CS248394B1 - Řízená výkonová polovodičová součástka - Google Patents

Řízená výkonová polovodičová součástka Download PDF

Info

Publication number
CS248394B1
CS248394B1 CS759185A CS759185A CS248394B1 CS 248394 B1 CS248394 B1 CS 248394B1 CS 759185 A CS759185 A CS 759185A CS 759185 A CS759185 A CS 759185A CS 248394 B1 CS248394 B1 CS 248394B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
control electrode
electrode
housing
contact
contact layer
Prior art date
Application number
CS759185A
Other languages
English (en)
Inventor
Libor Kalenda
Jiri Pliva
Jaroslav Zamastil
Bohumil Pina
Jaroslav Homola
Original Assignee
Libor Kalenda
Jiri Pliva
Jaroslav Zamastil
Bohumil Pina
Jaroslav Homola
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Libor Kalenda, Jiri Pliva, Jaroslav Zamastil, Bohumil Pina, Jaroslav Homola filed Critical Libor Kalenda
Priority to CS759185A priority Critical patent/CS248394B1/cs
Publication of CS248394B1 publication Critical patent/CS248394B1/cs

Links

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Abstract

Účelem řešení je zjednodušení konstrukce přívodního členu řídicí elektrody řízené výkonové polovodičové součástky, zvýšení proudové zatížitelnosti řídicí elektrody a zvýšení životnosti polovodičové součástky. Uvedeného účelu se dosáhne přívodním členem řídicí elektrody, tvořeným oddělenou částí kovové mezivrstvy, v místě kontaktu s řídicí elektrodou profilovanou. Kovové mezivrstvy vložené mezi polovodičovou deskou a přítlačnou elektrodou pouzdra jsou opatřeny otvorem v místě kontaktní vrstvy řídicí elektrody. Horní přítlačná elektroda pouzdra je v místě nad kontaktní vrstvou řídicí elektrody kompaktní a opatřena izolačním členem.

Description

Vynález se týká zařízení výkonové polovodičové součástky.
U dosud známých řízených polovodičových součástek jejich přívodní členy řídicí elektrody používají k vytvoření kontaktu s řidiči elektrodou polovodičové desky řadu sLožitýoh přítlačných konstrukcí, sestávajících z pružných členů, například pružin. Pružiny jsou zapuštěny v horní přítlačné elektrodě pouzdra, od které jsou odděleny galvanicky izolační vložkou nebo tělískem.
Nevýhodou tohoto přívodního členu řídicí elektrody je jeho složitá konstrukce, vznik otřepů při stlačování kovových částí, například pružin, malá proudová zatížitelnost a obtížnost zachování potřebné čistoty uvnitř pouzdra polovodičové součástky.
Uvedené nevýhody odstraňuje řízená polovodičová součástka podle vynálezu, kde kontaktní mezivrstva z molybdenu nebo wolframu a profilovaná mezivrstva z měkkého kovu jsou opatřeny otvorem v místě kontaktní vrstvy řídicí elektrody.
Přívodní člen řídicí elektrody je tvořen oddělenou částí kovové mezivrstvy v místě kontaktu s řídicí elektrodou profilovanou. Horní přítlačná elektroda pouzdra je v místě nad kontaktní vrstvou řídicí elektrody kompaktní a opatřena izolační mezivrstvou.
Výhodou řízené polovodičové součástky podle vynálezu je jednoduchost konstrukce přívodního členu řídicí elektrody, vyšší proudová zatížitelnost řídicí elektrody a vysoká životnost polovodičové součástky.
Na obr. la je znázorněna řízená výkonová polovodičová součástka s řídicí elektrodou umístěnou ve středu polovodičové desky, a to v náryse, na obr. lb v půdoryse, a na obr. 2 je znázorněna řízená polovodičová součástka s řídicí elektrodou umístěnou na obvodu polovodičové desky.
Konkrétní provedení
Podle obr. la, lb je polovodičová deska 2 řízené výkonové polovodičové součástky kompaktně spojena s dilatační elektrodou 2 a prostřednictvím přítlačných kontaktů spojena s dolní.přítlačnou elektrodou 2 a horní přítlačnou elektrodou £ pouzdra.
Mezi polovodičovou desku 2 a horní přítlačnou elektrodu 4 pouzdra je vložena profilovaná mezivrstva 5 ze stříbrné fólie a kontaktní mezivrstva 6 z molybdenu. Obě tyto mezivrstvy jsou opatřeny otvorem umístěným nad kontaktní vrstvou řídicí elektrody 8.
Rozměry otvoru jsou větší, než rozměry přívodního členu T. řídicí elektrody 2» který je tvořen měkkou stříbrnou fólií, která je v místě kontaktu s kontaktní vrstvou řídicí elektrody 2 profilovaná.
Zbývající část přívodního.členu T. řídicí elektrody 8, na kterou je navlečena izolační trubička 9 z umělé hmoty, je uložena v drážce 10, vytvořené v profilované mezivrstvě 5 a kontaktní mezivrstvě 6.
Profilovaná část přívodního členu 7 řídicí elektrody 2 j® galvanicky oddělena od horní přítlačné elektrody 4. pouzdra izolačním členem 11, vytvořeným z laku. Sestava izolačního členu 22, profilované části přívodního členu 7_ řídicí elektrody 2 1 jeho zbývající část, jsou fixovány k horní přítlačné elektrodě 4 pouzdra vhodným tmelem.
Izolační člen 11 může být vytvořen 1 z tmelu nebo keramiky. Přívodní člen 7 řídicí elektrody 8 může být vyroben z pružné fosforbronzové fólie podle obr. 2, kde je řídicí elektroda 8 umístěna na obvodu polovodičové desky 2· Profilovaná část přívodního členu 7 řídicí elektrody 1 je v místě kontaktu s kontaktní vrstvou řídící elektrody 8 galvanicky oddělena od horní přítlačné elektrody 2 pouzdra, která vyvozuje přítlačnou sílu, izolačním členem 11, vyrobeným z keramiky.
Předmět tohoto vynálezu je možno použít při výrobě všech řízených výkonových polovodičových součástek jako tyristorů, tranzistorů, triaků apod.

Claims (1)

  1. Řízená výkonová polovodičová součástka, sestávající z polovodičové desky spojené s dilatační elektrodou, dále přítlačných kontaktů, přítlačných elektrod, pouzdra, dále sestávající z kovové mezivrstvy z molybdenu nebo wolframu umístěné mezi polovodičovou deskou a přítlačnými elektrodami pouzdra a mající profilované vrstvy z měkkého kovu, vyznačená tůn, že kovová kontaktní mezivrstva /6/ z molybdenu nebo wolframu a profilovaná mezivrstva /5/ z měkkého kovu jsou opatřeny otvorem v místě kontaktní vrstvy řídicí elektrody /8/, přičemž přívodní člen /7/ řídicí elektrody /8/ je tvořen oddělenou částí kovové mezivrstvy, v místě kontaktu s řídicí elektrodou /8/ profilovanou, přičemž horní přítlačná elektroda /4/ pouzdra je v místě nad kontaktní vrstvou řídicí elektrody /8/ kompaktní a opatřena izolačním členem /11/.
CS759185A 1985-10-23 1985-10-23 Řízená výkonová polovodičová součástka CS248394B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS759185A CS248394B1 (cs) 1985-10-23 1985-10-23 Řízená výkonová polovodičová součástka

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS759185A CS248394B1 (cs) 1985-10-23 1985-10-23 Řízená výkonová polovodičová součástka

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS248394B1 true CS248394B1 (cs) 1987-02-12

Family

ID=5425378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS759185A CS248394B1 (cs) 1985-10-23 1985-10-23 Řízená výkonová polovodičová součástka

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS248394B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4313128A (en) Compression bonded electronic device comprising a plurality of discrete semiconductor devices
US3896544A (en) Method of making resilient electrical contact assembly for semiconductor devices
EP1186008A2 (en) Lateral insulated-gate bipolar transistor (ligbt) device in silicon-on-insulator (soi) technology
GB1480402A (en) Filament-type semiconductor switch device
EP0194946B1 (en) Pressurized contact type double gate static induction thyristor
EP0164867A3 (en) An integrated field controlled thyristor structure with grounded cathode
BR8102764A (pt) Material para contatos eltricos
US3599057A (en) Semiconductor device with a resilient lead construction
CS248394B1 (cs) Řízená výkonová polovodičová součástka
EP0819998A3 (en) Power control device
JPS57172753A (en) Semiconductor element with low resistance contact projected
DE4011275C2 (de) Gateanschlußkörper für ein Halbleiterbauelement
US3450962A (en) Pressure electrical contact assembly for a semiconductor device
EP1040525B1 (en) Silicon-on-insulator (soi) hybrid transistor device structure
CN1136221A (zh) 半导体器件压触管壳
US5436473A (en) Gate lead for center gate pressure assembled thyristor
CN114038808A (zh) 大功率半导体器件
GB1432676A (en) Encapsulated light activated semiconductor device
EP0305993A3 (en) Power semiconductor device having electrode structures
US5302789A (en) Snap switch having low resistance
JP3535341B2 (ja) 圧接型半導体装置
DE50013316D1 (de) Elektrodenanordnung für elektrische Einrichtungen mit Flüssigmetall
JPS62269322A (ja) 電力用半導体装置
EP1065729A4 (en) COMPRESSION-BONDED SEMICONDUCTORS
JPS6339972Y2 (cs)