CS239786B1 - Způsob vytvoření pozitivního obrazu na fotocitlivé chalkogenidové vrstvě - Google Patents
Způsob vytvoření pozitivního obrazu na fotocitlivé chalkogenidové vrstvě Download PDFInfo
- Publication number
- CS239786B1 CS239786B1 CS845656A CS565684A CS239786B1 CS 239786 B1 CS239786 B1 CS 239786B1 CS 845656 A CS845656 A CS 845656A CS 565684 A CS565684 A CS 565684A CS 239786 B1 CS239786 B1 CS 239786B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- chalcogenide layer
- positive
- creating
- positive image
- Prior art date
Links
Landscapes
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Způsob vytvoření pozitivního obrazu na fotocitlivé chalkogenidové vrstvě spočívá v tom, že se chalkogenidové vrstva před expozicí temperuje při teplotě větší než Tg - 10 °C,íkde Tg je teplota měknutí vrstvy.
Description
Využití chalkogenidových vrstev v mikroelektronice je známé. Změny fyzikálně-chemickýoh vlastností po ozáření vrstvy vedou ke změně rychlosti leptání v chemických činidlech. Důležitou charakteristikou resistů je poměr rychlostí rozpouštění ozářené a neozářené části vrstvy.
V závislosti na metodě přípravy vrstvy a na druhu leptadla lze dosáhnout negativního , i pozitivního chování vrstvy jako resistu. Exponuje-li se čerstvě napařená vrstva například o složení ASjSj a jako leptaoí roztok se· použije louh sodný, chová se vrstva jako negativní resist a poměr rychlosti rozpouštění je 1 : 5 až 15. Expozice přitom může být provedena bílým světlem dostatečné intenzity, ultrafialovým zářením, svazkem urychlených elektronů nebo iontů >nebo rentgenovým zářením.
V některých případech je však v technologii litografie pro mikroelektroniku výhodnější pozitivní maskovací proces, kdy zářením exponovaná místa jsou leptána rychleji než místa neosvětlená.
Způsob vytvoření pozitivního obrazu na fotocitlivé chalkogenidové vrstvě o složení AsSx, kde 1,1 < x< 4 podle vynálezu spočívá v tom, že se vrstva po napaření temperuje při teplotě T > Tg - 10 °c, kde Tg je teplota měknutí.
Výhoda uvedeného vynálezu spočívá v tom, že při jednom napařovacím procesu mohou být napalovány současně podložky, u nichž je vyžadován pozitivní proces s podložkami, u nichž je vyžadován negativní Eitografický proces.
Na obr. 1 je znázorněna změna negativního procesu v pozitivní pro vrstvu o složení AS2S3. Na obr. 2 je znázorněno použití chalkogenidové vrstvy jako resistu. Křivka a na obr. 1 značí negativní leptací proces, kdy rychlost leptání ozářené chalkogenidové vrstvy je nižší než rychlost leptáni vrstvy neozářené.
KÝiyka' b značí pozitivní proces, kdy rychlost leptání ozářené chalkogenidové vrstvy je vyšší než u vrstvy neozářené. Poměr obou -rychlostí je vynesen na svislé ose.
Použití chalkogenidové vrstvy jako negativního a pozitivního resistu je znázorněno na obr. 2, kde je' £ - chalkogenidové vrstva pro negativní proces, tj. netemperovaná při teplotě vyšší než Tg - 10 °C,' l - chalkogenidové vrstva temperovaná při teplotě vyšší než Tg - 10 °C, £ - vrstva Sio, ' £ - polovodičová podložka, např. křemík, £ - maska, £ - chalkogenidové vrstva pro pozitivní proces po expozici,' £ - struktura chalkogenidové vrstvy pro negativní proces po leptání,' '6 “ - struktura chalkogenidové vrstvy pro pozitivní proces po leptání,' £, '7' - odleptání části vrstvy SiO v negativním a pozitivním procesu a 8, '8 ' - struktura SiO po odstranění zbytku chalkogenidové vrstvy.
Užití vynálezu bude vysvětleno na následujících příkladech.
Přikladl
Při jednom napařovacím procesu byly napařeny 4 podložky vrstvou o tloušťce 0,6 yom z materiálu o složení As2S3· Takto získané vzorky byly označeny A, B, C a D. Vzotěk A nebyl před leptáním temperován.
Vzorek B byl temperován při teplotě 80 °C 30 min., vzorek C při 140 °C 30 min a vzorek D( při 190 °C 30 min. Všechny vzorky byly exponovány přes masku, obsahující kruhové otvory o průměru 5yum.
Po leptání, které bylo provedeno v alkalickém leptacím činidle, bylo u vzorků A, B a C pozorováno negativní zobrazení. U vzorku D, který byl temperován při 190 C, bylo zobrazení pozitivní, s poměrem leptací rychlosti pro neosvětlenou část a osvětlenou část 1 ; 2. Litografický proces jak negativní, tak pozitivní je znázorněn na obr. 2.
Příklad 2
Z materiálu o složení AsS. . byly napařeny chalkogenidové vrstvy na 3 podložky s ozna J- Z 4 Q Q čením A, B a C. Podložka A byla po napaření temperována při 100 C, podložka B při 140 C a podložka C při 200 °C.
Chalkogenidové vrstvy na podložkách A a B vykazovaly negativní zobrazení po expozici a leptání v alkalickém činidle. Vzorek C vykazoval pozitivní zobrazení.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob vytvoření pozitivního obrazu na fotocitlivé chalkogenidové vrstvě o složení AsS^, kde 1,1< x^ 4, vyznačující se tím, že se chalkogenidové vrstva před expozicí tempe ruje při teplotě větší než Tg - 10 °C, kde Tg je teplota měknutí vrstvy.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS845656A CS239786B1 (cs) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | Způsob vytvoření pozitivního obrazu na fotocitlivé chalkogenidové vrstvě |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS845656A CS239786B1 (cs) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | Způsob vytvoření pozitivního obrazu na fotocitlivé chalkogenidové vrstvě |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS565684A1 CS565684A1 (en) | 1985-06-13 |
| CS239786B1 true CS239786B1 (cs) | 1986-01-16 |
Family
ID=5401832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS845656A CS239786B1 (cs) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | Způsob vytvoření pozitivního obrazu na fotocitlivé chalkogenidové vrstvě |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS239786B1 (cs) |
-
1984
- 1984-07-23 CS CS845656A patent/CS239786B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS565684A1 (en) | 1985-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4269935A (en) | Process of doping silver image in chalcogenide layer | |
| US6678453B2 (en) | High aspect ratio patterning of glass film | |
| US4320191A (en) | Pattern-forming process | |
| JP2538728B2 (ja) | グレイ・レベル・マスクおよびその製造方法 | |
| US4155735A (en) | Electromigration method for making stained glass photomasks | |
| US3561963A (en) | Transparent mask and method for making the same | |
| US4428761A (en) | Lithographic method of making optical fibers | |
| US4575187A (en) | Optical fiber with embedded metal layer | |
| US2904432A (en) | Method of producing a photograph in glass | |
| US5266424A (en) | Method of forming pattern and method of manufacturing photomask using such method | |
| KR19990063688A (ko) | 금속 이온 함량이 낮은 4,4'-[1-[4-[1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸]페닐]에틸리덴]비스페놀 및 이로써 제조된 포토레지스트 조성물 | |
| US6058738A (en) | Method of forming glass having integral polarizing and non-polarizing regions | |
| CS239786B1 (cs) | Způsob vytvoření pozitivního obrazu na fotocitlivé chalkogenidové vrstvě | |
| EP0021719B1 (en) | Method for producing negative resist images, and resist images | |
| US5104481A (en) | Method for fabricating laser generated I.C. masks | |
| USRE31220E (en) | Electromigration method for making stained glass photomasks | |
| JPH0446346A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR910000839B1 (ko) | 정작용 감광성 내식막 조성물 및 칼라 crt 구조안에서의 광-흡수 매트릭스 형성방법 | |
| US4390592A (en) | Low temperature reduction process for photomasks | |
| US4285988A (en) | Stained glass photomasks and method of making by electrodealkalization | |
| JPS57130432A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR0167249B1 (ko) | 위상반전마스크 제조방법 | |
| US4434217A (en) | Chalcogenide product | |
| KR940007445B1 (ko) | 마스크(Mask)의 제조방법 | |
| EP0627123A4 (en) | LASER SHAPED INTEGRATED CIRCUIT MASK. |