CS240502B1 - Wiring eliminating the influence of leakage currents and parasitic capacities on the quasi-static capacitance-voltage curve of the MIS structure - Google Patents
Wiring eliminating the influence of leakage currents and parasitic capacities on the quasi-static capacitance-voltage curve of the MIS structure Download PDFInfo
- Publication number
- CS240502B1 CS240502B1 CS825376A CS537682A CS240502B1 CS 240502 B1 CS240502 B1 CS 240502B1 CS 825376 A CS825376 A CS 825376A CS 537682 A CS537682 A CS 537682A CS 240502 B1 CS240502 B1 CS 240502B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- terminal
- voltage
- mis
- resistor
- circuit
- Prior art date
Links
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
Vynález patří do odboru elektrotechniky a rieši zapojenie odstraňujúce vplyv zvodových prúdov a parazitných kapacit na kvázistatickú kapacitno-napaťovú křivku MIS štruktúry. Jeho podstata je v tom, že generátor je cez odporovo kapacitný merací blok, cez prúdovo-napaťový převodník připojený na sumačný obvod, na ktorý je připojený ešte zapisovač.The invention belongs to the field of electrical engineering and solves the connection eliminating the influence of leakage currents and parasitic capacitances on the quasi-static capacitance-voltage curve of the MIS structure. Its essence is that the generator is connected to the summing circuit, to which a recorder is also connected, via a resistance-capacitive measuring block and a current-voltage converter.
Description
240502240502
Vynález sa týká zapojenia odstraňujúcehovplyv zvodových prúdov a parazitných ka-pacit na kvázistatickú kapacitno-napáťovúkřivku MIS štruktúry.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method for removing leakage currents and parasitic capacitances from a quasi static capacitance curve of an MIS structure.
Kvázistatický sposob merania kapacitno--napatových závislosti METAL — INSULA-TOR — SEMICOIýDUCTOR kov — izolant — — polovodič štruktúr v ďalšom umožňujev krátkom čase získat závislost diferenciál-ně] kapacity MIS štruktúry od napátia naštruktúre.Quasi-static method of measuring capacitance-voltage dependencies METAL - INSULA-TOR - SEMICOIDUCTOR metal - insulator - - semiconductor structures in the next time to obtain the dependence of differential] MIS structure capacity from stress to structure.
Princip metody spočívá v meraní maléhojednosměrného prúdu rádu 10"12 A, tečú-ceho da štruktúry ako dosledok přiložené-ho s časom lineárně narastajúceho napá-tia. V případe dostatočne pomalých zmiennapátia na štruktúre dostáváme grafickýmzáznamom prechádzajúceho prúdu a napá-tia n štruktúre t. zv. Nízkofrekvenčná ka-pacitno-napáťová závislost MIS štruktúry.Tento sposob merania nízkofrekvenčnej ka-pacitno-napáťovej závislosti MIS štruktúr jez časového i ekonomického hfadiska výhod-nější, ako meranie nízkofrekvenčnej kapa-citno-napáťovej závislosti klasickým spéso-bom, ktorý na meranie diferenciálnej ka-pacity MIS štruktúry využívá kapacitný mostpre velmi nízké frekvencie. Velkým nedo-statkom kvázistatickej metody je citlivostna ohmický prúd tečúci cez izolačný odporvzoriek. Ohmický prúd sa v případe běžné-ho usporiadania pracoviska zapisuje súčas-ne s kapacitným prúdom MIS štruktúry, atým dochádza k deformácii kapacitno-na-páťovej závislosti.The principle of the method consists in measuring a small unidirectional current of the order 10 "12A, flowing to the structure as a consequence of the attached linearly increasing voltage. In the case of sufficiently slow variations on the structure, we get a graphical recording of the passing current and the voltage n of the structure t. The low-frequency capacitance-voltage dependence of the MIS structure. This method of measuring the low-frequency capacitance-voltage dependence of the MIS structures is more advantageous in terms of time and economy than the measurement of low-frequency capacitance-voltage dependence by the classical method of measurement. The differential capacitance of the MIS structure utilizes a capacitive bridge for very low frequencies, and the ohmic current is written simultaneously with the capacitive current of the MIS structure by the large current of the quasi-static method. capacitance-to-filament dependence is distorted.
Uvedené nedostatky rieši zapojenie od-straňujúce vplyv zvodových prúdov a para-zitných kapacit na kvázistatickú kapacitno--napáťovú křivku MIS štruktúry podlá vy-nálezu, ktorého podstata je v tom, že dru-há napátová svorka generátore je připoje-ná jednak na tretiu svorku sumačného ob-vodu, jednak na prvú svorku zapisovača ajednak cez odporovo· kapacitný merací bloka cez prúdovo napáťový převodník na dru-hů svorku sumačného obvodu, pričom prvánapátová svorka generátora je připojenána prvú svorku sumačného obvodu, ktoré-ho štvrtá svorka je připojená na druhů svor-ku zapisovača. Ďalej prvá svorka sumačné-ho obvodu je připojená cez uzemněný prvýpremenný odpor a'cez druhý odpor jednakna prvý odpor a jednak na neinvertujícívstup diferenciálneho zosilňovača a ďalejtretia svorka sumačného obvodu je připo-jená cez uzemněný druhý premenný od-por, ďalej cez štvrtý odpor a jednak cezpiaty odpor na štvrtú svorku sumačného· ob-vodu a jednak na invertující vstup diferen-ciálneho zosilňovača. Výhodou zapojenia podlá vynálezu je vneustálom odpočítávání rušivých zložiek — — parazitnej kapacity a zvodového prúduod celkového prúdu a tým sa zabraňuje de-formácii kapacitno-napáťových kriviek MISštruktúry a niekofkonásobne sa zvyšujepřesnost kvázistatickej metody.The above mentioned drawbacks are solved by the connection eliminating the influence of leakage currents and capacitive capacities on the quasi-static capacitance-voltage curve of the MIS structure according to the invention, the principle of which is that the second voltage terminal of the generator is connected to the third terminal summation circuit, both to the first recorder terminal and to the resistive capacitance measuring block via the current voltage converter to the second summator terminal, the first voltage generator terminal being connected to the first summator terminal to which the fourth terminal is connected to the terminal type -ku recorder. Further, the first summation terminal is connected via a grounded first-to-ground resistor and the second resistor is a first resistor, and a non-inverting differential amplifier input, and a third resistor circuit terminal is connected via a grounded second resistor, further through a fourth resistor, and secondly. the resistor on the fourth summation terminal and on the inverting differential amplifier input. The advantage of the connection according to the invention is the constant counting of the interfering components - the parasitic capacitance and the leakage current of the total current, thus preventing the deformation of the capacitive-voltage curves of the MIS structure and increasing the accuracy of the quasi-static method several times.
Na priloženom výkrese je znázorněné za-pojenie odstraňujúce vplyv zvodových prú-dov a parazitných kapacit na kvázistatickúkapacitno-napáťovú křivku MIS štruktúry. V zapojení je druhá napátová svorka 19generátora 4 připojená jednak na tretiusvorku 3 sumačného· obvodu 15, jednak naprvú svorku x zapisovača 17 a jednak cezodporovo kapacitný merací blok 5, cez prú-dovo napáťový převodník 6 na druhů svor-ku 2 sumačného obvodu 15. Prvá napáťo-vá svorka 18 generátora 4 je připojená, naprvú svorku 1 sumačného obvodu 15, kto-rého štvrtá svorka 16 je připojená na dru-hů svorku y zapisovača 17. Ďalej prvá svorka 1 sumačného obvodu15 je připojená cez uzemněný prvý premen-ný odpor 7 a cez druhý odpor 9 jednak naprvý odpor 8 a jednak na neinvertujúcivstup diferenciálneho zosilňovača 10, kto-rého výstup je připojený na štvrtú svor-ku 16 sumačného obvodu 15, pričomdruhá svorka 2 sumačného obvodu 15 jepřipojená cez třetí odpor 11 na invertujú-ci vstup diferenciálneho zosilňovača 10 aďalej tretia svorka 3 sumačného obvodu 15je připojená cez druhý premenný odpor 14,ďalej cez štvrtý odpor 12 jednak cez piatyodpor 13 na štvrtú svorku 16 sumačného·obvodu 15, a jednak na invertujúci vstupdiferenciálneho zosilňovača 10. Úlohou obvodu je získat napatie Uvyst,ktoré je úměrné len kapacitnému prúduIcmis, tečúceho cez štruktúru MIS.In the accompanying drawing, there is shown a device for eliminating the influence of leakage currents and parasitic capacities on the quasi-static capacitance-voltage curve of the MIS structure. In the circuit, the second voltage terminal 19 of the generator 4 is connected, on the one hand, to the third terminal 3 of the summing circuit 15, on the other hand, to the other terminal x of the recorder 17 and secondly to the capacitor capacitance measuring block 5 via the current-voltage converter 6 to the terminals 2 of the summing circuit 15. First the voltage terminal 18 of the generator 4 is connected, for example, to the terminal 1 of the summation circuit 15, the fourth terminal 16 being connected to the second terminal y of the recorder 17. Further, the first terminal 1 of the summation circuit 15 is connected via a grounded first variable resistor 7 and through a second resistor 9, first, a resistor 8 and a non-inverting input of the differential amplifier 10, the output of which is connected to a fourth terminal 16 of the summing circuit 15, the second terminal 2 of the summing circuit 15 being connected via a third resistor 11 to an inverting input of the differential the amplifier 10 and then the third terminal 3 of the summing circuit 15 is connected via a second variable resistor 14, further across the quad resistor 12, first through fourth piatyodpor 13 to terminal 16 · sumačného circuit 15, and secondly to an inverting amplifier 10. The role vstupdiferenciálneho circuit is to obtain a strain of Uvyst which is proportional to only the capacitive prúduIcmis, flowing through the MIS structure.
Princip činnosti spočívá v tom, že na vý-stupnej svorke 16 sumačného obvodu 15sa udržiava napatie dané vztahomUvyst = - K2U2 - K3U3 (I) Dá sa ukázat, že pri splnění požadovanýchpodmienok pre napátia U1; U2, U3 a přeno-sové konštanty Kb K2, K3 dosiahneme správ-nu činnost zapojenia.The principle of operation is that at the output terminal 16 of the summing circuit 15, the voltage given by the relationship = U2 = K2U2 - K3U3 (I) is maintained. It can be shown that upon meeting the required conditions for voltage U1; U2, U3 and transfer constants Kb K2, K3 achieve the correct wiring activity.
Pre napatie U platí vztah: (Π)For U-tension, the following applies: (Π)
Napatie U2 je úměrné celkovému prúduštruktúry MIS a parazitnej kapacity CPAR.ný odpor 7, a cez druhý odpor 9 jednak načo· je přenosová konstanta prúdovo-napáťo-vého prevodníka 6.The voltage U2 is proportional to the total MIS structure and the parasitic capacitance CPAR resistor 7, and through the second resistor 9 is the current-to-voltage transducer transmission constant 6.
Pre napátie U2 platí: U2 = K (Irpar + Icrar + Icmis)alebo U2 = K—^- + KCRAr -¾¾ KCmisFor U2 voltage: U2 = K (Irpar + Icrar + Icmis) or U2 = K - ^ - + KCRAr -¾ KCmis
KpAR UL Úl (III)KARAR UL Úl (III)
Pre napátie U3 na vstupnej tretei svor-ke 3 sumačného obvodu 15 platí:For voltage U3 on input terminal 3 of summation circuit 15:
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS825376A CS240502B1 (en) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | Wiring eliminating the influence of leakage currents and parasitic capacities on the quasi-static capacitance-voltage curve of the MIS structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS825376A CS240502B1 (en) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | Wiring eliminating the influence of leakage currents and parasitic capacities on the quasi-static capacitance-voltage curve of the MIS structure |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CS537682A1 CS537682A1 (en) | 1985-07-16 |
CS240502B1 true CS240502B1 (en) | 1986-02-13 |
Family
ID=5398548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CS825376A CS240502B1 (en) | 1982-07-14 | 1982-07-14 | Wiring eliminating the influence of leakage currents and parasitic capacities on the quasi-static capacitance-voltage curve of the MIS structure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CS (1) | CS240502B1 (en) |
-
1982
- 1982-07-14 CS CS825376A patent/CS240502B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CS537682A1 (en) | 1985-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Cristaldi et al. | Harmonic power flow analysis for the measurement of the electric power quality | |
US3868578A (en) | Method and apparatus for electroanalysis | |
US6843137B2 (en) | Flowmeter fault detection | |
DE3200362A1 (en) | TEST DEVICE FOR DETERMINING VIBRATION PROPERTIES | |
CN212514879U (en) | Op amp test system | |
Arpaia et al. | A critical note to IEEE 1057-94 standard on hysteretic ADC dynamic testing | |
US3717566A (en) | Corrosion ratemeter | |
CN112526433A (en) | Lightning protection element tester calibration method based on timing voltage measurement method | |
CA1119253A (en) | Capacitive pick-off circuit | |
CS240502B1 (en) | Wiring eliminating the influence of leakage currents and parasitic capacities on the quasi-static capacitance-voltage curve of the MIS structure | |
CN206378535U (en) | A kind of detection platform of small resistor resistance | |
CN115560662A (en) | A PVDF piezoelectric sensor strain measurement circuit conditioning device | |
US20120197566A1 (en) | Instrumentation for measurement of capacitance and resistance at high resistance values with improved dynamic range and method for using same | |
CN219742702U (en) | Peak-hold blood sugar ac impedance measuring device | |
US4040931A (en) | Corrosion ratemeter | |
Jain et al. | Self-balancing digitizer for resistive half-bridge | |
CN207036946U (en) | A kind of current measuring device | |
RU2135987C1 (en) | Coulometric plant with controlled potential | |
US3911362A (en) | Statistical analog monitor | |
Duncan | Energy processing techniques for stress wave emission signals | |
US2791747A (en) | Computing voltmeter | |
CN214845485U (en) | High-precision measuring circuit for resistance value of M omega-level resistor | |
Sakthivel et al. | A Simple, Linear Circuit for Measuring fF Range of Capacitances with Improved Performance | |
SU550592A1 (en) | Measuring capacitors capacitors, shunted resistors | |
RU2121291C1 (en) | Device for measuring of electrodermal resistance |