CS241509B2 - Method of metal ions forming - Google Patents
Method of metal ions forming Download PDFInfo
- Publication number
- CS241509B2 CS241509B2 CS824048A CS404882A CS241509B2 CS 241509 B2 CS241509 B2 CS 241509B2 CS 824048 A CS824048 A CS 824048A CS 404882 A CS404882 A CS 404882A CS 241509 B2 CS241509 B2 CS 241509B2
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- metal
- gas
- gallium
- ions
- arc discharge
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 63
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 36
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- JCMGUODNZMETBM-UHFFFAOYSA-N arsenic trifluoride Chemical compound F[As](F)F JCMGUODNZMETBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 39
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 28
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- -1 gallium ions Chemical class 0.000 description 15
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 12
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- DWRNSCDYNYYYHT-UHFFFAOYSA-K gallium(iii) iodide Chemical compound I[Ga](I)I DWRNSCDYNYYYHT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- 229910017050 AsF3 Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001439 antimony ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- GGJOARIBACGTDV-UHFFFAOYSA-N germanium difluoride Chemical compound F[Ge]F GGJOARIBACGTDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- OBCUTHMOOONNBS-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentafluoride Chemical compound FP(F)(F)(F)F OBCUTHMOOONNBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQTGJVBUIOTPGZ-UHFFFAOYSA-N CCC[Zn]CCC Chemical compound CCC[Zn]CCC QQTGJVBUIOTPGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006160 GeF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000074 antimony hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- QAIDPMSYQQBQTK-UHFFFAOYSA-N diethylgallium Chemical compound CC[Ga]CC QAIDPMSYQQBQTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPIUPAOJDZNUJH-UHFFFAOYSA-N diethylmercury Chemical compound CC[Hg]CC SPIUPAOJDZNUJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATZBPOVXVPIOMR-UHFFFAOYSA-N dimethylmercury Chemical compound C[Hg]C ATZBPOVXVPIOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- NZQSCKCTGMHIRY-UHFFFAOYSA-N ethylindium Chemical compound CC[In] NZQSCKCTGMHIRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- SRVXDMYFQIODQI-UHFFFAOYSA-K gallium(iii) bromide Chemical compound Br[Ga](Br)Br SRVXDMYFQIODQI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- QASMZJKUEABJNR-UHFFFAOYSA-N methanolate;tantalum(5+) Chemical compound [Ta+5].[O-]C.[O-]C.[O-]C.[O-]C.[O-]C QASMZJKUEABJNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- WKFBZNUBXWCCHG-UHFFFAOYSA-N phosphorus trifluoride Chemical compound FP(F)F WKFBZNUBXWCCHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- OUULRIDHGPHMNQ-UHFFFAOYSA-N stibane Chemical compound [SbH3] OUULRIDHGPHMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001460 tantalum ion Inorganic materials 0.000 description 1
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical compound [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N tetrabutyltin Chemical compound CCCC[Sn](CCCC)(CCCC)CCCC AFCAKJKUYFLYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWWNQEOPUOCKGR-UHFFFAOYSA-N tetraethyltin Chemical compound CC[Sn](CC)(CC)CC RWWNQEOPUOCKGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPMWWXLUCOODDK-UHFFFAOYSA-N tetrafluorogermane Chemical compound F[Ge](F)(F)F PPMWWXLUCOODDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N tetramethyltin Chemical compound C[Sn](C)(C)C VXKWYPOMXBVZSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIQCWAIEHVRCCG-UHFFFAOYSA-N tetrapropylstannane Chemical compound CCC[Sn](CCC)(CCC)CCC OIQCWAIEHVRCCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
- JGOJQVLHSPGMOC-UHFFFAOYSA-N triethyl stiborite Chemical compound [Sb+3].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JGOJQVLHSPGMOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKOFCVMVBJXDFP-UHFFFAOYSA-N triethylstibane Chemical compound CC[Sb](CC)CC KKOFCVMVBJXDFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEUYHGXCOWNTEJ-UHFFFAOYSA-N trimethyl stiborite Chemical compound [Sb+3].[O-]C.[O-]C.[O-]C KEUYHGXCOWNTEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N trimethylstibine Chemical compound C[Sb](C)C PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FECHVIJLJQUVMZ-UHFFFAOYSA-N tripropylstibane Chemical compound CCC[Sb](CCC)CCC FECHVIJLJQUVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEPBQSXQJMTVFI-UHFFFAOYSA-N zinc;butane Chemical compound [Zn+2].CCC[CH2-].CCC[CH2-] HEPBQSXQJMTVFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
- B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/20—Ion sources; Ion guns using particle beam bombardment, e.g. ionisers
- H01J27/22—Metal ion sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu vytváření iontů kovu, zejména pak zlepšeného způsobu implantance iontů kovového prvku.
Jako zdroje iontů pro implantaci iontů kovového prvku se až dosud vhodně používalo tuhého kovového prvku nebo tuhého halogenidu kovu. Při implantaci iontů musí být plyn, obsahující zvolený prvek, udržován ve stavu plazmového výboje v komoře pro obloukový výboj. К vytvoření plynné plazmy, obsahující takový prvek, musí být plyn, obsahující páry kovového prvku, zaváděn do komory pro obloukový výboj. Avšak za normální teploty a tlaku je většina kovových prvků nebo halogenidů kovů tuhými látkami. Proto se až dosud, jak výše uvedeno, jako zdroje iontů používá tuhých kovových prvků nebo tuhých halogenidů kovů.
Postup, při němž se používá tuhého kovového prvku nebo tuhého halogenidů kovu jakožto zdroje iontů má tyto nedostatky.
Ohřívací pec je upravena v sousedství Ionizační komory (komora pro obloukový výboj) a v této ohřívací peci vznikají páry kovu. Poněvadž však tlak par kovu je regulován nepřímo ovládáním teploty ohřívací pece, není možno rádně regulovat tlak par kovu.
. Poněvadž si vytvoření plynné plazmy v předem zvoleném typu výboje vyžaduje určitého časového intervalu, není možno svazek iontů vytvořit rychle. Dále, poněvadž je nutný určitý časový interval pro zchladnutí pece, není možno obloukový výboj rychle zastavit.
Poněvadž tlak par kovu není stálý, stává se vybíjení plynu nestálým a tudíž i svazek iontů se stává nestálým.
Trvání doby výboje je určeno množstvím tuhého zdroje kovu vneseného do ohřívací pece. Při masové výrobě se pokaždé, když se tuhý zdroj kovu spotřebuje, musí znovu doplnit novým tuhým zdrojem kovu. Během doplňování se implantance iontů musí přerušit.
V případě, že jako tuhého zdroje kovu se použije halogenidů kovu, je nutná zvýšená opatrnost, poněvadž se haiogenid vyznačuje vysokou rozplývavostí. Dále, jestliže do vnitřku zařízení pro implantování iontů má přístup okolní vzduch, dochází к pohlcování vlhkosti ze vzduchu halogenidem kovu, který lpí na vnitřní stěně zařízení. Haiogenid kovu, ulpělý na vnitřní stěně zařízení, tj. na všech stěnách vakuové nádoby včetně komory pro obloukový výboj, se stává mazlavý. Tím dochází ke korozi vlastního zařízení mazlavým materiálem a v zařízení nelze udržet vakuum, což má za následek vážné obtíže.
Výše uvedené problémy jsou způsobeny okolností, že materiál tvořící zdroj iontů, jako například indium, antimon a jodit galitý, jsou při normální teplotě tuhými látkami.
Účelem vynálezu je proto poskytnout jednoduchý, rychlý a stabilní způsob vytváření iontů kovu, vyznačující se dobrou regulovatelností.
Pro dosažení výše uvedeného cíle slouží způsob vytváření iontů kovu podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že se vyrobí plyn obsahující kovový prvek vypařením kapalné organické sloučeniny kovu, vzniklý plyn, obsahující kovový prvek, a pomocný plyn pro čištění ionizační komory se zavedou do ionizační komory a v ionizační komoře se plazmovým výbojem vytvoří ionty kovu ionizací kovového prvku.
Výsledky, dosažené způsobem podle vynálezu, je možno shrnout takto:
Při způsobu podle vynálezu lze velmi snadno manipulovat s materiálem, tvořícím zdroj iontů, v porovnání s běžně používaným postupem. Doba, již vyžaduje doplnění doplnění materiálu tvořícího zdroj iontů, se velmi zkrátí. Při implataci iontů galia se až dosud jakožto materiálu tvořícího zdroj iontů obvykle používá kovového galia, slitiny galia a halogenidů galia, jako je fluorid galitý, chlorid galitý, bromid galitý a jodid galitý. Avšak všechny materiály tohoto typu, tvořící zdroj iontů, jsou tuhými materiály, což má řadu nevýhod. Poněvadž halogenidy galia se vyznačují vysokou rozplývavostí, dochází ke znečišťování vnitřku komory pro obloukový výboj a vakuové nádoby a čištění vnitřku těchto zařízení si vyžaduje dlouhé doby. Avšak použitím způsobu podle vynálezu, při němž se používá kapalné organické sloučeniny kovu, například trimethylgalia nebo triethylgalia, se všechny výše popsané problémy vyřeší.
Při způsobu podle vynálezu je možno okamžitě reprodukovat pouze svazek iontů o prakticky dostačujícím iontovém proudu. Kromě toho, jak je patrné z obr. 2 na přiloženém výkresu, je rozložení hmotového spektra svazku iontů, získaného při dále popsaném provedení způsobu podle vynálezu, vynikající. Ačkoliv isotopy galia shrnují isotopy, jejichž hmotová čísla jsou 69, resp. 71, je výhodným isotopem galia isotop mající hmotové číslo 69, který je v přírodním stavu přítomen ve větším množství.
Při způsobu podle vynálezu se získá stabilní svazek iontů.
Vynález je dále blíže vysvětlen s pomocí výkresů, na nichž obr. 1 znázorňuje pohled v řezu na část zařízení pro implantaci iontů, v níž se vytvářejí ionty, kteréžto zařízení se používá к provádění způsobu podle vynálezu;
obr. 2 představuje hmotové spektrum vytvořených iontů, když se jakožto zdroje iontů použije trimethylgalia Ga(CH3)s a jako pomocného plynu fluoridu boritého BFs;
obr. 3 znázorňuje graf, ukazující časové změny ve svazku iontů galia v případě, že se jako zdroje iontů použije tuhého jodidu galitého Gaj3 a jako pomocného plynu se použije argonu;
obr. 4 znázorňuje graf, ukazující časové změny ve svazku iontů galia v případě, že se ionty galia vytvářejí způsobem podle vynálezu, a obr. 5 znázorňuje spektrum hmotových čísel vytvořených iontů v případě, že se jako zdroje iontů použije trimethylgalia Ga(CH3)3 a jako zdroje pomocného plynu se použije fluoridu křemičitého S1F4.
Při způsobu podle vynálezu pro vytváření iontů kovu se jako zdroje iontů použije kapalné organické sloučeniny kovu. Plyn obsahující kovový prvek, vyrobený odpařením kapalné organické sloučeniny kovu, se odvádí к vytvoření iontů kovu. Poněvadž se jako materiálu tvořícího zdroj iontů používá organické sloučeniny kovu, dochází к usazování nečistot, jako je například uhlík vzniklý rozkladem organické sloučeniny kovu, na vnitřních stěnách zařízení. Aby se tomu zabránilo, přivádí se podle vynálezu do ionizační komory pomocný plyn pro čištění vnitřku zařízení společně s plynem obsahujícím páry organické sloučeniny kovu.
Při způsobu podle vynálezu pro vytváření iontů kovu se jako kapalné organické sloučeniny kovu používá alkylovaného nebo alkoxylovaného kovu a opd. Z těchto sloučenin je výhodný například methylovaný nebo ethylovaný kov nebo methoxidovaný či ethoxidovaný kov, který má nízkou teplotu varu a malý počet atomů uhlíku. Použije-li se sloučeniny, mající vysokou teplotu varu, je nutné zařízení pro ohřev. Použije-li se sloučeniny, mající velký počet atomů uhlíku, dochází ke znečišťování vnitřku zařízení volným uhlíkem.
Jako kapalné organické sloučeniny kovu к vytvoření iontů galia se používá trimethylgalia Ga(CH3)3, diethylgalia Ga(C2H5)2 a podobně. Jako kapalné organické sloučeniny kovu к vytvoření iontů antimonu se použímethylindia 1п(СНз)з, triethylindia 1п(С2Н5)з a pod. Jako kapalné organické sloučeniny kovu к vvytvoření iontů antimonu se používá trimethylstibia SbfCHsJs, triethylstibia Sb(C2H5)3, tripropylstibia ЗЬ(СзН7)з, tributylstibia Sb(C4H9)5, trimethoxystibia Sb(OCH3)3, triethoxystibia Sb(OC2H5)3, tripropoxystibia Sb (OC3H7 ) 3, tributoxystibia Sb{OCdH9)3 a pod. Jako kapalné organické sloučeniny kovu к vytvoření iontů cínu se používá tetramethylcínu Sn(CH3)4, tetraethylcínu Sn(C2Hs)4, tetrapropylcínu Sn[C3H7)4, tetrabutylcínu Sn(C4H9)4 a pod. Jako kapalné organické sloučeniny kovu к vytvoření iontů rtuti se používá dimethylrtuti Hg(CH3)2, diethylrtuti Hg(C2'H5)2 a pod. Jako kapalné organické sloučeniny к vytvoření iontů zinku se používá diethylzinku Zn(C2H5]2, dipropylzinku Zn(C3H7)2, dibutylzinku Zn(C4H9)2 a pod. Jako kapalné organické sloučeniny kovu к vytvoření iontů tantalu se používá pentamethoxytantalu
Ta (ОСНз) 5, pentaethoxytantalu Ta(OC2H5)5 a pod.
Jako pomocného plynu se při způsobu vytváření iontů kovu podle vynálezu může použít plynného fluoridu, jako je fluorid boritý BF3, fluorid křemičitý S1F4, fluorid germaničitý GeF4, fluorid fosforitý PF3, fluorid fosforičitý PF4, fluorid arsenitý AsF3, fluorid arseničitý AsFs a pod., vzácného plynu, jako je helium, neon, argon, krypton, xenon a pod., plyného vodíku, plynného dusíku a jiných plynů, jako je arsin AsHs, fosfin РНз, stibin SbH3 a pod., a směsí těchto látek.
Výhodným pomocným plynem je plynný fluorid. Použije-li se jako pomocného plynu plynného fluoridu, zabrání se usazování různých látek, jako jsou uhlovodíkové a kovové hmoty, které vznikají rozkladem plynných organických sloučenin kovu při obloukovém výboji, na vnitřní stěně komory pro obloukový výboj. Vnitřní stěna komory pro obloukový výboj proto zůstává čistá. Rovněž se zabrání ucpání vstupního otvoru pro plyn a abnormálnímu výboji. Tím se udrží stabilita obloukového výboje.
Jestliže se jako pomocného plynu při vytváření iontů galia použije plynného fluoridu fosforitého PF3 nebo fluoridu fosforičitého PF4, je hmotové číslo 69 ionů PF2+, vytvořených obloukovým výbojem v plynném fluoridu, stejné jako hmotové číslo iontů galia (isotopu obsaženého v přírodním stavu v množství 60 %). V takových případech se pomocí hmotového analyzátoru výhodně vyčlení ionty isotopu galia o hmotovém čísle 71 (obsaženého v přírodním stavu v množství 40 %) a použijí jakožto svazek iontů galia. Alternativně, když se jako pomocného plynu při vytváření svazku iontů galia použije plynného fluoridu germaničitého, je třeba vniklé ionty germania (zahrnující ionty isotopů o hmotových číslech 70, 72, 73, 74 a 76) porovnat s ionty galia a analyzovat hmotovým analyzátorem o vysoké rozdělovači mohutnosti, aby se získal svazek iontů galia o vysoké čistotě. Výhodnými plynnými fluoridy jsou při způsobu podle vynálezu fluorid boritý BF3, fluorid křemičitý SiFd, fluorid arsenitý AsF3 nebo fluorid arseničný AsFs.
Při použití plynného fluoridu jakožto pomocného plynu dochází к čištění vnitřku komory pro obloukový výboj chemickou reakcí a rozprašováním. Kromě toho dochází к dissociování plynného fluoridu za vzniku elektronů, jež urychlují ionizaci kovového prvku. К čištění vnitřku zařízení rozprašováním lze kromě plynného fluoridu použít i jiných plynů.
Pro vytvoření iontů kovu se při použití materiálu jakožto zdroje iontů společně s pomocným plynem musí tento materiál a pomocný plyn pečlivě volit, aby ve svazku iontů, analyzovaném hmotovým analyzátorem, nevznikaly ionty nečistot. Materiál, použitý jako zdroj iontů, a pomocný plyn musí být zvoleny tak, aby při plazmovém výboji neposkytovaly ionty mající totéž hmotové číslo, jako je hmotové číslo iontů, které se mají vytvořit. Jestliže však by plazmovým výbojem mohly vzniknout ionty mající hmotové číslo blízké hmotovému číslu iontů, jež se mají vytvořit, je nutno použít hmotového analyzátoru s vysokou rozlišovací schopností.
Pro vytvoření obloukového výboje v komoře pro obloukový výboj se tlak v komoře pro obloukový výboj zpravidla udržuje v rozmezí od 1,33 do 0,133 Pa. Jestliže však tlak při použití organické sloučeniny kovu o nízkém napětí par jakožto materiálu tvořícího zdroj iontů nedosahuje výše uvedeného rozmezí, je možno nádobu, obsahující materiál tvořící zdroj iontů, zahřívat, aby se napětí par zvýšilo.
V dalším bude popsán případ, při němž se provádí implantace iontů galia za použití horké katody (typu Freeman) jakožto zdroje iontů.
Na obr. 1 je znázorněn schematický pohled v řezu částí, v níž se vytvářejí ionty, zařízení pro implantaci iontů, používaného pro provádění způsobu podle vynálezu.
Materiál, tvořící zdroj iontů, se přivádí do komory pro obloukový výboj, kde se ionizuje za vzniku svazku iontů. Při popisovaném provedení se jakožto materiálu tvořícího zdroj iontů používá trimethylgalia [GafCHJj] a jakožto pomocného plynu se používá fluoridu boritého (BF3). První válcová nádoba 3a obsahuje trimethylgalium 1 a druhá válcová nádoba 3b obsahuje fluorid boritý 2. Odpařením kapalného trimethylgalia vznikají páry la trimethylgalia. Poněvadž napětí par trimethylgalia za normální teploty (25 °C) dosahuje 26,6 kPa, přeměňuje se kapalné trimethylgalium snadno v páry při normální teplotě. Tlak plynného fluoridu boritého ve druhé válcové nádobě 3b činí přibližně 10 MPa.
Páry trimethylgalia se přivádějí do komory 8 pro obloukový výboj prvním přívodním potrubím 7a, v němž jsou upraveny první uzavírací ventil 4a, první regulátor 5a tlaku a první jehlový ventil 6a. Plynný fluorid boritý se přivádí do komory 8 pro obloukový výboj druhým přívodním potrubím 7b, v němž jsou upraveny druhý uzavírací ventil 4b, druhý regulátor 5b tlaku a druhý jehlový ventil 6b. Komora 8 pro obloukový výboj zahrnuje plášť 9, vyrobený z vodivého materiálu, a žhavicí vlákno 11 pro vysílání thermoiontů. Žhavicí vlákno 11 je upraveno tak, že prochází pláštěm 9 skrze isolační členy 10a a 10b. Každý z obou konců 12a a 12b žhavicího vlákna 11 je spojen s jedním z tyčových vodičů 13a, 13b. Konce 14a a 14b tyčových vodičů 13a a 13b jsou spojeny s (neznázorněným] zdrojem elektrického napětí pro žhavicí vlákno.
Komora 8 pro obloukový výboj je zpravidla uložena ve vakuové nádobě 9, která zahrnuje kovové válcové těleso 15, isolační desku 16, jež uzavírá otvor ve válcovém tělese 15, a víko 17 zdroje iontů kovu, které je namontováno na isolační desce 16. Tyčové vodiče 13a a 13b jsou vyvedeny vně vakuové nádoby 19 skrze isolační členy 18a a 18b.
V boční stěně pláště 9, který ohraničuje komoru 8 pro obloukový výboj, je upraven první průzor 20. Čelem к prvnímu průzoru 20 je upravena extrakční elektroda 21 tak, aby odváděla prvním průzorem 20 svazek iontů. Extrakční elektroda 21 je opatřena druhým průzorem 22, jímž prochází svazek iontů. Extrakční elektroda 21 prochází stěnou vakuové nádoby 19 skrze třetí isolační člen 23 a je spojena s vnější elektrodou 24.
V dalším budou popsány jednotlivé stupně к vytváření svazku iontů galia, přičemž ona část zařízení, v níž se vytvářejí ionty, má výše popsané uspořádání.
Vakuová nádoba 19 je vyčerpána do té míry, že v ní panuje tlak v rozmezí od 133,3 Pa do 1,3.10-4 Pa. Páry trimethylgalia a plynný fluorid boritý se do komory 8 pro obloukový výboj přivádějí odděleně prvním přívodním potrubím 7a, respektive druhým přívodním potrubím 7b. V tomto okamžiku jsou první uzavírací ventil 4a a druhý uzavírací ventil 4b otevřeny a první regulátor 5a tlaku a druhý regulátor 5b tlaku jsou nastaveny na předem zvolených hodnotách. První jehlový ventil 6a a druhý jehlový ventil 6b jsou řízeny tak, aby průtok par a průtok plynu byly konstantní. Zejména jsou oba jehlové ventily 6a a 6b ovládány tak, aby obloukový výboj v plynu probíhal v komoře 8 pro obloukový výboj stabilně. Za tímto účelem se tlak v komoře 8 pro obloukový výboj udržuje v rozmezí od 1,33 do 0,133 Pa. Páry a plyn se přivádějí výhodně tak, aby si udržovaly stejný parciální tlak. Avšak podmínky při obloukovém výboji se mohou měnit v závislosti na tlaku ve vakuové nádobě 19, na tvaru komory 8 pro obloukový výboj, na napětí oblouku a na stupni opotřebení žhavicího vlákna 11.
Páry a plyn se přivádějí v předem stanovených průtokových množstvích. Tlak v komoře 8 pro obloukový výboj se udržuje konstantní. Pak se mezi žhavicí vlákno 11 a plášť 9 přiloží napětí v rozmezí od 100 do 200 V. Když žhavicím vláknem 11 prochází proud 100 až 200 A, thermoionty vysílané žhavicím vláknem 11 narážejí na plyn v komoře 8 pro obloukový výboj. Tím dochází к iniciaci ionizace plynu. Thermionty, vyzářené žhavicím vláknem 11, a molekuly plynu, ionizované thermionty, se pohybují složitým způsobem působením elektrického obloukového pole a kruhového magnetického pole, vytvářeného proudem ze žhavicího vlákna v komoře 8 pro obloukový výboj. Přitom probíhají řetězové reakce, například rozklad molekul plynu a ionizace plynu. Následkem toho se jednotlivé skupiny molekul a atomů v komoře 8 pro obloukový výboj ionizují a zůstávají v ionizovaném stavu.
Zpravidla, jak je to znázorněno na obr. 1, se navíc používá magnetického pole v axiálním směru žhavícího vlákna 11, kteréžto pole je vytvářeno magnety 25 upravenými vně vakuové nádoby 19. Nabité částice v komoře 8 pro obloukovitý výboj se pohybují složitým způsobem, takže ionizace molekul plynu a atomů se dále zvyšuje, čímž se získá plazma o vysoké hustotě.
Poněvadž je mezi pláštěm 9 a extrakční elektrodou 21 přiloženo napětí 10 až 50 kV, je prvním průzorem 20 z komory 8 pro obloukový výboj odváděn svazek 26 iontů. Svazek 26 iontů obsahuje všechny atomy (včetně isotopů), molekuly a ionty, které vznikají rozkladem materiálu, tvořícího zdroj iontů, a pomocného plynu během obloukového výboje.
Svazek 26 iontů se pak vede do (neznázorněného) hmotového analyzátoru, kde se vyčlení pouze svazek nabitých částic, majících předem zvolené hmotové číslo. U výše popsaného provedení se hmotovým analyzátorem vyčlení pouze svazek iontů galia, majících hmotové číslo 69, který pak se z analyzátoru odvádí. Odvedený svazek iontů galia se pak urychlí nebo zpomalí na předem stanovenou energii, načež se vede do komory s terčovým vzorkem soustavou pro zaostření svazku a soustavou pro postupné přejíždění vzorku svazkem iontů. Tím se ionty galia implantují do vzorku. V popisovaném případě je dávka ozáření nastavena a ovládána vnějšími prostředky. Veškeré dráhy, jimiž svazek iontů prochází, se musí udržovat na vysokém vakuu, zpravidla na vakuu větším než 6,66 X 10-4 Pa.
Obr. 3 ukazuje časové změny proudu iontů galia (o hmotovém čísle 69), získaného při tříhodinovém testu při obvyklém způsobu, při němž se jakožto materiálu tvořícího zdroj iontů používá jodidu galitého a jakožto pomocného plynu argonu.
Obr. 4 ukazuje při rovněž tříhodinovém testu časové změny proudu iontů galia (o hmotovém čísle 69), získaného při výše popsaném provedení způsobu podle vynálezu. Oba testy se provádějí při napětí v oblouku přibližně 100 V, při proudu ve žhaveném vlákně přibližně 120 A a při extrakčním napětí přibližně 25 kV. Při druhém z uvedených testů jsou parciální tlaky plynu obsahujícího trimethylgalium a plynného fluoridu boritého v komoře pro obloukový výboj prakticky stejné. Měřeným proudem svazku iontů se rozumí hodnota, získaná při postupném přejíždění terčového vzorku svazkem iontů o průměru 10 cm. Urychlovací napětí svazku iontů je přibližně 100 keV. Jak je patrné z obr. 4, proud iontů galia, který činí na počátku testu 204 μΑ, se udržuje téměř konstantní. Po 3 hodinách sé změní na asi 201 ,uA, i když vznikají nepatrné rušivé proudy. Stabilita proudu svazku iontů dokazuje výhodnost a umožňuje snadnou aplikovatelnost při hromadné výrobě, jestliže se pro implantaci iontů použije svazku iontů, získaných způsobem podle vynálezu.
Na obr. 5 je znázorněno spektrum hmotových čísel svazku iontů získaných stejným postupem jak výše popsáno s tou výjimkou, že jakožto pomocného plynu se použije fluoridu křemičitého. Jak je z obr. 5 zřejmé, i když se jako pomocného plynu použije plynného fluoridu, křemičitého pro získání svazku iontů galia, jsou vyčleňovány s vysokou rozlišovací schopností hmotovým analyzátorem pouze ionty galia.
Při výše popsaném provedení se jako zdroje iontů používá horké katody. Alternativně lze к získání iontů kovu použít jako zdroje iontů studené katody.
Claims (7)
- PŘEDMĚT1. Způsob vytváření iontů kovu, vyznačující se tím, že se vytvoří plyn, obsahující kovový prvek, vypařením kapalné organické sloučeniny kovu, vzniklý plyn, obsahující kovový prvek, a pomocný plyn pro čištění ionizační komory se zavedou do ionizační komory, a v ionizační komoře se výbojem vytvoří ionty kovu ionizací kovového prvku.
- 2. Způsob podle bodu 1, vyznačující se tím, že jako kapalné organické sloučeniny kovu se použije látky ze skupiny, zahrnující alkylovaný kov a alkoxidovaný kov.
- 3. Způsob podle bodu 2, vyznačující se tím, že jako alkylovaného kovu se použije sloučeniny ze skupiny, zahrnující methylovaný kov a ethylovaný kov.
- 4. Způsob podle bodu 2, vyznačující seVYNALEZU tím, že jako alkoxidovaného kovu se použije sloučeniny ze skupiny, zahrnující methoxidovaný kov a ethoxidovaný kov.
- 5. Způsob podle bodu 1, vyznačující se tím, že jako pomocného plynu se použije plynu ze skupiny, zahrnující plynný fluorid, vzácný plyn, plynný vodík, plynný dusík a směsi těchto látek.
- 6. Způsob podle bodu 5, vyznačující se tím, že se použije plynného fluoridu ze skupiny, zahrnující plynný fluorid boritý, plynný fluorid křemičitý, plynný fluorid arsenitý, plynný fluorid arseničný a směsi těchto látek.
- 7. Způsob podle bodu 1, vyznačující se tím, že uvedeným výbojem je obloukový výboj.4 listy výkresů
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56082517A JPS57201527A (en) | 1981-06-01 | 1981-06-01 | Ion implantation method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS404882A2 CS404882A2 (en) | 1985-08-15 |
| CS241509B2 true CS241509B2 (en) | 1986-03-13 |
Family
ID=13776721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS824048A CS241509B2 (en) | 1981-06-01 | 1982-06-01 | Method of metal ions forming |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4496843A (cs) |
| EP (1) | EP0066288B1 (cs) |
| JP (1) | JPS57201527A (cs) |
| CS (1) | CS241509B2 (cs) |
| DE (1) | DE3274469D1 (cs) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4665315A (en) * | 1985-04-01 | 1987-05-12 | Control Data Corporation | Method and apparatus for in-situ plasma cleaning of electron beam optical systems |
| CH664768A5 (de) * | 1985-06-20 | 1988-03-31 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur beschichtung von substraten in einer vakuumkammer. |
| JPS63118074A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH0262039A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Hitachi Ltd | 多層素子の微細加工方法およびその装置 |
| US5089746A (en) * | 1989-02-14 | 1992-02-18 | Varian Associates, Inc. | Production of ion beams by chemically enhanced sputtering of solids |
| GB2308132A (en) * | 1995-12-14 | 1997-06-18 | Imperial College | Depositing films on a substrate using an electric field |
| US5972743A (en) * | 1996-12-03 | 1999-10-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for ion implantation of antimony and ion implantation process utilizing same |
| US6001172A (en) * | 1997-08-05 | 1999-12-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for the in-situ generation of dopants |
| WO1999020582A1 (en) * | 1997-10-23 | 1999-04-29 | Birken, Stephen, M. | System and method of producing pure elements from parent compounds |
| US6101816A (en) * | 1998-04-28 | 2000-08-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluid storage and dispensing system |
| KR20010039728A (ko) * | 1999-07-22 | 2001-05-15 | 가와하라 하지메 | 이온 소스 |
| US6265722B1 (en) | 1999-08-31 | 2001-07-24 | Micron Technology, Inc. | Organic field ionization source |
| JP4627916B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2011-02-09 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオン化装置 |
| TW200402769A (en) * | 2002-08-02 | 2004-02-16 | Varian Semiconductor Equipment | Removal of plasma deposited surface layers by dilution gas sputtering |
| US7129513B2 (en) * | 2004-06-02 | 2006-10-31 | Xintek, Inc. | Field emission ion source based on nanostructure-containing material |
| US7105840B2 (en) * | 2005-02-03 | 2006-09-12 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source for use in an ion implanter |
| US7655931B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-02-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for improving the performance and extending the lifetime of an ion source with gas mixing |
| US9396902B2 (en) | 2012-05-22 | 2016-07-19 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Gallium ION source and materials therefore |
| US20180247800A1 (en) * | 2017-02-28 | 2018-08-30 | International Business Machines Corporation | Gallium implantation cleaning method |
| CN112366126A (zh) * | 2020-11-11 | 2021-02-12 | 成都理工大学工程技术学院 | 一种霍尔离子源及其放电系统 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2882408A (en) * | 1946-05-21 | 1959-04-14 | Edward J Lofgren | Ion source for a calutron |
| GB1104935A (en) * | 1964-05-08 | 1968-03-06 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in or relating to a method of forming a layer of an inorganic compound |
| US3706597A (en) * | 1970-11-23 | 1972-12-19 | Ibm | Glass vapor deposition on surfaces of semiconductor elements |
| US3808035A (en) * | 1970-12-09 | 1974-04-30 | M Stelter | Deposition of single or multiple layers on substrates from dilute gas sweep to produce optical components, electro-optical components, and the like |
| DE2210742A1 (de) * | 1972-03-06 | 1973-09-20 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung von metallbzw. metallegierungs-kohlenstoff-widerstaenden |
| US4058638A (en) * | 1974-12-19 | 1977-11-15 | Texas Instruments Incorporated | Method of optical thin film coating |
| US3991228A (en) * | 1975-01-27 | 1976-11-09 | Rca Corporation | Deposition of tin oxide films on glass |
| ATA261878A (de) * | 1978-04-14 | 1979-05-15 | Ver Edelstahlwerke Ag | Verfahren zur herstellung beschichteter hart- metallkoerper |
| US4318029A (en) * | 1980-05-12 | 1982-03-02 | Hughes Aircraft Company | Liquid metal ion source |
| US4367429A (en) * | 1980-11-03 | 1983-01-04 | Hughes Aircraft Company | Alloys for liquid metal ion sources |
-
1981
- 1981-06-01 JP JP56082517A patent/JPS57201527A/ja active Granted
-
1982
- 1982-05-27 US US06/382,777 patent/US4496843A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-06-01 CS CS824048A patent/CS241509B2/cs unknown
- 1982-06-01 DE DE8282104791T patent/DE3274469D1/de not_active Expired
- 1982-06-01 EP EP82104791A patent/EP0066288B1/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4496843A (en) | 1985-01-29 |
| EP0066288A1 (en) | 1982-12-08 |
| EP0066288B1 (en) | 1986-11-26 |
| JPS611503B2 (cs) | 1986-01-17 |
| CS404882A2 (en) | 1985-08-15 |
| JPS57201527A (en) | 1982-12-10 |
| DE3274469D1 (en) | 1987-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CS241509B2 (en) | Method of metal ions forming | |
| KR100883148B1 (ko) | 이온 주입시 설비의 가동 시간을 늘리기 위한 방법과 장치 | |
| US5977552A (en) | Boron ion sources for ion implantation apparatus | |
| US8368309B2 (en) | Method and apparatus for extracting ions from an ion source for use in ion implantation | |
| CN101473073B (zh) | 半导体加工系统的清洁 | |
| US7301160B2 (en) | Ion sources | |
| US20080223409A1 (en) | Method and apparatus for extending equipment uptime in ion implantation | |
| TW200849309A (en) | Techniques for improving the performance and extending the lifetime of an ion source with gas mixing | |
| US5313067A (en) | Ion processing apparatus including plasma ion source and mass spectrometer for ion deposition, ion implantation, or isotope separation | |
| US10109488B2 (en) | Phosphorus or arsenic ion implantation utilizing enhanced source techniques | |
| KR20120040192A (ko) | 이온 소스 세정 종점 검출 | |
| KR20230163581A (ko) | 이온 주입 시스템용 사플루오르화게르마늄과 수소 혼합물 | |
| JP2009283459A (ja) | マルチモードイオン源 | |
| CN112655066B (zh) | 使用镓的离子植入工艺及设备 | |
| Ranjan et al. | Collisional detachment from atmospheric negative ions | |
| US6998626B1 (en) | Method of producing a dopant gas species | |
| US4952294A (en) | Apparatus and method for in-situ generation of dangerous polyatomic gases, including polyatomic radicals | |
| Yabe et al. | Plasma filament ion source for high current implanter | |
| JP2004139913A (ja) | イオンビーム発生装置、イオンビーム発生方法、イオン処理装置およびイオン処理方法 | |
| Lejeune et al. | Small, simple and high efficiency arsenic ion source | |
| Lehérissier et al. | Recycling effect of germanium on ECR ion source | |
| Minehara et al. | Mass spectrometric study of the negatively-charged krypton and xenon monofluorides | |
| KR100275398B1 (ko) | 제어 메카니즘에 의해 이온 주입기 소스의 수명을 연장시키는방법 | |
| Dudnikov | Surface Plasma Production of Negative Ions | |
| van Voorthuysen | New facility for simultaneous implantation and evaporation |