CS239891B1 - Zařízení pro středěni polovodičového systému - Google Patents

Abstract

Řešení se týká středění, polovodičového systému v součástkách kotoučového tvaru, ve kterých je polovodičový systém tvořen křemíkovou deskou spájenou s první dilatační elektrodou v pouzdru s přítačnými elektrodami. Podstata středění polovodičového systému spočívá v tom, že okraj druhé dilatační elektrody nebo jeho část svým přehnutím přiléhá přes okraj horní přítlačné elektrody pouzdra. Spoj druhé dilatační elektrody s polovodičovou deskou na obvodu stykové plochy je tvořen vrstvou elastického materiálu.

Description

Vynález ae týká zařízení pro středění polovodičového systému v součástkách kotoučového tvaru, ve kterých je polovo· vodičový systém tvořen křemíkovou deskou spájenou s první dilatační elektrodou v pouzdru s přítlačnými elektrodami.

Pro dosud známé způsoby středění polovodičového systému uvnitř pouzdra s přítlačnými kontakty se používá řada konstruk* čních řešení, jako je například středící mezikroužek zhotovený z teflonu, silikonového kaučuku nebo jiné umělé hmoty, středící polovodičový systém převlečením přes okraj jedné z elektrod pouzdra. Dalším známým řešením je středění polovodičového systému distančním kroužkem zhotoveným buň z kovového materiálu,nebo z umělé hmoty, vloženým do mezery mezi polovodičový systém a těleso pouzdra a samostatné středění horní dilatační elektrody a eventuelně dalších mezivrstev z měkkého kovu tak, že tato dilatační elektroda nebo některá z mezivrstev je přesahujícím okrajem vnějšího obvodu nebo jeho částí fixována přehnutím přes okraj horní elektrody pouzdra.

Nevýhodou dosud známých variant řešení je složitost a nutnost výroby specielních dílů jako je středící nebo distanční mezikroužek. Další nevýhodou je, že v průběhu proměřování a manipulace se systémem před jeho montáží do pouzdra je třeba specielních opatření pro udržení potrefené hygieny a čistoty kontaktních ploch.

Je obtížné a technicky náročné nanášet přesné množství pasivačního materiálu na okrajovou část povrchu vysokonapěťovéh© přechodu,

239 891 což může způsobit, že pasiv_ační látka se roztěká do větší vzdálenosti od okraje polovodičového systému a dochází ke znečistění stykových přítlačných ploch pasivačním materiálem·

Uvedené nedostatky odstraňuje zařízení pro středění polovo* dicového systému v součástkách kotoučového tvaru podle vynálezů, jehož podstatou je, že okraj druhé dilatační elektrody, nebo jeho část, svým přehnutím přiléhá přes okraj horní přítlačné elektrody pouzdra* Spoj druhé dilatační elektrody s polovodičovou deskou na obvodu stykové plochy je tvořen vrstvou elastického materiálu* Spoj druhé dilatační elektrody s polovodičovou deskou je alternativně tvořen dvěma nebo více vrstvami* Druhá a každá další vrstva tvoří pasivační vrstvu povrchu přechodu PN.

Výhodou zařízení pro středění polovodičového systému podle vynálezu je jednoduchost řešení, úspory materiálu i pracnosti odstraněním distančních nebo centračních kroužků*

Dalším přínosem je zajištění vysokého stupně hygieny a čistoty kontaktních ploch v průběhu měření manipulace se systémem tím, že kontaktní plochy jsou po celou dobu měření a manipulace chráněny dilatačními elektrodami a odpadá nutnost paletizace či jiných specielních opatření. Přínosem řešení podle vynálezu je také to, že pasivační materiál nanesený na okraj systému nemůže i při nedodržení předepsaného dávkování znečistit kontaktní plochy*

Na přiloženém výkresu je příklad provedení zařízení pro stře dění polovodičového systému v součástce kotoučového tvaru podle vynálezu* Polovodičový systém tvořený křemíkovou deskou 1 spáje* nou s první dilatační elektrodou 2 je vložen v pouzdru mezi spod* ní přítlačnou elektrodou χ pouzdra a horní přítlačnou elektrodou 4 pouzdra. Mezi křemíkovou deskou 1 a horní přítlačnou elektrodou 4 pouzdra je druhá dilatační elektroda X, která středí polovodiče vý systém přehnutím přesahujícího okraje nebo části okraje druhé dilatační elektrody χ přes okraj horní přítlačné elektrody £ pouzdra a je spojena s křemíkovou deskou I na obvodu stykové ρΐββ» chy elastickým materiálem ve dvou vrstvách. První vrstva 6 elastického materiálu zajistí spojení druhé dilatační elektrody χ s křemíkovou deskou j., zatímco druhá vrstva 2. elastického materiá lu slouží k pasivaci povrchu přechodu PN*

239 891

Zařízení pro středění polovodičového systému podle vynálezu je vhodné pro výkonové diody, tyristory, rychlé tyristory, středofrekvenční a tyristory typu GATT, zpětně vodivé tyristory, výkonové tranzistory a pod.

Claims (5)

1, Zařízení pro středění polovodičového systému v součástkách kotoučového tvaru, ve kterých je polovodičový systém tvořen křemíkovou deskou spájenou s první dilatační elektrodou v pouzdru s přítlačnými elektrodami, vyznačenétím , že okraj druhé dilatační elektrody /5/ nebo jeho část svým přehnutím přiléhá přes okraj horní přítlačné elektrody /4/ pouzdra, přičemž spoj druhé dilatační elektrody /5/ s polovodičovou deskou /1/ na obvodu stykové plochy je tvořen vrstvou /6/ elastického materiálu#

2e Zařízení pro středění polovodičového systému v součástkách kotoučového tvaru podle bodu 1 ,, vyznačené tím , že spoj druhé dilatační elektrody /5/ s polovodičovou deskou /1/ je tvořen dvěma nebo více vrstvami, přičemž druhá a každá další vrstva tvoří pasivační vrstvu povrchu přechodu PN.

3. Zařízení pro středění polovodičového systému v součástkách kotoučového tvaru podle bodů 1 a 2 , vyznačené tím , že mezi horní přítlačnou elektrodu /4/ pouzdra a druhou dilatační elektrodu /5/ je vložena mezivrstva z měkkého kovu,například stříbra.

4. Zařízení pro středění polovodičového systému v součástkách kotoučového tvaru podle bodů 1 a 2 , vyznačené tím , že mezi horní přítlačnou elektrodu /4/ pouzdra a druhou dilatační elektrodu /5/ je vložena další dilatační vložka,například z molybdenu.

5. Zařízení pro středění polovodičového systému v součástkách kotoučového tvaru podle bodů 1,2 a 4 , vyznačené tím , že další dilatační vložka z molyb děnu je pokovena vrstvou niklu, stříbra nebo zlata.