CS269784B1 - Method of coatings application - Google Patents

Method of coatings application Download PDF

Info

Publication number
CS269784B1
CS269784B1 CS866375A CS637586A CS269784B1 CS 269784 B1 CS269784 B1 CS 269784B1 CS 866375 A CS866375 A CS 866375A CS 637586 A CS637586 A CS 637586A CS 269784 B1 CS269784 B1 CS 269784B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
anode
coatings
при
ground potential
pulse duration
Prior art date
Application number
CS866375A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS637586A1 (en
Inventor
Alexandr B Dimant
Lev S Tuzov
Viktor K Potapov
Vjaceslav M Burmistrov
Alexej M Ryzenkov
Vladimir V Rjazanov
Jurij V Jegorov
Original Assignee
Alexandr B Dimant
Lev S Tuzov
Viktor K Potapov
Vjaceslav M Burmistrov
Alexej M Ryzenkov
Vladimir V Rjazanov
Jurij V Jegorov
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DD86293907A priority Critical patent/DD272773A3/en
Application filed by Alexandr B Dimant, Lev S Tuzov, Viktor K Potapov, Vjaceslav M Burmistrov, Alexej M Ryzenkov, Vladimir V Rjazanov, Jurij V Jegorov filed Critical Alexandr B Dimant
Priority to CS866375A priority patent/CS269784B1/en
Publication of CS637586A1 publication Critical patent/CS637586A1/en
Publication of CS269784B1 publication Critical patent/CS269784B1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/515—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using pulsed discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electric Propulsion And Braking For Vehicles (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

(57) Řešení se týká oblasti zhotovení osvětlovacích zařízení a může být využit pro nanášení nátěrů na odrazově * ploohy reflektorů, světel, svítilen, světlometů a bytových topných zařízení. Pro zvýšení kvality nátěrů na úkor odstranění Čistě elektrických průrazů a zvýšení produktivity se doutnavý výboj vytváří pulsujícím napětím sinusoidálního tvaru, na anodu se přivádí stálé kladné předpětí, přitom anoda a výrobek ae udržují pod potenciálem země.(57) The solution concerns the field of construction of lighting equipment and can be used to apply reflective coatings to reflectors, lights, lamps, floodlights and home heating equipment. To improve the quality of the coatings at the expense of the elimination of purely electrical breakdowns and productivity, the glow discharge is generated by a pulsating sinusoidal voltage, a constant positive bias is applied to the anode while keeping the anode and the product below ground potential.

co řMO СЧ cn oco MMO СЧ cn o

269 784269 784

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Заявка: Заявка : 3846546/24-21 . 3846546 / 24-21. Заявлено: Заявлено: 21.01.85 21.01.85 МКИ-4 :МКИ -4 : С 23 С 14700 С 23 С 14700 Авторы: Авторы: А.Б.Димант. Л.С.Тузов, В.К.Потапов. В.И.Бурмистров Λ.М.Рыженков. В.В.Рязанов и Ю.В.Егоров А.Б.Димант. Л.С.Тузов, В.К.Потапов. В.И.Бурмистров Λ.М.Рыженков. В.В.Рязанов и Ю.В.Егоров Заявитель: Заявитель: Научно-производственное объединение по автоэлектронике и автотракторному· электрооборудованию Научно-производственное объединение по автоэлектронике и автотракторному · электрооборудованию

Название изобретения: СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ ПОЛИМЕРНЫХНазвание изобретения: СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ ПОЛИМЕРНЫХ

ПОКРЫТИЙ ПА ПОВЕРХНОСТЬ ИЗДЕЛИЙПОКРЫТИЙ ПА ПОВЕРХНОСТЬ ИЗДЕЛИЙ

Изобретение относится к области изгоровления осветительных устройств и может быть использовано для нанесения покрытий на отражающие поверхности реФлектотов Фар. Фонарей, прожекторов и бытовых отопительных устройств.Об об к к..................... ,Онарей, прожекторов и бытовых отопительных устройств.

Целью изобретения является повышение качества покрытий за счет исключения электрических пробоев и увеличения производительности способа за счет интенсификации процесса полимеризацииΪЦелью изобретения является повышение качества покрытий за счет исключения электрических пробеев

Применение однополупериодного выпрямленного пульсирующего напряжения позволяет снизить · скорость осаждения покрытия на аноде-антенне, улучшить качество покрытий на изделиях за счет исключения осыпания пленки с антенны н. кроме того, существенно облегчить процессы разрядки поверхностных зарядов, возникающих в процессе полимеризации. 'Применение однополупериодного выпрямленного пульсирующего напряжения позволяет снизить · скорость осаждения покрытия на аноде-антенне, улучшить качество покрытий на изделиях за счет исключения осыпания пленки с антенны н. кроме того, существенно облегчить процессы разрядки поверхностных зарядов, возникающих в процессе полимеризации. '

Применение наложения положительного напряжения смещения на анод, не превышающего по своей величине напряжения гашения разряда (V гаш). позволяет благодаря относительному увеличению времени разряда увеличить скорость роста покрытия на катоде-изделии и уменьшить скорость роста на аноде. Относительное увеличение скорости роста покрытия на изделии и эквивалентоное увеличение производительности процесса обеспечивается тем. что часть волны пульсирующего напряжения с наложением на него положительного напряжения смещения. в течении которой горит разряд, может быть заметно больше соответствующей величины для пульсирующего напряжения без наложения смещения. Это увеличение существенна зависит от величины напряжения смещения. ,Применение наложения положительного напряжения смещения на анод, не превышающего по своей величине напряжения гашения разряда. позволяет благодаря относительному увеличению времени разряда увеличить скорость роста покрытия на катоде-изделии и уменьшить скорост. Относительное увеличение скорости роста покрытия на изделии и эквивалентоное увеличение производительности процесса обеспечивтеет. что часть волны пульсирующего напряжения с наложением на него положительного напряжения смещения. течении которой горит разряд, может быть заметно больше соответствующей величины для пульсирующего напряжение без нало. То увеличение существенна зависит от величины напряжения смещения. ,

Ограничивающим фактором для увеличения напряжения смещения практически является напряжение гашения (V гаш). в противном случае разряд может перерасти в непрерывный (V см < V гаш). При этом предполагаетея. что напряжение смещения подается после олнополупериолного выпрямления напряжения питания, что технически значительно легче реализовать. Напряжение V гаш соответствует напряжению смещения, при котором разряд перестает гореть в промежутках между импульсами пульсирующехо напряжения.Ограничивающим фактором для увеличения напряжения смещения практически является напряжение гашения (In year). п п V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V V). При этом предполагаетея. что напряжение смещения подается после олнополупериолного выпрямления напряжения питания, что технически значительно легчзовре. Напряжение V гаш соответствует напряжению смещения, при котором разряд перестает гореть в промежутках между импулеся.

Длительность импульса определяется моментом гашения разряда. связанным с V гаш. При этом необходимо. чтобы. с одной стороны. длительность импульса не превышала некоторой критической величины Крит.,при которой возможна зарядка поверхности и возникновение пробоев, а с другой стороны, необходимо, чтобы время между импульсами не было меньше необходимого для процесса разрядки поверхности.Длительность импульса определяется моментом гашения разряда. связанным с In гаш. При этом необходимо. чтобы. с одной стороны. длительность импульса не превышала некоторой критической величины Крит., при которой возможна зарядка поверхности и возникновение пробоев, а с другой стороны, необходимо, чтобы время между импульсами не было меньше необходимого для процесса разрядки поверхности.

Подоча к камере и к изделиям или наоборот - к аноду потенциала земли - обеспечивает значительное упрощение конструкции оборудования для осуществления процесса, а также условия безопасной раборы обслуживающего персонала.Подоча к камере и к изделиям или наоборот - к аноду потенциала земли - обеспечивает значительное упрощение конструкции оборудования для осуществления процесса, а также условия безопасной раборы обслуживающего персонала.

Пример.Пример.

В вакуумную камеру объемом 0.5 м3 загружают изделия-отражетели в кассеты, имеющие возможность вращения вокруг испарителя, вакуумируют до требуемого разряжения ( 7 х 102 Па) и посредством испарения и конденсации алюминия в вакууме осуществляют нанесение отражающего алюминиевого покрытия. После этого камеру изолируют от высоковакуумного насоса, подают пары исходного химического соединения, например гексаметилдисилазана.В вакуумную камеру объемом 0.5 м 3-загружают изделия отражетели в кассеты, имеющие возможность вращения вокруг испарителя, вакуумируют до требуемого разряжения (7 х 10 Па 2) и посредством испарения и конденсации алюминия в вакууме осуществляют нанесение отражающего алюминиевого покрытия . После этого камеру изолируют от высоковакуумного насоса, подают пары исходного химического соединения, например гексамеиида.

Осаждение защитного покрытия производится при давлении паров в камере порядка (1.0-1.3) 10 Па. напряжении на аноде тлеющего разряда 650-750 В с частотой 50 Гц. плотности тока в разряде 0.2-0.25 мА в течение 22.2 мин. Длительность импульса переменного напряжения ФОсаждение защитного покрытия производится при давлении паров в камере порядка (1.0-1.3) 10 Па. напряжении на аноде тлеющего разряда 650-750 В частотой 50 Гц. 0.2 м м в в в в 0.2 в-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0-0.2-0.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2. Длительность импульса переменного напряжения Ф

269 784 составляла при этом 10 2 с. что достаточно мало для появления электрических побоев покрытия.269 784 составляла при этом 11 2 с. что достаточно мало для появления электрических побоев покрытия.

Из анализа результатов испытаний. приведенных в таблице. сравнительно со способом-прототипом. следует, что проведение процесса по предложенному способу позволяет увеличить время горения разряда, интенсифицировать таким образом процесс осаждения защитной пленки (почти в 2 раза). Кроме того, толщина Образущегося покрытия на аноде тлеющего разряда при работе по предложенному способу значительно меньше, чем при работе по смособу-прототнпу. Соответственно при многократной работе по предложенному способу в отличие от смособа-прототнпа не наблюдается осыпания накрытия с анода и попадания- твердых частиц на отражающую поверхность изделий. .Из анализа результатов испытаний. приведенных в таблице. сравнительно со способом-прототипом. следует, что проведение процесса по предложенному позволяет увеличить время горения разряда, интенсифицеоеса Кроме того, толщина Образущегося покрытия на аноде тлеющего разряда при работе по предложенному способу значителоно меньшер. Соответственно при многократной работе по предложенному способу в отличие от смособа-прототнпа не безко темете установите с бесплата. .

ТазлинаТазлина

Способ нанесения Способ нанесения Параметры процесса Параметры процесса Попадание твердых Попадание твердых Наличие очагов Наличие очагов защитного покры- защитного покры- частиц на поверх- частиц на поверх- точечной коррозии точечной коррозии тия тия плот- плот- напря- напря- время время давление давление ность отражателей ность отражателей при испытании 0.2 0.2 ность ность жение. жение. горе- горе- в камере. в камере. разрядом в течени< разрядом в течени < тока. тока. В В ния . ния. Па Па 3 ч (Ту ФИАТ-ВАЗ) 3 ч (Ту ФИАТ-ВАЗ) мА мА мни мни Прототип Прототип 0.07- 0.07- 550- 550- 3.5-4 3.5-4 13.3 13.3 Есть Есть 2-3 2-3 0.08 0.08 600 600 Предложенный Предложенный 0.2 0.2 650- 650- 2-2.2 2-2.2 1.0- 1.0- Нет Нет Нет Нет 750 750 1.3 1.3 10 10

269 784269 784

ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ

1. Способ нанесения защитных полимерных покрытий на поверхность изделий, включающий полимеризацию газообразнмых химических соединений в тлеющем разряде между анодом и изделием, отл и чаю щийся гем. что. с целью повышения качества покрытий за счет исключения электрических пробоев и увеличения производительности способа. тлеющий разряд создают пульсирующим напряжением синусоидальной формы, причем длительноьъсть импульса 6 выбирают из неравенства1. что. с целью повышения качества покрытий за счет исключения электрических пробоев и увеличения производительности способа. тлеющий разряд создают пульсирующим напряжением синусоидальной формы, причем длительноьъсть импульса 6 выбирают иств

L. < Крит.L. <Крит.

где 6- Крит - длительность импульса, соответствующая появлению электрических пробоев, с.где 6 Крит - длительность импульса, соответствующая появлению электрических пробоев, с.

2. Способ по п.1, отличающийся тем. что на анод подают постоянное положительное напряжение смещения, при этом величину смещения V см выбирают из неравенства2. Способ по п.1, отличающийся тем. что на анод подают постоянное положительное напряжение смещения, при этом величину смещения V см выбирают из неравенства

Vcm < Vratu где V гаш - напряжение гашения разряда. 8.Vcm <Vratu где V гаш - напряжение гашения разряда. 8.

3. Способ по п.1. отличающийся тем. что анод поддерживают под потенциалом земли.3. Способ по п.1. отличающийся тем. что анод поддерживают под потенциалом земли.

4. Способ поп.1. отличающийся тем. что изделие поддерживают под потенциалом земли.4. Способ поп.1. отличающийся тем. что изделие поддерживают под потенциалом земли.

Исторники информации, принятые во внимание при экспертизе*Исторники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. FR. В. 2308293.1. FR. В. 2308293.

2. DE. 8. 2537416.2. DE. 8. 2537416.

269 784269 784

РЕФЕРАТРЕФЕРАТ

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ ПОЛИМЕРНЫХ ПОКРЫТИЙ ПА ПОВЕРХНОСТЬ ИЗДЕЛИЙСПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ ПОЛИМЕРНЫХ ПОКРЫТИЙ ПА ПОВЕРХНОСТЬ ИЗДЕЛИЙ

Изобретение относится к области изготовления осветительных устройств и может быть использовано для нанесения . покрытий на отражающие поверхности рефлекторов Фар. Фонарей, прожекторов и бытовых отопительных устройств.Об об об к к............................. покрытий на отражающие поверхности рефлекторов Фар. ,Онарей, прожекторов и бытовых отопительных устройств.

Для повышения качества покрытий за счет исключения электрических пробоев и увеличения производительности способа тлеющий разряд пульсирующим напряжением синусоидальной формы, на анод подают постоянное положительное напряжение смещения. при этом анод и изделие поддерживают под под потенциалом земли.Для повышения качества покрытий за счет исключения электрических пробоев и увеличения производительности способа тлеющий разряд пульсирующим напряжением синусоидальной формы, на анод подают постоянное положительное напряжение смещения. при этом анод и изделие поддерживают под под потенциалом земли.

Claims (4)

PŘEDMĚT VYNÁLEZUSUBJECT OF THE INVENTION 1. Způsob nanášení ochranných polymerních nátěrů na povrch výrobků, zahrnující polymeraci plynných chemických sloučenin v doutnavém výboji mezi anodou a výrobkem, vyznačující se tím, že za účelem zvýšení kvality nátěrů na úkor odstranění čistě elektrických průrazů a zvýšení produktivity způsobu, se doutnavý výboj vytváří pulsujícím napětím sinusoidálního tvaru, přičemž doba trvání impulsu se vybírá z nerovnosti krit, kde tkrit je doba trvání impulsu, odpovídající vzniku čistě elektrických průrazů.A method of applying protective polymer coatings to a surface of articles, comprising polymerizing gaseous chemical compounds in a glow discharge between the anode and the article, characterized in that, in order to improve the quality of the coatings at the expense of eliminating purely electrical breakdowns sinusoidal shape, the pulse duration being selected from inequality crit, where tkrit is the pulse duration corresponding to the occurrence of purely electrical breakdowns. 2. Způsob podle bodu 1, vyznačující se tím, že na anodu se přivádí stálé kladné předpětí, přitom se hodnota předpětí Vcm vybírá z nerovnosti < Vtl , ' kde Vt]_ je naDětí tlumení náboje.Method according to claim 1, characterized in that a constant positive bias is applied to the anode, wherein the bias value V cm is selected from an unevenness < V t1, where V t1 is the charge damping voltage. 3. Způsob podle bodu 1, vyznačující se tím, že anoda se udržuje pod potenciálem země.3. The method of claim 1, wherein the anode is kept below ground potential. 4. Způsob podle bodu 1, vyznačující se tím, že výrobek se udržuje pod potenciálem země.4. The method of claim 1, wherein the product is kept below ground potential.
CS866375A 1986-08-26 1986-09-01 Method of coatings application CS269784B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD86293907A DD272773A3 (en) 1986-08-26 1986-08-26 PROCESS FOR APPLYING POLYMER PROTECTION TO THE SURFACE OF PRODUCTS
CS866375A CS269784B1 (en) 1986-08-26 1986-09-01 Method of coatings application

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD86293907A DD272773A3 (en) 1986-08-26 1986-08-26 PROCESS FOR APPLYING POLYMER PROTECTION TO THE SURFACE OF PRODUCTS
CS866375A CS269784B1 (en) 1986-08-26 1986-09-01 Method of coatings application

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS637586A1 CS637586A1 (en) 1989-08-14
CS269784B1 true CS269784B1 (en) 1990-05-14

Family

ID=25746348

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS866375A CS269784B1 (en) 1986-08-26 1986-09-01 Method of coatings application

Country Status (2)

Country Link
CS (1) CS269784B1 (en)
DD (1) DD272773A3 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0533044B1 (en) * 1991-09-20 1999-12-29 Balzers Aktiengesellschaft Process and apparatus for the protective coating of substrates

Also Published As

Publication number Publication date
DD272773A3 (en) 1989-10-25
CS637586A1 (en) 1989-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69424847D1 (en) Manufacturing process of an aluminum contact
DE69435262D1 (en) Production process of electrodes
DE69325904D1 (en) MERCAPTOACETYLAMIDES OF PYRIDAZO [1,2-a] [1,2] -DIAZEPINE DERIVATIVES AS EUKEPHALINASE AND ACE INHIBITORS
NO885611D0 (en) PROCEDURE FOR AA COATING ARTICLES OF ALUMINUM AND AN ELECTROLYTIC BATH FOR THIS.
BR9606823A (en) Hydroxymethyl-imidazoazepines and their esters
IT1083003B (en) POLYMERIC PRODUCT AND PROCEDURE FOR THE CATHODE ELECTROLYTIC COATING OF CONDUCTIVE SUBSTRATES
DE69929771D1 (en) PLASMA DEPOSITION PROCESS OF DIELECTRIC FILMS WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT
EA199800116A1 (en) Pyrrolopyrimidines and processes for the preparation thereof
DE3881545D1 (en) CATHODICALLY DEPOSITABLE PARTICLE-SHAPED POLYMER GEL AND ITS CONTAINING CATHODICALLY ELECTRODEPOSITABLE COATING COMPOSITION.
DE69311882D1 (en) Programmable logic fields of high performance with low consumption
AU6543686A (en) Method of coating articles of magnesium and an electrolytic bath therefor
DE69413910D1 (en) Low temperature process for the production of crystalline silicon carbide coatings
IT8922765A0 (en) MICROBIAL PROCESS FOR THE PRODUCTION OF IMMUNOSUPPRESSIVE ANTIBIOTICS
DE69514942D1 (en) Manufacturing process of an electrolytic capacitor
CS269784B1 (en) Method of coatings application
NO954893D0 (en) Treatment of burnt carbon anodes for aluminum production
DE60012597D1 (en) Surface treatment of aluminum bodies with anodic oxidation under spark discharge
DE69115770D1 (en) Solid electrolytic capacitor with organic semiconductor and process for its production
NO892946D0 (en) PROCEDURE FOR ELECTROLYTIC METAL SALT COLORING OF ANODIZED ALUMINUM SURFACES.
IT1274189B1 (en) ELECTROLYTIC CELL AND ELECTROLYSIS PROCESS OF BRINE
DE69315370D1 (en) Production of rough silicon surfaces
NZ215104A (en) Coating articles by way of a cathodic electrodeposition process without using volatile organic coalescent solvents
EA199800280A1 (en) NEW DERIVATIVES 5-0-DEOZOMINIL-6-0-METHYLERITRONOLIDA A, METHOD OF THEIR PRODUCTION AND THEIR USE WHEN RECEIVING BIOLOGICALLY ACTIVE PRODUCTS
DE69420461D1 (en) Manufacturing process of pickles without fermentation stage
HUT44584A (en) Enzymatic process for preparing cyclodextrins with alpha-glycosyl fluoride as substrate of cyclodextrin-alpha-/1-&gt;4/-glycosyltransferase