powder was nitrided at 280 ° C, quenched with argon when the temperature of the tantalum powder was reduced to 15 ° C, and an oxygen-containing gas was introduced at 31 ° C according to a passivation procedure similar to the above heat treatment passivation was performed 4 times using an oxygen-containing gas with an oxygen concentration of about 5% by volume, 10% by volume, 21% by volume and 21% by volume, the first 3 passivations were performed each for 3 hours and the last passivation was performed for 2 hours, a total of 11 hours. After emptying, the passivated tantalum powder was pickled, washed with water and dried to obtain an S-Id tantalum powder. The oxygen and hydrogen contents of the tantalum powder were analyzed, the results are shown in Table 1. The electrical power of the tantalum powder was determined, and the results are shown in Table 2.

Příklad 2Example 2

Výchozí tantalový prášek, který byl použit v příkladu 1, byl dávkován do pece pro tepelné zpracování tantalového prášku se zařízením pro nucené chlazení argonu, jak je znázorněno na obr. 2, a podroben tepelnému zpracování za stejných podmínek jako v příkladu 1, když se teplota tantalového prášku snížila na asi 200 °C, přivedl se argon a uvedl se v činnost systém 200A pro nucené chlazení argonu, argon s vysokou teplotou v peci pro tepelné zpracování vycházel z výstupu 207 v horní části pece, procházel vodou chlazeným potrubím 208, přiváděl se do výměníkové komory 201 z přívodu plynu 202 a podrobil se tepelné výměně s trubkou 204 chladicího média spojenou s chladičem 200; argon se ochladil výměnou tepla, ochlazený argon vycházel z výstupu 205, procházel potrubím 206, čerpal se s použitím cirkulačního čerpadla 209, aby se přivedl do pece 210 pro tepelné zpracování z přívodu plynu 240 pece pro tepelné zpracování, což představuje cirkulaci argonu; cirkulovaný argon způsobí, že se tyglík a tantalový prášek v peci pro tepelné zpracování ochladí, když se chlazení provádělo po dobu 4 hodiny, tyglík a tantalový prášek se nucené chladil argonem na teplotu 10 °C a tantalový prášek se pasivoval. Pec pro tepelné zpracování se vyprázdnila na asi 200 Pa; zaprvé, plyn obsahující kyslík při 32 °C s koncentrací kyslíku asi 5 % obj. se zvýšil v 8 stupních a 4 hodinách z 200 Pa na 0,1 MPa: (200 Pa až 0,005 MPa)/30 minut, (0,005 až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,02 MPa)/30 minut, (0,02 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,045 MPa)/30 minut, (0,045 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,08 MPa)/30 minut, (0,08 až 0,1 MPa)/30 minut; za druhé, plyn obsahující kyslík při 32 °C s koncentrací kyslíku asi 10 % obj. se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa ve 4 hodinách podle prvního postupu aerace; za třetí: tlak se zvýšil z 200 Pa až 0,1 MPa za 4 hodiny s použitím vzduchu při 32 °C podle stejného postupu jako u prvního postupu; za čtvrté, plyn obsahující kyslík se zvýšil z 200 Pa až 0,1 MPa ve 4 stupních za celkem 2 hodiny s použitím vzduchu při 32 °C: (200 Pa až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/ 30 minut, (0,03 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 za 0,10 MPa)/30 minut. Čtyři pasivace se prováděly celkem 14 hodin. Během celého postupu se teplota pece nejprve zvýší postupně na 33 °C, potom se teplota postupně ustálila a měnila mezi 28 a 32 °C. Po vyprázdnění tantalový prášek se vyjmul, žádný znak prudké oxidace nenastal. Tepelně zpracovaný tantalový prášek se nechal projít 80 okovým sítem, aby se získal tantalový prášek S-2h. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. 2% hmotn. hořčíkový prášek vztaženo k tantalovému prášku, se smíchal v tantalovém prášku S-2h, aby se vytvořil smísený prášek, smísený prášek se dávkoval do reaktoru pro dezoxidaci tantalového prášku, jak je znázorněno na obr. 7, podržel při 850 °C tři hodiny, aby se provedlo zpracování dezoxidaci, ohřívání se zastavilo a teplota se snížila, a zpracovaný tantalový prášek se nitridoval při 280 °C, a potom se snížila teplota tantalového prášku v reaktoru na 31 °C, plyn obsahující kyslík při -10 až -40 °C se přivedl čtyřikrát, podle postupu pasivace podobné shora popsanému tepelnému zpracování, a tantalový prášek se pasivoval s použitím plynu obsahujícího kyslík s koncentrací kyslíku asi 5 % obj., 10 % obj., 21 % obj. a 21 % obj., první tři pasivace se prováděly každá 3 hodiny a poslední pasivace se prováděla 2 hodiny, celkem 11 hodin. Po vyprázdnění se pasivovaný tanta . i?.The starting tantalum powder used in Example 1 was fed to a tantalum powder heat treatment furnace with an argon forced cooling device as shown in Fig. 2 and subjected to heat treatment under the same conditions as in Example 1 when the temperature reduced the amount of tantalum powder to about 200 ° C, argon was introduced and the argon forced cooling system 200A was started, high temperature argon in the heat treatment furnace exited the outlet 207 at the top of the furnace, passed through water-cooled line 208, to the exchanger chamber 201 from the gas supply 202 and subjected to heat exchange with a refrigerant pipe 204 connected to the condenser 200; the argon was cooled by heat exchange, the cooled argon exiting the outlet 205, passing through line 206, pumped using a circulation pump 209 to be fed to the heat treatment furnace 210 from the heat treatment furnace gas inlet 240, which represents the circulation of argon; circulating argon causes the crucible and tantalum powder in the heat treatment furnace to cool when cooling for 4 hours, the crucible and tantalum powder are forcibly cooled with argon to 10 ° C, and the tantalum powder is passivated. The heat treatment furnace was emptied to about 200 Pa; first, the oxygen-containing gas at 32 ° C with an oxygen concentration of about 5% by volume increased in 8 steps and 4 hours from 200 Pa to 0.1 MPa: (200 Pa to 0.005 MPa) / 30 minutes, (0.005 to 0, 01 MPa) / 30 minutes, (0.01 to 0.02 MPa) / 30 minutes, (0.02 to 0.03 MPa) / 30 minutes, (0.03 to 0.045 MPa) / 30 minutes, (0.045 to 0.06 MPa) / 30 minutes, (0.06 to 0.08 MPa) / 30 minutes, (0.08 to 0.1 MPa) / 30 minutes; second, the oxygen-containing gas at 32 ° C with an oxygen concentration of about 10% by volume was increased from 200 Pa to 0.1 MPa in 4 hours according to the first aeration procedure; third: the pressure was increased from 200 Pa to 0.1 MPa in 4 hours using air at 32 ° C according to the same procedure as in the first procedure; fourth, the oxygen-containing gas was increased from 200 Pa to 0.1 MPa in 4 stages for a total of 2 hours using air at 32 ° C: (200 Pa to 0.01 MPa) / 30 minutes, (0.01 to 0 .03 MPa) / 30 minutes, (0.03 to 0.06 MPa) / 30 minutes, (0.06 to 0.10 MPa) / 30 minutes. Four passivations were performed for a total of 14 hours. Throughout the process, the oven temperature is first raised gradually to 33 ° C, then the temperature has gradually stabilized and varied between 28 and 32 ° C. After emptying, the tantalum powder was removed, no sign of violent oxidation. The heat-treated tantalum powder was passed through an 80-mesh sieve to obtain S-2h tantalum powder. The oxygen and hydrogen contents of the tantalum powder were analyzed, the results being shown in Table 1. 2 wt. magnesium powder relative to the tantalum powder was mixed in the tantalum powder S-2h to form a mixed powder, the mixed powder was metered into the tantalum powder deoxidation reactor as shown in Fig. 7, held at 850 ° C for three hours to deoxidation treatment was performed, heating was stopped and the temperature was reduced, and the treated tantalum powder was nitrided at 280 ° C, and then the temperature of the tantalum powder in the reactor was reduced to 31 ° C, the oxygen-containing gas at -10 to -40 ° C was four times, according to a passivation procedure similar to the heat treatment described above, and the tantalum powder was passivated using an oxygen-containing gas having an oxygen concentration of about 5% by volume, 10% by volume, 21% by volume and 21% by volume, the first three passivations being performed every 3 hours and the last passivation was performed for 2 hours, a total of 11 hours. After emptying, the passivated tant. and?.

lový prášek mořil, promýval vodou a sušil, aby se získal tantalový prášek S-2d. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. Stanovil se elektrický výkon tantalového prášku a výsledky jsou uvedeny v tabulce 2.the fishing powder was pickled, washed with water and dried to obtain tantalum powder S-2d. The oxygen and hydrogen contents of the tantalum powder were analyzed, the results are shown in Table 1. The electrical power of the tantalum powder was determined, and the results are shown in Table 2.

Příklad 3Example 3

Použilo se zařízení pro tepelné zpracování znázorněné na obr. 3 a stejný tantalový prášek jako v příkladu 1 se podrobil tepelnému zpracování za stejných podmínek, které byly popsány v příkladu 1. Po tepelném zpracování se plášť ochladil vodou na nižší teplotu a 12 hodin se přiváděl argon, aby se snížila teplota na 30 °C a tantalový prášek se pasivoval. Postup pasivace obsahuje: odsání argonu v peci na asi 200 Pa, chladicí systém 390A plynu obsahující kyslík se uvedl do činnosti, aby se vzduch a argon přivedl do výměníkové komory 391 z 392 a 393 při následujících podmínkách, smísil a podrobil výměně tepla s 394, a potom se odvedl výstupem 395. prošel tepelně izolačním potrubím 396. a přivedl se do nístěje 310 z přívodu 320; za prvé, plyn obsahující kyslík s koncentrací asi 5 % obj. se ochladil na -2 až -40 °C a zvýšil v osmi stupních z 200 Pa až 0,1 MPa: (200 Pa až 0,005 MPa)/30 minut, (0,005 až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,02 MPa)/30 minut, (0,02 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,045 MPa)/30 minut, (0,045 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,08 MPa)/30 minut, (0,08 až 0,1 MPa)/30 minut, celkem 4 hodiny; za druhé, plyn obsahující kyslík při -20 až -40 °C s koncentrací kyslíku asi 10 % obj. se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa za 4 hodiny podle prvního postupu aerace; za třetí, tlak se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa za 4 hodiny s použitím vzduchu při -20 až -40 °C podle stejného postupu, jako je první postup; za čtvrté, tlak se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa ve 4 stupních s použitím vzduchu při -20 až -40 °C: (200 Pa až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,10 MPa)/30 minut. Čtyři pasivace se prováděly celkem 14 hodin. Teplota v peci se nejprve zvýšila postupně na 35 °C, potom se postupně ustálila a měnila mezi 32 a 35 °C. Po vyprázdnění se tantalový prášek vyjmul, žádný znak prudké oxidace nenastal. Tepelně zpracovaný tantalový prášek procházel 80 okovým sítem, aby se získal tantalový prášek S-3h. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzoval, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. 2% hmotn. hořčíkový prášek, vztažený na tantalový prášek, se smíchal v tantalovém prášku S-3h, aby se vytvořil smísený prášek, smísený prášek se dávkoval do reaktoru pro dezoxidaci tantalového prášku, jak je znázorněno na obr. 8, držel při 850 °C 3 hodiny, aby se provedlo dezoxidační zpracování, ohřívání se zastavilo a teplota se snížila a zpracovaný tantalový prášek se nitridoval při 280 °C, a potom nucené chladil argonem, když se teplota tantalového prášku snížila na 15 °C, přivedl se plyn obsahující kyslík při -10 až -40 °C čtyřikrát, podle postupu pasivace podobné tepelnému zpracování, jak bylo popsáno shora, se tantalový prášek pasivoval plynem obsahujícím kyslík s koncentrací kyslíku asi 5 % obj., 10 % obj., 21 % obj. a 21 % obj., první 3 pasivace se každá prováděla 3 hodiny a poslední pasivace se prováděla 2 hodiny, celkem 11 hodin. Po vyprázdnění pasivovaný tantalový prášek se mořil, promýval vodou a sušil, aby se získal tantalový prášek S-3d. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. Stanovil se elektrický výkon tantalového prášku a výsledky jsou uvedeny v tabulce 2.The heat treatment apparatus shown in Fig. 3 was used, and the same tantalum powder as in Example 1 was heat treated under the same conditions as described in Example 1. After the heat treatment, the jacket was cooled with water to a lower temperature and argon was added for 12 hours. to reduce the temperature to 30 ° C and passivate the tantalum powder. The passivation process comprises: aspirating argon in a furnace to about 200 Pa, an oxygen-containing gas cooling system 390A is activated to supply air and argon to the exchanger chamber 391 of 392 and 393 under the following conditions, mixed and subjected to heat exchange with 394; and then it was discharged through an outlet 395, passed through a thermal insulation pipe 396 and fed to a hearth 310 from an inlet 320; first, an oxygen-containing gas with a concentration of about 5% by volume was cooled to -2 to -40 ° C and increased in eight steps from 200 Pa to 0.1 MPa: (200 Pa to 0.005 MPa) / 30 minutes, (0.005 to 0.01 MPa) / 30 minutes, (0.01 to 0.02 MPa) / 30 minutes, (0.02 to 0.03 MPa) / 30 minutes, (0.03 to 0.045 MPa) / 30 minutes, (0.045 to 0.06 MPa) / 30 minutes, (0.06 to 0.08 MPa) / 30 minutes, (0.08 to 0.1 MPa) / 30 minutes, total 4 hours; second, the oxygen-containing gas at -20 to -40 ° C with an oxygen concentration of about 10% by volume was increased from 200 Pa to 0.1 MPa in 4 hours according to the first aeration procedure; third, the pressure was increased from 200 Pa to 0.1 MPa in 4 hours using air at -20 to -40 ° C according to the same procedure as the first procedure; fourth, the pressure was increased from 200 Pa to 0.1 MPa in 4 stages using air at -20 to -40 ° C: (200 Pa to 0.01 MPa) / 30 minutes, (0.01 to 0.03 MPa) / 30 minutes, (0.03 to 0.06 MPa) / 30 minutes, (0.06 to 0.10 MPa) / 30 minutes. Four passivations were performed for a total of 14 hours. The oven temperature first rose gradually to 35 ° C, then gradually stabilized and varied between 32 and 35 ° C. After emptying, the tantalum powder was removed, no sign of violent oxidation. The heat-treated tantalum powder was passed through an 80-mesh sieve to obtain tantalum powder S-3h. The oxygen and hydrogen contents of the tantalum powder were analyzed, the results being shown in Table 1. 2 wt. magnesium powder, based on tantalum powder, was mixed in tantalum powder S-3h to form a mixed powder, the mixed powder was metered into a tantalum powder deoxidation reactor as shown in Fig. 8, kept at 850 ° C for 3 hours, to perform the deoxidation treatment, the heating was stopped and the temperature was lowered, and the treated tantalum powder was nitrided at 280 ° C, and then forcibly cooled with argon, when the temperature of the tantalum powder decreased to 15 ° C, an oxygen-containing gas was introduced at -10 to -40 ° C four times, according to a passivation procedure similar to the heat treatment as described above, the tantalum powder was passivated with an oxygen-containing gas with an oxygen concentration of about 5% by volume, 10% by volume, 21% by volume and 21% by volume, the first 3 passivations were each performed for 3 hours and the last passivation was performed for 2 hours, for a total of 11 hours. After emptying, the passivated tantalum powder was pickled, washed with water and dried to obtain S-3d tantalum powder. The oxygen and hydrogen contents of the tantalum powder were analyzed, and the results are shown in Table 1. The electrical power of the tantalum powder was determined, and the results are shown in Table 2.

Srovnávací příklad 1Comparative Example 1

Použil se stejný tantalový prášek jako v příkladu 1 a tepelné zpracování se provádělo při stejné teplotě, poté co se ohřívání zastavilo, teplota se snížila na 200 °C ve vakuu, argon se pro ochlazování přiváděl 12 hodin, když se teplota snížila na 32 °C, začala pasivace; pasivační postup obsahuje: odsání argonu v peci na asi 200 Pa, zaprvé, vzduch se přivedl do pece pro tepelné zpracování v 8 stupních, aby se zvýšil talk v peci z 200 Pa na 0,1 MPa: (200 Pa až 0,005 MPa)/120 minut, (0,005 až 0,01 MPa)/60 minut, (0,01 až 0,02 MPa)/60 minut, (0,02 až 0,03 MPa)/60 minut, (0,03 až 0,045 MPa)/30 minut, (0,045 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,08 MPa)/30 minut, (0,08 MPa až 0,1 MPa)/30 minut, celkem 7 hodin, kdy se teplota zvýšila náhle 6krát během aerace, nejvyšší teplota byla až do 60 °C; když se zjistilo, že se teplota zvýšila náhle, aerace se ihnedThe same tantalum powder as in Example 1 was used and the heat treatment was performed at the same temperature, after the heating was stopped, the temperature was reduced to 200 ° C in vacuo, argon was fed for cooling for 12 hours when the temperature was reduced to 32 ° C. , passivation began; the passivation process includes: suction of argon in the furnace to about 200 Pa, first, air is fed to the furnace for heat treatment in 8 stages to increase the talk in the furnace from 200 Pa to 0.1 MPa: (200 Pa to 0.005 MPa) / 120 minutes, (0.005 to 0.01 MPa) / 60 minutes, (0.01 to 0.02 MPa) / 60 minutes, (0.02 to 0.03 MPa) / 60 minutes, (0.03 to 0.045 MPa) ) / 30 minutes, (0.045 to 0.06 MPa) / 30 minutes, (0.06 to 0.08 MPa) / 30 minutes, (0.08 MPa to 0.1 MPa) / 30 minutes, a total of 7 hours, when the temperature increased suddenly 6 times during aeration, the highest temperature was up to 60 ° C; When it was found that the temperature rose suddenly, aeration took place immediately

- 13 CZ 306250 B6 zastavila; a poté co se teplota snížila na asi 32 °C, aerace se v peci prováděla znovu. Za druhé, vzduch při 31 °C se přivedl do pece pro tepelné zpracování v 8 stupních, aby se zvýšil tlak v peci z 200 Pa na 0,1 MPa: (200 Pa až 0,005 MPa)/60 minut, (0,005 až 0,01 MPa)/60 minut, (0,01 až 0,02 MPa)/60 minut, (0,02 až 0,03 MPa)/60 minut, (0,03 až 0,045 MPa)/30 minut, (0,045 až 5 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,08 MPa)/30 minut, (0,08 až 0,1 MPa)/30 minut, celkem 6 hodin;- 13 CZ 306250 B6 stopped; and after the temperature dropped to about 32 ° C, the aeration was performed in the furnace again. Second, air at 31 ° C was introduced into the 8-stage heat treatment furnace to increase the pressure in the furnace from 200 Pa to 0.1 MPa: (200 Pa to 0.005 MPa) / 60 minutes, (0.005 to 0, 01 MPa) / 60 minutes, (0.01 to 0.02 MPa) / 60 minutes, (0.02 to 0.03 MPa) / 60 minutes, (0.03 to 0.045 MPa) / 30 minutes, (0.045 to Δ 0.06 MPa) / 30 minutes, (0.06 to 0.08 MPa) / 30 minutes, (0.08 to 0.1 MPa) / 30 minutes, total 6 hours;

přičemž se teplota zvýšila náhle najednou na 50 °C. Třetí operace je stejná jako druhá operace, vzduch při 31 °C se přivedl do pece pro tepelné zpracování a pasivace se prováděla 6 hodin. Začtvrté, tlak se zvýšil z 200 Pa na 0,1 MPa ve 4 stupních s použitím vzduchu při 31 °C: (200 Pa až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až io 0,10 MPa )/30 minut, celkem 2 hodiny. Čtyři pasivace se prováděly celkem 21 hodin. Po pasivaci se tantalový prášek vyjmul a skutečně vzniklo teplo. Tepelně zpracovaný tantalový prášek se proséval sítem s 80 oky, aby se získal tantalový prášek E-lh. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1.2% hmotn. hořčíkový prášek, vztaženo k tantalovému prášku, se přimíchal, aby se vytvořil smísený prášek, smísený prášek se dáv15 koval do reaktoru pro dezoxidaci tantalového prášku, jak je znázorněno na obr. 5, držel se na 850 °C 3 hodiny, aby se provedlo dezoxidační zpracování, ohřívání se zastavilo a teplota se snížila a zpracovaný tantalový prášek se nitridoval při 280 °C, pasivačním postupem podobným shora popsanému tepelnému zpracování, když se teplota snížila při 31 °C, vzduch při 31 °C se přivedl 4krát, aby se provedla pasivace. První tři pasivace se prováděly v 8 stupních každý pod dobu 5 20 hodin, a čtvrtá pasivace se prováděla ve 4 stupních po dobu 2 hodin, celkem 17 hodin. Pasivovaný tantalový prášek se mořil, promýval vodou a sušil, aby se získal tantalový prášek E-ld. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového prášku se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 1. Stanovil se elektrický výkon tantalového prášku a výsledky jsou uvedeny v tabulce 2.the temperature suddenly rising suddenly to 50 ° C. The third operation is the same as the second operation, air at 31 ° C was fed to a heat treatment furnace, and passivation was performed for 6 hours. Fourth, the pressure was increased from 200 Pa to 0.1 MPa in 4 stages using air at 31 ° C: (200 Pa to 0.01 MPa) / 30 minutes, (0.01 to 0.03 MPa) / 30 minutes , (0.03 to 0.06 MPa) / 30 minutes, (0.06 to 10.10 MPa) / 30 minutes, for a total of 2 hours. Four passivations were performed for a total of 21 hours. After passivation, the tantalum powder was removed and heat was actually generated. The heat-treated tantalum powder was sieved through an 80-mesh sieve to obtain tantalum powder E-1h. The oxygen and hydrogen contents of the tantalum powder were analyzed, the results being shown in Table 1.2% by weight. magnesium powder, relative to the tantalum powder, was mixed to form a mixed powder, the mixed powder was fed to a reactor for deoxidizing the tantalum powder as shown in Fig. 5, kept at 850 ° C for 3 hours to perform deoxidation. treatment, heating was stopped and the temperature was reduced, and the treated tantalum powder was nitrided at 280 ° C, by a passivation procedure similar to the above-described heat treatment, when the temperature was reduced at 31 ° C, air at 31 ° C was introduced 4 times to perform passivation. . The first three passivations were performed in 8 steps each for 5 to 20 hours, and the fourth passivation was performed in 4 steps for 2 hours, for a total of 17 hours. The passivated tantalum powder was pickled, washed with water and dried to obtain tantalum powder E-ld. The oxygen and hydrogen contents of the tantalum powder were analyzed, the results are shown in Table 1. The electrical power of the tantalum powder was determined, and the results are shown in Table 2.

Tabulka 1: Obsahy kyslíku a vodíku tantalového práškuTable 1: Oxygen and hydrogen contents of tantalum powder

Tantalový prášek č. Tantalum powder no. O O H H S-lh S-lh 10600 10600 70 70 S-ld S-ld 3800 3800 140 140 S-2h S-2h 11300 11300 78 78 S-2d S-2d 4100 4100 140 140 S-3h S-3h 11600 11600 60 60 S-3d S-3d 400 400 130 130 E-lh E-lh 16500 16500 180 180 E-ld E-ld 5800 5800 200 200

Tabulka 2: měření výsledku elektrického výkonu tantalového práškuTable 2: Measurement of the electrical power result of tantalum powder

Tantalový prášek č. Tantalum powder no. Svodový proud nA/g Leakage current nA / g Měrná kapacita pF.v/g Specific capacity pF.v / g Ztráty (tg6)% Losses (tg6)% S-ld S-ld 58 58 85860 85860 30.5 30.5 S-2d S-2d 59 59 85800 85800 31.1 31.1 S-3d S-3d 59 59 84900 84900 32.8 32.8 E-ld E-ld 126 126 85000 85000 45.2 45.2

Jak je zřejmé z výsledků uvedených v tabulce 1 a 2, způsob podle předloženého vynálezu má výhodu krátké výrobní doby a připravený tantalový prášek má nízký obsahy kyslíku a vodíku a nízký svodový proud.As can be seen from the results shown in Tables 1 and 2, the process of the present invention has the advantage of short production times and the prepared tantalum powder has low oxygen and hydrogen contents and a low leakage current.

Příklad 4Example 4

Tantalový prášek S-ld v příkladu 1 byl po dezoxidačním tepelném zpracování slisován do válcového výlisku o hustotě 4,5 g/cm3, průměru 3,0 mm a výšce 4,72 mm, do kterého byl vložen tantalový drát 0,3 mm, každý výlisek obsahoval asi 150 mg tantalového prášku; v zařízení znázorněném na obr. 4 byl výlisek slinován při 1320 °C po dobu 10 minut, aby se vytvořil tantalový aglomerát, a potom se zahřívání zastavilo, teplota se snížila na 200 °C, přivedl se argon a uvedlo se v činnost zařízení 400A pro nucené chlazení argonu, chlazení se provádělo 3 hodiny, aby se snížila teplota v peci na 20 °C, a tantalový aglomerát se pasivoval. Pasivační postup obsahuje: odsání argonu v peci na podtlak asi 200 Pa; zaprvé, plyn obsahující kyslík při -10 až -40 °C o koncentraci asi 10 % obj. se přivedl do pece pro tepelné zpracování v 5 stupních za 3 hodiny, aby se zvýšil tlak v peci z 200 Pa na 0,1 MPa: (200 Pa až 0,01 MPa)/40 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/40 minut, (0,03 až 0,05 MPa)/40 minut, (0,5 až 0,07 MPa)/30 minut, (0,07 až 0,1 MPa)/30 minut. Za druhé, vzduch při -10 až -40 °C se přivedl do pece pro tepelné zpracování ve 4 stupních a za 2 hodiny, aby se zvýšil tlak v peci z 200 Pa na 0,1 MPa: (200 Pa až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,10 MPa)/30 minut. Obě pasivace se prováděly celkem 5 hodin. Během celého postupu teplota v peci byla nejprve postupně zvýšena na 32 °C, potom se teplota postupně ustálila a měnila mezi 29 a 31 °C a konečně se teplota snížila postupně na 29 °C. Po vyprázdnění, tantalový prášek se vyjmul a získal se tantalový aglomerát S-4. Obsahy kyslíku a vodíku tantalového aglomerátu se analyzovaly, výsledky jsou uvedeny v tabulce 3. Aglomerát se umístil do 0,1% hmotn. kyseliny fosforečné při 80 °C, napětí se zvýšilo při hustotě proudu 60 mA/g na 30 V a udržovalo na konstantním tlaku 120 minut, aby se vytvořila tantalová anoda S-4a; svodový proud anody se stanovil v 0,1% hmotn. kyselině fosforečné při 25 °C a měrná elektrická kapacita (měrná kapacita) a ztráty se stanovily v 20% hmotn. roztoku kyseliny fosforečné, výsledky jsou uvedeny v tabulce 4.After deoxidation heat treatment, the tantalum powder S-1d in Example 1 was pressed into a cylindrical molding with a density of 4.5 g / cm 3 , a diameter of 3.0 mm and a height of 4.72 mm, into which a tantalum wire of 0.3 mm was inserted. each compact contained about 150 mg of tantalum powder; in the apparatus shown in Fig. 4, the molding was sintered at 1320 ° C for 10 minutes to form a tantalum agglomerate, and then the heating was stopped, the temperature was reduced to 200 ° C, argon was introduced, and the 400A apparatus was operated for forced cooling of argon, cooling was performed for 3 hours to reduce the furnace temperature to 20 ° C, and the tantalum agglomerate was passivated. The passivation process comprises: aspirating argon in a furnace to a vacuum of about 200 Pa; first, an oxygen-containing gas at -10 to -40 ° C at a concentration of about 10% by volume was introduced into a heat treatment furnace in 5 stages in 3 hours to increase the pressure in the furnace from 200 Pa to 0.1 MPa: ( 200 Pa to 0.01 MPa) / 40 minutes, (0.01 to 0.03 MPa) / 40 minutes, (0.03 to 0.05 MPa) / 40 minutes, (0.5 to 0.07 MPa) / 30 minutes, (0.07 to 0.1 MPa) / 30 minutes. Second, air at -10 to -40 ° C was fed to the furnace for heat treatment in 4 stages and in 2 hours to increase the pressure in the furnace from 200 Pa to 0.1 MPa: (200 Pa to 0.01 MPa ) / 30 minutes, (0.01 to 0.03 MPa) / 30 minutes, (0.03 to 0.06 MPa) / 30 minutes, (0.06 to 0.10 MPa) / 30 minutes. Both passivations were performed for a total of 5 hours. Throughout the process, the oven temperature was first gradually raised to 32 ° C, then the temperature gradually stabilized and varied between 29 and 31 ° C, and finally the temperature gradually decreased to 29 ° C. After emptying, the tantalum powder was removed to obtain a tantalum agglomerate S-4. The oxygen and hydrogen contents of the tantalum agglomerate were analyzed, the results are shown in Table 3. The agglomerate was placed in 0.1 wt. phosphoric acid at 80 ° C, the voltage was increased at a current density of 60 mA / g to 30 V and kept at a constant pressure for 120 minutes to form the tantalum anode S-4a; the leakage current of the anode was determined in 0.1 wt. phosphoric acid at 25 ° C and the specific electrical capacity (specific capacity) and losses were determined in 20 wt. phosphoric acid solution, the results are shown in Table 4.

Srovnávací příklad 2Comparative Example 2

Stejný tantalový prášek jako v příkladu 4 se slisoval do stejného tantalového výlisku, a slinoval za stejných podmínek, teplota se snížila na 200 °C, přivedl se argon, aby se ochladil za asi 6 hodin, aby se snížila teplota v peci na 33 °C a tantalový aglomerát se pasivoval. Postup pasivace obsahuje: odsávání argonu v peci na podtlak asi 200 Pa, zaprvé, vzduch při 32 °C se přivedl do pece pro tepelné zpracování v 6 stupních a za 4,5 hodiny, aby se zvýšil tlak v peci z 200 Pa až 0,1 MPa: (200 Pa až 0,005 MPa)/60 minut, (0,005 až 0,02 MPa)/30 minut, (0,02 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,05 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,05 MPa)/30 minut, (0,05 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,08 MPa)/30 minut, (0,08 až 0,1 MPa)/30 minut. Za druhé, vzduch při 32 °C se přivedl do pece pro tepelné zpracování ve 4 stupních a 2 hodiny, aby se zvýšil tlak v peci z 200 Pa až 0,1 MPa: (200 Pa až 0,01 MPa)/30 minut, (0,01 až 0,03 MPa)/30 minut, (0,03 až 0,06 MPa)/30 minut, (0,06 až 0,10 MPa)30 minut. Dvě pasivace se prováděly celkem 6,5 hodiny. Během celého postupu teplota v peci se nejprve zvýšila postupně na 41 °C. Po vyprázdnění se tantalový aglomerát vyjmul, aby se získal tantalový aglomerát E-2s. Analyzovaly se obsahy kyslíku a vodíku v tantalovém aglomerátu, výsledky jsou uvedeny v tabulce 3. Aglomerát byl vytvarován do anody E-2a za stejných podmínek, které byly popsány v příkladu 3. Stanovil se elektrický výkon aglomerátu a výsledky jsou uvedeny v tabulce 4.The same tantalum powder as in Example 4 was compressed into the same tantalum compact, and sintered under the same conditions, the temperature was reduced to 200 ° C, argon was added to cool in about 6 hours to reduce the furnace temperature to 33 ° C. and the tantalum agglomerate was passivated. The passivation process includes: aspirating argon in a furnace to a vacuum of about 200 Pa, first, air at 32 ° C was introduced into the furnace for heat treatment in 6 stages and in 4.5 hours to increase the pressure in the furnace from 200 Pa to 0 1 MPa: (200 Pa to 0.005 MPa) / 60 minutes, (0.005 to 0.02 MPa) / 30 minutes, (0.02 to 0.03 MPa) / 30 minutes, (0.03 to 0.05 MPa) / 30 minutes, (0.03 to 0.05 MPa) / 30 minutes, (0.05 to 0.06 MPa) / 30 minutes, (0.06 to 0.08 MPa) / 30 minutes, (0.08 up to 0.1 MPa) / 30 minutes. Second, air at 32 ° C was introduced into the heat treatment furnace in 4 stages and 2 hours to increase the pressure in the furnace from 200 Pa to 0.1 MPa: (200 Pa to 0.01 MPa) / 30 minutes. (0.01 to 0.03 MPa) / 30 minutes, (0.03 to 0.06 MPa) / 30 minutes, (0.06 to 0.10 MPa) 30 minutes. The two passivations were performed for a total of 6.5 hours. Throughout the process, the oven temperature first rose gradually to 41 ° C. After emptying, the tantalum agglomerate was removed to obtain tantalum agglomerate E-2s. The oxygen and hydrogen contents of the tantalum agglomerate were analyzed and the results are shown in Table 3. The agglomerate was formed into the anode E-2a under the same conditions as described in Example 3. The electrical power of the agglomerate was determined and the results are shown in Table 4.

- 15 CZ 306250 B6- 15 CZ 306250 B6

Tabulka 3: Obsahy kyslíku a vodíku v tantalovém práškuTable 3: Oxygen and hydrogen contents of tantalum powder

Tantalový aglomerát č. Tantalum agglomerate no. O O H H S-4 S-4 5200 5200 30 30 E-2 E-2 6500 6500 70 70

Tabulka 4: Výsledky měření elektrického výkonu tantalového aglomerátuTable 4: Results of measuring the electrical power of tantalum agglomerate

Tantalový prášek č. Tantalum powder no. Svodový proud nA/g Leakage current nA / g Měrná kapacita pF.v/g Specific capacity pF.v / g Ztráta (tg6)% Loss (tg6)% S-4 S-4 48 48 85800 85800 30,1 30.1 E-2 E-2 93 93 84000 84000 44,8 44.8

Ze shora uvedeného popisuje zřejmé, že tepelné zpracování tantalového prášku způsobem podle vynálezu je bezpečné a spolehlivé, má vysoký výtěžek a tantalový prášek nehoří a připravený tantalový prášek má nízké obsahy kyslíku a vodíku a anoda připravená z tantalového prášku má nízký svodový proud a dobrý elektrický výkon.From the above it is clear that the heat treatment of tantalum powder according to the invention is safe and reliable, has a high yield and tantalum powder does not burn and the prepared tantalum powder has low oxygen and hydrogen contents and the anode prepared from tantalum powder has low leakage current and good electrical performance .

Ve shora uvedeném popisu, i když je popis hlavně směrován na tantalový prášek, odborníci v daném oboru mohou chápat, že předložený vynález je také vhodný pro další aktivní kovové prášky, jako je prášek niobu.In the above description, although the description is mainly directed to tantalum powder, those skilled in the art will appreciate that the present invention is also suitable for other active metal powders, such as niobium powder.

Claims (10)

PATENTOVÉ NÁROKYPATENT CLAIMS 1. Způsob pasivace povrchu tantalového kovu, vyznačující se tím, že obsahuje následující kroky:A method of passivating a tantalum metal surface, characterized in that it comprises the following steps: (a) vytvoření tantalového kovu, který byl podroben tepelnému zpracování;(a) forming a tantalum metal that has been heat treated; (b) snížení teploty tantalového kovu na pokojovou teplotu;(b) lowering the temperature of the tantalum metal to room temperature; (c) přivedení plynu obsahujícího kyslík při 0 °C nebo nižší teplotě, s výhodou 0 až -40 °C, pro pasivaci povrchu tantalového kovu; a (d) případné opakování kroku (c) jednou nebo vícekrát.(c) introducing an oxygen-containing gas at 0 ° C or lower, preferably 0 to -40 ° C, to passivate the tantalum metal surface; and (d) optionally repeating step (c) one or more times. 2. Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle nároku 1, vyznačující se tím, že v kroku b) se sníží teplota tantalového kovu na 32 °C nebo méně, s výhodou pod 30 °C, a ještě výhodněji na 10 až 30 °C, použitím ochlazených inertních plynů.A method of passivating a tantalum metal surface according to claim 1, characterized in that in step b) the temperature of the tantalum metal is reduced to 32 ° C or less, preferably below 30 ° C, and even more preferably to 10 to 30 ° C, using cooled inert gases. 3. Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle nároků 1 a 2, vyznačující se tím, že přivedeným plynem obsahujícím kyslík je vzduch, směsný plyn z inertního plynu a kyslíku nebo směsný plyn z inertního plynu a vzduchu.A method of passivating a tantalum metal surface according to claims 1 and 2, characterized in that the oxygen-containing gas supplied is air, a mixed gas of inert gas and oxygen or a mixed gas of inert gas and air. 4. Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle nároků laž3, vyznačující se tím, že plyn obsahující kyslík je směsný plyn argonu a vzduchu.A method of passivating a tantalum metal surface according to claims 1 to 3, characterized in that the oxygen-containing gas is a mixed gas of argon and air. 1Á _1Á _ 5. Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle některého z nároků la2, vyznačující se tím, že koncentrace kyslíku v plynu obsahujícím kyslík je 21 % obj. nebo nižší, s výhodou 5 až 20 % obj.Process for passivating a tantalum metal surface according to one of Claims 1 and 2, characterized in that the oxygen concentration in the oxygen-containing gas is 21% by volume or less, preferably 5 to 20% by volume. 6. Způsob pasivace povrchu tantalového kovu podle nároku 2, vyznačující se tím, že inertní plyn je argon.A method of passivating a tantalum metal surface according to claim 2, characterized in that the inert gas is argon. 7. Zařízení pro provádění způsobu podle nároku 1, obsahující pec pro tepelné zpracování, přičemž tato pec pro tepelné zpracování obsahuje: nístěj (310), plášť (311) s vodou chlazeným opláštěním tvořící nístěj (310), přívod (320) pasivačního plynu obsahujícího kyslík pro přívod do nístěje (310), provzdušňovací potrubí, topné těleso uspořádané uvnitř nístěje (310), a tyglík (380) pro tepelné zpracování pro umístění zpracovávaného tantalového kovu; vyznačující se tím, že dále obsahuje chladicí systém (390A) plynu obsahujícího kyslík, přičemž tento chladicí systém (390A) obsahující kyslík obsahuje:An apparatus for carrying out the method according to claim 1, comprising a heat treatment furnace, said heat treatment furnace comprising: a hearth (310), a shell (311) with a water-cooled jacket forming the hearth (310), a passivation gas inlet (320) comprising oxygen for supply to the hearth (310), an aeration line, a heater disposed within the hearth (310), and a heat treatment crucible (380) for locating the tantalum metal being processed; characterized in that it further comprises an oxygen-containing gas cooling system (390A), the oxygen-containing cooling system (390A) comprising: - přívod plynu (320) obsahujícího kyslík, který se používá pro přivádění plynu obsahujícího kyslík pro pasivaci tantalového kovu;- an oxygen-containing gas supply (320) which is used to supply an oxygen-containing gas to passivate the tantalum metal; - výměníkovou komoru (391) tepla, ve které se plyn obsahující kyslík ochlazuje pomocí výměny tepla; a- a heat exchanger chamber (391) in which the oxygen-containing gas is cooled by heat exchange; and - výstup plynu (395) obsahujícího kyslík, kde ochlazený plyn obsahující kyslík opouští výměníkovou komoru (391) výstupem (395) a přivádí se do pece pro tepelné zpracování z horní části pece pro tepelné zpracování tepelně izolačními spojovacími potrubími (396).- an oxygen-containing gas outlet (395), wherein the cooled oxygen-containing gas leaves the exchanger chamber (391) through the outlet (395) and is fed to the heat treatment furnace from the top of the heat treatment furnace through heat insulating connecting pipes (396). 8. Zařízení k provádění způsobu podle nároku 2, přičemž tímto zařízením je zařízení podle nároku 7, dále obsahující zařízení pro nucené chlazení inertních plynů, vyznačující se tím, že zařízení pro nucené chlazení inertních plynů obsahuje:The apparatus for carrying out the method according to claim 2, wherein the apparatus is the apparatus according to claim 7, further comprising an inert gas cooling device, characterized in that the inert gas forced cooling device comprises: - přívod (240) ochlazovaných inertních plynů, kde přívod (240) ochlazovaných inertních plynů je spojen s výstupem (207) inertních plynů na horní části pece pro tepelné zpracování argonu;- an inlet (240) of cooled inert gases, wherein the inlet (240) of cooled inert gases is connected to an outlet (207) of inert gases at the top of the argon heat treatment furnace; - výměníkovou komoru (201) tepla, pro přívod (202) inertních plynů o vysoké teplotě z pece pro tepelné zpracování přes přívod (240) ochlazovaných inertních plynů pro ochlazení způsobem výměny tepla;- a heat exchanger chamber (201) for supplying (202) high temperature inert gases from the heat treatment furnace through the supply (240) of cooled inert gases for cooling by the heat exchange method; - výstup (205) ochlazených inertních plynů, kde ochlazené inertní plyny ve výměníkové komoře se odvádí z výstupu (205) inertních plynů; a- an outlet (205) of cooled inert gases, wherein the cooled inert gases in the exchanger chamber are discharged from the outlet (205) of inert gases; and - cirkulační čerpadlo (209), kde do cirkulačního čerpadla jsou přiváděny ochlazené inertní plyny z výstupu (240) ochlazených inertních plynů, a dodává ochlazené inertní plyny do pece pro tepelné zpracování z přívodu inertních plynů ve spodní části pece pro tepelné zpracování spojovacími potrubími (208).- a circulation pump (209), where cooled inert gases from the cooled inert gas outlet (240) are fed to the circulation pump, and supplies cooled inert gases to the heat treatment furnace from the inert gas supply at the bottom of the heat treatment furnace through connecting pipes (208 ). 9. Zařízení podle nároku 8, vyznačující se tím, že zařízení pro nucené chlazení inertních plynů je výhodně zařízením pro nucené chlazení argonu pro ochlazení povrchu tantalového kovu na 32 °C.Device according to claim 8, characterized in that the device for forced cooling of inert gases is preferably a device for forced cooling of argon for cooling the surface of tantalum metal to 32 ° C. 10. Zařízení podle nároku 7 nebo 8, vyznačující se tím, že chladicí systém (390A) plynu obsahujícího kyslík je vytvořen pro ochlazení plynu obsahující kyslík k pasivaci povrchu tantalového kovu při teplotě 0 °C nebo nižší, s výhodou - 40 až 0 °C.Apparatus according to claim 7 or 8, characterized in that the oxygen-containing gas cooling system (390A) is configured to cool the oxygen-containing gas to passivate the tantalum metal surface at a temperature of 0 ° C or lower, preferably - 40 to 0 ° C. .
CZ2013-807A 2011-03-23 2011-03-23 Method of passivating tantalum metal surface and apparatus therefor CZ306250B6 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2011/000488 WO2012126143A1 (en) 2011-03-23 2011-03-23 Method for passivating tantalum metal surface and apparatus thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ2013807A3 CZ2013807A3 (en) 2014-02-05
CZ306250B6 true CZ306250B6 (en) 2016-10-26

Family

ID=46878597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ2013-807A CZ306250B6 (en) 2011-03-23 2011-03-23 Method of passivating tantalum metal surface and apparatus therefor

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20140076462A1 (en)
JP (1) JP5774766B2 (en)
CN (1) CN103429782B (en)
CZ (1) CZ306250B6 (en)
IL (1) IL228504B (en)
WO (1) WO2012126143A1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104524714B (en) * 2014-12-30 2017-08-15 北京化工大学 Easy spontaneous combustion causes the blunt quick method that disappears from the gas phase of hot material in a kind of production equipment
US11534830B2 (en) * 2017-12-28 2022-12-27 Ningxia Orient Tantalum Industry Co., Ltd Tantalum powder and preparation method therefor

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2100755A1 (en) * 1991-02-18 1992-08-19 Tadahiro Ohmi Passivating apparatus
US5306355A (en) * 1991-03-18 1994-04-26 Urea Casale S.A. System for the passivation of metal surfaces affected by operating conditions and agents promoting corrosion
US5868879A (en) * 1994-03-17 1999-02-09 Teledyne Industries, Inc. Composite article, alloy and method
US6612898B1 (en) * 1996-06-20 2003-09-02 Tadahiro Ohmi Method for forming oxidation-passive layer, fluid-contacting part, and fluid feed/discharge system
US20050150576A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Sridhar Venigalla Passivation of tantalum and other metal powders using oxygen

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4423004A (en) * 1983-03-24 1983-12-27 Sprague Electric Company Treatment of tantalum powder
DE3930671A1 (en) * 1989-09-14 1991-03-28 Basf Ag METAL-METAL OXIDE ELECTRODE FOR THE DETERMINATION OF CHLORINE
JP2002060803A (en) * 2000-08-10 2002-02-28 Showa Kyabotto Super Metal Kk Method for producing tantalum sintered body for electrolytic capacitor
CN1809904A (en) * 2003-04-25 2006-07-26 卡伯特公司 Method of forming sintered valve metal material
CN1232373C (en) * 2003-04-30 2005-12-21 北京科技大学 Method for processing microtantalum and/or niobium powder and powder made by said method
CN1734187A (en) * 2004-08-09 2006-02-15 乐金电子(天津)电器有限公司 Outdoor unit of air conditioner
US20060269436A1 (en) * 2005-05-31 2006-11-30 Cabot Corporation Process for heat treating metal powder and products made from the same
DE102007020145A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Bayer Materialscience Ag Apparatus for cooling gases (quench) to form a corrosive condensate
CN101448559A (en) * 2006-05-23 2009-06-03 拜尔材料科学股份公司 Apparatus for cooling gases (quenchers) to form corrosive condensates
JP2009260151A (en) * 2008-04-18 2009-11-05 Tokyo Electron Ltd Method of forming metal doped layer, film forming apparatus, and storage medium
CN101613091B (en) * 2009-07-27 2011-04-06 中南大学 CIGS powder, CIGS target, CIGS film and preparation method thereof

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2100755A1 (en) * 1991-02-18 1992-08-19 Tadahiro Ohmi Passivating apparatus
US5306355A (en) * 1991-03-18 1994-04-26 Urea Casale S.A. System for the passivation of metal surfaces affected by operating conditions and agents promoting corrosion
US5868879A (en) * 1994-03-17 1999-02-09 Teledyne Industries, Inc. Composite article, alloy and method
US6612898B1 (en) * 1996-06-20 2003-09-02 Tadahiro Ohmi Method for forming oxidation-passive layer, fluid-contacting part, and fluid feed/discharge system
US20050150576A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Sridhar Venigalla Passivation of tantalum and other metal powders using oxygen

Also Published As

Publication number Publication date
CZ2013807A3 (en) 2014-02-05
JP2014516382A (en) 2014-07-10
JP5774766B2 (en) 2015-09-09
IL228504B (en) 2018-04-30
CN103429782A (en) 2013-12-04
WO2012126143A1 (en) 2012-09-27
CN103429782B (en) 2016-12-28
IL228504A0 (en) 2013-12-31
US20140076462A1 (en) 2014-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2446986B1 (en) Process for preparing tantalum powder for capacitors
US9579725B2 (en) Method for producing metal powders
MXPA02008557A (en) Nitrided valve metals and processes for making the same.
CN102120258B (en) Thermal treatment method of tantalum powder
US8238078B2 (en) Valve metal particles uniformly containing nitrogen and the method for preparing the same, the valve metal green pellets and sintered pellets, and the electrolytic capacitor anodes
CN102181818B (en) Method and device for surface passivation of tantalum metal
JP2002206105A (en) Method for manufacturing tantalum powder, tantalum powder, and tantalum electrolytic capacitor
CZ306250B6 (en) Method of passivating tantalum metal surface and apparatus therefor
JP5266427B1 (en) Capacitor anode body manufacturing method
CA3041256A1 (en) Tantalum powder, anode, and capacitor including same, and manufacturing methods thereof
JP2002030301A (en) Nitrogen-containing metal powder, its production method porous sintered body using the same and solid electrolytic capacitor
EP3486338B1 (en) Flaky tantalum powder and method for preparing the same
EP1918950B1 (en) Niobium sintered body for an electrode of a capacitor, capacitor and production method of the capacitor
CN105849837B (en) Tungsten capacitor anode bodies
WO2015085476A1 (en) Method for preparing capacitor-grade tantalum powder with high nitrogen content, capacitor-grade tantalum powder prepared thereby, and anode and capacitor prepared from tantalum powder
JP5752270B2 (en) Tungsten capacitor anode and method of manufacturing the same
CN202072753U (en) Tantalum metal surface inactivating equipment with argon forced cooling device
CN117840420A (en) Method for preparing high-pressure high-specific volume tantalum powder by reducing tantalum oxide with magnesium
CN202062083U (en) Surface passivation device for circulating cooling tantalum metal
CN117655338A (en) Preparation method of low-impurity-content flaky tantalum powder