CZ2008246A3 - Zpusob prípravy opticky cirého roztoku kremíkových nanokrystalu s krátkovlnou luminiscencí - Google Patents

Zpusob prípravy opticky cirého roztoku kremíkových nanokrystalu s krátkovlnou luminiscencí Download PDF

Info

Publication number
CZ2008246A3
CZ2008246A3 CZ20080246A CZ2008246A CZ2008246A3 CZ 2008246 A3 CZ2008246 A3 CZ 2008246A3 CZ 20080246 A CZ20080246 A CZ 20080246A CZ 2008246 A CZ2008246 A CZ 2008246A CZ 2008246 A3 CZ2008246 A3 CZ 2008246A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
silicon
nanocrystals
porous silicon
optically clear
luminescence
Prior art date
Application number
CZ20080246A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ303796B6 (cs
Inventor
Kusová@Katerina
Cibulka@Ondrej
Dohnalová@Katerina
Žídek@Karel
Fucíková@Anna
Pelant@Ivan
Original Assignee
Fyzikální ústav AV CR, v.v.i.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fyzikální ústav AV CR, v.v.i. filed Critical Fyzikální ústav AV CR, v.v.i.
Priority to CZ20080246A priority Critical patent/CZ303796B6/cs
Priority to PCT/CZ2009/000053 priority patent/WO2009129757A1/en
Priority to EP09735390A priority patent/EP2279231B1/en
Publication of CZ2008246A3 publication Critical patent/CZ2008246A3/cs
Publication of CZ303796B6 publication Critical patent/CZ303796B6/cs

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

Kremíkové nanokrystaly se nejprve pripraví elektrochemickým leptáním kremíkových desek jako vrstva porézního kremíku, na kterou se aplikuje doleptávací a dozrávací procedura. Poté se tato vrstva porézního kremíku mechanicky odstraní z krystalického substrátu, címž se získá prášek složený z velkých aglomerátu kremíkových nanokrystalu. Z nich se nakonec pomocí dlouhodobého míchání ve vhodném organickém rozpouštedle vyextrahuje cirý roztok jednotlivých kremíkových nanokrystalu, vykazující intenzivní a dlouhodobe stabilní žlutou fotoluminiscenci.

Description

Způsob přípravy opticky čirého roztoku křemíkových nanokrystaiů s krátkovlnnou luminiscencí
Oblast techniky
Vynález se týká přípravy malých křemíkových krystalů se stabilními luminiscenčními vlastnostmi, homogenně rozptýlených v organickém rozpouštědle.
Dosavadní stav techniky
Křemíkové krystaly o velikosti několika nanometrů jsou předmětem intenzivního fyzikálního a chemického výzkumu již téměř dvacet let. Zájem o tyto nanostruktury se datuje od r. 1990, kdy L. Canham publikoval práci popisující intenzivní fotoluminiscenci tak zvaného porézního křemíku, která se vyskytuje ve viditelné části spektra za pokojové teploty. Porézní křemík, jak se brzy zjistilo, představuje totiž systém vzájemně volně propojených křemíkových nanokrystaiů zhruba sférického či elipsoidálního tvaru.
Výrazný aplikační potenciál luminiskujících křemíkových nanokrystaiů vyplývá ze současné kritické situace CMOS technologie výroby integrovaných křemíkových obvodů. Detaily těchto obvodů se neustále zmenšují a počet elementárních součástek na křemíkovém čipu tak podle tzv. Moorova zákona stále vzrůstá. Tím se výkon těchto obvodů sice zvyšuje, avšak negativním důsledkem této vysoké integrace je hustá a dlouhá síť elektrických propojení mezi jednotlivými tranzistory. To má za následek zpoždění přenášených informací a zpomalení práce celého obvodu. Navíc vývojem Jouleova tepla v dlouhých kovových vodičích dochází k silnému zahřívání celého čipu. Jednou z možností kvantitativně nového řešení architektury integrovaného křemíkového obvodu je nahrazení elektrického přenosu informace na čipu optickým - je rychlý a nevyvíjí se při něm žádné teplo. Vtom případě se pak stává primárním požadavkem realizace vhodného elektricky čerpaného světeného zdroje miniaturních rozměrů na čipu. Tomuto požadavku nejlépe vyhovuje světelná dioda nebo injekční laser.
Zde se v současné době uvažuje o několika možných směrech. Jedním z nich je integrace existujících injekčních laserů, vyrobených z III-V polovodičů typu GaAs a • · ···» φ* • » · φ φ φφφφ φ φ · · • · « · φ φ φ · • ΦΦΦ φφφφ φφ · ·* jejich slitin, přímo na křemíkový čip. To je však obtížné kvůli značnému rozdílu mezi mřížkovou konstantou těchto materiálů a křemíku. Jinou cestou je výroba injekčního laseru přímo z křemíku. Tato idea však naráží na principiální potíže, protože již více než před čtyřiceti lety bylo teoreticky ukázáno, že parametry elektronové pásové struktury krystalického křemíku, konkrétně jeho nepřímý zakázaný pás, nedovolují dosáhnout intenzivní luminiscence a tím méně laserové akce. Ani více Či méně sofistikované experimentální pokusy činěné v minulosti s cílem obejít tento principiální zákaz nebyly úspěšné. Řešení však nabízejí křemíkové nanokrystaly se svojí silnou luminiscencí.
Křemíkové nanokrystaly se v současnosti daří připravovat několika různými způsoby. Jsou obsaženy v již zmíněném porézním křemíku, který se vyrábí elektrochemickým leptáním křemíkových desek v roztoku kyseliny fluorovodíkové. Jinými metodami přípravy jsou například implantace Si+ iontů do křemenného skla S1O2 s následným žíháním při vysoké teplotě, plazmatická chemická depozice z plynné fáze (PECVD) substochiometrického oxidu křemíku SiOx s následným žíháním při vysoké teplotě, elektronová litografie s reaktivním iontovým leptáním a následnou oxidací, reaktivní depozice křemíku na křemenné sklo S1O2 (vypařování křemíku elektronovým svazkem a radiofrekvenční plazma jako zdroj kyslíku), chemická depozice supermřížek amorfní křemík/sklo s následným žíháním nebo pyrolýza sílánu buďto přímým ohřevem nebo CO2 laserem.
Společným jmenovatelem všech těchto metod je, že rozptyl velikostí připravených nanokrystalů je poměrně velký a jejich průměry leží obvykle v intervalu 3-6 nm. Takové relativně velké nanokrystaly sice vykazují luminiscenci (obvykle v červené oblasti spektra s maximem v okolí 800 nm), avšak jejich pásová struktura si zachovává nepřímý zakázaný pás a tudíž nepříznivé parametry pro stimulovanou emisi, tj. malý optický zisk. Příznivější podmínky pro nástup stimulované emise lze očekávat u menších nanokrystalů (o průměru cca 1-2 nm), vysílajících v důsledku kvantově-rozměrového jevu luminiscenci v krátkovlnné oblasti. V těchto nanokrystalech totiž díky Heisenbergovým relacím neurčitosti dochází k relaxaci zákona zachování kvazi impulzu a začíná se uplatňovat přímá zářivá rckombinace elektronů a děr přes zakázaný pás.
Při realizaci stimulované emise v křemíkových nanokrystalech existuje ještě jeden nepříznivý faktor. Tím je jejich tendence spojovat se do větších shluků o velkosti až 100 • · « » · · • · « 9♦ • t V ·« ···♦ «Η· ··* nm. Na těchto shlucích pak dochází k Mieovu rozptylu generovaného luminiscenčního záření, což představuje optické ztráty, působící proti zesílení luminiscence stimulovanou emisí.
Podstata vynálezu
Tento vynález směřuje k odstranění obou výše uvedených nedostatků tím, že modifikovaným procesem elektrochemického leptání a následným originálním chemickomechanickým postupem dokáže připravit malé (< 2nm) izolované křemíkové krystaly, rozptýlené v kapalné matrici organického rozpouštědla. Jedná se roztok, který je opticky čirý a vykazuje intenzivní žlutou fotoluminiscenci s maximem emisního pásu u 550-570 nm. V současné době je ve více laboratořích vyvíjena řada metod tzv. funkcionalizace povrchu křemíkových nanočástic právě s cílem připravit luminiscenčně stabilní pravé roztoky. Tyto metody ovšem obvykle vyžadují vysoké teploty, vysoké tlaky, inertní atmosféru či jinak náročné podmínky. Výhodou způsobu přípravy roztoku křemíkových nanokrystalů podle tohoto vynálezu je, že všechny operace probíhají na vzduchu, za atmosférického tlaku, při pokojové teplotě a s použitím běžně dostupných chemikálií.
Postup přípravy spočívá v několika krocích. Prvním z nich je elektrochemické leptání křemíkových desek. Oproti běžnému složení této lázně (směs kyseliny fluorovodíkové s etylalkoholem) je součástí lázně navíc 30% roztok peroxidu vodíku, který působí jako zesilující Jeptací činidlo. Čerstvě elektrochemicky vyleptané křemíkové desky s povrchovou tenkou vrstvou porézního křemíku jsou ihned ponořeny na dobu několika minut do samotného 30% roztoku H2O2· Je nutno minimalizovat jejich styk se vzdušným kyslíkem. V H2O2 dochází k dalšímu zvětšování průměru pórů v porézním křemíku, tj. k zmenšování velikosti křemíkových nanokrystalů. Vyleptané křemíkové desky jsou po opláchnutí vloženy do dozrávací komůrky, ve které je vzduch o normálním tlaku s teplotou a vlhkostí, které mohou být modifikovány. Po několikadenním dozrávání jeví desky intenzivní žlutou fotoluminiscenci (často s modrým nádechem) pod ultrafialovým zářením. Mechanickým seškrábáním dozrálé vrstvičky porézního křemíku (o tloušťce řádově 10 mikrometrů) z křemíkové desky se získá prášek bělavé barvy, který je tvořen shluky křemíkových nanokrystalů. Křemíkovou desku lze po opláchnutí • φ · · · * * ·* • · · ···· φ φ · · · • · · · · · · φ ·Φ · «· ·♦
v roztoku NaOH použít znovu k leptání. Odvážené množství nanokrystalického prášku se následně rozmíchá v methylovaném benzenovém rozpouštědle. Optimálním pro tento účel se jeví xylen. Použít však je možno i jiná rozpouštědla jako trimethylbenzen apod. Pro rozbití největších shluků křemíkových nanokrystalů je vhodné použít působení ultrazvukové lázně. Získá se tak luminiskující, avšak poměrně kalná suspenze, protože nanokrystaly se vyskytují ve shlucích. Aplikací nepřetržitého magnetického míchání suspenze při vhodně zvolené frekvenci otáček inertního míchadla dojde po několika dnech v suspenzi k separaci dvou fází: individuálních malých nanokrystalů a zbylých větších shluků. Velké shluky se částečně usazují na stěnách, částečně cirkulují v roztoku a vykazují oranžovou fotolumíniscenci. Po dlouhodobějším míchání (po dobu několika týdnů) se u malých rozpuštěných nanokrystalů objevuje žlutý fotoluminiscenční pás. Velké shluky se po skončení míchání usadí na dně nádobky, zatímco zbytek kapaliny je opticky čirý s případným nažloutlým nebo nahnědlým nádechem. Vysátím této kapaliny např. injekční stříkačkou se získá výsledný produkt, tedy opticky čirý roztok obsahující malé křemíkové nanokrystaly s intenzivní žlutou fotolumíniscenci. Případně lze v této fázi přípravy doplnit další dávku nanokrystalického prášku a pokračovat vmíchání. Dosáhne se tak zvýšení koncentrace individuálních nanokrystalů a tudíž i zvýšení intenzity žluté fotoluminiscence. Výsledný opticky čirý roztok se opět získá vysátím. Tento roztok zůstává poté bez míchání čirý i po uplynutí několika měsíců (tj. malé nanokrystaly zněj nesedimentují ani nedochází kjejich shlukování) a stejně tak si dlouhodobě udržuje stabilní luminiscenční schopnost.
Popsaný proces přípravy lze realizovat i poněkud obměněným způsobem. Porézní křemík se v tom případě leptá elektrochemicky ve standardní lázni bez přidání H2O2 a neaplikuje se ani chemické doleptávání peroxidem vodíku a dozrávání. Seškrábaný nanokrystalický prášek se rozmíchá v etanolu a takto připravená suspenze se podrobí působení ultrazvuku po dobu alespoň 30 min. Poté se ponechá samovolně sedimentovat. Shluky nanokrystalů, zjemnělé předchozím působením ultrazvuku, se usadí na dně nádobky a posléze se vysuší („první sediment“). Získaný prášek se rozmíchá v methylovaném benzenovém rozpouštědle a dále se postupuje jako ve výše popsaném případě. Sedimentační proceduru lze případně i několikrát zopakovat.
• ΦΦΦ «ΦΦΦ
I Μ » φ « «· • φ φ ΦΦΦΦ φ φ «· • φ φ φ φ ·φ ·· φ ····
Příklad provedení
Nanokrystalický prášek byl získán elektrochemickým leptáním p-typových křemíkových destiček (dopované borem, měrný odpor 0,075 Ωαη) v leptací lázni složené z 50% kyseliny fluorovodíkové (13ml), 99,9% etanolu (37 ml) a 30% peroxidu vodíku (2 ml) při proudové hustotě 2,6 mA/cm2. Poté byly křemíkové destičky doleptávány 12 minut v 30% peroxidu vodíku a dozrávaly po dobu 5 dní při atmosférickém tlaku, teplotě pohybující se okolo 30 °C a vlhkosti vzduchu 55%.
Seškrábáním porézního křemíku byl získán nanokrystalický prášek bělavé barvy. Výtěžnost z jednoho leptání (povrchová vrstvička porézního křemíku s plochou 9,6 cm2) se pohybuje okolo 0,5-1 mg. Po seškrábání byly smíchány nanokrystaly získané při několika leptáních.
Potom bylo 2,5 mg takto získaného prášku pomocí 15-minutového působení ultrazvukové lázně rozptýleno v 500 μΐ xylenu (v optické kývete o vnitřním průřezu 1x0,6 cm2) a roztok byl nepřetržitě magneticky míchán (rychlost otáček cca 600/min) po dobu 5 týdnů. V průběhu míchání bylo v určitých časových intervalech měřeno fotoluminiscenční spektrum roztoku při buzení zářením o vlnové délce 325 nm a 442 nm. Docházelo k postupnému narůstání intenzity žlutého emisního pásu. Kvůli vypařování byl během míchání do roztoku přidáván xylen tak, aby se množství rozloku neměnilo. Byl sledován časový růst intenzity žluté fotoluminiscence a jakmile se přiblížila nasycení, bylo míchání ukončeno, zbylé velké shluky se usadily na dně a výsledný čirý (avšak do žlutá zabarvený) roztok byl přenesen pomocí injekční stříkačky do nové nádoby.
··*·«·**
Průmyslová využitelnost
Výše uvedený způsob přípravy čirých roztoků křemíkových nanokrystalů je určen především pro základní výzkum optických vlastností těchto nanokrystalů. Může však být použit i k výrobě takovýchto roztoků pro lokální fluorescenční značky v biologii a medicíně a pro luminiscenční senzory. Po případném extrahování nanokrystalů z roztoku lze tyto nanokrystaly použít jako aktivní světlo-emitující prostředí v součástkách křemíkové (nano)fotoniky jakými jsou světelné diody, (nano)křemíkový laser apod.

Claims (10)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    1. Způsob přípravy opticky čirého roztoku křemíkových nanokrystalů s krátkovlnnou luminiscencí z křemíkových desek, které se elektrochemicky leptají v lázni složené z kyseliny fluorovodíkové a etanolu, vyznačující se tím, že vrstva porézního křemíku vzniklá leptáním se opláchne a mechanicky z křemíkové desky seškrábe, získaný prášek se rozptýlí v methylovaném benzenovém rozpouštědle, tato suspenze se kontinuálně magneticky míchá inertním míchadlem, přičemž míchání se ukončí po vzniku opticky čirého roztoku, který vykazuje žlutou luminiscenci, načež se tento roztok odsaje.
  2. 2. Způsob podle nároku 1 vyznačující se tím, že při míchání se v pravidelných intervalech monitoruje fotoluminiscenční spektrum suspenze pří buzení vlnovými délkami 325 nm a 442 nm.
  3. 3. Způsob podle nároku 1 nebo 2 vyznačující se tím, že leptací lázeň je složena z kyseliny fluorovodíkové, etanolu a peroxidu vodíku.
  4. 4. Způsob podle nároku 2 nebo 3 vyznačující se tím, že elektrochemicky vyleptané křemíkové desky s vrstvou porézního křemíku jsou ihned doleptávány v samotném 30% roztoku peroxidu vodíku.
  5. 5. Způsob podle nároku 3 nebo 4 vyznačující se tím, že vyleptané Si desky, opláchnuté destilovanou vodou, podstupují před seškrábáním porézního křemíku proces dozrávání na vzduchu při atmosférickém tlaku, dokud vrstva porézního křemíku nevykazuje stabilní žlutou fotoluminiscenci.
  6. 6. Způsob podle nároku 1 nebo 2 vyznačující se tím, že seškrábaný prášek se rozmíchá v etanolu a po aplikaci ultrazvuku se ponechá samovolně sedimentovat, načež se sediment usazený na dně nádobky vysuší.
  7. 7. Způsob podle nároku 5 vyznačující se tím, že dozrávání probíhá v dozrávací komůrce při teplotě 20 až 35 °C a vlhkosti vzduchu 40 až 70 %.
  8. 8. Způsob podle nároku 1 nebo 2 nebo 5 nebo 6 nebo 7 vyznačující se tím, že prášek se rozptýlí v methylovaném benzenovém rozpouštědle působením ultrazvuku.
  9. 9. Způsob podle nároku 1 nebo 2 nebo 5 nebo 6 nebo 7 nebo 8 vyznačující se tím, že jako methylované benzenové rozpouštědlo se použije xylen.
  10. 10. Způsob podle nároku 1 nebo 2 nebo 5 nebo 6 nebo 7 nebo 8 vyznačující se tím, že jako methylované benzenové rozpouštědlo se použije trimethylbenzen.
    « * » · » · « · • V • · • · · ·»«· 9 9 · • · • · • · • · • · »«······ t ··
CZ20080246A 2008-04-22 2008-04-22 Zpusob prípravy opticky cirého roztoku kremíkových nanokrystalu s krátkovlnnou luminiscencí CZ303796B6 (cs)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ20080246A CZ303796B6 (cs) 2008-04-22 2008-04-22 Zpusob prípravy opticky cirého roztoku kremíkových nanokrystalu s krátkovlnnou luminiscencí
PCT/CZ2009/000053 WO2009129757A1 (en) 2008-04-22 2009-04-17 Method for the preparation of optically clear solution of silicon nanocrystals with short-wavelength luminescence
EP09735390A EP2279231B1 (en) 2008-04-22 2009-04-17 Method for the preparation of optically clear solution of silicon nanocrystals with short-wavelength luminescence

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CZ20080246A CZ303796B6 (cs) 2008-04-22 2008-04-22 Zpusob prípravy opticky cirého roztoku kremíkových nanokrystalu s krátkovlnnou luminiscencí

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ2008246A3 true CZ2008246A3 (cs) 2009-11-04
CZ303796B6 CZ303796B6 (cs) 2013-05-09

Family

ID=40810437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20080246A CZ303796B6 (cs) 2008-04-22 2008-04-22 Zpusob prípravy opticky cirého roztoku kremíkových nanokrystalu s krátkovlnnou luminiscencí

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP2279231B1 (cs)
CZ (1) CZ303796B6 (cs)
WO (1) WO2009129757A1 (cs)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITMI20121364A1 (it) * 2012-08-01 2014-02-02 R I C O Rappresentanze Ind Li E Commercia Dispositivo emettitore di radiazione elettromagnetica, processo di produzione di detto dispositivo ed uso di silicio nano-strutturato per l'emissione di detta radiazione
CN103087710B (zh) * 2013-01-30 2014-12-31 昆明理工大学 一种多孔硅基CdS量子点复合材料的制备方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1922746A4 (en) * 2005-08-11 2010-08-11 Innovalight Inc STABLEALLY PASSIVE NANOPARTICLES OF GROUP IV SEMICONDUCTOR, METHODS AND COMPOSITIONS THEREOF

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009129757A1 (en) 2009-10-29
CZ303796B6 (cs) 2013-05-09
EP2279231B1 (en) 2012-06-20
EP2279231A1 (en) 2011-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Fujii et al. All-inorganic colloidal silicon nanocrystals—surface modification by boron and phosphorus co-doping
Chang et al. Silicon nanoparticles: Preparation, properties, and applications
Linnros et al. Analysis of the stretched exponential photoluminescence decay from nanometer-sized silicon crystals in SiO2
Otnes et al. Strategies to obtain pattern fidelity in nanowire growth from large-area surfaces patterned using nanoimprint lithography
US6743406B2 (en) Family of discretely sized silicon nanoparticles and method for producing the same
US6762134B2 (en) Metal-assisted chemical etch to produce porous group III-V materials
US8823044B2 (en) Light emitting diode with graphene layer
WO1997006550A1 (en) Method for producing semiconductor particles
Akdas et al. The effects of post-processing on the surface and the optical properties of copper indium sulfide quantum dots
JP2016523306A (ja) ナノ粒子に基づいたインク調合物
Nomoto et al. Distribution of boron and phosphorus and roles of co-doping in colloidal silicon nanocrystals
CZ2008246A3 (cs) Zpusob prípravy opticky cirého roztoku kremíkových nanokrystalu s krátkovlnou luminiscencí
Lin et al. The synthesis and photoluminescence properties of selenium-treated porous silicon nanowire arrays
Eswar et al. Synthesis of ZnO thin film on porous silicon by spin coating in various low molarities precursor
JP2000164921A (ja) 半導体発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子
Zhang Effects of post-annealing treatment on the structure and photoluminescence properties of CdS/PS nanocomposites prepared by sol-gel method
WO2007018959A2 (en) Hexachloroplatinic acid assisted silicon nanoparticle formation method
CN103489754A (zh) 一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法
KR102470973B1 (ko) 생체적합성 그래핀 양자점의 제조방법 및 이의 제조방법으로 제조되는 생체적합성 그래핀 양자점
CN108417481A (zh) 氮化硅介电层的处理方法、薄膜晶体管和显示装置
US9096432B2 (en) Auric acid assisted silicon nanoparticle formation method
EP4306484A1 (en) Particle immobilizing substrate, method for producing particle immobilizing substrate, method for producing diamond film immobilizing substrate, and method for producing diamond
RU2700875C2 (ru) Способ создания пористых люминесцентных структур на основе люминофоров, внедренных в фотонный кристалл
Bagabas et al. A study of laser-induced blue emission with nanosecond decay of silicon nanoparticles synthesized by a chemical etching method
Tan et al. An improved one-pot aqueous phase synthesis of CdTe QDs

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20150422