CS264969B1 - Polovodičový fotodetektorinfračerveného žiarenia - Google Patents

Polovodičový fotodetektorinfračerveného žiarenia Download PDF

Info

Publication number
CS264969B1
CS264969B1 CS875524A CS552487A CS264969B1 CS 264969 B1 CS264969 B1 CS 264969B1 CS 875524 A CS875524 A CS 875524A CS 552487 A CS552487 A CS 552487A CS 264969 B1 CS264969 B1 CS 264969B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
infrared radiation
semiconductor
infrared
semiconductor photodetector
holder
Prior art date
Application number
CS875524A
Other languages
English (en)
Slovak (sk)
Other versions
CS552487A1 (en
Inventor
Jan Clen Korespondent Cervenak
Original Assignee
Jan Clen Korespondent Cervenak
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jan Clen Korespondent Cervenak filed Critical Jan Clen Korespondent Cervenak
Priority to CS875524A priority Critical patent/CS264969B1/cs
Publication of CS552487A1 publication Critical patent/CS552487A1/cs
Publication of CS264969B1 publication Critical patent/CS264969B1/cs

Links

Landscapes

  • Radiation Pyrometers (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

Vynález sa týká polovodičových fotodetektorov infračerveného žiarenia so zvýšenou citlivosťou.
Doteraz sa polovodičové fotodetektory infračerveného žiarenia pripravujú z monokryštálov příslušného polovodiča, jeho řezáním na doštičky a ich přilepením na podložku. Ak sa pripravujú z tenkých vrstiev napr. vákuovými alebo chemickými metodami, tieto sa nanášajú na pevné podložky. Konce doštičiek alebo vrstiev sa opatria elektrickými kontaktami. Nevýhodou polovodičových fotodetektorov infračerveného žiarenia je nákladnost ich technologie.
Uvedenú nevýhodu v podstatnej miere odstraňuje polovodičový fotodetektor infračerveného žiarenia podlá vynálezu, ktorého podstata spočívá v tom, že pozostáva z tenkých samonosných vrstiev, pások alebo vlákien, připravených napr. metódou rýchleho ochladenia, ktoré sú umiestnené v otvore držiaka. Na druhej straně otvoru držiaka je umiestnené spStné zrkadlo v usporiadaní rovinnom alebo šikmom na směr dopadajúceho infračerveného žiarenia. Výhodou vynálezu je zvýšenie citlivosti až o 50 S.
Na připojených výkresoch sú schematicky znázorněné polovodičové fotodetektory infračerveného žiarenia, kde ha obr. 2 je znázorněné usporiadanie s rovinným spatným zrkadlom, na obr. 2 je znázorněné usporiadanie s kombinovanými rovinné a šikmo uloženými spatnými zrkadlami a na obr. 3 je znázorněné usporiadanie, v ktorom vzdialenosť rovinného spatného zrkadla je daná hrúbkou držiaka.
Polovodičové fotodetektory infračerveného žiarenia pozostávajú zo samonosnej polovodičovéj pásky alebo vlákna 1^, napr. z antimonidu india InSb připraveného metódou rýchleho chladenia, držiaka 2 s otvorom, do ktorého je umiestnená samonosné polovodičová páska lebo vlákno Držiak 2 s otvorom a samonosnou polovodičovou páskou alebo vláknom 1^ je vložený do ochranného krytu 3^ na dne ktorého sa nachádza rovinné spStné zrkadlo ý. Infračervené žiarenie zo zdroja (> dopadá na samonosnú polovodičovú pásku alebo vlákno _1 v smere T_, pričom přešlá časť infračerveného žiarenia je odrazená spatným zrkadlom ý v smere na samonosnú polovodičovú pásku alebo vlákno 1^. Elektrické kontakty 5 sú na koncoch samonosnej polovodičovéj pásky alebo vlákna 1..
Dopadajúce infračervené žiarenie zo zdroja 6 v smere J_ a v smere uvolňuje na oboch stranách pri povrchových oblastiach volné nosiče elektrického náboja, čím dochádza k zvýšenej citlivosti.
Vynález móže nájsť široké využitie v oblasti diagnostiky strojných zariadení, v automatizačnej a regulačnej technike, v ochraně životného prostredia a pri prieskume zemského povrchu.

Claims (2)

  1. PREDMET VYNALEZU
    1. Polovodičový fotodetektor infračerveného žiarenia opatřený zdrojom infračerveného žiarenia s polovodičom opatřeným elektrickými kontaktami, vyznačené tým, že pozostáva z tenkých samonosných vrstiev, pások, alebo vlákien (1), ktoré sú umiestnené na jednej straně otvoru držiaka (2), pričom na druhej straně otvoru držiaka (2) je umiestnené spStné zrkadlo (4) .
  2. 2. Polovodičový fotodetektor podlá bodu 1, vyznačené tým, že spStné zrkadlo (4) je rovinné, kolmo, alebo šikmo usporiadané na směr (7) dopadajúceho infračerveného žiarenia zo zdroja (6) na druhej straně otvoru držiaka (2). 1 výkres
    / 9 y7
    69S t9"
CS875524A 1987-07-22 1987-07-22 Polovodičový fotodetektorinfračerveného žiarenia CS264969B1 (sk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS875524A CS264969B1 (sk) 1987-07-22 1987-07-22 Polovodičový fotodetektorinfračerveného žiarenia

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS875524A CS264969B1 (sk) 1987-07-22 1987-07-22 Polovodičový fotodetektorinfračerveného žiarenia

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CS552487A1 CS552487A1 (en) 1988-12-15
CS264969B1 true CS264969B1 (sk) 1989-09-12

Family

ID=5400293

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS875524A CS264969B1 (sk) 1987-07-22 1987-07-22 Polovodičový fotodetektorinfračerveného žiarenia

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS264969B1 (cs)

Also Published As

Publication number Publication date
CS552487A1 (en) 1988-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0068456B1 (en) Electromagnetic radiation detection system comprising a radiation limiting shield
US5946135A (en) Retroreflector
ATE73935T1 (de) Sensor fuer gase oder ionen.
SE8705189L (sv) Robotiserat hanteringsdon och ett detta uppvisande platbockningssystem
EP0281011A2 (en) Edge-illuminated impurity band conduction detector arrays
CS264969B1 (sk) Polovodičový fotodetektorinfračerveného žiarenia
JPS59219714A (ja) 標本膜吸引ホルダを備えた光学窓を有する光学的観察装置
US4445034A (en) Compound infrared detector
JPS6351493B2 (cs)
JPS6177728A (ja) 熱電堆型赤外検出素子
JPH0743599A (ja) 太陽光追尾センサ
JP3054740B2 (ja) 生物化学センサ
JPS59121613U (ja) 焦点検出装置
JP3129539B2 (ja) 光ファイバアレイ
JPS5893292A (ja) 半導体放射線検出器の製造方法
JPH01272928A (ja) 赤外線検出装置用プリズムコールドシールド
JPS5839388Y2 (ja) 光検出器
JPH0269624A (ja) 焦電形赤外線検出素子
JPH09181338A (ja) 放射線感応変換器
JPS6027977Y2 (ja) シンチレ−シヨンカメラ
JPS6177729A (ja) 熱電堆型赤外検出素子の製造方法
JPS6197539A (ja) 赤外線リニアアレイ素子
JPS62296477A (ja) 受光装置
JPH0215159Y2 (cs)
JPH056670Y2 (cs)