CS239299B1 - Production method of colloidal silicon dioxide - Google Patents
Production method of colloidal silicon dioxide Download PDFInfo
- Publication number
- CS239299B1 CS239299B1 CS842029A CS202984A CS239299B1 CS 239299 B1 CS239299 B1 CS 239299B1 CS 842029 A CS842029 A CS 842029A CS 202984 A CS202984 A CS 202984A CS 239299 B1 CS239299 B1 CS 239299B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- silicon dioxide
- colloidal silicon
- colloidal silica
- production method
- sio
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 title abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 10
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 claims 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 abstract description 3
- 150000008043 acidic salts Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229940117975 chromium trioxide Drugs 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N chromium trioxide Inorganic materials O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N chromium(6+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Cr+6] GAMDZJFZMJECOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Řešení se týká způsobu výroby koloidního kysličníku křemičitého. Tento se vyrábí tak, že se koloidní kysličník křemičitý s obsahem 25 až 34 % hmot. SÍO2, 0,1 až 0,5 % hmot. Na20 s velikostí částic 6 až 100 nm deionizuje pomocí silně kyselého katexu na kyselý sol kysličníku křemičitého a potom se alkalizuje 20 až 30% roztokem hydroxidu amonného až do pH 9 až 10,5.The present invention relates to a process for producing colloidal silicon dioxide. This is produced so that the colloidal silicon dioxide with a content of 25 to 34 wt. SiO 2, 0.1 to 0.5 wt. Na 2 O with a particle size of 6 to 100 nm deionizes with strongly acidic cation exchanger to an acidic salt of silica and then basified with 20-30% solution ammonium hydroxide up to pH 9 to 10.5.
Description
Vynález se týká způsobu výroby koloidního kysličníku křemičitého. S rozvojem moderní elektroniky jsou kladeny nové požadavky na leštění křemíkových desek používaných k výrobě polovodičů.The present invention relates to a process for the production of colloidal silica. With the advancement of modern electronics, new demands are placed on polishing the silicon wafers used in semiconductor manufacturing.
Původně používaná suspenze kysličníku chromitého byla postupně nahrazována různými typy koloidních roztoků kysličníku křemičitého. Jako výhodnější se jeví použití koloidního kysličníku křemičitého vyrobeného způsobem podle vynálezu, jehož podstata výroby spočívá v tom, že se koloidní kysličník křemičitý s obsahem 25 až 34 % hmot. Si02, 0,1 až 0,5 % hmot. Na^O, měrné hmotnosti 1 175 až 1 250 kg/m3, pH 8 až 10,5, a s velikostí částic 6 až 100 nm deionlzuje pomocí silně kyselého katexu v H+ formě na kyselý sol kysličníku křemičitého, mající pH 1,5 až 2,9 a ten se alkalizuje 20 až 30% roztokem hydroxidu amonného do pH 9 až 10,5.The originally used chromium trioxide suspension was gradually replaced by various types of colloidal silica solutions. The use of colloidal silicon dioxide produced by the process according to the invention seems to be more advantageous, the principle of which is to produce colloidal silicon dioxide having a content of 25 to 34% by weight. % SiO 2 , 0.1 to 0.5 wt. Na 2 O, specific gravity of 1175 to 1250 kg / m 3 , pH 8 to 10.5, and with a particle size of 6 to 100 nm, deionized by a strongly acid cation exchanger in H + form to an acidic silica sol having a pH of 1.5 This is basified with a 20 to 30% ammonium hydroxide solution to a pH of 9 to 10.5.
Při použití koloidního kysličníku křemičitého vyrobeného postupem podle yynálezu je dosahováno ve srovnání s doposud používanými prostředky vyššího úběru při leštění křemíkových desek.By using the colloidal silica produced by the process of the invention, a higher removal rate is achieved when polishing silicon wafers compared to the hitherto used means.
V aparaturním uspořádání je možno celý postup realizovat tak, že se koloidní kysličník křemičitý deionlzuje na katexové koloně na kyselý sol kysličníku křemičitého a ten se v nerezové nebo skleněné míchačce alkalizuje 20 až 30% roztokem hydroxidu amonného až je dosaženo pH 9 až 10,5.In the apparatus arrangement, the entire process can be carried out by deionizing the colloidal silica onto a cation exchange column on an acidic silica sol and basifying it in a stainless steel or glass mixer with a 20 to 30% ammonium hydroxide solution until a pH of 9 to 10.5 is reached.
Způsobem podle vynálezu se připraví koloidní kysličník křemičitý o složeni 25 až 34 % □The process according to the invention produces colloidal silica having a composition of 25 to 34% □
hmot. SiO2, 0,07 až 0,6 % hmot. NH^, měrné hmotnosti 1 162 až 1 240 kg/m , viskozitě 3 až 8 mPas, pH 9 až 10,5 a s velikostí částic 6 až 100 nm.wt. % SiO 2 , 0.07 to 0.6 wt. NH 4, specific gravities of 1162 to 1240 kg / m 2, viscosity of 3 to 8 mPas, pH of 9 to 10.5 and particle size of 6 to 100 nm.
< Koloidní kysličník křemičitý vyrobený tímto postupem je hlavně použitelný k leštění křemíkových desek a k úpravě grafitové suspenze používané při výrobě televizních obrazovek.The colloidal silica produced by this process is mainly useful for polishing silicon wafers and for treating the graphite slurry used in the production of television screens.
PříkladExample
Koloidní kysličník křemičitý o složení 30,56 % hmot. SiO2, 0,11 % hmot. Na20, hustotě 1 206 kg/m3, pH 9,74, velikost částic 19,5 nm byl deionizován na katexové koloně s náplní silně kyselého katexu Ostion KS v H+ formě.Colloidal silica of 30.56 wt. SiO 2 , 0.11 wt. Na 2 0, a density of 1206 kg / m 3, a pH of 9.74, a particle size of 19.5 nm was deionized on a cation exchange column with a strongly acidic cation Ostion KS in H + form.
Vznikl kyselý sol SiO2, mající pH 1,72. K 60 kg tohoto sólu přidáno za míchání 300 mlAn acidic salt of SiO 2 was formed, having a pH of 1.72. To 60 kg of this sol 300 ml was added with stirring
PŘEDMfiT VYNÁLEZUOBJECT OF THE INVENTION
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS842029A CS239299B1 (en) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | Production method of colloidal silicon dioxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS842029A CS239299B1 (en) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | Production method of colloidal silicon dioxide |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS202984A1 CS202984A1 (en) | 1985-05-15 |
| CS239299B1 true CS239299B1 (en) | 1986-01-16 |
Family
ID=5356188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS842029A CS239299B1 (en) | 1984-03-21 | 1984-03-21 | Production method of colloidal silicon dioxide |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS239299B1 (en) |
-
1984
- 1984-03-21 CS CS842029A patent/CS239299B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS202984A1 (en) | 1985-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0172951B1 (en) | Preparation of silica sols | |
| US4117093A (en) | Method of making an amorphous silicon dioxide free of metal ions | |
| JPS63233008A (en) | Method for producing non-sintered cristobalitized silica | |
| US3630954A (en) | Organic amine-strong base stabilized high surface area silica sols and method for preparing same | |
| US7140201B2 (en) | Method for producing silica particles | |
| RO82107B (en) | Process for preparing aluminosilicates with zeolitic structure | |
| JPS6212608A (en) | Silica of high purity and production thereof | |
| CS239299B1 (en) | Production method of colloidal silicon dioxide | |
| JPS61132515A (en) | Manufacture of substance | |
| US4273832A (en) | Glass article strengthened by ion exchange substitution | |
| JPS60108317A (en) | Manufacture of zsm-5 type zeolite | |
| CS239298B1 (en) | Production method of colloidal silicon dioxide | |
| JPS5258099A (en) | Process for preparing ionnexchanging amorphus sodium aluminosilicate fine particle | |
| US1609872A (en) | Process of purifying gases | |
| US3116991A (en) | Desalkalinisation of glass | |
| JP3729205B2 (en) | Composite oxide sol and process for producing the same | |
| US3822216A (en) | Acid or mineral anion stabilization of silica sols | |
| BR8405277A (en) | PROCESS FOR MANUFACTURING A DETERGENT PO | |
| SU1664745A1 (en) | Method of producing stable alkaline reversible silica sols | |
| GB1096855A (en) | Glass article and method | |
| US3582494A (en) | Method of preparing alkaline salt-free aqueous colloidal sols | |
| US1772965A (en) | Fortifying frosted-glass articles | |
| US1906163A (en) | Process of making base exchange materials for water softening | |
| US2452179A (en) | Chemical conversion of salt containing solutions | |
| JPH0274515A (en) | Production of high-purity silica |