CS239487B1 - Passivating method of product surface from molten silicon - Google Patents
Passivating method of product surface from molten silicon Download PDFInfo
- Publication number
- CS239487B1 CS239487B1 CS844382A CS438284A CS239487B1 CS 239487 B1 CS239487 B1 CS 239487B1 CS 844382 A CS844382 A CS 844382A CS 438284 A CS438284 A CS 438284A CS 239487 B1 CS239487 B1 CS 239487B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- quartz
- exposed
- fused
- alumina
- product
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title abstract description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 claims description 11
- -1 aluminum ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010431 corundum Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 3
- RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N Sulphur dioxide Chemical compound O=S=O RAHZWNYVWXNFOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- BUACSMWVFUNQET-UHFFFAOYSA-H dialuminum;trisulfate;hydrate Chemical compound O.[Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O BUACSMWVFUNQET-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCQXXBOSCBRNNT-UHFFFAOYSA-K ammonium aluminium sulfate Chemical compound [NH4+].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O LCQXXBOSCBRNNT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003337 fertilizer Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Způsob pasivace povrchu výrobků z taveného křemene, určených k teplotnímu zpracování vysoce čistého hydroxidu nebo oxidu hlinitého, zamezující znečistění zpracovávaného produktu difúzí křemíkem z nádoby z taveného křemene, čímž se spojí výhoda taveného křemene v jeho odolnosti proti náhlým změnám teploty a pasivitou korundových nádob, kde cíle je dosaženo tím, že hladký povrch výrobku z taveného křemene se nejprve vystaví působení směsi kyseliny fluorovodíkové a dusičné při teplotě 40 až 80 °C po dobu 5 až 120 min, načež se smočí ve vodném roztoku, obsahujícím 0,1 až 1 gramiont iontů hlinitých na 100 g vody při pokojové teplotě a potom se vystaví působení plynného amoniaku a konečně vyžíhá při teplotě 1 100 až 1 300 °C.A method of passivating the surface of fused products quartz for heat treatment high purity hydroxide or alumina preventing contamination of the processed product by diffusion of silicon from the fused vessel quartz, thereby combining the fused advantage quartz in its resistance to sudden changes temperature and passivation of corundum vessels, where the goal is achieved by having a smooth surface quartz product is first exposed hydrofluoric acid mixture and nitric acid at 40 to 80 ° C for a period of time 5 to 120 min, then wet in aqueous solution, containing 0.1 to 1 gram ions of ions of aluminum per 100 g of water at room temperature and then exposed to gaseous ammonia and finally annealed at 1100 to 1300 ° C.
Description
Vynález se týká způsobu pesivece povrchu výrobků z taveného křemene, určených k teplotnímu zpracování vysoce čistého hydroxidu nebo oxidu hlinitého a pro péstování monokrystalů.The present invention relates to a process for pessitizing the surface of fused quartz products for the thermal treatment of high purity hydroxide or alumina and for the crystallization of single crystals.
Při přípravě oxidu hlinitého vysoké čistoty (99,999 % Al^O^) se vychází větěinou z hlinitých solí přečištěných rekrystalizací z vodných roztoků. Nejčastěji.to bývá síran hli nitoamonný (NH^)A1(SO^)2.12 HgO, který se po vyčistění rozkládá buň tepelně v křemenných mísách při teplotě 1 100 až 1 200 °C na oxid hlinitý, nebo se působením plynného amoniaku přemění topochemickou reakcí na hydroxid hlinitý. Při prvním postupu vznikají velmi nežádoucí exhalace oxidu siřičitého a dochází k znečišťování produktu vlivem difúze křemíku z nádoby při tepelném rozkladu. Při druhém postupu je vedlejším produktem nezávadný síran hlinitoaaonný, který lze buňto recyklovat nebo využít jiným způsobem, například jako hnojivo. Vzniklý hydroxid hlinitý je třeba žíháním na teplotu 700 až 1 000 °C převést na oxid hlinitý. Toto se běžně provádí v nádobách z platiny, příp. je možná použít nádoby z čistého oxidu hlinitého. Oba materiály zajišťují dodržení vysoká čistoty žíhaného produktu, mají vSak tyto nevýhody. Platina je velmi drahé, čistý oxid hlinitý - korund je relativně také drahý a kromě toho snáSÍ pouze pozvolná zahřívání i chlazení a i tak často dochází k jeho prasknutí. Tavený křemen je podstatně levnějSí a snáší rychlé změny teploty při zahřívání i chlazení bez nebezpečí prasknutí. Při žíhání ale dochází k difúzi křemíku z nádoby do kysličníku hlinitého, který se takto znečišťuje, což působí dále nepříznivě při jeho použití pro náročné, účely, jako pro pěstování monokrystalů pro optická a laserové materiály, např. safír, řubín nebo yttritohlinitý granát. Znečištění křemíkem způsobuje vznik optických defektů a ovlivňuje nepříznivě spektrální vlastnosti monokrystalů.The preparation of high purity alumina (99.999% Al 2 O 4) usually starts from aluminum salts purified by recrystallization from aqueous solutions. HLI is Nejčastěji.to nitoamonný sulfate (NH?) A1 (SO ^) 2 .12 HgO after purification the cells for thermally decomposed in quartz dishes at temperature for 1 100-1 200 ° C for alumina, or by treatment with gaseous ammonia is converted topochemical reaction to aluminum hydroxide. In the first process, highly undesirable sulfur dioxide emissions arise and the product is contaminated by the diffusion of silicon from the vessel during thermal decomposition. In the second process, the by-product is harmless aluminum and aluminum sulphate which can be recycled or used in other ways, for example as a fertilizer. The resulting aluminum hydroxide should be converted to alumina by annealing at 700 to 1000 ° C. This is normally done in platinum or plastic containers. containers of pure alumina may be used. Both materials ensure high purity of the annealed product, but have these disadvantages. Platinum is very expensive, pure alumina - corundum is also relatively expensive, and moreover, it only tolerates gradual heating and cooling, and it often breaks. Fused silica is considerably cheaper and can withstand rapid temperature changes during heating and cooling without the risk of rupture. On ignition, however, the diffusion of silicon from the vessel into the alumina is thus contaminated, which further adversely affects its use for demanding purposes, such as the cultivation of single crystals for optical and laser materials such as sapphire, ribs or yttrium aluminum garnet. Silicon contamination causes optical defects and adversely affects the spectral properties of single crystals.
Tento nedostatek nádob z taveného křemene lze odstranit podle vynálezu způsobem pasivace povrchu výrobků z taveného křemene, určených k teplotnímu zpracování vysoce čistého hydroxidu nebo oxidu hlinitého, jehož podstata spočívá v tom, že hladký povrch výrobku z taveného křemene se nejprve vystaví působení směsi kyseliny fluorovodíkové 20 až 4 Ojíní a kyseliny dusičné 30 až 60*ní v poměru 3 : 1 až 1 : 3 objemových dílů při teplotě 40 ež 80 °C po dobu 5 až 120 min, načež se smočí ve vodném roztoku, obsahujícím 0,1 a 1 graaiont iontů hlinitých na ,00 g vody při pokojové teplotě a na to se vystaví působení plynného amoniaku a konečně vyžíhá při teplotě I 100 až 1 300 °C.This drawback of fused quartz vessels can be remedied according to the invention by a process of passivation of the surface of fused quartz products intended for the heat treatment of high purity hydroxide or alumina, characterized in that the smooth surface of the fused quartz product is first exposed to a hydrofluoric acid mixture. 30 to 60% in a ratio of 3: 1 to 1: 3 parts by volume at 40 to 80 ° C for 5 to 120 minutes, and then wetted in an aqueous solution containing 0.1 and 1 graaion. of aluminum ions per 100 g of water at room temperature and thereafter exposed to ammonia gas and finally calcined at a temperature of 100 to 1300 ° C.
Povrch taveného křemene aktivovaný působením směsi kyselin fluorovodíkové a dusičné je schopen rovnoměrně absorbovat hlinité ionty z vodného roztoku a na takto absorbované hlinité ionty působí plynný amoniak za vzniku vysoce reaktivního hydroxidu hlinitého, který v následující operaci - žíhání na 1 ,00 až 1 300 °C zreaguje s aktivním povrchem taveného křemene za vzniku ochranné mulitové vrstvy o složení 72 AlgOj 28 SiOg o tloušťce 0,1 až 10 μα. Takto upravené nádoby z taveného křemene spojují v sobě vysokou odolnost taveného křemene proti tepelným změnám s pasivitou povrchu, blížící se nádobám korundovým.The surface of the fused quartz activated by a mixture of hydrofluoric and nitric acids is able to absorb aluminum ions evenly from the aqueous solution and the thus absorbed aluminum ions are treated with gaseous ammonia to form highly reactive aluminum hydroxide, which in the following operation - annealing at 1.00 to 1300 ° C it reacts with the active surface of the fused quartz to form a protective mullite layer of 72 AlgOj 28 SiOg with a thickness of 0.1 to 10 μα. The melt quartz containers thus treated combine the high thermal change resistance of the melt quartz with the surface passivity approaching the corundum containers.
PřikladlHe did
Vnitřní povrch mísy z taveného křemene o průměru 160 mm a výšce ,00 aa a tloušťce 5 mm byl vystaven působení smšsi 2 obj. dílů kyseliny fluorovodíkové 35*ní a 1 obj. dílu kyseliny dusičné 5Q*ní při teplotě 70 °C po dobu 30 min. Potom byl povrch omyt destilovanou vodou a vysušen. Takto aktivovaný povrch byl smočen do roztoku síranu hlinitoaaonnáho, obsahujícího 0,5 gramiontů hlinitých ve 100 g vody při teplotě 21 °C podobu ,0 min. Po oschnutí bylo na povrch působeno plynným amoniakem po dobu ,0 min, načež byla nádoba vystavena zahřátí na teplotu 1 200 °C po dobu 2 hodin. Vytvořená ochranná vrstva mulitu.o tloušťce 2 gm chránila surový vysoce čistý hydroxid hlinitý při žíhání na 800 °C před znečištěním křemíkem z nádoby tak, že hotový produkt, oxid hlinitý obsahoval křemíku méně než 2 ppm.The inner surface of the fused quartz bowl with a diameter of 160 mm and a height of 00 aa and a thickness of 5 mm was exposed to a mixture of 2 parts by volume of hydrofluoric acid 35% and 1 part by volume of nitric acid 50% at 70 ° C for 30 min. The surface was then washed with distilled water and dried. The surface so activated was soaked in a solution of aluminum and aluminum sulphate containing 0.5 grams of aluminum in 100 g of water at 21 ° C for 0 min. After drying, the surface was treated with ammonia gas for 0 min and then the vessel was heated to 1200 ° C for 2 hours. The mullite protective layer formed at 2 gm protected crude high purity aluminum hydroxide at annealing at 800 ° C from contamination by silicon from the vessel so that the finished alumina product contained less than 2 ppm silicon.
Příklad 2Example 2
Vnitřní povrch kelímku z čirého taveného křemene o průměru ,00 mm a výšce 100 mm o tlouáice stěny 2 nm byl vystaven působení směsi 1 obj. dílu kyseliny fluorovodíkové 40% a 1 obj. dílu kyseliny dusičné 60%ní při teplotě 80 °C po dobu 5 min. Potom byl povrch omyt destilovanou vodou a vysušen, načež byl smočen do roztoku síranu hlinitoamonného o obsahu 0,2 gramiontu iontů hlinitých na 100 g vody při teplotě 30 °C po dobu 10 min. Po oschnutí bylo na povrch působeno plynným amoniakem po dobu 10 min a potom byl kelímek zahřát na teplotu 1 300 °C po dobu 2 hodin. Vytvořila se vrstva mulitu o tlouštce 0,5 μ·, které chránila surový vysoce čistý hydroxid hlinitý při žíháni v tomto kelímku od znečištění křemíkem difusl z kelímku tak, že vyžíhaný konečný produkt, oxid hlinitý obsahoval méně než 2 ppm křemíku.The inner surface of the clear fused silica crucible of 00 mm diameter and 100 mm height with a wall thickness of 2 nm was exposed to a mixture of 1 part by volume of 40% hydrofluoric acid and 1 part by volume of 60% nitric acid at 80 ° C for 5 min. The surface was then washed with distilled water and dried, and was then soaked in a solution of ammonium aluminum sulfate containing 0.2 gram aluminum ion per 100 g of water at 30 ° C for 10 min. After drying, the surface was treated with ammonia gas for 10 min and then the crucible was heated to 1300 ° C for 2 hours. A 0.5 µm thick mullite layer was formed which protected the crude high purity aluminum hydroxide in the crucible from annealing the silicon diffuser from the crucible so that the annealed end product, the alumina contained less than 2 ppm silicon.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS844382A CS239487B1 (en) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | Passivating method of product surface from molten silicon |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CS844382A CS239487B1 (en) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | Passivating method of product surface from molten silicon |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CS438284A1 CS438284A1 (en) | 1985-05-15 |
CS239487B1 true CS239487B1 (en) | 1986-01-16 |
Family
ID=5386446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CS844382A CS239487B1 (en) | 1984-06-11 | 1984-06-11 | Passivating method of product surface from molten silicon |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CS (1) | CS239487B1 (en) |
-
1984
- 1984-06-11 CS CS844382A patent/CS239487B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CS438284A1 (en) | 1985-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100379700C (en) | Alkaline glass having modified surface and method for producing same | |
ATE26819T1 (en) | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF CRYSTALLINE ALUMINUM. | |
JPS58176123A (en) | Superpure boehmite and pseudoboehmite and manufacture thereof | |
US4515821A (en) | Calcined silicas and their use in beer clarification | |
US3416953A (en) | Refractory fibers and method of preparing same | |
JPS63107809A (en) | Manufacture of high purity silica | |
CS239487B1 (en) | Passivating method of product surface from molten silicon | |
US4312911A (en) | Chromium oxide coated refractory fibers | |
US3116991A (en) | Desalkalinisation of glass | |
JPH0455975B2 (en) | ||
US3754980A (en) | Devitrification-resistant coating for high-silica glasses | |
SE7903250L (en) | PROCEDURE FOR PREPARING AN ALUMINUM SULPHATE SOLUTION | |
JPS62100404A (en) | Production of pulverous hexagonal boron nitride having high purity | |
JPH01176243A (en) | Production of quartz glass | |
SU1472458A1 (en) | Method of rendering hydrophobic a silica-base heat-insulating material | |
EP0019469A2 (en) | Chromium oxide coated fibres, articles made therefrom and method of coating the fibres | |
SU1723036A1 (en) | Process for purification of fluorite concentrate | |
Van De Leest et al. | Iron-silicate glassy films by sol-gel conversion induced by rapid thermal processing | |
JPS62100457A (en) | Aluminous fiber and its production | |
JPH06115931A (en) | Raw Material Alumina Powder for Bernoulli Sapphire | |
RU1556525C (en) | Method of preparing of unsaturated solid solution of sulfuric and/or carbonic acid anhydride in tetracalcium hydroaluminate | |
SU1416439A1 (en) | Method of processing gypsum into sulfur dioxide and binder | |
SU1648941A1 (en) | Method for obtaining phosphate-potash fertilizer | |
RU2049058C1 (en) | Method for production of metasilicate of lead | |
JPH08208217A (en) | Method for producing synthetic quartz glass powder and quartz glass molded body |