CS268232B1 - Connection for turn-off time end determination with switch formed at least by one bipolar transistor - Google Patents
Connection for turn-off time end determination with switch formed at least by one bipolar transistor Download PDFInfo
- Publication number
- CS268232B1 CS268232B1 CS88282A CS28288A CS268232B1 CS 268232 B1 CS268232 B1 CS 268232B1 CS 88282 A CS88282 A CS 88282A CS 28288 A CS28288 A CS 28288A CS 268232 B1 CS268232 B1 CS 268232B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- transistor
- voltage threshold
- bipolar transistor
- base
- threshold discriminator
- Prior art date
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 5
- 230000011664 signaling Effects 0.000 claims description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/18—Modifications for indicating state of switch
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
Vynález se týká zapojení pro zjištění konce vypínací doby spínače tvořeného alespoň jedním bipolárním tranzistorem.
Doposud používaná zapojení pro zjišťování konce vypínací doby bipolárního tranzistoru, který se nachází v nasyceném stavu, jsou orientována převážně na laboratorní použití a vychází z měření kolektorového proudu během vypínacího procesu. Zařízení jsou obvykle složitá a nákladná, navíc nejsou schopna zjišťovat konec vypínací doby и tranzistoru, který není pod proudem. Pro zjišťování konce vypínací doby tranzistorů pracujících v průmyslových aplikacích, například ve střídačích, jsou doposud používaná zařízení neúnosně nákladná, rozměrná a v případě, kdy tranzistorem neprochází proud, neúčinná.
Podstata zapojení pro zjištění konce vypínací doby spínače tvořeného bipolárním tranzistorem spočívá v tom, že mezi bázi a emitor tranzistoru řízeného proudovým budičem je připojen vstup napěťového prahového diskriminátoru, opatřeného výstupem pro signalizaci konce vypínací doby tranzistoru.
Výhoda zapojení podle vynálezu spočívá jednak v jeho obvodové jednoduchosti a jednak v tom, že zjišťuje konec vypínací doby tranzistoru i tehdy, kdy tranzistor nevede proud, což je nutné při aplikaci tranzistorů ve výkonových střídačích.
Na výkresu je na obr. 1 znázorněno obecné zapojení obvodu podle vynálezu, na obr. 2 potom jedna z jeho konkrétních realizací.
Zapojení pro zjištění konce vypínací doby spínače tvořeného alespoň jedním bipolárním tranzistorem spočívá v tom, že mezi bázi a emitor tranzistoru 2 řízeného proudovým budičem χ je připojen vstup napěťového prahového diskriminátoru 2» opatřeného výstupem 2 pro signalizaci konce vypínací doby tranzistoru. V zapojení na obr. 2 je proudový budič X tvořen transformátorem a napěťový prahový diskriminátor 2 je realizován optoelektrickým spojovacím členem. Vstup optoelektrického spojovacího členu je mezi bází a emitor tranzistoru 2 připojen přes odpor 2 a diodu £.
Napěťový prahový diskriminátor 2 může být též tvořen transformátorem, jako přenosovým členem, jehož primární vinutí je pres diodu X nebo odpor 2 připojeno mezi bázi a emitor tranzistoru 2· Toto řízení je vhodné tehdy, kdy teplota okolí vybočuje z rozsahu pracovních teplot optóelektrického vazebního členu.
Činnost zapojení podle vynálezu je založena na skutečnosti, že tranzistor ve stavu nasycení zachovává napětí mezi bází a emitorem odpovídající potenciálu vodivostního pásma použitého polovodiče. Teprve po vymizení nosičů náboje z oblasti přechodu báze - emitor, může napětí báze - emitor poklesnout případně i změnit svoji polaritu. Tento jev nastává i tehdy, kdy kolektorem tranzistoru 2 neprochází proud.
Příklad zapojení znázorněný na obr. 2 pracuje takto: Tranzistor 2 je buzen proudem ze sekundárního vinutí transformátoru, který zde tvoří proudový budič χ. Po vypnutí proudu v primárním vinutí transformátoru se vlivem demagnetizace jádra transformátoru změní směr proudu báze tranzistoru 2· Napětí báze však zachovává původní polaritu až do konce vypínací doby tranzistoru 2. Potom, protože proud sekundárním vinutím trvá, se změní polarita napětí báze-emitor tranzistoru 2 a přes diodu £ a odpor 5 začne protékat proud vstupem optoelektrického spojovacího členu, který vytváří napěťový prahový diskriminátor 2» jehož výstup £ sepnutím signalizuje konec vypínací doby tranzistoru 2·
V případě, že je použito transformátoru s diodou 6 nebo odporem 2 jako napěťového prahového diskriminátoru 2 je konec vypínací doby signalizován pulsem na sekundárním vinutí tohoto transformátoru.
Uvedené zapojení snižuje složitost a součástkovou náročnost zapojení výkonových můstkových strídačů s tranzistorovými spínači.
Claims (4)
1. Zapojení pro zjištění konce vypínací doby spínače, tvořeného alespoň jedním bipolárním tranzistorem, vyznačené tím, že mezi bázi a emitor tranzistoru /2/ řízeného proudovým budičem /1/ je připojen vstup napěťového prahového diskriminátoru /3/, opatřeného výstupem /4/ pro signalizaci konce vypínací doby.
2. Zapojení podle bodu 1, vyznačené tím, Že napěťový prahový diskriminátor /3/ je tvořen optoelektrickým spojovacím členem.
3. Zapojení podle bodu 1, vyznačené tím, že napěťový prahový diskriminátor /3/ je tvořen transformátorem, jehož primární vinutí tvoří vstup tohoto napěťového prahového diskriminátoru.
4. Zapojení podle bodů 1, 2, 3, vyznačené tím, že vstup napěťového prahového diskriminátoru /3/ je mezi bází a emitor tranzistoru /2/ připojen přes odpor /5/ nebo diodu /6/.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS88282A CS268232B1 (en) | 1988-01-15 | 1988-01-15 | Connection for turn-off time end determination with switch formed at least by one bipolar transistor |
| BG8675389A BG49807A1 (en) | 1988-01-15 | 1989-01-04 | Device for determinating the edge of switching off of switcher, made from bipolar transistor |
| EP19890100507 EP0324487A3 (en) | 1988-01-15 | 1989-01-13 | Circuit arrangement for determination of the end of disconnection time interval of a switch comprising at least one bipolar transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS88282A CS268232B1 (en) | 1988-01-15 | 1988-01-15 | Connection for turn-off time end determination with switch formed at least by one bipolar transistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS28288A1 CS28288A1 (en) | 1989-07-12 |
| CS268232B1 true CS268232B1 (en) | 1990-03-14 |
Family
ID=5334678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS88282A CS268232B1 (en) | 1988-01-15 | 1988-01-15 | Connection for turn-off time end determination with switch formed at least by one bipolar transistor |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0324487A3 (cs) |
| BG (1) | BG49807A1 (cs) |
| CS (1) | CS268232B1 (cs) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3434607A1 (de) * | 1984-09-18 | 1986-03-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum betreiben eines abschalthyristors |
| US4698582A (en) * | 1986-07-23 | 1987-10-06 | Motorola, Inc. | Power driver having short circuit protection |
-
1988
- 1988-01-15 CS CS88282A patent/CS268232B1/cs unknown
-
1989
- 1989-01-04 BG BG8675389A patent/BG49807A1/xx unknown
- 1989-01-13 EP EP19890100507 patent/EP0324487A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0324487A2 (en) | 1989-07-19 |
| BG49807A1 (en) | 1992-02-14 |
| CS28288A1 (en) | 1989-07-12 |
| EP0324487A3 (en) | 1990-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930001442B1 (ko) | 반도체 릴레이 회로 | |
| US20120099234A1 (en) | Driving circuit and semiconductor device with the driving circuit | |
| EP0181148B1 (en) | Semiconductor device | |
| KR970005567B1 (ko) | 단락 보호 회로 | |
| EP0379320A1 (en) | Photocoupler circuit | |
| KR970055020A (ko) | 전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로 | |
| CN115882421B (zh) | 电子保险丝电路及应用其的电路系统 | |
| KR101103100B1 (ko) | 에러 검출 장치를 구비하고 전력 반도체 스위치를 구동하기위한 회로 장치 및 이에 대한 방법 | |
| KR940022929A (ko) | 광 결합기 장치 | |
| US6741116B2 (en) | Semiconductor component for direct gate control and monitoring of power semiconductor switches | |
| CS268232B1 (en) | Connection for turn-off time end determination with switch formed at least by one bipolar transistor | |
| EP0066796B1 (en) | Control circuit for semiconductor element with control electrode | |
| CN212012457U (zh) | 一种基于变频器的驱动电路 | |
| KR0171711B1 (ko) | 전력용 반도체 트랜지스터의 과전류 보호회로 | |
| JPH07162279A (ja) | トランジスタ出力回路，シーケンサ，スイッチング電源，インバータ | |
| JP2932782B2 (ja) | 半導体リレー回路 | |
| JP3806108B2 (ja) | 半導体リレー装置 | |
| KR100361838B1 (ko) | 과전압 보호회로 | |
| JP2696168B2 (ja) | 交流２線式無接点スイッチ | |
| JP2757438B2 (ja) | 光結合型リレー回路 | |
| CN121396170A (zh) | 一种直接驱动的耗尽型晶体管模组 | |
| JPS5815992B2 (ja) | 電子継電器 | |
| SU1663686A1 (ru) | Устройство дл контрол и защиты тиристора | |
| JPH0317480Y2 (cs) | ||
| JPH03297219A (ja) | 光結合型リレー回路 |