CZ303566B6 - Zpusob depozice nanocástic kovu na povrch substrátu - Google Patents

Zpusob depozice nanocástic kovu na povrch substrátu Download PDF

Info

Publication number
CZ303566B6
CZ303566B6 CZ20100881A CZ2010881A CZ303566B6 CZ 303566 B6 CZ303566 B6 CZ 303566B6 CZ 20100881 A CZ20100881 A CZ 20100881A CZ 2010881 A CZ2010881 A CZ 2010881A CZ 303566 B6 CZ303566 B6 CZ 303566B6
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
substrate
substrate surface
metal nanoparticles
nanoparticles
deposition
Prior art date
Application number
CZ20100881A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ2010881A3 (cs
Inventor
Šišková@Karolína
Šafárová@Klára
Mašlán@Miroslav
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to CZ20100881A priority Critical patent/CZ303566B6/cs
Publication of CZ2010881A3 publication Critical patent/CZ2010881A3/cs
Publication of CZ303566B6 publication Critical patent/CZ303566B6/cs

Links

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Zpusob depozice nanocástic kovu na povrch substrátu je založen na aktivaci povrchu substrátu predem opracovaného nízkoteplotním plazmatem za pokojové teploty na vzduchu za atmosférického tlaku s následnou depozicí nanocástic kovu ponorením substrátu do vodné nebo nevodné suspenze nanocástic kovu a odparením kapaliny po vyjmutí substrátu ze suspenze.

Description

Oblast techniky
Vynález spadá do oblasti vytváření nanočásticových struktur kovů na povrchu různých substrátů.
Dosavadní stav techniky
Povrchové plazmony a vysoká elektrická vodivost nanočástic kovů deponovaných v 2D (dvourozměrné) struktuře na aktivní elektrodě (např. vodivá „indium-tin-oxide“ vrstva na opticky transparentním substrátu) jsou úspěšně využívány v organických solárních článcích a v organických diodových zdrojích světla ke zvýšení jejich účinnosti [Park H. J., Vak D., Noh Y. Y.; Lim B., Kim D. Y.: Applied Physics Letters 2007, 90, 161107; Morfa A., Rowlen K. L., Reilly, T. H., Romero M. J., van de Lagemaat J.: Applied Physics Letters 2008, 92, 013504; Kim S. S., Na S. L, Jo J., Kim D. Y., Nah Y. CH.: Applied Physic Letters 2008, 93, 073307; Lee J. H„ Park J. H., Kim J. S., Lee D. Y., Cho K.: Organic Electronics 2009, 10, 416].
K depozici nanočástic kovů na různých substrátech jsou využívány různé techniky jako jsou: a) termická evaporace [Park H. J., Vak D., Noh Y, Y.; Lim B., Kim D. Y.: Applied Physics Letters 2007, 90, 161107; Morfa A, Rowlen K. L., Reilly, T. H., Romero M. J., van de Langemaat J.: Applied Physics Letters 2008, 92, 013504], b) magnetronové pokovování rozprašováním [Qiu T., Jiang J., Zhang, W., Lang X., Yu, X., Chu P. K.: ACS Applied Materials and Interfaces 2010, 2, 2465], c) elektrodepozice [Kim S. S., Na S. L, Jo J., Kim D. Y., Nah Y. Ch.: Applied Physics Letters 2008, 93, 073307], d) chemická depozice [Lee J. H., Park J. H., Kim J. S., Lee D. Y., Cho K.: Organic Electronics 2009, 10, 416; Cheng W., Dong S., Wang E.: Journal of Physical Chemistry 5 2004, 108, 19146].
Nedostatkem termické evaporace, magnetronové ho pokovování rozprašováním a elektrodepozice je potřeba použití vysokých teplot, vysokého vakua a vysokých elektrických proudů. Nedostatkem použití chemické depozice pro vytváření nanočásticových struktur na substrátech je vysoká cena a použití environmentálně nepřijatelných chemických sloučenin.
Jiným způsobem zvýšení účinnosti elektrod organických solárních článků a diodových zdrojů světlaje opracování vodivé vrstvy deponované na transparentním substrátu plazmatem [Ishii M., Moři T., Fujikawa H., Tokio S., Taga Y.: Journal of Luminiscence 2000, 87 až 89, 1165; Chán I. M., Cheng W. Ch. Hong F. C.: Applied Physics Letters 2002, 80, DOI: 10.1063/1.1428624]. Využití tzv. nízkoteplotního plazmatu pro povrchovou modifikaci řady materiálů jako jsou polymery, textilní vlákna, membrány, adsorbenty a elektrody je sumarizováno v [Kogelschatz U.: Plasma Chemistry and Plasma Processes 2003, 23, 1].
Je známo, že pozitivní efekt zvýšení účinnosti elektrod solárních článků a diodových zdrojů světla může být dosažen jednak využitím opracování povrchu elektrod nízkoteplotním plazmatem a jednak přítomností nanočástic kovů deponovaných ve 2D (dvourozměrné) struktuře na povrchu elektrod. Kombinace těchto dvou možností však nebyla doposud nikdy využita.
Způsob depozice nanočástic kovů na povrch substrátu, který odstraňuje nedostatky používaných metod depozice nanočástic na povrch substrátu a současně umožňuje využití pozitivního vlivu nízkoteplotního plazmatu na vlastnosti povrchu substrátu a vzniku plazmonů ve 2D (dvourozměrných) nanočásticových strukturách kovů na povrchu substrátu je předmětem a cílem tohoto vynálezu.
Způsob depozice nanočástic kovů na povrchu elektrod solárních článků a diodových zdrojů světla s využitím nízkoteplotního plazmatu kombinující pozitivní vliv opracování povrchu elektrod
- J CZ 303566 B6 nízkoteplotním plazmatem a depozice nanočástic kovů na povrchu substrátu na zvýšení účinnosti elektrod solárních článků a diodových zdrojů světlaje také předmětem a cílem tohoto vynálezu.
Podstata vynálezu
Uvedeného cíle je dosaženo vynálezem, kterým je způsob depozice nanočástic kovů na povrch substrátu, spočívající v tom, že nanočástice kovů jsou na povrch substrátu předem opracovaného nízkoteplotním plazmatem při pokojové teplotě a za atmosférického tlaku nanášeny jejich ponořením do vodné nebo nevodné suspenze nanočástic kovů s následným odpařením kapaliny.
Dále je podstatou vynálezu, že nanočástice kovů deponované na povrchu substrátu předem opracovaného nízkoteplotním plazmatem jsou organizovány do 2D (dvourozměrné) struktury.
Je rovněž podstatou vynálezu, že doba opracování povrchu substrátu nízkoteplotním plazmatem prostřednictvím změny smáčivosti tohoto povrchu ovlivňuje míru depozice nanočástic kovů na tomto povrchu a samoorganizaci nanočástic do 2D (dvourozměrné) struktury.
Také je podstatou vynálezu, že výběrem kapaliny, ve které je vytvořena suspenze nanočástic kovů, je ovlivněna homogenita depozice nanočástic kovů na povrchu substrátu a agregace těchto částic a jejich samoorganizace do 2D (dvourozměrné) struktury.
Také je podstatou vynálezu, že řízením rychlosti odpařování kapaliny, ve které je vytvořena suspenze nanočástic kovů, změnou teploty nebo tlaku, je ovlivněna homogenita depozice nanočástic kovů na povrchu substrátu a agregace těchto částic a jejich samoorganizace do 2D (dvourozměrné) struktury.
Přehled obrázků na výkresech
Obr. 1 porovnává, prostřednictvím snímků ze skenujícího elektronového mikroskopu, (A) 3D (trojrozměrné) agregáty nanočástic Ag na povrchu substrátu neaktivovaného nízkoteplotním plazmatem a (B) 2D (dvourozměrné) pokrytí ITO (tj. In-Sn-O) povrchu, který byl aktivován plazmatem, nanočásticemi stříbra.
Obr. 2 ukazuje snímky ze skenovacího elektronového mikroskopu, kde Ag nanočástice jsou deponované na povrch substrátu za použití vodné (A, B) a etanolové (C, D) suspenze. Obrázky (A, C) jsou z povrchu substrátu neaktivovaného, zatímco (B, D) z povrchu substrátu aktivovaného nízkoteplotním plazmatem.
Obr. 3 je snímek z transmisního elektronového mikroskopu ukazující velikosti nanočástic stříbra, které byly použity pro depozice.
Obr. 4 tvoří snímky ze skenovacího elektronového mikroskopu prokazující tvorbu: (A) 3D (trojrozměrných) struktur z Ag nanočástic deponovaných na povrch substrátu neaktivovaného nízkoteplotním plazmatem; (B) 2D (dvourozměrných) struktur z Ag nanočástic deponovaných na povrch substrátu aktivovaného nízkoteplotním plazmatem.
Příklady provedení vynálezu
Vzorek tvořený lOOnm vodivou vrstvou ITO (indium—tin-oxide = oxid india a cínu) nanesenou na polyester byl očištěn pomocí isopropylalkoholu a vysušen v proudu dusíku. Následně byla vodivá ITO vrstva vzorku aktivována nízkoteplotním plazmatem po dobu dvou minut za pokojové teploty na vzduchu. Bezprostředně po aktivaci plazmatem byl vzorek ponořen do vodné nebo etanolové suspenze nanočástic stříbra o středním průměru 4 ±3 nm (obr. 3) na dobu dvou minut a následně byla odpařena kapalina. Obr. 2B a 2D ukazuje nanočástice stříbra deponované na ITO povrchu, přičemž byla použita vodná (obr. 2B) a etanolová suspenze (obr. 2D). Pro srovnání jsou na obr. 2A a 2C ukázány nanočástice stříbra deponované z vodné (obr. 2A) a zetanolové (obr. 2C) suspenze na plazmatem neaktivovaném povrchu. Je možné konstatovat, že nanočástice stříbra dispergované ve vodě nebo etanolu preferenčně interagují se substrátem aktivovaným nízkoteplotním plazmatem (obr. 2B a 2D). Současně je z obr. 2B a 2D vidět vliv rychlosti odpařování na strukturu deponovaných nanočástic. Při použití vodné suspenze nanočástic stříbra jsou tvořeny relativně velké agregáty nanočástic stříbra (obr. 2B). Pří použití etanolové suspenze dostáváme na povrchu substrátu náhodně rozdělené nanočástice stříbra nebo ultramalé kompaktní agregáty stříbra (obr. 2D). Je zřejmé, že pomalejší odpařování kapaliny vede ke vzniku větších agregátů nanočástic stříbra.
Detailní vliv depoziční techniky demonstruje obr. 4, kde obr. 4A ukazuje nanočástice stříbra deponované na substrátu neaktivovaném plazmatem. Je zřejmé, že částice se organizují do 3D (trojrozměrných) agregátů. V případě depozice nanočástic stříbra na substrátu aktivovaném plazmatem se nanočástice stříbra organizují do 2D (dvourozměrných) struktur (obr. 4B).
Na obr. 1B je ukázáno pravidelné 2D (dvourozměrné) pokrytí ITO povrchu aktivovaného plazmatem nanočásticemi stříbra při optimálních podmínkách. Za stejných podmínek na substrátu neaktivovaném plazmatem vznikají 3D (trojrozměrné) agregáty (obr. 1 A).
Průmyslová využitelnost
Uvedený způsob depozice nanočástic kovů je využitelný pro depozici nanočástic kovů (např. stříbra, zlata) na povrch elektrod solárních článků a diodových zdrojů světla. Uvedený způsob depozice vede k současnému využití pozitivního vlivu povrchových plazmonů a opracování povrchu elektrod plazmatem.

Claims (3)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    1. Způsob depozice nanočástic kovů na povrch substrátu, vyznačující se tím, že nanočástice kovů jsou na povrch substrátu předem opracovaného nízkoteplotním plazmatem při pokojové teplotě a za atmosférického tlaku nanášeny jejich ponořením do vodné nebo nevodné suspenze nanočástic kovů s následným odpařením kapaliny po vyjmutí substrátu ze suspenze.
  2. 2. Způsob depozice nanočástic kovů na povrch substrátu podle nároku 1, vyznačující se tím, že nanočástice kovů jsou na povrchu substrátu organizovány do 2D struktury.
  3. 3. Způsob depozice nanočástic kovů na povrch substrátu podle nároku 1, vyznačující se tím, že jeho použití k úpravě elektrod solárních článků vede ke tvorbě samovolně uspořádaných 2D struktur nanočástic na povrchu těchto elektrod.
CZ20100881A 2010-11-30 2010-11-30 Zpusob depozice nanocástic kovu na povrch substrátu CZ303566B6 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ20100881A CZ303566B6 (cs) 2010-11-30 2010-11-30 Zpusob depozice nanocástic kovu na povrch substrátu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ20100881A CZ303566B6 (cs) 2010-11-30 2010-11-30 Zpusob depozice nanocástic kovu na povrch substrátu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ2010881A3 CZ2010881A3 (cs) 2012-12-12
CZ303566B6 true CZ303566B6 (cs) 2012-12-12

Family

ID=47323746

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20100881A CZ303566B6 (cs) 2010-11-30 2010-11-30 Zpusob depozice nanocástic kovu na povrch substrátu

Country Status (1)

Country Link
CZ (1) CZ303566B6 (cs)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005037418A2 (en) * 2003-08-26 2005-04-28 Nanoink, Inc. Processes for fabricating conductive patterns using nanolithography as a patterning tool
WO2007088199A2 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Colorobbia Italia S.P.A. A process for functionalizing titanium metal surfaces with nanometric particles of titanium and products thus functionalized

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005037418A2 (en) * 2003-08-26 2005-04-28 Nanoink, Inc. Processes for fabricating conductive patterns using nanolithography as a patterning tool
WO2007088199A2 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Colorobbia Italia S.P.A. A process for functionalizing titanium metal surfaces with nanometric particles of titanium and products thus functionalized

Also Published As

Publication number Publication date
CZ2010881A3 (cs) 2012-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104934108B (zh) 金属纳米线—石墨烯桥架结构复合材料及其制备方法
Garg et al. Deposition methods of graphene as electrode material for organic solar cells
Yu et al. Three-dimensional nanobranched indium–tin-oxide anode for organic solar cells
Lin et al. Structural and physical properties of tin oxide thin films for optoelectronic applications
KR101331521B1 (ko) 그래핀 박막의 제조 방법
Deshmukh et al. Synthesis, spray deposition, and hot-press transfer of copper nanowires for flexible transparent electrodes
KR102551850B1 (ko) 탄소섬유-그래핀 복합체 제조장치 및 이의 제조방법
JP6242147B2 (ja) パターン基板の製造方法
Wang et al. Enhanced light scattering effect of wrinkled transparent conductive ITO thin film
Sun et al. Electrochemical bubbling transfer of graphene using a polymer support with encapsulated air gap as permeation stopping layer
Huang et al. Novel carrier doping mechanism for transparent conductor: electron donation from embedded Ag nanoparticles to the oxide matrix
Gao et al. Fabrication of both the photoactive layer and the electrode by electrochemical assembly: towards a fully solution-processable device
CZ303566B6 (cs) Zpusob depozice nanocástic kovu na povrch substrátu
CN110252297B (zh) 一种金纳米颗粒-氧化锌纳米帽阵列及其制备方法
KR101175977B1 (ko) 국소표면 플라즈몬공명의 유도를 위한 금속 나노구조 어레이 제작방법
KR20130014183A (ko) 그래핀상의 금속산화물 박막의 제조 방법
JP6305873B2 (ja) マイクロ構成を利用して表面プラズモンを形成する方法
CN111378431A (zh) 一种量子点膜及其制备方法与应用
Chi et al. Photoirradiation Caused Controllable Wettability Switching of Sputtered Highly Aligned c‐Axis‐Oriented Zinc Oxide Columnar Films
CN104701137A (zh) AlN缓冲层及具有该缓冲层的芯片的制备方法
Fan et al. A novel method of fabricating flexible transparent conductive large area graphene film
Li et al. Highly reflective and adhesive surface of aluminized polyvinyl chloride film by vacuum evaporation
Han et al. Facile transfer fabrication of transparent, conductive and flexible In2O3: Sn (ITO) nanowire arrays electrode via selective wet-etching ZnO sacrificial layer
Shahiduzzaman et al. Thin film deposition method for ZnO nanosheets using low-temperature microwave-excited atmospheric pressure plasma jet
Zhang et al. Plasma oxidation followed by vapor removal for enhancing intactness of transferred large-area graphene

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20141130