CS252208B1 - Zapojení výkonového budiče - Google Patents
Zapojení výkonového budiče Download PDFInfo
- Publication number
- CS252208B1 CS252208B1 CS853929A CS392985A CS252208B1 CS 252208 B1 CS252208 B1 CS 252208B1 CS 853929 A CS853929 A CS 853929A CS 392985 A CS392985 A CS 392985A CS 252208 B1 CS252208 B1 CS 252208B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- transistor
- power
- transistors
- switch
- complementary pair
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
Přepínač je připojen jednak na napětí jedné polarity a jednak na napětí druhé polarity vůči emitoru alespoň jednoho výkonového tranzistoru, přičemž přepínač je tvořen alespoň jednou komplementární dvojicí tranzistorů, jejichž báze a emitory jsou navzájem spojené. Zapojení výkonového budiče je realizováno v tranzistorovém svářecím zdroji.
Description
Vynález se týká zapojení výkonového budiče, zejména pro buzení výkonových tranzistorů, sestávající z budiče, spojeného přes přepínač a tvarovací obvod s výkonovým tranzistorem.
Dosud používaná zapojení výkonových budičů tranzisorů, využívají obvykle pro urychlení vypnutí výkonového tranzistoru překmitu opačné polarity, vznikajícího na budícím transformátoru pří skončení budícího impulsu. V jiných případech se používají složitá zapojení, například pro nabíjení a vybíjení k tomuto účelu určených kondenzátorů. U těchto zapojení je obtížné zajistit požadovaný průběh budícího impuslu pří větších změnách jeho délky, jak je zapotřebí například u aplikací s tranzistorovými měniči při nekonstantní zátěži.
U aplikací s konstantní délkou budícího impulsu dochází s obvykle používanými budícími obvody k vyšším ztrátám výkonových tranzistorů. Současně i velikost napětí přiváděného na přechod báze - emitor výkonového tranzistoru v závěrném směru nelze u dosud používaných aplikací přesně definovat, což má za následek nebezpečí nepřípustného namáhání výkonového tranzistoru.
Pro buzení tranzistorů zvláště velkých výkonů (proud nad 30 A a napětí nad 500 V) jsou navíc problémy se zajištěním dostatečné strmosti čela budícího impulsu, budící transformátor nabývá značných rozměrů a současně vznikají neúměrně velké ztráty v budicích obvodech.
Podstatně omezit či odstranit uvedené nedostatky stávajících zapojení umožňuje zapojení výkonového budiče podle vynálezu. Jeho podstata spočívá v tom, že přepínač je připojen na napětí jedné polarity a jednak na napětí druhé polarity vůči emitoru alespoň jednoho výkonového tranzistoru. Přepínač je tvořen alespoň jednou komplementární dvojicí tranzistorů, jejichž báze a emitory jsou navzájem spojené.
Zapojení podle vynálezu zajištuje optimální budící impulsy pro výkonové tranzistory od minimální potřebné délky až po libovolně velkou délku impulsu. Při potřebě dlouhých impulsů galvanicky oddělených následuje za izolačním transformátorem klopný obvod nebo se oddělení provede optoelektronickým spojovacím Členem.
V důsledku toho, že uvedené zapojení zajistí kvalitní budící impulsy, lze minimalizovat spínací a vypínací ztráty výkonových tranzistorů a protože je tranzistor prakticky saturován, jsou ztráty v sepnutém stavu rovněž minimalizovány.
I při použití transformátoru jako oddělovacího Členu budiče lze předloženým zapojením měnit šíři budícího impulsu v širokém rozsahu bez nebezpečí zhoršení jeho kvality. Tvar a velikost budícího proudu lze upravit použitím tvarovacích členů zapojených dle potřeby v budícím obvodě.
Nejčastější snahou je zvýšit strmost a amplitudu budícího impuslu v jeho začátku.
Konkrétní příklad zapojení je znázorněn na obr. 1, kde budič 2 je přes přepínač 2 a tvarovací obvod 2 spojen s výkonovým tranzistorem 4. Dále je přepínač 2 připojen jednak na napětí jedné polarity A (+) a jednak na napětí druhé polarity B,(-) vůči emitoru výkonového tranzistoru T4, přičemž je přepínač 2 tvořen komplementární dvojicí tranzistorů T2, T3, jejichž báze a emitory jsou navzájem spojené. Do prvního vinutí impulsního oddělovacího transformátoru TR je přiváděn spouštěcí impuls. Z druhého vinutí TR se transformovaným spouštěcím impulsem spíná první tranzistor TI budiče 2· Sepnutím tohoto tranzistoru TI se převede na spojené báze komplementární dvojice tranzistorů T2, T3 kladné napětí vůči emitoru. V důsledku toho dosud sepnutý tranzistor T3 komplementární dvojice vypíná (přes odpor R byla dosud báze tranzistoru T3 komplementární dvojice spojena se záporným pólem, první tranzistor TI byl rozepnut) a dosud vypnutý tranzistor T2 komplementární dvojice sepne a přivede kladné napětí přes tvarovací obvod 2 na bázi výkonového tranzistoru T4, který tímto sepne.
i
Použitým zapojením komplementární dvojice tranzistorů T2, T3 je zajištěno rychlé spínání a vypínání a nemůže nastat stav, kdy jsou oba tranzistory prakticky sepnuty a spojí oba póly zdroje do zkratu. Tvarovací obvod 2 zajistí pomocí kondenzátoru C zvýšení strmosti a amplitudy budícího proudu při spínání výkonového tranzistoru T4. Po skončení budícího impuslu první tranzistor Tl vypíná. Tím se na spojených bázích komplementární dvojice tranzistorů T2, T3 změní napětí (před odpor R se na báze přivádí záporné napětí) z kladného na záporné a tím tranzistor T2 začne vypínat, tranzistor T3 sepne a připojí záporné napětí na bázi výkonového tranzistoru T4, čímž urychlí jeho vypnutí.
V dalších možných způsobech zapojení podle vynálezu jsou ve spojených bázích a/nebo emitorech a/nebo kolektorových obvodech komplementární dvojice tranzistorů T2, Z2 zapojeny rezistory, kondenzátory eventuálně indukčností nebo sériové a/nebo paralelní kombinace jejich zapojení.
Zapojení výkonového budiče podle vynálezu je realizováno například v tranzistorovém scářecím zdroji.
Claims (2)
1. Zapojení výkonového budiče, zejména pro buzení výkonových tranzistorů, sestávající z budiče, spojeného přes přepínač a tvarovací obvod s výkonovým tranzistorem, vyznačené tím, že přepínač (2) je připojen jednak na napětí jedné polarity (A) a jednak na napětí druhé polarity (B) vůči emitoru alespoň jednoho výkonového tranzistoru (T4), přičemž přepínač (2) je tvořen alespoň jednou komplementární dvojicí tranzistorů (T2, T3) jejichž bá2e a emitory jsou navzájem spojené.
2. Zapojení výkonového budiče podle bodu 1, vyznačené tím, že ve spojených bázích a/nebo emitorech a/nebo kolektrových obvodech komplementární dvojice tranzistorů (T2,
T3), jsou zapojeny rezistory, kondenzátory event. indukčností nebo jejich sériové a/nebo paralelní kombinace.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS853929A CS252208B1 (cs) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | Zapojení výkonového budiče |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS853929A CS252208B1 (cs) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | Zapojení výkonového budiče |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS392985A1 CS392985A1 (en) | 1987-01-15 |
| CS252208B1 true CS252208B1 (cs) | 1987-08-13 |
Family
ID=5380771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS853929A CS252208B1 (cs) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | Zapojení výkonového budiče |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS252208B1 (cs) |
-
1985
- 1985-05-31 CS CS853929A patent/CS252208B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS392985A1 (en) | 1987-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0369448A3 (en) | Drive circuit for use with voltage-driven semiconductor device | |
| US4626980A (en) | Power bridge having a non-dissipative snubber circuit | |
| US4961054A (en) | Gradient current speed-up circuit for high-speed NMR imaging system | |
| EP0286205B1 (en) | Power transistor drive circuit | |
| EP0315597A2 (en) | Analog multiplex for sensing the magnitude and sense of the current through a H-bridge stage utilizing a single sensing resistance | |
| US3610963A (en) | Switch drive circuit for the time ratio controlled transistor switching circuits | |
| US5550412A (en) | Isolated MOSFET gate drive | |
| US4412141A (en) | Three state loop keyer | |
| US20020175719A1 (en) | Transistor drive circuits and methods using selective discharge of terminal capacitance | |
| US4947055A (en) | Base drive circuit for Darlington-connected transistors | |
| JPS62176215A (ja) | 大電力スイツチングトランジスタ用のベ−ス駆動回路 | |
| JP2002111463A (ja) | Fetの駆動回路およびスイッチング装置 | |
| US3068420A (en) | Frequency discriminator | |
| JPH0218710Y2 (cs) | ||
| JPH0430820Y2 (cs) | ||
| SU1359901A1 (ru) | Транзисторный переключатель | |
| TWI271917B (en) | Driving circuit for DC/DC converter and voltage level transferring method | |
| EP0527641B1 (en) | H-bridge flyback recirculator | |
| JPH11114494A (ja) | 出力装置 | |
| US3466468A (en) | Monostable controlled saturable core blocking oscillator circuit | |
| SU1239811A1 (ru) | Автономный инвертор | |
| SU1324100A2 (ru) | Высоковольтный переключатель | |
| JPH06105565A (ja) | Dc−ac変換器 | |
| SU1661859A1 (ru) | Быстродействующее коммутационное устройство | |
| JPS56129582A (en) | Base driving circuit for transistor |