CZ132996A3 - Field of a thin-film controlled mirrors for use in optical projecting systems and process of preparing thereof - Google Patents

Field of a thin-film controlled mirrors for use in optical projecting systems and process of preparing thereof Download PDF

Info

Publication number
CZ132996A3
CZ132996A3 CZ961329A CZ132996A CZ132996A3 CZ 132996 A3 CZ132996 A3 CZ 132996A3 CZ 961329 A CZ961329 A CZ 961329A CZ 132996 A CZ132996 A CZ 132996A CZ 132996 A3 CZ132996 A3 CZ 132996A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
layer
thin film
array
mirror
motion
Prior art date
Application number
CZ961329A
Other languages
English (en)
Other versions
CZ290728B6 (cs
Inventor
Jeong Beom Ji
Dong Kuk Kim
Yong Ki Min
Original Assignee
Daewoo Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1019930023725A external-priority patent/KR970006686B1/ko
Priority claimed from KR1019930023726A external-priority patent/KR970006687B1/ko
Priority claimed from KR93025877A external-priority patent/KR970006696B1/ko
Application filed by Daewoo Electronics Co Ltd filed Critical Daewoo Electronics Co Ltd
Publication of CZ132996A3 publication Critical patent/CZ132996A3/cs
Publication of CZ290728B6 publication Critical patent/CZ290728B6/cs

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00Details of colour television systems
    • H04N9/12Picture reproducers
    • H04N9/30Picture reproducers using solid-state colour display devices
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0858Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S359/00Optical: systems and elements
    • Y10S359/904Micromirror

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Description

(57) Anotace:
Pole M x N tenkofllmových řízených zrcadel pro použití v optickém promítacím systému zahrnuje aktivní matici (52), pole Μ x N tenkofilmových řídicích struktur (54), kde každá z řídicích struktur obsahuje nejméně tenkofilmovou vrstvu (67) z pohyb-indukujícího materiálu, pár elektrod (70, 71), kde každá z elektrod je vytvořena na vrchu (68) a spodku (69) tenkofllmové pohyb-lndukující vrstvy (67). Dále zhrnuje pole Μ x N distančních členů (58), kde každý z distančních členů je upevněn na vrchní ploše každé z řídicích struktur (54) na jejím vzdálenějším konci a pole M x N zrcadlových vrstev pro odrážení světelných paprsků, kde každá ze zrcadlových vrstev je upevněna na každém z distančních členů (58) řídicích struktur. Elektrický signál je vložen napříč tenkofllmovou vrstvou (67) pohyb-indukujícího materiálu, umístěnou mezi párem elektrod (70, 71) v každé z řídicích struktur, působících deformaci těchže, což vyvolá naklonění zrcadlové vrstvy (60), upevněné na distančním členu téhož. Je po psán i způsob přípravy pole tenkofilmo vých řízených zrcadel.
7>ť 17 - R' C
... £ £!: aí/e / ?rr/tVA/A (?s>/s íM?
J cy ? Z pdfa £ /6^,. y> isy
TonKoiilmtreé 1 řízene 'ZteaÍJŤOMG ΡΟΤρ—ρτ^α-použití—v-optickém
Oblast techniky | 1 —* 1
Tento vynález se týV.á opt iokél*o pt Vi/Γί tací ho systému;
zejména se týká pole M z FI tenko£ iLmových řízených zrcadel pro použití v tomto systému a způsobu přípravy tohoto pole.
Dosavadní stav techniky
Z řady různých video zobrazovacích systémů, které jsou v technice k dispozici, je známý jeden optický promítací systém jako schopný poskytovat vysoce jakostní zobrazení velkého měřítka. V takovémto optickém promítacím systému světlo ze světelného zdroje rovnoměrně osvětluje pole, např. pole Μ χ N, řízených zrcadel, kde každé z těchto zrcadel je spřaženo s každým z řídicích zařízení. Řídicí zařízení mohou být vyrobena z elektricky ovladatelného materiálu jako je piezoelektrický nebo elektroštrikčni materiál, který se deformuje v závislosti na elektrickém poli, kterému je vystaven.
Odražený světelný světelný paprsek od každého ze zrcadel dopadá do apertury přepážky. Zavedením elektrického signálu na každé z řídicích zařízení se mění vzájemná poloha každého ze zrcadel vzhledem k dopadajícímu světelnému paprsku a tím vyvolá odchylku optické cesty odraženého paprsku od každého ze zrcadel. Jak se mění optická cesta každého z odražených paprsků, mění se množství aperturou procházejícího světla odraženého od každého ze zrcadel, čímž je modulována intenzita paprsku. Pro zobrazeni obrazu jsou aperturou modulované paprsky vedeny prostřednictvím příslušného optického zařízení promítací stínítko.
například promítacím objektivem na
Na obr. 1 je nakreslen potibd ·/ řezu na Μ x N elektricky ovladatelné řízené zrcadlové pole JJl pro použití v optickém promítacím systému, popsané ve apoluprojednavané společné přihlášce 11.:3. Ct&Lv.._____, nazvané
ACTOATEL· vlastněné
ELECTP.ODI SPLAČ IVE
M IP, ROP.
ovladatelné řižené zrcadlové pole/,
AP.RAY (Elektricky : a h rnu jící: akt i vn i matici 11 včetné základní vrstvy 12 a na té pole Μ χ N pole 1 3 elektricky ovladatelných řídicích každé z elektricky ovladatelného řídicího tranzistorů ·, zařízení 30, zařízení 30 obsahující pár řídicích členů 14, 15, Pár předpéťových elektrod 15, 17 a obyčejnou signální elektrodu
18; Μ χ N pole závésů umístěných do každého z elektricky ovladatelných řídicích zařízení 30; pole Μ χ N spojovacích terminálů 22, přičemž každý ze spojovacích terminálů 22 je používán pro elektrické propojení každé ze signálních elektrod 18 s aktivní maticí 11; a. pole Μ χ N 21 zrcadel 25, přičemž každé ze zrcadel 23 je upevněno na vršek každého z Μ κ N závěsů 31.
Ve shora zmíněné spoluprojednavané společné vlastněné přihlášce je rovněž popsán způsob přípravy takovéhoto pole fí κ N elektricky ovladatelných řízených zrcadel, který využívá keramickou destičku o tloušťce 30 až 50.10~9m (30 až 50 mikrometrů).
Existuje však prostor pro další zlepšovaní shora popsané metody pro výrobu pole Μ χ N elektricky ovladatelných řídicích zařízení. Především je značné obtížné získat keramickou destičku o tloušťce 30 až 5O.Lú~9ni (30 až 50 um); a dále, jakmile je tloušťka keramické destičky redukována na rozmezí 30 až 50.10-í,m (30 až 50 um), tak se její mechanické vlastnosti pravděpodobné mohou zhoršit, což může mít za následek znesnadnění výrobního postupu.
Mimoto do hry vstupujo řada časové náročných, těžko řiditelných a obtížných postupů, <člmž je obtížné získat požadovanou reprodukovatelnost, spolehlivost a výtěžnost; dále může existovat dolní hranice dosažitelné tloušťky.
Podstata vynálezu
Primárním předmětem tohoto vynálezu je proto poskytnutí způsobu přípravy pole Μ x N řízených zrcadel, který se obejde bez použití tenké elektricky ovladatelné keramické destičky.
Dalším předmětem tohoto vynálezu je poskytnutí zlepšeného a nového způsobu přípravy pole Μ κ N řízených zrcadel, který bude dávat vyšší reprodukovatelnost, spolehlivost a výtěžnost využitím známých technologůí tenkého filmu, obecně používaných ve výrobě polovodičů.
Dalším předmětem tohoto vynálezu je poskytnutí pole M x N řízených zrcadel, mající novou strukturu, slučující množinu tenkoíilmových vrstev pohyb-indukujíclch, elektricky vodivých a světlo odrážejících materiálů.
V souladu s jedním aspektem tohoto vynálezu je poskytnuto pole Μ x N tenkoíilmových řízených zrcadel pro použití v optických promítacích systémech, pole zahrnující: aktivní matici obsahující základní vrstvu, pole Μ x N tranzistorů a pole Μ x N spojovacích terminálů; pole Μ x N tenkoíilmových řídicích struktur, každá z řídicích struktur jsouc opatřena horní a dolní plochou, bližším a vzdálenějším koncem, každá z řídících struktur obsahujíc alespoň tenkoíilmovou vrstvu pohyb-indukujícího materiálu mající horní a dolní plochu a první a druhou elektrodu s první elektrodou umístěnou na horní ploše pohyb-indukující vrstvy a druhou elektrodou, na dolní ploše pohyb-indukujÍcí vrstvy, napříč pohyb-indukujlet kde u l e ktrio k’, vrstvou rnez L elektrodu zpbsobi deformaci pohyb indukuj: řídicí struktury; pole Μ z H nounych čl<?ri'i, každý z nosných Členů jsa opatřen horní a dolní plochou, kde každý z nosných pro drženi každé z řld členů místě
i.<ynál vloženy
· / f‘i 1 a. druhou
vrstvy a tudíž
každý z nosnýcn
každý z nosných
ch struktur na
j e použ i t a rovněž pro elek.trické řipojovánl každé z řídících struktur a aktivní matice; pole tí z N distančních členů, každý z distančních členů jsa a jsa umístěn na horní ploše opatřen horní a dolní plochou každé z řídicích struktur na jejich vzdálenějším konci; a pole Μ z N zrcadlových vrstev, každá ze zrcadlových vrstev obsahujíc zrcadlo pro odrážení světelných paprsků a nosnou vrstvu, každá ze zrcadlových vrstev dále obsahujíc první a druhou část odpovídající vzdálenějším a bližším koncům každé z řídicích struktur, první a druhá Část každé ze zrcadlových vrstev jsouc uchycena na horní ploše každého z distančních členů a nesena odpovídajícím příslušným nosným členem, takže když každá z řídicích struktur se deformuje v reakci na elektrický signál, odpovídající zrcadlová vrstva zůstane rovinná, tímto umožňujíc celému zrcadlu odrážet světelné paprsky.
V souladu ε jiným aspektem tohoto vynálezu je poskytnut nový způsob přípravy pole M z N řízených zrcadel použitelných pro optické promítací systémy, používající známé tenkofilmové technologie, způsob zahrnující kroky (a) vytvoření aktivní matice mající horní a dolní plochy, aktivní matice obsahující základní vrstvu, pole Μ κ N tranzistorů a pole Μ χ N spojovacích terminálů; lb;
vytvoření první nosné vrstvy na horní ploše aktivní matice.
první nosná vrstva
Μ χ N podpěřek obsahující pole odpovídajících poli Μ χ N nosných členů v poli Μ χ N tenkofilmových řízených zrcadel a první obětovanou oblast;
první obětované oblasti, aby byla id) uložení první tenkofilmové elektrodové vrstvy na první nosnou vrstvu, ie) dodaní tenkofilmové pohyb-indukujlcl vrstvy na první tenkoíiImovou elektrodovou (c) ošetřeni odstranitelná;
vrstvu; (f) vytvoření druhó tenkoíiLmové elektrodové vrstvy na tenkoíiimové pohyb- in-Juku j Ící vratké; (<j) dodání distanční vrstvy na vrch druhé tenkoí i Irnové elektrodové vrstvy, distanční vrstvy obojhujícl pole Μ z. N distančních členů a druhou obětovanou oblast; (h; ošetřeni druhé obětované oblasti distanční vrstvy, aby byla odstranitelná; (i) uložení druhé nosné vrstvy na vrch distanční vrstvy; (j) vytvořeni světlo odrážejíc! vrstvy na vřenu nosné vrstvy; a (k) odstranění první a druhé obětované oblasti první nosné vrstvy a distanční vrstvy, aby se tím vytvořilo řečené pole Μ χ N tenkých řízených zrcadel.
Stručný popis výkresů
Shora uvedené a ostatní předměty a charakteristické rysy tohoto vynálezu budou zřejmé z následujícího popisu výhodných provedení, daných ve spojitosti s doprovodnými nákresy, kde:
Obr. 1 zobrazuje pohled v řezu na pole Μ κ N elektricky ovladatelných řízených zrcadel, popsaných v předcházející části;
Obr. 2 představuje pohled tenkoí Umových řízených zrcadel v provedením tohoto vynálezu;
v řezu souladu s na pole Μ χ N prvním výhodným
Obr. 3 objasňuje detailní pohled v řezu na pole tenkoíilmových řízených zrcadel podle první provedení, znázorněného na obr. 2.
Obr. 4 popisuje průřez tenkoíiImového řízeného zrcadla podle prvního provedeni s pružnou vrstvou umístěnou na spodku druhé elektrody;
Obr. 5 představuje pohled v řezu na tenko£ iImové řízené zrcadlo podle prvního provedení, mající nosnou vrstvu vyrobenou ze světlo odrážejiclh'- materiálu;
Ob. 6A a 6B představují pohled v řezu na tenkoíilmové řízené zrcadlo podle prvního provedení , které rná horní nebo dolní plochu pohyb-indukující vrstvy v každé z řídicích struktur částečné pokrytou první a druhou elektrodou;
Obr. 7 zobrazuje pohled v řezu na tenkoíilmové řízené zrcadlo podle prvního provedení v řízeném stavu;
Obr. 8 poskytuje pohled v řezu na tenkoíilmové řízené zrcadlo podle druhého provedení, mající bimoríní strukturu;
Obr. 9 poskytuje pohled v řezu na tenkoíilmové řízené zrcadlo podle třetího provedení, a.
Obr. 10A až 10H zobrazuji pohledy v řezu na postupné výrobní kroky podle prvního provedení v souladu s tímto vynálezem.
Popis způsobů provedení vynálezu
S odkazy na obr. 2 až 10 jsou nyní předkládány schematické pohledy v řezu na vynalezené pole Μ x N tenkoí i línových řízených zrcadel pro použiti v optických promítacích systémech a způsoby jejich přípravy, kde M a N jsou celočíselné výrazy, v souladu s výhodnými provedeními tohoto vynálezu. Budiž poznamenáno, že stejné díly, vyskytující se v obr. 2 až Lú, jsou označeny stejnými vztahovými Čísly.
Na. obr. 2 je vyobrazen pohled řezu na první provedeni pole 52. Μ x N tenkoíiimovych řízených zrcadel 51 . zahrnující aktivní matici 52, pole 53 M z Z tenkoíilmových řídicích struktur 54. Pole 55 M x M nosných členO 56, pole 57 Μ x N distančních členů 53 a pole 5'< Μ z N zrcadlových vrstev 6j0·
Ob. 3 představuje podrobný pohled v řezu na tenkofilmové řízené zrcadlové pole 50. které bylo vyobrazeno na obr. 2. Aktivní matice 52 obsahuje základní vrstvu 59, pole Μ x N tranzistorů (zde není vyobrazeno) a pole 61 Μ x N spojovacích terminálů 62. Každá z řídicích struktur 54 je opatřena horní a dolní plochou 52, 54 a bližším a vzdálenějším koncem 52, 66 a dále obsahuje přinejmenším tenkoíilmovou vrstvu 67 pohyb-indukujícího materiálu, mající horní a dolní plochu 63 a 69 a první a druhou elektrodu 70, 71, vyrobenou např. z kovu jako je zlato (Au) nebo stříbro (A1?), první elektroda 7 0 mající horní plochu 72. První elektroda 70 je umístěna na horní ploše 68 pohyb-indukující tenkoíilmové vrstvy 67 a druhá elektroda 71 na dolní ploše 69 téže vrstvy. Pohyb-indukující tenkoíilmová vrstva 67 je vyrobena z piezoelektrické keramiky,.elektrostrikční keramiky, magnetostriktfní keramiky nebo z piezoelektrického polymeru. V případě, kdy pohyb-indukující tenkoíiimová vrstva 67 je vyrobena z piezoelektrická keramiky nebo z piezoelektrického polymeru, tak musí být polarizovate1ná.
Každý z M x N nosných členů 52, opatřený horní a dolní plochou 73, 214, je použit pro držení každé z řídicích struktur 54 na místě a rovněž pro elektrické propojení druhé elektrody 71 v každé z řídicích struktur 54 s odpovídajícími spojovacími terminály 62 na aktivní matici 52 pomoci spojů 113, vyrobených z elektrický vodivého materiálu, např. kovu. V tomto vynalezeném poli 50 Μ x N tenkoíilmových řízených zrcadel 51 je každá z řídicích struktur 54 podpírána každým z nosných členů 5.6 pomocí upevnění na horní plochu 13. každého z nosných členů 56 na dolní ploše 64 každé 54 na jejich bližším konci 65 a dolní nosných členů 56 je umístěna na vršku z řídicích struktur plocha 74 každého z aktivní matice 52. Každý horní a dolní plochou 7 5 . 7h, )e umístěn na horní ploše 6_3 každé z řídicích struktur ly\ na jejich vzdálenějším konci
66. Dále, každá ze zrcadlových vrstev 6U, včetně zrcadla 77 pro odrážení světelných paprskh, nosné vrstvy 73, mající horní plochu 31 , první a. druhé Části 7 9, 80 odpovídající vzdálenějším, respektive bližším koncěm 66. 65 každé z řídicích struktur 54. kde první Část 79 každé ze zrcadlových vrstev 60 je upevněna na horní ploše 75 každého z distančních ClenO 58 a druhá Část 30 je podpírána každým z nosných členft 56. V každé ze zrcadlových vrstev 60 je zrcadlo 77 umístěno na horní ploáe 31 nosné vrstvy 78.
Elektrické pole je vloženo napříč pohyb-indukujíc; tenkoíilmové vrstvy 67 mezi první a druhé elektrody 70, Zi. v každé z řídících struktur 54 Vložení takovéhoto elektrického pole zp&sobí deformaci pohyb-indukující vrstvy
67, tudíž řídicí struktury 54, což obratem vychýlí zrcadlovou vrstvu 60.
Navíc, každé z tenkoíiimových řízených zrcadel 51 m&že být dále opatřeno pružnou vrstvou 38. Pružná vrstva 88 m&že být umístěna buď mezilehle mezi distanční Clen 58 a první elektrodu 2LQ nebo na spodku druhé elektrody 71 v každém z řízených zrcadel 51. Na obr. 4 je vyobrazeno tenkoíilmové řízené zrcadlo §2., opatřené pružnou vrstvou 88 na dolr.i ploše 64 řídicí struktury 54.
Materiál tvořící nosnou vrstvu 73 v každé ze zrcadlových vrstev šJl může být materiál odrážející světlo, např. hliník (Al), což umožní, aby horní plocha 81 tohoto fungovala rovněž jako zrcadlo 77 v každém z tenkoíiImových řízených zrcadel 5JL, jak je zakresleno na obr. 5.
Pro vynalezené pole 50 tenkofiImových řízených zrcadel je rovněž možné, aby fungovalo stejně dobře s horním; a dolními plochami 69 pohyb-indukujlcich tenkoí i Imovýc.n z distančních 58, opatřených vrstev 67 v každé z řídících struktur 54 zcela pokrytými první a druhou elektrodou Ul, 7.1 nebo s kteroukoliv z horní a dolní ploch 68, 69 pohyb-indukující tenkoíilmové vrstvy 67 v každé z řídicích struktur 54 pokrytými částečně první a druhou elektrodou 70. 71. V tomto případě musí být tenkofilmové řízené zrcadlo 51 opatřeno pružnou vrstvou 88.· Dva příklady tenkoíilmového řízeného zrcadla 51 s takovouto strukturou jsou vyobrazeny na obr. 6A a 6B.
Ma příkladech prvního provedení je na obr. 3 a 7 vyobrazeno pole 50 Μ x N tenkoíilmových řízených zrcadel 5i, zahrnujících pole Μ κ N řídicích struktur §4, vyrobené z piezoelektrické keramiky, například titáničitanu olovnatozirkoničitého (PZT). Elektrické pole je vloženo napříč pohyb-indukující tenkoíilmové piezoelektrickou vrstvou 67 umístěnou mezi první a druhou elektrodu 70, 71 v každé z řídicích struktur £4. Aplikace elektrického pole způsobí. že se piezoelektrický materiál buď smršti nebo roztáhne, v závislosti na polaritě elektrického pole s ohledem na polaritě piezoelektrického materiálu. Jestliže polarita elektrického pole odpovídá polaritě piezoelektrické keramiky, tak se piezoelektrický materiál smrští. Jestliže polarita elektrického pole je opačná než polarita piezoelektrického materiálu, tak se piezoelektrický materiál roztáhne.
Na obr. 7 odpovídá polarita piezoelektrického materiálu polaritě přiloženého elektrického pole a způsobuje tak smrštění piezoelektrického materiálu. V takovémto případě se řídicí struktura 54 ohne směrem dolu, jak je vyobrazeno na obr. 7 a tímto nakloní zrcadlovou vrstvu 60 o určitý úhel směrem dolů. Zrcadlová vrstva 60 však zůstane rovinná a následkem toho efektivní délka zrcadlové vrstvy 6J3 je celá délka zrcadlové vrstvy 60 Pro srovnáni, jestliže zrcadlová vrstva 60 je přímo upevněna k řídicí struktuře 54, tak se část zrcadlové vrstvy 60, upevněné nosnému členu 56 v reakci na elektrické pole nedeformuje, ale zůstává pevně na místě. Následkem toho je efektivní délka zrcadlové vrstvy £2. rovná délce mlnupj délko Části řídicí struktury 54. upevněné k nosnému členu 56. Vnesení distančního členu 53 a zrcadlové vrstvy 60 do provedení, které je znázorněno na obr. 3 z toho důvodu zvyšuje koeficient vyžití a účinnost zrcadlového pole. S odkazem na obr. 3 a 7 je možno ukázat, že světlo dopadající na zrcadlovou vrstvu 60 řízeného zrcadla 5A, jak je vyobrazeno na obr. 7, 3© odráží pod větším úhlem než světlo odrazc-né od neřízeného řízeného zrcadla 51, zobrazeného na obr. 3.
Alternativně může být vloženo elektrické pole obrácené polarity na pohyb-indukující tenkofUmovou piezoelektrickou vrstvu 67 a tak vyvolat roztažení piezoelektrické keramiky. V tomto příkladu se řídící struktura 51 prohne vzhůru (nezakresleno). Světlo dopadající na zrcadlovou vrstvu 60 vzhůru řízeného zrcadla 51 se odráží pod menším úhlem než světlo odražené od neřízeného řízeného zrcadla 51, zobrazeného na obr. 3.
Na obr. 8 je vyobrazen příčný řez druhého provedení pole 100 Μ χ N tenkoíilmových řízených zrcadel 101, přičemž druhé provedení je podobné prvnímu provedení s tou výjimkou, že každá z řídicích struktur 54 má bimoríní strukturu, včetně první elektrody 7Q, druhé elektrody 71, vložených kovových vrstev 5Z a horní pohyb-indukující tenkoíilmové vrstvy 39. mající horní a dolní plochy 25, 91 a dolní pohyb-indukující tenkoíilmové vrstvy 92. opatřené horní a dolní plochou 93, 94. V každé z řídicích struktur 54 jsou dolní a horní pohyb-indukující tenkoíilmové vrstvy 52, 92 odděleny mezilehlou kovovou vrstvou 87 . první elektroda 70 je umístěna horní ploše 90 pohyb-indukující horní tenkoíilmové vrstvy 22 si druhá elektroda /1 na dolní ploše 94 pohyb-indukující dolní tenkoíilmové vrstvy 92
Jako příklad toho, jak druhé provedení funguje, předpokládejme-, že dolní a horní pohyb-indukující vrstvy 89, v poli 100 Μ κ N tenko £ i trnových řízených zrcadel 101. vyobrazených na obr. 3 jsou vyrobeny z piezoelektrické keramiky, například z PZT. Je-li elektrické pole vloženo napříč každé z řídicích struktur 54. tak pohyb-indukující horní a dolní tenkofilmová piezoelektrické vrstvy 93, 92 řídicí struktury 54 se budou ohýbat směrem nahoru nebo dolů, v závislosti na polaritě piezoelektrické keramiky a polaritě elektrického pole. Například, jestliže polarita způsobí, že pohyb-indukující horní tenkofilmová vrstva 98 se smrští a pohyb-indukující dolní tenkofilmová piezoelektrická vrstva 92 se roztáhne, tak řídicí struktura 54 se ohne vzhůru. Za tohoto stavu se dopadající světlo odráží pod menším úhlem od řídicí struktury 54 než odražené světlo od neřízené řídicí struktury £4. Aváak, jestliže polarita piezoelektrické keramiky a elektrického pole způsobí, že horní pohyb-indukující tenkofilmová piezoelektrická vrstva 39 se roztáhne a dolní pohyb-indukujlei tenkofilmová piezoelektrická vrstva 92 se smršti, tak řídicí struktura 54 se ohne směrem dolů. Za tohoto stavu je dopadající světlo odráženo pod větším úhlem od řídicí struktury 54 než odražené světlo od neřízené řídicí struktury 54.
Na obr. 9 je vyobrazen pohled v řezu na třetí provedení pole 200 Μ κ N tenkoíilmového řízeného zrcadla 201. kde třetí provedení je podobné prvnímu provedení s tou výjimkou. Že pole 57 Μ κ N distančních členů chybí. Místo toho v každém z tenkoíilmových řízených zrcadel 51 je nosná vrstva 78 simultánně připojena na vzdálenější konec 66 řídicí struktury 54 a na aktivní matici 52
Na obr. 10A až 101 jsou vyobrazeny výrobní kroky, uplatňující se při výrobě prvního provedení podle tohoto vynálezu. Postup výroby prvního provedeni, t.j. pole 50 Μ κ N tenkoí i lmového řízeného zrcadla 51 . kde Μ κ N jsou celočíselné výrazy, začíná přípravou aktivní matice 52. která má horní a dolní plochy 102. 103. zahrnující základní vrstvu 59, pole Μ κ N tranzistorů 'není zakresleno) a pole 1 >
104 Μ κ Ν spojovacích obr. 10Α.
terminálo jak je nakresleno na (nezakresleno,, aby oblast 109, každá každého z íí z N
V následujícím kroku se vytváří na horní ploše 102 aktivní matice 52 první nosná vrstva 106, zahrnující pole 107 Μ x N podpérek 103, odpovídající poli 65 M z. N nosných členů 56 a první obětovanou oblast 109, kde první nosná vrstva 106 je tvořena· uložením obětované vrstvy ί zde nezakreslena) na celek horní plochy 102 aktivní matice 52; vytvoření pole Μ z N prázdných štěrbin se tímto vytvořila první obětovaná z prázdných mezer je umístěna kolem spojovacích terminálů 62; a vytvoření podpérky 103 v každé z prázdných štěrbin, jak je nakresleno na obr. 10B. Obětovaná vrstva je tvořena pomocí rozprašovací metody, pole prázdných štěrbin pomocí metody leptáni a podpérky pomocí rozprašování nebo metodou vypařování chemikálií (CVDj, následovanou metodou leptání. Obětovaná vrstva 109 první nosné vrst-vy 106 je potom ošetřena tak, aby byla později odstranitelná použitím metody leptání nebo použitím chemikálií.
Spoj 118 pro elektrické spojovaní každého z spojovacích terminálů 62 s každou z druhých elektrod /1 , vyrobený z elektricky vodivého materiálu, např. z wolframu iWj, je vytvořen na každé z podpérek 103 tak, že se nejprve vytvoří otvor rozšiřující se od od jeho vršku ke spodku odpovídajících spojovacích terminálů 62 s použitím Leptaci metody a následným vyplněním otvoru elektricky vodivým materiálem, jak je zobrazeno na obr. 10C.
V následujícím kroku, jak je nakresleno na obr. první tenkoíilmová elektrodová vrstva lil.
131), je vy robená z elektricky vodivého materiálu, např. Au, nanesena na první nosné vrstvě 1C6. Po tomto jsou tenko! i línové elektrodové vrstv * LU případně na prcii vytvořeny t anket ilmova.
pohyb—indukuj ící vrstva LU, vyrobená z pohyb-i ndukující ho materiálu, např. z P2T, a druhá tenkoíilmová elektrodová vrstva 113 .
Po tomto je uložena distanční vrstva i 14 ne vršek druhé tenkoíilmové elektrodové vrstvy 111. distanční vrstva 114 včetně pole Μ x N distančních členů 58 a druhé obětované oblasti 115, jak je nakresleno na obr. IDE. Metoda použitá pro vytvoření distanční vrstvy 114 je podobná metodě, použité pro vytvoření první nosné vrstvy 106. Druhá obětovaná oblast 115 distanční vrstvy 114 ie potom ošetřena tak, aby byla odstranitelná.
V následujícím kroku jsou druhá nosná vrstva 116 a světlo odrážející vrstva 117, zahrnující zrcadlovou vrstvu 60 postupně ukládány na vrch distanční vrstvy 114. jak je vyobrazeno na obr. 10F.
Tenkoíilmové vrstvy elektricky vodivého, pohyb-indukujícího a světlo odrážejících materiálů mohou být ukládány a šablonovány známými tenkoíilmovými technologiemi, jako jsou rozprašování, sol-gelová metoda, odpařování, leptání a mikroobrábění, jak je zobrazeno na obr. 10G.
První a druhá obětovaná oblast 109, 115 nosné vrstvy 106 a distanční vrstva 114 jsou potom odstraněny nebo rozpuštěny s použitím chemikálii, aby se z nich vytvořilo řečené pole 50 Μ x N tenkoíilmových řízených zrcadel 51 . jak je vyobrazeno na obr. 10H.
Druhé provedení je vyráběno podobným způsobem jako provedení první. První nosná vrstva je aplikována na aktivní matici. První nosná vrstva rovněž obsahuje pole Μ x N podpěrek, odpovídající poli Μ x N nosných členů a obětovanou oblast. Potom jsou na první nosnou vrstvu nanášeny první tenkoíilmová elektrodová vrstva, dolní tenkoíilmová pohyb-indukující vrstva, mezilehlá kovová vrstva, horní tenkoíilmová pohyb-indukujíci vrstva a druhá tenkoíilmová
1-1 elektrodová vrstva, V následujícím kroku jsou postupná vytvářeny distanční a zrcadlová vrstva. Tenkofllmové vrstvy elektricky vodivého, pohyb-indukujícího a světlo odrážejícího materiálů jsou nanášeny a eablonovány známými tenkoíilmovými technologiemi, tak ja.k bylo již konstatováno v předchozím. Obětované oblasti první nosné a distanční vrstvy jsou následné rozpuštěny nebo odstraněny s použitím chemikálií a zbude po nich pole 100 tenkofllmových řízených zrcadel 101, mající pole 5l3. Μ x N řídicích struktur 54 s bimoríni strukturou.
Ve shora popsaných metodách pro výrobu prvnl.no a druhého provedení tohoto vynálezu může být přidán dodatečný postup pro vytvářeni pružné vrstvy 33, zahrnující podobné postupy jako při vytváření ostatních tenkofllmových vrstev.
Ačkoliv tento vynález byl popsán jen s ohledem na. určitá výhodná provedení, ostatní modifikace a variace mohou být dělány bez odchýlení se ze sféry tohoto patentu, jak je uvedeno v následujících nárocích.
Τ' “Ο ,η
1J* i>
r··- □ ο
σ>
to· \ι
II A R ί) Κ Υ
Ι.ΡοΙβ tenkofi 1mových řízených zrcadel pro použití v optických promítacích systémech v y z n a č u j ící se tím, že je tvořeno aktivní matici (52) se základní vrstvou (59) s polem tranzistorů a polem (61) spojovacích tenkofi 1mových řidícich struktur ( 5-4) , terminálů (62),polem kde každá z řídících struktur (54) má vytvořenou horní a dolní plochu (63,64), bližší a vzdálenější konec (65,66), ( 54) obsa.nu j e nejméně přičemž každá z řídících struktur tenkofi Imovou vrstvu (67)

Claims (12)

  1. pohyb-indikujícího materiálu s horní a dolní plochou (63,69) a první a •uhou elektrodou 170,71), kde první elektroda (70) umístěna na horní ploše (63) pohyb - indtkujíci vrstvy (67), kde elektrický signál vložený napříč- pohyb· indikující vrstvou (67) mezi první a druhou elektrodou (70,71) způsobuje deformaci pohyb-indikující vrstvy (67) a tím i řídící struktury (54),dále je tvořeno polem (55) nosných členů (56),polem (57) distančních členů (53),polem (59) zrcadlových vrstev (60), kde každý z nosných členů (56) má vytvořenou horní a dolní plochu (73,74), přičemž každý z nosných členů (56) je použít pro držení každé z řídících struktur (54) na místě a rovněž elektricky spojující každou z řídících struktur (54) s aktivní mat ici(52) ,a kde každý z distančních členů (53) (75,76) a je umístěn na str i ktur (54) na zrcad1ových vrstev světelných paprsků, má vytvořenou horní a dolní plochu horní ploše (63) každé z řídících jejich vzdálenějším konci (66),a každá ze bQ) obsahuje zrcadlo (77) pro odrážení a nosnou vrstvu (73), při čem: zrcadlových vrstev f60) dále obsahuje první a druhou o odpovídají;·! vzdá 1 en · i ší mu a bli:::hmu k .·η· ·, -. -.1 každá každé druhou
    Λ' řídících struktur říct '79,30.; každé 28 i horn: ploše každého 2 distančních clenu nosným členem (36). (34) v důsledku zrcadlová vrstva ' (77) odrážet světelné paprsky.
    54? a je t < j<le /-řena od po v t da j í c i m příslušným takže při defuraiaci každé 2 řídících struktur· tůchodu elektrického signálu, odpovídající 0) nústane rcvinn-í umožňujíce celému zrcadlu
  2. 2.Pole podle nároku 1 vyzn z řídících struktur (54) je (56) upevněním na horní plošná dolní ploše '64; každé
    1 š u jící se tím,še každá podepřena každým 2 nosných členu '73? každ l-ho 2 nosných členů (56) . ř; dicích' struktur (54) r.a jejím m koně:
  3. 3. Pole podle nároi-u plocha .74) každého ak L i vr.: matice ( 52 > .
    u j ící nosných členů (56)
    tím, že do lni um í s t ě na na vrchu
  4. 4. Pole podle nároku 1 v y z n a č u j í c í se tím . še každý 3 distančních členů (53) je uložen na horní ploše (63) každé 2 řídících struktur (54) na jejím vzdálenějším konci (66).
  5. 5. Pole podle nároku Ivyzna dující se tím , že první část (79) každé ze zrcadlových vrstev (60) je upevněna na horní plochu (75) každého z distančních členů (53) a druhá část (80) je podepřena odpovídajícím nosným členem (56).
  6. 6.Pole podle nároku 1 v y z n a č u j 1 c í se 2 řídících struktur (54) má bimovťnl strukturu a elektrodu (70), druhou elektrodu (71). mezilehlou (87) , pohyb - i ndi kuj ící horn1 tenkoťi línovou vrstvu dolní plochou (90 91 ) <t pohyb t i m .že každá obsahuje první kovovou vrstvu (39) s horní a dolní tenkofilmovou /V vrstvu (92) s horn:
    •‘•.dní ρ! ϋ'.+ιου f '1 ; 9.};
  7. 7. Pole podle nároku 1 v y z n a č u j i c í se' t í as , že pohyb-indikuj icí horní a dolní Unkoři laové vrstvy (39.92) jsou odděleny mezi lehlou kovovou vrstvou ' '-//> . první elektroda ' 70) je umístěna r.a horn í p l oše ( 90; pohyb : η·Ι i kuj i ' t ho< η í t or ko f i lmové vrstvy (39) a druhá elektroda (71; je um i stěna na dolní ploše ( 94) pohyb -indikují'! do 1 n i tenko f i Imo /·? vrst vy < 92» .
    S.Pole podle nároku 1 vy z η . i u j i o i po ny.
    r.d i .-:u] i : i
    l. er-.kof i 1 nová vrstvu je ř-iesošlekLi ické keraa.ky nebo z p-i es·. .· I ektr i ckého polymeru.
    t i a .že vyrobena z
  8. 9.Pole podle riároku 1 vyznačující se t í a , že pohyb-indikující tenkofi 1 nová vrstva (67) je polarizována.
    P·· :dle v y z n a č u j ící pc hyb- i n ;l i ku j i u í te.okof i lnová eIektrostri kóního materiálu.
    vrstva ( 67) • t i m .že vyrobena z
  9. 11.Pole podle nároku 1 vyznačuj ící pohyb-indi kující tenkofilmová vrstva (67) magnetostri kón i ho materiálu.
    se t i m . že te vyrobena z z n a c u i i c- i
  10. 12.Pole podle nároku 1 v horní a dolní pohyb indi kuiíci tonk·>t i 1move vyrobeny z piezoelektrického materiálu.
    vrstvy (39.92) jsou
  11. 13.Pole podle nároku 1 n a <
    i ra . ze piezoelektrický .η.i1 · r i . i 1 i,.:9 iiblilu i i «.· i horn i tenkoíi Imove vrstvy (S9) je polarizován pohyb-indi kujíci dolní tenkoí trnové vrutvy ’ 1'Át
  12. 14.Pole podle nároku 1 v y každý z nosných členů (56) spojení druhé elektrody (71) v odpov í da j i σ i m spojovacím teraim η ί <7 u ) je opatřen k ižd · ; d ' · Ώ Mi j. .
    než materiál
CZ19961329A 1993-11-09 1994-11-01 Pole tenkofilmových řízených zrcadel a způsob jeho přípravy CZ290728B6 (cs)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930023725A KR970006686B1 (ko) 1993-11-09 1993-11-09 광로조절장치
KR1019930023726A KR970006687B1 (ko) 1993-11-09 1993-11-09 광로조절장치
KR93025877A KR970006696B1 (en) 1993-11-30 1993-11-30 A manufacturing method for an optical path regulating apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CZ132996A3 true CZ132996A3 (en) 1997-05-14
CZ290728B6 CZ290728B6 (cs) 2002-10-16

Family

ID=27349015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ19961329A CZ290728B6 (cs) 1993-11-09 1994-11-01 Pole tenkofilmových řízených zrcadel a způsob jeho přípravy

Country Status (16)

Country Link
US (1) US5760947A (cs)
EP (1) EP0652455B1 (cs)
JP (1) JP3165444B2 (cs)
CN (1) CN1047903C (cs)
AU (1) AU693125B2 (cs)
BR (1) BR9408009A (cs)
CA (1) CA2176111A1 (cs)
CZ (1) CZ290728B6 (cs)
DE (1) DE69420669T2 (cs)
ES (1) ES2140492T3 (cs)
HU (1) HU220517B1 (cs)
IT (1) IT1271708B (cs)
PL (1) PL176490B1 (cs)
RU (1) RU2141175C1 (cs)
TW (1) TW279931B (cs)
WO (1) WO1995013683A1 (cs)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100203577B1 (ko) * 1994-12-19 1999-06-15 배순훈 광로조절장치와 그 제조방법
US5834163A (en) * 1995-08-22 1998-11-10 Daewoo Electronics Co., Ltd. Method for forming an electrical connection in a thin film actuated mirror
GB2304918B (en) * 1995-08-30 1999-05-19 Daewoo Electronics Co Ltd Method for manufacturing a thin film actuated mirror having a stable elastic member
TW348324B (en) * 1996-01-31 1998-12-21 Daewoo Electronics Co Ltd Thin film actuated mirror array having dielectric layers
KR100229788B1 (ko) * 1996-05-29 1999-11-15 전주범 광로 조절 장치의 제조 방법
US5930025A (en) * 1996-05-29 1999-07-27 Daewoo Electronics Co., Ltd. Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof
KR980003662A (ko) * 1996-06-28 1998-03-30 배순훈 큰 구동 각도를 가지는 박막형 광로 조절 장치
KR100212539B1 (ko) * 1996-06-29 1999-08-02 전주범 박막형 광로조절장치의 엑츄에이터 및 제조방법
WO1998008127A1 (en) * 1996-08-21 1998-02-26 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system
US5898515A (en) * 1996-11-21 1999-04-27 Eastman Kodak Company Light reflecting micromachined cantilever
US5949568A (en) * 1996-12-30 1999-09-07 Daewoo Electronics Co., Ltd. Array of thin film actuated mirrors having a levelling member
US5914803A (en) * 1997-07-01 1999-06-22 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same
US6028690A (en) * 1997-11-26 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio
US5920421A (en) * 1997-12-10 1999-07-06 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same
US6404942B1 (en) 1998-10-23 2002-06-11 Corning Incorporated Fluid-encapsulated MEMS optical switch
US6389189B1 (en) 1998-10-23 2002-05-14 Corning Incorporated Fluid-encapsulated MEMS optical switch
JP2000194282A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Daewoo Electronics Co Ltd 映像ディスプレーシステム
US6643426B1 (en) 1999-10-19 2003-11-04 Corning Incorporated Mechanically assisted release for MEMS optical switch
US6813053B1 (en) * 2000-05-19 2004-11-02 The Regents Of The University Of California Apparatus and method for controlled cantilever motion through torsional beams and a counterweight
JP2002122809A (ja) * 2000-10-18 2002-04-26 Canon Inc 投射型表示装置
US6624549B2 (en) 2001-03-02 2003-09-23 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric/electrostrictive device and method of fabricating the same
US20030025981A1 (en) * 2001-07-31 2003-02-06 Ball Semiconductor, Inc. Micromachined optical phase shift device
SG103367A1 (en) * 2001-11-02 2004-04-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd Piezoelectric driving device
US7911672B2 (en) * 2006-12-26 2011-03-22 Zhou Tiansheng Micro-electro-mechanical-system micromirrors for high fill factor arrays and method therefore
US7542200B1 (en) * 2007-12-21 2009-06-02 Palo Alto Research Center Incorporated Agile beam steering mirror for active raster scan error correction
US8238018B2 (en) * 2009-06-01 2012-08-07 Zhou Tiansheng MEMS micromirror and micromirror array
US10551613B2 (en) 2010-10-20 2020-02-04 Tiansheng ZHOU Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays
US9036231B2 (en) 2010-10-20 2015-05-19 Tiansheng ZHOU Micro-electro-mechanical systems micromirrors and micromirror arrays
US9385634B2 (en) 2012-01-26 2016-07-05 Tiansheng ZHOU Rotational type of MEMS electrostatic actuator

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3544201A (en) * 1968-01-02 1970-12-01 Gen Telephone & Elect Optical beam deflector
US4280756A (en) * 1979-01-02 1981-07-28 Itek Corporation Piezoelectric bi-morph mirror actuator
US4592628A (en) * 1981-07-01 1986-06-03 International Business Machines Mirror array light valve
US4529620A (en) * 1984-01-30 1985-07-16 New York Institute Of Technology Method of making deformable light modulator structure
US4954789A (en) * 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5245369A (en) * 1989-11-01 1993-09-14 Aura Systems, Inc. Scene projector
US5126836A (en) * 1989-11-01 1992-06-30 Aura Systems, Inc. Actuated mirror optical intensity modulation
US5035475A (en) * 1990-03-15 1991-07-30 Aura Systems, Inc. Unique modulation television
US5085497A (en) * 1990-03-16 1992-02-04 Aura Systems, Inc. Method for fabricating mirror array for optical projection system
US5159225A (en) * 1991-10-18 1992-10-27 Aura Systems, Inc. Piezoelectric actuator
US5247222A (en) * 1991-11-04 1993-09-21 Engle Craig D Constrained shear mode modulator
KR970003007B1 (ko) * 1993-05-21 1997-03-13 대우전자 주식회사 투사형 화상표시장치용 광로조절장치 및 그 구동방법
KR970003466B1 (ko) * 1993-09-28 1997-03-18 대우전자 주식회사 투사형 화상 표시 장치의 광로 조절 장치 제조 방법
US5481396A (en) * 1994-02-23 1996-01-02 Aura Systems, Inc. Thin film actuated mirror array

Also Published As

Publication number Publication date
CA2176111A1 (en) 1995-05-18
DE69420669D1 (de) 1999-10-21
IT1271708B (it) 1997-06-04
PL176490B1 (pl) 1999-06-30
CN1134772A (zh) 1996-10-30
CZ290728B6 (cs) 2002-10-16
PL314228A1 (en) 1996-09-02
RU2141175C1 (ru) 1999-11-10
CN1047903C (zh) 1999-12-29
HU9601095D0 (en) 1996-07-29
ITMI942257A0 (it) 1994-11-08
ITMI942257A1 (it) 1996-05-08
HU220517B1 (hu) 2002-03-28
JPH09504888A (ja) 1997-05-13
EP0652455A1 (en) 1995-05-10
TW279931B (cs) 1996-07-01
BR9408009A (pt) 1998-06-16
HUT75802A (en) 1997-05-28
US5760947A (en) 1998-06-02
AU8117194A (en) 1995-05-29
DE69420669T2 (de) 1999-12-30
EP0652455B1 (en) 1999-09-15
AU693125B2 (en) 1998-06-25
JP3165444B2 (ja) 2001-05-14
ES2140492T3 (es) 2000-03-01
WO1995013683A1 (en) 1995-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ132996A3 (en) Field of a thin-film controlled mirrors for use in optical projecting systems and process of preparing thereof
AU689558B2 (en) Thin film actuated mirror array
US5984481A (en) Array of thin film actuated mirrors for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof
EP0651274B1 (en) Thin film actuated mirror array and method for the manufacture thereof
CZ262196A3 (en) System of mirrors controlled by a thin film intended for use in an optical projection system and process for producing thereof
PL178550B1 (pl) Układ zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych i sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych
US5585956A (en) Electrostrictive actuated mirror array
US5710657A (en) Monomorph thin film actuated mirror array
EP0821803A4 (en) SYSTEM OF MIRRORS ACTIVATED BY THIN FILMS ALLOWING A TILT FOLLOWING TWO ANGLES
US5936757A (en) Thin film actuated mirror array
RU2156487C2 (ru) Матрица тонкопленочных возбуждаемых зеркал и способ ее изготовления
AU3780900A (en) Monomorph thin film actuated mirror array

Legal Events

Date Code Title Description
PD00 Pending as of 2000-06-30 in czech republic
MM4A Patent lapsed due to non-payment of fee

Effective date: 20031101