CS268140B1 - Electrical insulating protective plastic for semiconductor devices - Google Patents

Electrical insulating protective plastic for semiconductor devices Download PDF

Info

Publication number
CS268140B1
CS268140B1 CS882359A CS235988A CS268140B1 CS 268140 B1 CS268140 B1 CS 268140B1 CS 882359 A CS882359 A CS 882359A CS 235988 A CS235988 A CS 235988A CS 268140 B1 CS268140 B1 CS 268140B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
insulating protective
electrical insulating
protective plastic
semiconductor devices
epoxies
Prior art date
Application number
CS882359A
Other languages
Czech (cs)
Other versions
CS235988A1 (en
Inventor
Jan Ing Makovicka
Bohumil Ing Kolman
Vladimir Ing Jirutka
Jiri Ing Pliva
Jaroslav Rndr Zamastil
Original Assignee
Makovicka Jan
Kolman Bohumil
Jirutka Vladimir
Pliva Jiri
Zamastil Jaroslav
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Makovicka Jan, Kolman Bohumil, Jirutka Vladimir, Pliva Jiri, Zamastil Jaroslav filed Critical Makovicka Jan
Priority to CS882359A priority Critical patent/CS268140B1/en
Publication of CS235988A1 publication Critical patent/CS235988A1/en
Publication of CS268140B1 publication Critical patent/CS268140B1/en

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Elektroizolační ochranný plast na bázi epoxidů, silikonů nebo polylmidů pro ochranu polovodičových součástek obsahuje vy8okopovrchové2saze 8 měrným povrchem 800 až 1000 m /g v hmotnostním množství 0,001 až 0,01 %.Electrically insulating protective plastic based on epoxies, silicones or polyimides for protecting semiconductor components contains high-surface carbon black with a specific surface area of 800 to 1000 m/g in a mass amount of 0.001 to 0.01%.

Description

Vynález se týká elektroizolačního ochranného plastu na bázi epoxidů, silikonů, nebo polyimidů, vhodného zejména pro ochranu polovodičových součástek.The invention relates to an electro-insulating protective plastic based on epoxies, silicones or polyimides, which is particularly suitable for the protection of semiconductor components.

Před působením vnéjéího prostředí a k usnadnění nanipulace se k ochraně polovodičových součáatek jako Jsou diody, tyristory, tranzistory, polovodičové moduly, hybridní obvody, integrované obvody apod. často používají plasty - zejména epoxidy, silikony a polyimidy, které podle povahy a zpracovatelských vlastností slouží jako ochranné povlaky, laky, zalévací hmoty, lisované hmoty, máčecí hmoty aj. K vytvoření ochranného pláště nebo pouzdra polovodičových součáatek při zapouzdřováni nebo přímo k ochraně elektronového a děrového přechodu polovodičové součástky.Plastics are often used to protect semiconductor components such as diodes, thyristors, transistors, semiconductor modules, hybrid circuits, integrated circuits, etc. before exposure to the external environment and to facilitate nanipulation - especially epoxies, silicones and polyimides, which by nature and processing properties serve as protective coatings, varnishes, potting compounds, molded materials, dipping compounds, etc. To form a protective sheath or housing of semiconductor components during encapsulation or directly to protect the electronic and hole junction of a semiconductor component.

□edním Ze základních požadavků na vlastnosti ochranného elektroizolečniho plastu je nízký obsah polarizovatelných a hydrolyzovatelných lontů a nszreagovaných polárních skupin. V zásadě vadí všechny ionty, za nejškodlivější Je považován obsah iontů alkalických kovů /lithium, sodík, draslík/ a iontů aminiových; velmi kritický Je též obsah halogenidových iontů, především chloridů. Migrace iontů v plastu působí konverzi prostorového náboje na povrchu polovodiče a tím dochází k ovlivnění funkce součástky; chloridové lonty navíc vyvolávají korozi kontaktů zejména hliníkových, což může vést až k úplné destrukci součástky.One of the basic requirements for the properties of protective electrical insulating plastic is the low content of polarizable and hydrolyzable ions and unreacted polar groups. In principle, it interferes with all ions, the most harmful content is considered to be alkali metal ions (lithium, sodium, potassium) and amine ions; very critical It is also the content of halide ions, especially chlorides. The migration of ions in the plastic causes the conversion of the spatial charge on the surface of the semiconductor and thus affects the function of the component; In addition, chloride cables cause corrosion of contacts, especially aluminum contacts, which can lead to complete destruction of the component.

Uvedené nevýhody odstraňuje elektroizolační ochranný plast na bázi epoxidů, slil. o koňů a polyimidů obsahující vysokopovrchové saze s měrným povrchem 800 až 1000 m /g v hmotnostním množství'0,001 až 0, 01 %. 'These disadvantages are eliminated by electrical insulating protective plastic based on epoxies, slil. o horses and polyimides containing high-surface carbon blacks with a specific surface area of 800 to 1000 m 2 / g in an amount of 0.001 to 0.01% by weight. '

Výhodou elektroizolečniho plastu podle'vynálezu je zlepšení dialektrlckých vlastností bez ovlivnění zpracovatelských nebo Jiných vlastností. Vysokopovrchové saze působí v plastu jako getr lontů a polárních nečistot.The advantage of the electrical insulating plastic according to the invention is the improvement of the dialectric properties without affecting the processing or other properties. High-surface carbon blacks act in plastics as a getter of ions and polar impurities.

Příklad 1Example 1

K epoxidové zalévací hmotě tvořené nízkomolekulární epoxidovou pryskyřicí, hexahydroftalanhydridem Jako tvrdidlem, mletým taveným křemenem Jako plnivem v hmotnostním poměru 100 s 80 : 150 Jaou přidány vysokopovrchové saze s měrným povrchem 850 m /g v hmotnostním množství 0,006 %.To the epoxy potting compound consisting of a low molecular weight epoxy resin, hexahydrophthalic anhydride as a hardener, ground fused quartz as a filler in a weight ratio of 100 to 80: 150, high-surface carbon blacks with a specific surface area of 850 m 2 / g are added in an amount of 0.006% by weight.

Příklad 2Example 2

K silikonovému kaučuku, který tvoří - dihydroxypolysiloxen, tet raethylsillkát jako síťovadlo dibutylcíndilaurét Jako katalyzátor a uhličitan vápenatý jako plnivo v hmotnostním poměru 100 : 2,75 : 0,5 : 30 jsou přidány vysokopovrchové saze s měr2 ným povrchem 920 m /g v hmotnostním množství 0,009 %.High-surface carbon blacks with a specific surface area of 920 m 2 / g and a weight of 0.009 are added to the silicone rubber, which consists of - dihydroxypolysiloxene, tetraethylsilicate as a crosslinking agent, dibutyltin dilaurate as a catalyst and calcium carbonate as a filler in a weight ratio of 100: 2.75: 0.5: 30. %.

Příklad 3Example 3

K polyimidové pryskyřici Jako předpolymeru připravenému z dianhydridu kyseliny pyromellitové a z 4,4^- diaminodifenyletheru se přidá dlmethylsulfoxid Jako rozpouštěd2 lo v mnosžtví 50 % hmotnostních a vysokopovrchové saze s měrným povrchem 960 m /g o hmotnostním množství 0,004 %.To the polyimide resin As a prepolymer prepared from pyromellitic dianhydride and 4,4'-diaminodiphenyl ether, dimethyl sulfoxide was added as a solvent in an amount of 50% by weight and a high surface area carbon black with a specific surface area of 960 m 2 / g in an amount of 0.004% by weight.

Elektroizolační ochranné plasty na bázi epoxidů, silikonů a polyimidů podle vynálezu Jsou zejména vhodné k výrobě pouzder polovodičových součástek nebo k vytvoření povrchových ochran polovodičových systémů.The electrical insulating protective plastics based on epoxies, silicones and polyimides according to the invention are particularly suitable for the production of housings for semiconductor components or for the production of surface protections for semiconductor systems.

Claims (1)

PŘEDMĚT VYNÁLEZUOBJECT OF THE INVENTION Elektroizolační ochranný plast na bázi epoxidů, silikonů nebo polyialdů pro ochranu polovodičových součástek, vyznačený tím, že obsahuje vysokopovrchové saze s mírným 2 povrchem 000 až 1000 m /g v hmotnostním množství 0,001 až 0,01Electrical insulating protective plastic based on epoxies, silicones or polyials for the protection of semiconductor devices, characterized in that it contains high-surface carbon blacks with a slight surface area of 000 to 1000 m / g in an amount of 0.001 to 0.01
CS882359A 1988-04-07 1988-04-07 Electrical insulating protective plastic for semiconductor devices CS268140B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS882359A CS268140B1 (en) 1988-04-07 1988-04-07 Electrical insulating protective plastic for semiconductor devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS882359A CS268140B1 (en) 1988-04-07 1988-04-07 Electrical insulating protective plastic for semiconductor devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS235988A1 CS235988A1 (en) 1989-07-12
CS268140B1 true CS268140B1 (en) 1990-03-14

Family

ID=5360507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS882359A CS268140B1 (en) 1988-04-07 1988-04-07 Electrical insulating protective plastic for semiconductor devices

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS268140B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
CS235988A1 (en) 1989-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY118368A (en) Thermosetting encapsulants for electronics packaging
US4888226A (en) Silicone gel electronic device encapsulant
US3086888A (en) Composition, and method for insulating electrical conductors, and coated electrical conductors
US5165956A (en) Method of encapsulating an electronic device with a silicone encapsulant
US3002133A (en) Microminiature semiconductor devices
US4965657A (en) Resin encapsulated semiconductor device
JPS5927945A (en) Liquid epoxy resin composition for semiconductor encapsulation
CS268140B1 (en) Electrical insulating protective plastic for semiconductor devices
Olberg The effects of epoxy encapsulant composition on semiconductor device stability
US5457165A (en) Encapsulant of amine-cured epoxy resin blends
JP3235798B2 (en) Epoxy resin composition
JP7270201B2 (en) Epoxy resin composition and resin encapsulation substrate
Niemi Self-priming silicone elastomeric coatings for high voltage insulator bodies
WO2021013988A1 (en) Power semiconductor module
RU2089013C1 (en) Semiconductor module
JP2823633B2 (en) Epoxy resin composition
IT984017B (en) SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICES ENCAPSULATED WITH CONDUCTIVE WIRES CONNECTED WITH HERMETIC SEAL
CS257915B1 (en) Epoxy encapsulating material
Licari et al. Plastics for packaging: handle with care
JP3235799B2 (en) Epoxy resin composition
JPH05311045A (en) Epoxy resin molding material for sealing
KR100215537B1 (en) Epoxy resin composition
JPH0680753B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
CS268940B1 (en) Method of encapsulation of electron and electrotechnical components
JP2793449B2 (en) Epoxy resin composition