CS239126B1 - Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče - Google Patents
Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče Download PDFInfo
- Publication number
- CS239126B1 CS239126B1 CS838897A CS889783A CS239126B1 CS 239126 B1 CS239126 B1 CS 239126B1 CS 838897 A CS838897 A CS 838897A CS 889783 A CS889783 A CS 889783A CS 239126 B1 CS239126 B1 CS 239126B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- output
- source
- circuit
- constant current
- input
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče, využívající metodu náběhu fotovodivosti. Účelem zapojeni je odstraněni nevýhod používaných obvodů, zvětšení fotodetektivity měřicího obvodu nepřesnější a rychlejší odečítání naměřených hodnot. Uvedeného účelu se dosáhne pomocí obvodu složeného z generátoru časových impulsů, spojeného s monostabilnim multivibrátorem, který je spojen s impulsním zdrojem konstantního proudu. Zdroj infračerveného záření je napájen z impulsního zdroje konstantního proudu a napěťového zdroje. Měřený monokrystal polovodiče je napájen rychlým zdrojem konstantního proudu napájeným z napěťového zdroje. Signál fotoodezvy, snímaný z ozařovaného monokrystalu polovodiče, je zesílen zesilovačem střídavého signálu a znormován voltmetrem. Doba života nositelů náboje je vyhodnocována v bloku vyhodnocení, připojenému k výstupu monostabilního multivibrátoru, zkrácením šíře budicího impulsu monostabilního multivibrátoru tak, aby hodnot* signálu na normovacím voltmetru klesla na hodnotu
Description
Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče
Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče, využívající metodu náběhu fotovodivosti. Účelem zapojeni je odstraněni nevýhod používaných obvodů, zvětšení fotodetektivity měřicího obvodu nepřesnější a rychlejší odečítání naměřených hodnot. Uvedeného účelu se dosáhne pomocí obvodu složeného z generátoru časových impulsů, spojeného s monostabilnim multivibrátorem, který je spojen s impulsním zdrojem konstantního proudu. Zdroj infračerveného záření je napájen z impulsního zdroje konstantního proudu a napěťového zdroje.
Měřený monokrystal polovodiče je napájen rychlým zdrojem konstantního proudu napájeným z napěťového zdroje. Signál fotoodezvy, snímaný z ozařovaného monokrystalu polovodiče, je zesílen zesilovačem střídavého signálu a znormován voltmetrem. Doba života nositelů náboje je vyhodnocována v bloku vyhodnocení, připojenému k výstupu monostabilního multivibrátoru, zkrácením šíře budicího impulsu monostabilního multivibrátoru tak, aby hodnot* signálu na normovacím voltmetru klesla na hodnotu
239 126 (51) Int ClA
G 01 R 31/26, G 01 R 17/00
239 126
Vynález se týká obvodu pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče.
Dosud známé obvody pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče využívající metodu doznívání fotovodivosti, používají pro zajištění rovnovážného stavu nositelů náboje napájení monokrystalu polovodiče proudem o velmi vysokém kmitočtu přibližně 200 MHz. Pak detekují signál fotoodezvy generovaný v monokrystalu polovodiče xenonovou výbojkou, zesilují jej a vyhodnocují pomocí dvou úrovňových klopných obvodů. Získaným rozdílem časůjodpovídajícím měřené době života nositelů nábojejhradlují dekadický oscilátor. Počet výstupních impulsů odpovídá měřené době, která je vyhodnocena čítačem.
Nevýhodou tohoto obvodu je nutnost použití generátoru velmi vysokého kmitočtu a nízké využití záření používané výbojky, protože pouze nepatrná část výstupního spektra záření se nachází v účinné infračervené oblasti. Další nevýhodou je použití rychlých úrovňových komparátorů a čítače. Další obvody využívající metodu náběhu fotovodivosti používají k vyhodnocení doby života nositelů náboje osciloskopu. Nevýhodou je pomalé, obtížné a nepřesné odečítání ze stínítka obrazovky.
239 126
Výše uvedené nedostatky odstraňuje obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče využívající metodu náběhu fotovodivosti, jehož podstatou je, že výstup generátoru časových impulsů je spojen se vstupem monostabilního mjiltivibrátorus jehož výstup je spojen se vstupem bloku.vyhodnocení a se vstupem impulsního zdroje konstantního proudu· Jeho výstup je spojen s prvním vstupem zdroje infračerveného záření, jehož druhý vstup je spojen s výstupem napěťového zdroje· Výstup zdroje konstantního proudu je připojen jednak k prvnímu kontaktu monokrystalu polovodiče, jehož druhý kontakt je připojen k výstupu napěťového zdroje a jednak ke «
vstupu zesilovače střídavého signálu· Jeho výstup je připojen k normovacímu voltmetru,
U obvodu podle vynálezu odpadá nutnost použití generátoru velmi vysokého kmitočtu, je možnost použití nižšího napětí pro napájení měřicího obvodu monokrystalu polovodiče, je dosaženo vyšší fotodetektivity měřicího obvodu při malých signálech fotoodezvy a přesnějšího a rychlejšího odečítání naměřené hodnoty. Další výhodou je možnost měření fotokonduktivity monokrystalu polovodiče ze změny fotovodivosti ozářením.
Na připojeném výkresu je znázorněn obvod podle vynálezu v blokovém zapojení.
Konkrétní provedení
Výstup 2 generátoru 1 časových impulsů je připojen ke vstupu £ monostabilního multivibrátoru 2« Jeho výstup 2 připojen jednak ke vstupu 2 impulsního zdroje 8 konstantního proudu a jednak ke vstupuj^ bloku 6 vyhodnocení. Výstup 10 impulsního zdroje 8 konstantního proudu je připojen k prvnímu vstupu 12 zdroje 11 infračerveného záření, jehož druhý vstup 13 je připojen k vstupu 12 napěťového zdroje 14 0 Výstup 17 zdroje 16 konstantního proudu je připojen jednak ke vstupu 27 zesilovače 23 střídavého signálu a jednak k prvnímu kontaktu 18 monokrystalu®polovodiče.
Jeho druhý kontakt 20 je připojen k výstupu 22 napěťového zdroje 21, Výstup 24 zesilovače 23 střídavého signálu je připojen ke vstupu 26 normovacího voltmetru 25«
Měřený monokrystal^polovodiče. je periodicky ozařován zdrojem 11 infračerveného záření s obdélníkovým tvarem průběhu impulsu zářivého toku. Zdroj 11 infračerveného záření je tvořen do serie
239 128 zapojenými elektroluminiscenčními diodami, pracujícími v infračervené oblasti spektra a je napájen z impulsního zdroje 8 konstantního proudue Tento je buzen z monostabilního multivibrátoru 2 s proměnnou šířkou výstupního impulsu a je spouštěn periodicky generátorem 1 časových impulsů.
Z monokrystaluj?polovodiče je odebírán střídavý signál odezva a zesílen zesilovačem střídavého signálu s proměnným zeeíleníyi na normovanou hodnotu amplitudy, která je indikována nortnova.cimvoltmetrem 25. Změnou šíře budicího impulsu z monostabilního multivibrátoru 2 P^i současném poklesu amplitudy znormovaného střídavého signálu z monokrystalu^polovodiče na hodnotu (J/v· je dosaženo shody mezi šířkou budicího impulsu na výstupu 2 monostabilního multivibrátoru 2 a měřenou efektivní dobou života minoritních nositelů náboje v monokrystalvdípolovodič^. Šířka budícího impulsu na výstupu 2. monostabilního multivibrátoru 2 Óe vyhodnocena v bloku 6 vyhodnocení tvořeném voltmetrem, případně čítačem.
Obvod· podle vynálezu je vhodný pro použití v mezioperačních kontrolách. Kromě měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče, umožňuje měřit i jeho citlivost na změnu fotovodivosti ozářením.
Claims (1)
- Předmět vynálezu239 126Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče, kde výstup generátoru časových impulsů je spojen se vstupem monostabilního multivibrátoru, jehož výstup je spojen se vstupem impulsního zdroje konstantního proudu, jehož výstup je spojen s prvním vstupem zdroje infračerveného záření a druhý vstup zdroje infračerveného záření je spojen s výstupem napěťového zdroje, dále výstup zdroje stejnosměrného konstantního proudu je spojen s prvním kontaktem monokrystalu polovodiče, jehož druhý kontakt je spojen s výstupem napěťového zdroje, vyznačený tím , že výstup /17/ zdroje /16/ konstantního proudu a první kontakt /1Š/ monokrystalt4$>olovodiče je připojen ke vstupu /27/ zesilovače /23/ střídavého signálu, jehož výstup /24/ je připojen ke vstupu /26/ normovacího voltmetru /25/, přičemž k výstupu /5/ monostabilního multivibrátoru /3/ je připojen vstup /7/ bloku/^yhodnocení.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS838897A CS239126B1 (cs) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS838897A CS239126B1 (cs) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS889783A1 CS889783A1 (en) | 1985-05-15 |
| CS239126B1 true CS239126B1 (cs) | 1985-12-16 |
Family
ID=5440167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS838897A CS239126B1 (cs) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS239126B1 (cs) |
-
1983
- 1983-11-29 CS CS838897A patent/CS239126B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS889783A1 (en) | 1985-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE29918E (en) | Contactless LSI junction leakage testing method | |
| EP0041858B1 (en) | Method and apparatus for deep level transient spectroscopy scanning | |
| US3919639A (en) | Method for determining the carrier lifetime of a crystal | |
| CS239126B1 (cs) | Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče | |
| US3808521A (en) | Device including reference voltage and comparator means for measuring earth resistance | |
| US4090132A (en) | Measurement of excess carrier lifetime in semiconductor devices | |
| US2833932A (en) | Portable high-sensitivity radiation measuring circuit | |
| EP0117259B1 (en) | A method for determining charged energy states of semiconductor or insulator materials by using deep level transient spectroscopy, and an apparatus for carrying out the method | |
| RU66052U1 (ru) | Устройство для измерения фототока | |
| SU428314A1 (ru) | Устройство для измерения параметров полупроводниковых приборов с s-образной характеристикой | |
| CS236739B1 (cs) | Obvod pro měření relaxační doby nerovnovážných nositelů náboje v monokrystalu polovodiče | |
| SU1170376A1 (ru) | Устройство дл измерени нестабильности сопротивлени электрических контактов | |
| SU1092436A1 (ru) | Способ определени времени жизни неосновных носителей зар да в полупроводниковых приборах с @ - @ переходами | |
| Bushnin et al. | Pulse-height encoders for the analysis of a large counter system | |
| SU119270A1 (ru) | Способ определени дифференциальной крутизны вольтамперной характеристики полупроводникового выпр мител и устройство дл осуществлени этого способа | |
| SU1693571A1 (ru) | Часы-дозиметр | |
| SU1490614A1 (ru) | Феррозондовый дефектоскоп | |
| SU1442939A1 (ru) | Измеритель длительности искры | |
| SU1679210A1 (ru) | Преобразователь освещенность-частота | |
| SU532064A1 (ru) | Устройство дл измерени характеристик лавинного фотодиода | |
| RU2019890C1 (ru) | Способ определения электрофизических параметров неравновесных носителей заряда в подложках диодных структур | |
| RU2023241C1 (ru) | Способ измерения энергии оптических сигналов | |
| JP3120205B2 (ja) | 周期および平均電流測定装置 | |
| SU809035A1 (ru) | Измеритель временных интервалов | |
| SU571774A1 (ru) | Устройство дл измерени динамических параметров электронных блоков |