CS239126B1 - Minority charge carrier service lifte measuring circuit in semiconductor single crystal - Google Patents
Minority charge carrier service lifte measuring circuit in semiconductor single crystal Download PDFInfo
- Publication number
- CS239126B1 CS239126B1 CS838897A CS889783A CS239126B1 CS 239126 B1 CS239126 B1 CS 239126B1 CS 838897 A CS838897 A CS 838897A CS 889783 A CS889783 A CS 889783A CS 239126 B1 CS239126 B1 CS 239126B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- single crystal
- output
- source
- input
- monostable multivibrator
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012369 In process control Methods 0.000 description 1
- 238000010965 in-process control Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče, využívající metodu náběhu fotovodivosti. Účelem zapojeni je odstraněni nevýhod používaných obvodů, zvětšení fotodetektivity měřicího obvodu nepřesnější a rychlejší odečítání naměřených hodnot. Uvedeného účelu se dosáhne pomocí obvodu složeného z generátoru časových impulsů, spojeného s monostabilnim multivibrátorem, který je spojen s impulsním zdrojem konstantního proudu. Zdroj infračerveného záření je napájen z impulsního zdroje konstantního proudu a napěťového zdroje. Měřený monokrystal polovodiče je napájen rychlým zdrojem konstantního proudu napájeným z napěťového zdroje. Signál fotoodezvy, snímaný z ozařovaného monokrystalu polovodiče, je zesílen zesilovačem střídavého signálu a znormován voltmetrem. Doba života nositelů náboje je vyhodnocována v bloku vyhodnocení, připojenému k výstupu monostabilního multivibrátoru, zkrácením šíře budicího impulsu monostabilního multivibrátoru tak, aby hodnot* signálu na normovacím voltmetru klesla na hodnotuCircuit to measure minority life charge carriers in semiconductor single crystal using a method of photoconductivity. The purpose of engagement is to eliminate disadvantages used circuits, increase photodetectivity measuring circuit inaccurate and faster reading of measured values. This purpose is achieved by means of a circuit composed of a time pulse generator associated with a monostable multivibrator, which is connected to a constant pulse source current. Infrared Source the radiation is fed from a constant pulse source current and voltage source. The measured single crystal semiconductor is powered fast constant current source powered from a voltage source. Photo response signal scanned from the irradiated single crystal semiconductors, is amplified by an amplifier alternating signal and normalized by a voltmeter. The life of the charge carriers is evaluated in the evaluation block connected to the output monostable multivibrator, truncated excitation pulse width monostable multivibrator so that the * signal values on the voltmeter has dropped to a value
Description
Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodičeCircuit for measuring the life time of minor charge carriers in a single crystal semiconductor
Obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče, využívající metodu náběhu fotovodivosti. Účelem zapojeni je odstraněni nevýhod používaných obvodů, zvětšení fotodetektivity měřicího obvodu nepřesnější a rychlejší odečítání naměřených hodnot. Uvedeného účelu se dosáhne pomocí obvodu složeného z generátoru časových impulsů, spojeného s monostabilnim multivibrátorem, který je spojen s impulsním zdrojem konstantního proudu. Zdroj infračerveného záření je napájen z impulsního zdroje konstantního proudu a napěťového zdroje.Circuit for measuring the life time of minor charge carriers in a single crystal semiconductor, using the method of photoconductivity rise. The purpose of the wiring is to eliminate the disadvantages of the circuits used, to increase the photodetectivity of the measuring circuit, to make more accurate and faster readings of the measured values. This is accomplished by a circuit consisting of a time pulse generator coupled to a monostable multivibrator that is coupled to a constant current pulse source. The infrared source is powered from a constant current pulse source and a voltage source.
Měřený monokrystal polovodiče je napájen rychlým zdrojem konstantního proudu napájeným z napěťového zdroje. Signál fotoodezvy, snímaný z ozařovaného monokrystalu polovodiče, je zesílen zesilovačem střídavého signálu a znormován voltmetrem. Doba života nositelů náboje je vyhodnocována v bloku vyhodnocení, připojenému k výstupu monostabilního multivibrátoru, zkrácením šíře budicího impulsu monostabilního multivibrátoru tak, aby hodnot* signálu na normovacím voltmetru klesla na hodnotuThe measured single crystal of the semiconductor is fed by a fast constant current source fed from a voltage source. The photo response signal sensed from the irradiated single crystal of the semiconductor is amplified by an AC signal amplifier and normalized by a voltmeter. The life time of the charge carriers is evaluated in the evaluation block connected to the monostable multivibrator output by shortening the excitation pulse width of the monostable multivibrator so that the signal value * on the standard voltmeter drops to
239 126 (51) Int ClA239 126 (51) Int ClA
G 01 R 31/26, G 01 R 17/00G01R 31/26, G01R 17/00
239 126239 126
Vynález se týká obvodu pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče.The invention relates to a circuit for measuring the life time of minor charge carriers in a single crystal semiconductor.
Dosud známé obvody pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče využívající metodu doznívání fotovodivosti, používají pro zajištění rovnovážného stavu nositelů náboje napájení monokrystalu polovodiče proudem o velmi vysokém kmitočtu přibližně 200 MHz. Pak detekují signál fotoodezvy generovaný v monokrystalu polovodiče xenonovou výbojkou, zesilují jej a vyhodnocují pomocí dvou úrovňových klopných obvodů. Získaným rozdílem časůjodpovídajícím měřené době života nositelů nábojejhradlují dekadický oscilátor. Počet výstupních impulsů odpovídá měřené době, která je vyhodnocena čítačem.The prior art circuits for measuring the life time of minor charge carriers in a semiconductor single crystal using the photoconductivity decay method use a power supply of a very high frequency of approximately 200 MHz to provide the semiconductor single charge crystal power state. They then detect the photo response signal generated in the semiconductor single crystal by a xenon lamp, amplifying it and evaluating it using two level flip-flops. The difference in time corresponding to the measured lifetime of the wearers is to charge the decadic oscillator. The number of output pulses corresponds to the measured time, which is evaluated by a counter.
Nevýhodou tohoto obvodu je nutnost použití generátoru velmi vysokého kmitočtu a nízké využití záření používané výbojky, protože pouze nepatrná část výstupního spektra záření se nachází v účinné infračervené oblasti. Další nevýhodou je použití rychlých úrovňových komparátorů a čítače. Další obvody využívající metodu náběhu fotovodivosti používají k vyhodnocení doby života nositelů náboje osciloskopu. Nevýhodou je pomalé, obtížné a nepřesné odečítání ze stínítka obrazovky.The disadvantage of this circuit is the necessity of using a very high frequency generator and low radiation utilization of the discharge lamp used, since only a small part of the output spectrum of radiation is in the effective infrared range. Another disadvantage is the use of fast level comparators and counters. Other circuits using the photoconductivity start-up method use an oscilloscope to assess the lifetime of the charge carriers. The disadvantage is slow, difficult and inaccurate reading from the screen.
239 126239 126
Výše uvedené nedostatky odstraňuje obvod pro měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče využívající metodu náběhu fotovodivosti, jehož podstatou je, že výstup generátoru časových impulsů je spojen se vstupem monostabilního mjiltivibrátorus jehož výstup je spojen se vstupem bloku.vyhodnocení a se vstupem impulsního zdroje konstantního proudu· Jeho výstup je spojen s prvním vstupem zdroje infračerveného záření, jehož druhý vstup je spojen s výstupem napěťového zdroje· Výstup zdroje konstantního proudu je připojen jednak k prvnímu kontaktu monokrystalu polovodiče, jehož druhý kontakt je připojen k výstupu napěťového zdroje a jednak ke «Solves the circuit for measuring the lifetime of minority charge carriers in the semiconductor single crystal using the method of attack photoconductivity, which is characterized in that the output of the timing pulses is connected to the input of a monostable mjiltivibrátoru whose output is connected to the input and to the input bloku.vyhodnocení impulse source constant current · Its output is connected to the first input of the infrared source whose second input is connected to the output of the voltage source · The output of the constant current source is connected both to the first contact of the semiconductor single crystal, the second contact is connected to the output of the voltage source
vstupu zesilovače střídavého signálu· Jeho výstup je připojen k normovacímu voltmetru,AC amplifier input · Its output is connected to a standard voltmeter,
U obvodu podle vynálezu odpadá nutnost použití generátoru velmi vysokého kmitočtu, je možnost použití nižšího napětí pro napájení měřicího obvodu monokrystalu polovodiče, je dosaženo vyšší fotodetektivity měřicího obvodu při malých signálech fotoodezvy a přesnějšího a rychlejšího odečítání naměřené hodnoty. Další výhodou je možnost měření fotokonduktivity monokrystalu polovodiče ze změny fotovodivosti ozářením.In the circuit according to the invention, there is no need to use a very high frequency generator, the possibility of using a lower voltage to power the semiconductor single crystal measuring circuit, achieving a higher photodetectivity of the measuring circuit with small photo response signals and more accurate and faster reading. Another advantage is the possibility of measuring the photoconductivity of a single crystal of a semiconductor from the change of the photoconductivity by irradiation.
Na připojeném výkresu je znázorněn obvod podle vynálezu v blokovém zapojení.In the attached drawing, the circuit according to the invention is shown in block connection.
Konkrétní provedeníSpecific embodiments
Výstup 2 generátoru 1 časových impulsů je připojen ke vstupu £ monostabilního multivibrátoru 2« Jeho výstup 2 připojen jednak ke vstupu 2 impulsního zdroje 8 konstantního proudu a jednak ke vstupuj^ bloku 6 vyhodnocení. Výstup 10 impulsního zdroje 8 konstantního proudu je připojen k prvnímu vstupu 12 zdroje 11 infračerveného záření, jehož druhý vstup 13 je připojen k vstupu 12 napěťového zdroje 14 0 Výstup 17 zdroje 16 konstantního proudu je připojen jednak ke vstupu 27 zesilovače 23 střídavého signálu a jednak k prvnímu kontaktu 18 monokrystalu®polovodiče.The output 2 of the time pulse generator 1 is connected to the input 6 of the monostable multivibrator 2. Output 10 of pulse supply 8 constant current is connected to the first input 12 of source 11 of infrared radiation, the second input 13 is connected to input 12 of voltage source 14 0, the output 17 of source 16 of constant current is connected both to the input 27 of the amplifier 23 of the AC signal and, secondly the first contact 18 of the single crystal 18 semiconductor.
Jeho druhý kontakt 20 je připojen k výstupu 22 napěťového zdroje 21, Výstup 24 zesilovače 23 střídavého signálu je připojen ke vstupu 26 normovacího voltmetru 25«Its second contact 20 is connected to the output 22 of the power supply 21, the output 24 of the AC amplifier 23 is connected to the input 26 of the standard voltmeter 25 ".
Měřený monokrystal^polovodiče. je periodicky ozařován zdrojem 11 infračerveného záření s obdélníkovým tvarem průběhu impulsu zářivého toku. Zdroj 11 infračerveného záření je tvořen do serieMeasured single crystal of semiconductor. it is periodically irradiated by an infrared radiation source 11 having a rectangular shape of the radiation flow waveform. The infrared radiation source 11 is formed in series
239 128 zapojenými elektroluminiscenčními diodami, pracujícími v infračervené oblasti spektra a je napájen z impulsního zdroje 8 konstantního proudue Tento je buzen z monostabilního multivibrátoru 2 s proměnnou šířkou výstupního impulsu a je spouštěn periodicky generátorem 1 časových impulsů.239,128 connected electroluminescent diodes operating in the infrared and is supplied from the pulse source 8 Constant current e This is driven by a monostable multivibrator 2, the variable width output pulse is triggered periodically pulse generator one time.
Z monokrystaluj?polovodiče je odebírán střídavý signál odezva a zesílen zesilovačem střídavého signálu s proměnným zeeíleníyi na normovanou hodnotu amplitudy, která je indikována nortnova.cimvoltmetrem 25. Změnou šíře budicího impulsu z monostabilního multivibrátoru 2 P^i současném poklesu amplitudy znormovaného střídavého signálu z monokrystalu^polovodiče na hodnotu (J/v· je dosaženo shody mezi šířkou budicího impulsu na výstupu 2 monostabilního multivibrátoru 2 a měřenou efektivní dobou života minoritních nositelů náboje v monokrystalvdípolovodič^. Šířka budícího impulsu na výstupu 2. monostabilního multivibrátoru 2 Óe vyhodnocena v bloku 6 vyhodnocení tvořeném voltmetrem, případně čítačem.An AC response signal is taken from the monocrystalline semiconductor and amplified by an AC amplifier with variable gain to a normalized amplitude value indicated by a nortimum 25 volt. semiconductors value (J / V · consensus is achieved between the width of the excitation pulse at the output of two monostable multivibrator 2 and the measured effective lifetime of minority charge carriers in monokrystalvdípolovodič ^. the width of the excitation pulse at the output of the second monostable multivibrator 2 o e is evaluated in evaluation block 6 consisting of a voltmeter or a counter.
Obvod· podle vynálezu je vhodný pro použití v mezioperačních kontrolách. Kromě měření doby života minoritních nositelů náboje v monokrystalu polovodiče, umožňuje měřit i jeho citlivost na změnu fotovodivosti ozářením.The circuit according to the invention is suitable for use in in-process controls. In addition to measuring the life time of minor charge carriers in a single-crystal semiconductor, it also allows to measure its sensitivity to the change in photoconductivity by irradiation.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS838897A CS239126B1 (en) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | Minority charge carrier service lifte measuring circuit in semiconductor single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS838897A CS239126B1 (en) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | Minority charge carrier service lifte measuring circuit in semiconductor single crystal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS889783A1 CS889783A1 (en) | 1985-05-15 |
| CS239126B1 true CS239126B1 (en) | 1985-12-16 |
Family
ID=5440167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS838897A CS239126B1 (en) | 1983-11-29 | 1983-11-29 | Minority charge carrier service lifte measuring circuit in semiconductor single crystal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS239126B1 (en) |
-
1983
- 1983-11-29 CS CS838897A patent/CS239126B1/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS889783A1 (en) | 1985-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE29918E (en) | Contactless LSI junction leakage testing method | |
| SU1669407A3 (en) | Method of determining electrically active dopants in semiconductor junction structures | |
| KR940010363A (en) | Photoelectric conversion system | |
| EP0041858B1 (en) | Method and apparatus for deep level transient spectroscopy scanning | |
| US3919639A (en) | Method for determining the carrier lifetime of a crystal | |
| CS239126B1 (en) | Minority charge carrier service lifte measuring circuit in semiconductor single crystal | |
| US3676767A (en) | Device for automatically identifying unknown transistors | |
| US4090132A (en) | Measurement of excess carrier lifetime in semiconductor devices | |
| US2833932A (en) | Portable high-sensitivity radiation measuring circuit | |
| CS236739B1 (en) | Mesuring circuit for relaxation time of unbalance charge carriers | |
| RU2636256C2 (en) | Method for measuring power and frequency of laser radiation pulses and device for its implementation | |
| RU66052U1 (en) | DEVICE FOR PHOTO MEASUREMENT | |
| SU119270A1 (en) | The method for determining the differential slope of the current-voltage characteristic of a semiconductor rectifier and a device for implementing this method | |
| SU1170376A1 (en) | Device for measuring instability of electric contast resistance | |
| SU1490614A1 (en) | Probe-type magnetic field flaw detector | |
| RU2019890C1 (en) | Method of determining electro-physical parameters of non-equilibrium carriers in substrates of diode structures | |
| SU809035A1 (en) | Time interval meter | |
| SU1679210A1 (en) | Illumination-to-frequency converter | |
| SU1693571A1 (en) | Clock-dosimeter | |
| SU1442939A1 (en) | Spark duration meter | |
| SU382983A1 (en) | AUTOMATIC TEST DEVICE | |
| RU2023241C1 (en) | Method of measurement of energy of optical signals | |
| SU1028204A1 (en) | Method for measuring coefficient of bipolar diffusion of non-equilibrum charge carriers in semiconductors | |
| SU1765709A1 (en) | Level meter | |
| SU491907A1 (en) | Acoustic Well Equipment |