CS276840B6 - Způsob pro nanášení povlaků na výrobky - Google Patents

Způsob pro nanášení povlaků na výrobky Download PDF

Info

Publication number
CS276840B6
CS276840B6 CS903361A CS336190A CS276840B6 CS 276840 B6 CS276840 B6 CS 276840B6 CS 903361 A CS903361 A CS 903361A CS 336190 A CS336190 A CS 336190A CS 276840 B6 CS276840 B6 CS 276840B6
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
coating
cathode
space
chamber
coated material
Prior art date
Application number
CS903361A
Other languages
English (en)
Other versions
CS336190A3 (en
Inventor
Mojmir Jilek
Frantisek Ing Brdecka
Jaroslav Ing Subrt
Original Assignee
Vyzk Ustav Praskovou Metal
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vyzk Ustav Praskovou Metal filed Critical Vyzk Ustav Praskovou Metal
Priority to CS903361A priority Critical patent/CS276840B6/cs
Publication of CS336190A3 publication Critical patent/CS336190A3/cs
Publication of CS276840B6 publication Critical patent/CS276840B6/cs

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Řešení se týká zařízení pro nanášení povlaků na výrobky fyzikální metodou z plynné fáze u těch typů povlakovacích zařízení, kde k odpařování jedné nebo více složek povlaku dochází pomocí stejnosměrného nízkonapěťového oblouku. Zařízení sestává ze systému pro" odpařování povlakovaciho materiálu, z povlakovací komory (6) s prostorem (5) pro umístění povlakovaného materiálu, z vakuové aparatury a z elektrického zdroje pro povlakování. Podstatou řešení je, že v povlakovací komoře (6) je prostor (6) pro umístění povlakovaného materiálu uspořádán v jejím obvodu a chlazená kovová katoda (1) je umístěna v jejím středu nebo jeho blízkosti.

Description

Vynález se týká zařízení pro nanášení povlaků na výrobky fyzikální metodou z plynné fáze, sestávajícího ze systému pro odpařování povlakovacího materiálu, z povlakovací komory s prostorem pro umístění povlakovaného materiálu, z vakuové aparatury a z elektrického zdroje pro povlakování.
V současné době se používá uspořádání jednotlivých prvku tohoto typu povlakovacího zařízení takové, že odpařované katody jsou umístěny v oblasti pláště povlakovací komory, zatímco povlakovaný materiál je umístěn ve středu komory na rotujícím držáku. Mezi kovovou katodou a pláštěm povlakovací komory hoří stejnosměrný nízkonapěťový oblouk. Kovová katoda je připojena na záporný pól a komora na kladný pól zdroje pro nízkonapěťový oblouk. Výboj nízkonapěťového oblouku hoří za nízkého tlaku v povlakovací komoře (obvykle nižším než 1 Pa) na anodě po celé její ploše, zatímco na katodě pouze v místě momentálního výskytu pohybující se katodové skvrny. V místě katodové skvrny dosahuje teplota hodnoty přibližně v rozmezí 5 000 až 10 000 K. V tomto místě dochází k intenzivnímu odpařování materiálu katody. Páry odpařené nízkonapěťovým obloukem jsou v tomto výboji silně ionizovány (řádově desítky procent). Záporným napětím, přiloženým na držák se vzorky, jsou z tohoto nízkonapěťového oblouku vytahovány kladně nabité ionty, které jsou nanášeny na povlakovaný materiál, přičemž zároveň zahřívají materiál na požadovanou teplotu. V případě, že je do povlakovací komory připouštěn reakční plyn, lze na povlakovaném materiálu získat vrstvu sloučeniny tvořenou materiálem odpařeným z povrchu katody a reakčnim plynem (například vrstvu nitridu titanu /TiN/).
Nevýhodou tohoto klasického uspořádání jednotlivých prvků povlakovacího zařízení je nutnost pohybu povlakovaných součástek během povlakování, aby byla zajištěna rovnoměrná rychlost, růstu povlaku na všech povlakových předmětech- Tím se komplikuje způsob měření teploty během povlakovacího procesu.
Další nevýhoda spočívá v poměrně malé kapacitě povlakovacího zařízení, čímž výrazně rostou náklady na povlakování.
Další nevýhoda tohoto zařízeni spočívá v problematickém udržování teploty zvláště na vyšších hodnotách. Konstrukce zařízení zapříčiňuje značné ztráty tepla z povlakovaného materiálu tepelným zářením. Tento fakt se projeví zvláště výrazně při povlakování materiálu ze slinutého karbidu, kdy je vhodnější nanášet povlaky za vyšších teplot. Při povlakování těchto materiálů při teplotách okolo 600 až 700 °C by neúměrně vzrostl odběr elektrické energie.
Uvedené nevýhody odstraňuje zařízení pro nanášení povlaků na výrobky fyzikální metodou z plynné fáze, sestávající ze systému pro odpařování povlakovacího materiálu, z povlakovací komory s prostorem pro umístění póvlakovaného materiálu, z vakuové aparatury a z elektrického zdroje pro povlakování podle tohoto vynálezu, jehož podstata spočívá υ tom, že v povlakovací komoře je prostor pro umístění povlakovaného materiálu uspořádán po jejím obvodu a chlazená kovová katoda ie umístěna v jejím středu nebo
Výhodou nového typu povlakovacího zařízení podle vynálezu je, že pro většinu součástek není třeba, aby byly upevněny na pohyblivém držáku, přičemž rovnoměrnost nanesené vrstvy je na celé vsádce zachována. Přitom lze snadno měřit (a tím pádem i přesně regulovat) teplotu povlakovaných součástek během procesu.
Další výhoda spočívá ve zvýšení kapacity zařízení při stejném objemu komory přibližně 2,5x.
* jeho blízkosti.
Vhodnou tepelnou Izolací recipientu lze snížit tepelné ztráty a nanášet povlaky za vyšších teplot (okolo 600 až 700 °C) než v klasickém typu zařízení (okolo 450 °C). Tento fakt má význam především pro povlakování nástrojů ze slinutého karbidu, protože zvýšením povlakovací teploty se zvýší soudržnost povlaku s podkladovým materiálem.
Na připojeném výkrese ie znázorněn příklad konstrukčního uspořádání jednotlivých prvkíi uvnitř povlakovací komory.
Základem zařízení je systém pro odpařování povlakovacího materiálu, sestávající z katody 1, anody 2, stínění 3 a zapalovací elektrody 4, umístěný ve středu povlakovací komory. Odpařovaný materiál, který tvoři katodu 1 při hoření nízkonapěťového oblouku je chlazený vodou přiváděnou chladicím systémem 10. Zdroj pro nízkonapěťový oblouk má záporný pól připojen na katodu 1. kladný pól na anodu 2. V prostoru 5 pro umístění povlakovaného materiálu je na držácích uchycen povlakový materiál. Stínění 3 muže být na plovoucím potenciálu, popřípadě muže být vhodným odporem spojeno s anodou 2. Zvonový recipient provedený jako povlakovací komora 6 je vakuově těsně položen na přírubě 7. Plášť povlakovací komory 6 je uzemněn, muže být na společném potenciálu s anodou 2Zařízení padle vynálezu pracuje následovně. Vakuovou aparaturou 8 je povlakovací komora 6 ©vakuována na požadované vakuum. Do zařízení může, ale i nemusí, být připouštěn reakční nebo 1nertní plyn. Katoda 1 a anoda 2 se připojí na zdroj stejnosměrného nízkonapěťového oblouku. Zapalovací elektroda 4 napálí nízkonapěťový oblouk. Katodová skvrna hořící ve stejnosměrném nízkonapěťovém oblouku se bude pohybovat po celém povrchu vnější válcové části katody 1, a tím zajistí rovnoměrné nanášení povlaku do prostoru 5 pro umístění povlakovaného materiálu. Pohybu katodové skvrny na čelech katody 1 zabráni stíněni 3. Mezi anodu 2 a vzorky v oblasti prostoru 5 se přiloží povlakovací napětí tak, že na anodě 2 stejnosměrného nízkonapěťového oblouku bude kladný pól a na vzorcích záporný pól. Záporným napětím přiloženým na vzorcích se bude během procesu regulovat teplota povlakovaných součástí. Tímto napětím jsou z prostoru hoření nízkonapěťového oblouku 9 vytahovány kladně nabité ionty materiále odpařeného z katody 1 a urychlovány směrem ke vzorkům. Na vzorcích roste povlak tvořený odpařeným materiálem katody 1, popřípadě i reakčním plynem (pro katodu z titanu (Ti) a dusík roste na vzorcích povlak nitridu titanu (TiN)) vpouštěným do komory.
CS 276840 86
Zařízeni je vhodné především pro povlakování materiálu ze slinutého karbidu. Přiložením magnetického pole do oblasti katody, jehož siločáry půjdou rovnoběžně s osou katody, lze dosáhnout zrychleni pohybu katodové skvrny, a tím i zdokonalení odpařování katody. Aplikace takového magnetického pole má význam zvláště v případě povlakováni ocelových nástrojů.

Claims (1)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    Zařízení pro nanášení povlaků na výrobky fyzikální metodou z plynné fáze, sestávající ze systému pro odpařování povlakovacího materiálu, z povlakovací komory s prostorem pro umístění povlakovaného materiálu, z vakuové aparatury a z elektrického zdroje pro povlakování, vyznačující se tím, že v povlakovací komoře (.6) je prostor (5) pro umístěni povlakovaného materiálu uspořádán po jejím obvodu a chlazená kovová katoda (1) je umístěna v jejím středu nebo jeho blízkosti.
CS903361A 1990-07-09 1990-07-09 Způsob pro nanášení povlaků na výrobky CS276840B6 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS903361A CS276840B6 (cs) 1990-07-09 1990-07-09 Způsob pro nanášení povlaků na výrobky

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS903361A CS276840B6 (cs) 1990-07-09 1990-07-09 Způsob pro nanášení povlaků na výrobky

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS336190A3 CS336190A3 (en) 1992-03-18
CS276840B6 true CS276840B6 (cs) 1992-08-12

Family

ID=5373423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS903361A CS276840B6 (cs) 1990-07-09 1990-07-09 Způsob pro nanášení povlaků na výrobky

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS276840B6 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS336190A3 (en) 1992-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4112137A (en) Process for coating insulating substrates by reactive ion plating
US6570172B2 (en) Magnetron negative ion sputter source
US4038171A (en) Supported plasma sputtering apparatus for high deposition rate over large area
US5294322A (en) Electric arc coating device having an additional ionization anode
US4619748A (en) Method and apparatus for the reactive vapor deposition of layers of oxides, nitrides, oxynitrides and carbides on a substrate
JPS61295377A (ja) 薄膜形成方法
Tyunkov et al. An experimental test-stand for investigation of electron-beam synthesis of dielectric coatings in medium vacuum pressure range
GB1257015A (cs)
Maskrey et al. The role of inclusions and surface contamination arc initiation at low pressures
Ehrich et al. Plasma deposition of thin films utilizing the anodic vacuum arc
CN103469164A (zh) 一种实现等离子体激活电子束物理气相沉积的装置和方法
CS276840B6 (cs) Způsob pro nanášení povlaků na výrobky
GB2323855A (en) Depositing a coating on a conductive substrate using positive bias and electron bombardment
JPS5534689A (en) Sputtering device
Klimov et al. Electron beam evaporation of alumina ceramics at forevacuum pressure range
US4354910A (en) Method and apparatus for the partial coating of a substrate by cathode sputtering
JPH04228566A (ja) スパッターイオンめっきによる導電性繊維被覆方法および装置
RU2676719C1 (ru) Способ низкотемпературного нанесения нанокристаллического покрытия из альфа-оксида алюминия
SU1710596A1 (ru) Способ получени пленок на основе углерода
FI66656B (fi) Foerfarande foer tillverkning av titannitridbelaeggning vid lag temperatur med hjaelp av glimurladdning
US3227581A (en) Process for rendering ceramics slightly conductive
Grigoriev et al. A new method for production of titanium vapor and synthesis of titanium nitride coatings
RU1070949C (ru) Способ получени алмазоподобных покрытий
Gridilev et al. DC Magnetron Deposition by Sputtering a Pure Boron Target in an Oxygen Atmosphere
England et al. A laboratory electron bombardment furnace