CS233017B1 - Způsob vytvoření kontaktní vrstvy molybdenových dilatačních elektrod výkonových polovodičových součástek - Google Patents
Způsob vytvoření kontaktní vrstvy molybdenových dilatačních elektrod výkonových polovodičových součástek Download PDFInfo
- Publication number
- CS233017B1 CS233017B1 CS700583A CS700583A CS233017B1 CS 233017 B1 CS233017 B1 CS 233017B1 CS 700583 A CS700583 A CS 700583A CS 700583 A CS700583 A CS 700583A CS 233017 B1 CS233017 B1 CS 233017B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- layer
- silver
- molybdenum
- electrodes
- thickness
- Prior art date
Links
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Účelem vynálezu je výrazná úspora stříbra a snížení pracnosti při výrobě kontaktní vrstvy molybdenových dilatačních elektrod při zachování jejich požadovaných vlastností. Uvedeného účelu se dosáhne tím, že se molybdenová elektroda opatří vrstvou niklu tloušťky 0,5 až 3 /um, na kterou se nanese první vrstva stříbra tloušťky , až 3 (um. Po jejím zažíhnutí se tato vrstva opatří druhou vrstvou stříbra tloušťky 6 až 10 (um a za- žíhne. Pro zlepšení mechanických vlastností je možno první vrsjvu stříbra opatřit vrstvou mědi tlouštky maximálně 1 /um
Description
(54) Způsob vytvoření kontaktní vrstvy molybdenových dilatačních elektrod výkonových polovodičových součástek
Účelem vynálezu je výrazná úspora stříbra a snížení pracnosti při výrobě kontaktní vrstvy molybdenových dilatačních elektrod při zachování jejich požadovaných vlastností.
Uvedeného účelu se dosáhne tím, že se molybdenová elektroda opatří vrstvou niklu tloušťky 0,5 až 3 /um, na kterou se nanese první vrstva stříbra tloušťky , až 3 (um. Po jejím zažíhnutí se tato vrstva opatří druhou vrstvou stříbra tloušťky 6 až 10 (um a zažíhne. Pro zlepšení mechanických vlastností je možno první vrsjvu stříbra opatřit vrstvou mědi tlouštky maximálně 1 /um.
i
Vynález se týké způsobu vytvoření kontaktní vrstvy molybdenových dilatačních elektrod výkonových polovodičových součástek.
Výkonové polovodičové součástky jsou složeny z křemíkové desky s vytvořenou polovodičovou strukturou, která je připéjena k jedná nebo dvěma dilatačním elektrodám, přičemž celý polovodičový systém je umístěn a fixován v hermeticky uzavřeném pouzdře. Kontaktní vrstvy dilatačních elektrod zprostředkovávají spojení s vývody pouzdra a jejich vlastnosti pak zásadním způsobem ovlivňují tepelná, elektrická a mechanická vlastnosti polovodičového systému a tím celá součástky. Nejdúležitějšími požedavky na kontaktní vrstvy dilatačních elektrod jsou nízký elektrický a tepelný odpor, časová stálost, odolnost proti koroznímu prostředí, dobrá edheze k materiálu elektrody, případně dobrá péjitelnost.
Dosud známý způsob vytvoření kontaktní vrstvy spočíval ve vytvoření vrstvy stříbra tloušíky 100 až 200 /um na dilatační elektrodě plátováním, Na předem pokovenou dilatační elektrodu se v redukční atmosféře nalegovala fólie slitiny AgGe3 při teplotě 900 °C. Povrch takto vytvořené kontaktní vrstvy byl značně nerovný a bylo nezbytné ho mechanicky opracovat.
Tento způsob byl pracný a ekonomicky nevýhodný, protože docházelo ke značné spotřebě stříbra. Dalěí používaný způsob spočíval v opatření dilatační elektrody vrstvou niklu tloušíky 1 μκ, na kterou byla nanesena vrstva stříbra tloušíky 5 pm s následným zažíhnutlm v redukční atmosféře při teplotě 900 °C.
Nevýhodou byla poměrně tenká vrstva stříbra, která nezajiětovala požadavek několikanásobného pájení kontaktu, zvláětě u velkoplošných součástek. Zvýšení tlouěíky vrstvy stříbra nebylo možné, vzhledem k výraznému snížení přilnavosti vrstev k molybdenu.
Výše uvedené nedostatky odstraňuje způsob vytvoření kontaktní vrstvy molybdenových dilatačních elektrod výkonových polovodičových součástek podle vynálezu, jehož podstatou je že se molybdenové dilatační elektroda po očištění opatří vrstvou niklu tlouštky 0,5 až 3 jpm·
Na tuto vrstvu se nanese první vrstva stříbra tlouštky 1 až 3 |um zažíhnutá ve vakuu, případně v inertní či redukční atmosféře při teplotě 700 až 930 °C s prodlevou maximálně 60 min. Takto vytvořená vrstvě se po očištění opatří druhou vrstvou stříbra tlouštky 6 až 10 [um a zažíhne ve vakuu, případně inertní či redukční atmosféře při teplotě 700 až 93θ °C s prodlevou maximálně 60 min. Mezi první a druhou vrstvou stříbra je možno před nebo po jejím zažílinutí vytvořit vrstvu mědi tlouštky maximálně j (um.
Způsob vytvoření kontaktní vrstvy podle vynálezu výrazně snižuje spotřebu stříbra a pracnost při její výrobě při zachování všech požadavků na kontaktní vrstvy dilatačních elektrod, tj, nízkého elektrického a tepleného odporu, odolnosti proti koroznímu prostředí, dobré edheze k materiálu elektrody a dobré pájitelhosti.
Příklad konktérního provedení
Molybdenová dilatační elektroda se poběžném očištění opatří vrstvou niklu tloušťky 1 (um. Na tuto vrstvu se nanese první vrstva stříbra tlouěíky 3 |um, která se zažíhne v redukční atmosféře při teplotě 900 °C po dobu 30 min. Po očištění se opatří druhou vrstvou stříbra tlouštky 8 /um a opět zažíhne v redukční atmosféře při teplotě 900 °C po dobu 30 min.
U polovodičových součástek silně mechanicky namáhaných v provozu je možno první vrstvu stříbra opatřit vrstvou mědi tloušíky 0,2 (um a zažíhnout v inertní atmosféře při teplotě 750 °C po dobu 30 min. Po očištění se nanese druhá vrstva stříbra tlouštky 8 jum a zažíhne v inertní atmosféře při teplotě 750 °C po dobu 30 min. Též je možno první vrstvu*stříbře » opatřit vrstvou mědi tloučíky 0,1 /um, na kterou se nenese druhé vrstva stříbra tlouštky 8 (um a ta se zažíhne při teplotě 750 °C v inertní atmosféře po dobu 30 min. Při tepelném zpracování měň difunduje kontaktními vrstvami a zvyšuje jejich vzájemnou soudržnost.
Způsob vytvoření kontaktní vrstvy podle vynálezu je možno uplatnit při výrobě dilatačních elektrod věech výkonových polovodičových součástek, kde zvýSÍ ekonomii vý-
Claims (2)
- roby úsporou stříbře a snížením pracnosti.PŘEDMĚT VYNÁLEZU1. Způsob vytvoření kontaktní vrstvy molybdenových dilatačních elektrod výkonových polovodičových součástek, vyznačený tím, že se molybdenová dilatační elektroda po očistění opatří vrstvou niklu tlouštky 0,5 až 3 /um, na kterou se nanese první vrstva stříbra tloušíky 1 až 3 /um zažíhnutá ve vakuu, případně inertní či redukční atmosféře při teplotě 700 až930 °C s prodlevou maximálně 60 min., přičemž takto vytvořená vrstva se po očištění opatří druhou vrstvou stříbra tlouštky 6 až 10 /um a zažíhne ve vakuu, případně inertní či redukční atmosféře při teplotě 700 až 930 °C s prodlevou maximálně 60 min.
- 2. Způsob vytvoření kontaktní vrstvy podle bodu 1, vyznačený tím, že se na první vrstvě stříbra vytvoří vrstva mědi tlouštky'maximálně 1 /im.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS700583A CS233017B1 (cs) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | Způsob vytvoření kontaktní vrstvy molybdenových dilatačních elektrod výkonových polovodičových součástek |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS700583A CS233017B1 (cs) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | Způsob vytvoření kontaktní vrstvy molybdenových dilatačních elektrod výkonových polovodičových součástek |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS233017B1 true CS233017B1 (cs) | 1985-02-14 |
Family
ID=5418353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS700583A CS233017B1 (cs) | 1983-09-26 | 1983-09-26 | Způsob vytvoření kontaktní vrstvy molybdenových dilatačních elektrod výkonových polovodičových součástek |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS233017B1 (cs) |
-
1983
- 1983-09-26 CS CS700583A patent/CS233017B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3769091A (en) | Shingled array of solar cells | |
| US6692981B2 (en) | Method of manufacturing a solar cell | |
| US6274803B1 (en) | Thermoelectric module with improved heat-transfer efficiency and method of manufacturing the same | |
| US3811181A (en) | New approach to shingling of solar cells | |
| JPS60257160A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6112397B2 (cs) | ||
| US4543443A (en) | Method for manufacturing finger electrode structures forming electric contacts at amorphous silicon solar cells | |
| US3664874A (en) | Tungsten contacts on silicon substrates | |
| US3304362A (en) | Glass-to-metal seals in electronic devices | |
| KR20000068717A (ko) | 후면에 금속층을 갖는 반도체 바디 | |
| US6197435B1 (en) | Substrate | |
| JP2024060023A (ja) | 性能向上のための熱電発電器における熱レンズ電極 | |
| US3528893A (en) | Vacuum depositing and electrodepositing method of forming a thermoelectric module | |
| JPH09186368A (ja) | 厚膜熱電素子 | |
| CS233017B1 (cs) | Způsob vytvoření kontaktní vrstvy molybdenových dilatačních elektrod výkonových polovodičových součástek | |
| US4187599A (en) | Semiconductor device having a tin metallization system and package containing same | |
| JPH05235387A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CA1085946A (en) | Photovoltaic cell array | |
| JPS62113457A (ja) | プラグイン型半導体パツケ−ジの製造方法 | |
| JPH07122406A (ja) | チップ状ヒューズ抵抗器とその製造方法 | |
| JPS5842243A (ja) | 半導体素子用支持電極板 | |
| JP7274749B2 (ja) | 熱電変換モジュール、及び、熱電変換モジュール製造方法 | |
| JPH02117157A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62113483A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPH01147087A (ja) | 銅タングステン合金のめっき前処理方法 |