CS270666B1 - Způsob ochrany křemíkových těles vůči působení atmosférických vlivů a slabých agresivních látek - Google Patents
Způsob ochrany křemíkových těles vůči působení atmosférických vlivů a slabých agresivních látek Download PDFInfo
- Publication number
- CS270666B1 CS270666B1 CS87317A CS31787A CS270666B1 CS 270666 B1 CS270666 B1 CS 270666B1 CS 87317 A CS87317 A CS 87317A CS 31787 A CS31787 A CS 31787A CS 270666 B1 CS270666 B1 CS 270666B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- atmospheric influences
- silicon bodies
- aggressive substances
- effects
- bodies against
- Prior art date
Links
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
Řeší se způsob ochrany křemíkových těles vůči působení atmosférických vlivů a slabých agresivních látek. Na povrch křemíkových těles vystavených atmosférickým vlivům se nanese ochranná látka o složení AsxEySpZq, kde As je arsen, S je síra, E je antimon a/nebo vismut, Z je kyslík a/nebo selen a/nebo telur, x - 0,1 až 2, y = (2-x), p = 0 až 25, q = 0 až 15, přičemž (p+ q) > 0 a dále p >5,5 pro q = 0.
Description
Vynález se týká způsobu zvýšení odolnosti křemíkových těles vůči působení atmosférických vlivů a slabých agresivních látek.
Křemíkových těles ve formě rovinných desek se mimo jiné využívá jako vstupních oken pro některé elektronické součásti (např. pyrodetektory). Křemíkových těles ve formě čoček, hranolů, filtrů apod. se využívá v optických soustavách ke zpracování optických signálů a obrazů. Využívá se přitom značné propustnosti elektromagnetického záření křemíku v relativně širokém rozmezí vlnových délek, zasahujících až do infračervené oblasti.
Nevýhodou křemíkových těles je to, že se jejich optická propustnost snižuje v důsledku působení atmosférických vlivů a agresivních látek.
Nevýhody současného stavu techniky řeší způsob ochrany křemíkových těles vůči působení atmosférických vlivů a slabých agresivních látek, podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že na povrch křemíkových těles vystavených atmosférickým vlivům nebo slabým agresivním látkám se nanese ochranná vrstva o složení Α3χΕ^5ρΖρ, kde As je arsen, S je síra, E je antimon a/nebo vismut, Z je kyslík a/nebo selen a/nebo telur, x = 0,1 až 2, y = (2-x), p = 0 až 25, q = 0 až 15, přičemž (p + q)>0 a dále p > 5,5 pro q = 0.
Vynález umožňuje jednoduchou úpravou zvýšit odolnost křemíkových těles tak, že se jejich optická propustnost nesnižuje působením atmosférických vlivů a slabých agresivních látek.
Vynález bude blíže vysvětlen na následujících příkladech.
Příklad 1
Chalkogenní sklo o složení AsSj bylo napařeno na ochranná křemíková okna pyrokeramických detektorů i infračerveného záření ve formě tenkých vrstev o tloušťce 1,2 /jm. Potom byly detektory s takto upravenými křemíkovými okny podrobeny spolu s kontrolní skupinou pyrodetektorů s neupravenými křemíkovými okny cyklickému střídání klimatických podmínek s periodou 24 hodin v rozmezí T f <25,55) °C a relativní vlhkosti /° rel 6 <80,95) %. Oba soubory vzorků byly vystaveny střídání popsaných klimatických podmínek po dobu 56 dnů. Soubor vzorků s napařenými vrstvami chalkogenního skla na ochranných oknech pyrodetektorů vykázal po takto provedené zkoušce pokles responzivity menší než 1,6 %, zatímco kontrolní skupina pyrodetektorů s neupravenými křemíkovými okny vykázala pokles responzivity větší než 6,5 %.
Příklad 2
Za stejných podmínek jako v příkladu 1 byly sledovány soubory s vrstvami napařenými z chalkogenních skel různého složení. Výsledky jsou uvedeny v tabulce:
| číslo souboru | složení skla | pokles responzivity |
| 2 | AsSj | 1,8 |
| 3 | AsS4 | 1,9 |
| 4 | AsS·^ | 1,7 |
Z tabulky je patrné, že pokles responzivity je ve všech příkladech menší 2 %, což je podstatně méně než u kontrolní skupiny vzorků, která nebyla upravena ochrannou vrstvou.
Vynález může být využit i v dalších aplikacích především při ochraně mikroelektronických obvodů.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZU .Způsob ochrany křemíkových těles vůči působení atmosférických vlivů a slabých agresivních látek, vyznačený tím, že na povrch křemíkových těles vystavených atmosférickým vlivům nebo slabým agresivním látkám se nanese ochranná vrstva o složení Α3χΕ S Zq, kde As je arsen, S je síra, E je antimon (Sb) a/nebo vismut (Bi), Z je kyslík (0) a/nebo selen (Se) a/nebo telur (Te), x = 0,1 až 2, y = (2 - x), p = 0 až 25, q = 0 až 15, přičemž (p + q)>0 a dále p > 5,5 pro q = 0.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS87317A CS270666B1 (cs) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | Způsob ochrany křemíkových těles vůči působení atmosférických vlivů a slabých agresivních látek |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS87317A CS270666B1 (cs) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | Způsob ochrany křemíkových těles vůči působení atmosférických vlivů a slabých agresivních látek |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS31787A1 CS31787A1 (en) | 1989-12-13 |
| CS270666B1 true CS270666B1 (cs) | 1990-07-12 |
Family
ID=5335083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS87317A CS270666B1 (cs) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | Způsob ochrany křemíkových těles vůči působení atmosférických vlivů a slabých agresivních látek |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS270666B1 (cs) |
-
1987
- 1987-01-16 CS CS87317A patent/CS270666B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS31787A1 (en) | 1989-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Al-Hadeethi et al. | Fabrication, optical, structural and gamma radiation shielding characterizations of GeO2-PbO-Al2O3–CaO glasses | |
| Shaaban et al. | Investigation of BaO reinforced TiO 2–p 2 O 5–li 2 O glasses for optical and neutron shielding applications | |
| RU2036210C1 (ru) | Композиция для изготовления самозатягивающихся покрытий для многослойных стекол или прозрачных изделий | |
| Issa et al. | Investigation of Gamma Radiation Shielding Properties of Some Zinc Tellurite Glasses. | |
| France et al. | Strength and fatigue of multicomponent optical glass fibres | |
| Elbashar et al. | Infrared Spectroscopy Analysis of Vanadium Oxide Doped Sodium Zinc Phosphate Glass Matrix. | |
| Gardopee et al. | Pyroelectric Li2Si2O5 glass-ceramics | |
| Alharshan et al. | The lanthanum-doped phosphate glass system: optical, mechanical, and gamma-ray shielding properties | |
| US2761797A (en) | Method of producing conductive coating on a surface and the coated article | |
| CS270666B1 (cs) | Způsob ochrany křemíkových těles vůči působení atmosférických vlivů a slabých agresivních látek | |
| DE3881169T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Glases mit veränderten Strahlungsenergie Eigenschaften und so erhaltenes Produkt. | |
| US3614188A (en) | Cesium iodide interference filter with moisture resistant layer | |
| DE112020005773T5 (de) | Glaskeramik für optische Filter und optische Filter | |
| Alelyani et al. | Investigation and structural of phosphate glasses at low photon energy through: optical and attenuation properties | |
| Saudi et al. | Effect of barium addition and plasma nitriding treatment on chemical and physical properties of Al, Pb borate glass system as a developed radiation shield | |
| US3191045A (en) | Photosensitive element having photoconductive layers | |
| DE1696587A1 (de) | Glasige Zusammensetzung zur Messung des Neutronenflusses | |
| Abdullah et al. | The effect of PbO on the physical and structural properties of borate glass system | |
| DE2250184A1 (de) | Optisches relais, das ein photoleitendes element enthaelt | |
| KR850004129A (ko) | 광학기록매체 및 그 제조방법 | |
| US3554920A (en) | Energy independent radiophotoluminescence dosimeter with good fading stability | |
| Saudi | UV–visible and infrared absorption spectra of lead boro-phosphate glasses containing lithium oxide | |
| Cleek et al. | Properties of Glasses in Some Ternary Systems Containing BaO and SiÓ | |
| Nishina et al. | Fission products of uranium by fast neutrons | |
| EP0069963B1 (fr) | Matériau vitreux et application à un composant à semiconducteur |