CS230075B1 - Způsob rafinace technického dianu destilací - Google Patents

Způsob rafinace technického dianu destilací Download PDF

Info

Publication number
CS230075B1
CS230075B1 CS399882A CS399882A CS230075B1 CS 230075 B1 CS230075 B1 CS 230075B1 CS 399882 A CS399882 A CS 399882A CS 399882 A CS399882 A CS 399882A CS 230075 B1 CS230075 B1 CS 230075B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
dian
distillation
diane
phenol
product
Prior art date
Application number
CS399882A
Other languages
English (en)
Inventor
Max Cervinka
Branislav Davidek
Oldrich Kejik
Jan Crkal
Karel Muller
Original Assignee
Max Cervinka
Branislav Davidek
Oldrich Kejik
Jan Crkal
Karel Muller
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Max Cervinka, Branislav Davidek, Oldrich Kejik, Jan Crkal, Karel Muller filed Critical Max Cervinka
Priority to CS399882A priority Critical patent/CS230075B1/cs
Publication of CS230075B1 publication Critical patent/CS230075B1/cs

Links

Landscapes

  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

Vynález se týká způsobu rafinace technického dianu destilací,
Dian, 2,2,-bis-(4-hydroxyfenyl)propan, komerčně těž Bisfenol A, je důležitou chemickou surovinou pro výrobu epoxidových pryskyřic, polykarbonátů, retardérů hoření, antioxiůantů apod.
Je zpravidla připravován kysele katalyzovanou kondenzací fenolu s acetonem. Nejjednodušším způsobem izolace dianu z reakčni směsi po kondenzační reakci je oddestilování všech podílů těkavějších než dian, tedy především nezreagováného acetonu, zbytku vody á přebytku fenolu. Takto izolovaný produkt má však jen omezenou použitelnost, například pro výrobu některých méně náročných epoxidových pryskyřic, některých typů retardérů hoření apod.
Pro přípravu dianu vhodného pro náročnější 'aplikace je nutno použít některého z řady rafinačních postupů* Tak lze například dian rafinovat krystalizací z organických rozpouštědel, jako alkoholů, aromátů, chlorovaných alifatických nebo aromatických uhlovodíků atd., popřípadě jejich směsí. Při tomto postupu se nejprve za zvýšené teploty připraví nasycený roztok dianu v rozpouštědle, ochlazováním tohoto roztoku se potom vylučují krystalky dianu vysoké čistoty. Krystalický dian se separuje od matečného roztoku, promyje a zbaví rozpouštědla.
Předností tohoto krystalizačního postupu je příprava produktu vysoké čistoty a možnost realizovat rafinaČní operaci zcela nezávisle na přípravě technického dianu. Postup má však řadu nevýhod, zejména složité zařízení s řadou operacíj rozpouštění dianu v rozpouštědle, krystalizaci s nutností přesného dodržování předepsaného teplotního režimu, izolaci pevné fáze vyžadující manipulaci se suspenzí, odstraňování rozpouštědla z produktu, regeneraci rozpouštědla z odpadního matečného louhu apod.
Jiný často používaný způsob rafinace dianu spočívá v jeho
230 075 krystalizaci ve formě aduktu fenol-dian z taveniny fenol-dian-necistoty. Po své izolaci je adukt vhodným způsobem rozložen, například· oddestilováním fenolu, a tak vyizolován rafinovaný dian, který je opět vysoké čistoty. Přes tuto přednost má ale tento postup též řadu vážných nevýhod, Krystalizace z fenolu je ještě náročnější než.krystalizace z rozpouštědla, protože celý proces probíhá v tavenině fenolu za normální teploty tuhnoucí. Izolaci aduktu a jeho promývání fenolem je nutno proto provádět v temperovaných filtrech nebo odstředivkách. Krystalky aduktu je potom třeba opět roztavit a zbavit fenolu, Krystalizace samotná probíhá s poměrně malým výtěžkem dianu ze vstupní směsi. To způsobuje další nesnáz procesu - je nutno recyklovat značné objemy fenolu i nezpracovaného dianu, takže rafinační zařízení musí být v bezprostřední blízkosti vlastní výroby dianu.
Pro vlastní rafinaci dianu je také doporučována jeho extrakce, zpravidla chlorovanými uhlovodíky nebo aromáty, a to ve spojení s další čisticí operací. Tak je popsáno čištění extrahovaného dianu jeho rozpouštěním ve vodném louhu, odbarvení alkalického roztoku hydrosiřičitanem. nebo uváděním kysličníku siřičitého a konečně zpětná izolace dianu okyselením alkalického roztoku kyselinou nebo kysličníkem uhličitým. Náročnost tohoto postupu, jak aparaturní tak surovinová, je zcela evidentní. Extrakce je také používána jako dokončující operace po prosté destilaci dianu za vakua, kde těkavější složky destilující zároveň s dianem, především fenol, jsou právě odstraňovány z vykrystalizovaného destilátu extrakcí. I tento postup je aparáturně náročný, navíc opět zavádí do procesu další složku, rozpouštědlo, které je třeba regenerovat, Mimmo to rozpouštědla vhodná pro extrakci dianu, chlorované uhlovodíky nebo aromáty jsou zdravotně značně závadné, takže tyto pracovní postupy jsou spojeny se značnými hygienickými obtížemi.
Všechny popsané rafinační postupy připravují vysoce čistý dian, vhodný pro přípravu všech typů epoxidových pryskyřic a polykarbonátů. Jak ukazuje průmyslová praxe, pro přípravu epoxidových pryskyřic není tato vysoká čistota bezpodmínečně nutná. V některých případech bylo dokonce zjištěno, že přítomnost některých
230 075 vedlejších produktů kondenzační reakce v dianu dokonce zlepšuje užitné hodnoty některých typů epoxidových pryskyřic. Ve všech případech je však pro epoxidové pryskyřice požadován dian s minimálním obsahem fenolu a bez přítomnosti látek zhoršujících zabarvení výsledné pryskyřice nebo způsobujících pracovní potíže při technologickém procesu.
Jak bylo experimentálně ověřeno, vyhovuje těmto podmínkám dian rafinovaný postupem podle vynálezu. Způsob rafinace technického dianu destilací dianu a navazujícíc parciální kondenzací spočívá podle vynálezu v tom, že se destilace provádí z filmu mžikovou nebo diferenciální destilací při tlaku 10 Pa až 1 kPa a teplotě do 260 °C, na destilaci navazuje parciální kondenzace produktu při 140 až 190 °C v závislosti na použitém tlaku, přičemž těkavější podíly odcházející z parciální kondenzace ve formě par se vedou k další kondenzaci a jsou jímány odděleně od produktu.
Postup podle vynálezu je ve srovnání se známými postupy aparaturně jednodušší, provozně lépe ovladatelný. Vyrobený produkt vyhovuje při použití pro přípravu epoxidových pryskyřic a retardérů hoření.
Níže uvedené příklady ilustrují provedení podle vynálezu. Příklad 1
Na destilační baňku objemu 1 1 s teploměrem a kapilárou pro uvádění dusíku byl připojen přestupník, který páry odváděl do parciálního kondenzátoru, ve kterém kondenzoval produkt - dian. Parciální kondenzátor byl chlazen odparem vhodné kapaliny o teplotě varu cca 155 °C, která kondenzovala ve zpětném chladiči a stékala zpět do parciálního kondenzátoru. Páry, které v parciálním kondenzátoru nezkondenzovaly, odcházely do vzduchem chlazeného kondenzátoru, Ve kterém vykondenzovaly přední, níževroucí podíly, Inerty z tohoto koncového chladiče byly odtahovány do jednostupňové olejové rotační vývěvy. Vnější povrchy přestupníku a parciálního kondenzátoru byly temperovány příložnou elektrickou topnou páskou.
Do destilační baňky bylo nasazeno 579 g drceného dianu. Po
230 075 jeho roztavení, vytemperování aparatury a nastavení vakua na 0,07 kPa byla zahájena destilace. Během 125 min bylo získáno 503 g destilovaného dianu (86,9 % násady). Destilační zbytek v baňce činil 47,0 g (8,1 %), destilačních předků zkondenzovaných v koncovém chladiči bylo získáno 5 g (0,9 %). Teplota taveniny v baňce během destilace byla 202 až 205 °C, teplota par dianu 195 až 198 °C, Analýzy nasazeného dianu a destilátu jsou uvedeny v tabulce 1.
Příklad 2
Roztavený dian byl ze zásobníku čerpán dávkovacím čerpadlem rychlostí 4,3 kg/h. do rotorové filmové odparky. Páry byly odváděny do parciálního kondenzátoru, chlazeného odparem kapaliny vroucí při 155 °C, kde kondenzoval rafinovaný dian (4,1 kg/h), který byl odváděn barometrickým uzávěrem a šupinkován. Nezkondenzované podíly odcházely z parciálního kondenzátoru do dalšího kondenzátoru chlazeného vodou, kde kondenzovaly a byly odváděny opět barometrickým uzávěrem. Destilační zbytek byl kontinuálně odtahován z paty rotorové odparky čerpadlem. V systému byl udržován tlak 53,3 Pa. Analýzy proudů jsou opět uváděny v tabulce 1. Tabulka 1
Analýzy proudů z příkladu 1 a 2 příklad 1 příklad 2
násada destilát násada destilát zbytek
ο,ρ-dían % hmot 4,42 4,58 3,74 3,37 0,80
kodimer % hrne/. 0,31 0,30 0, 56 0,47 0,15
ρ,ρ-dian % hmot 93,49 94,68 93,03 94,02 51,45
BPX % hmot 0,96 0,12 1,20 0,31 39,80
fenol % hmdt 0,48 0,02 0,20 0,06 0,00
teplota tání °C 152,3 155,1 153,5 153,5 -
světelná propustnost % 92 97 94 97,7 w.
Barva hodnocena světelnou propustností stanovenou na fotokolori metru, vrstva roztoku 3 cm, roztok 40 % dianu v etanolu.

Claims (1)

  1. PREDMET VYNALEZU
    230
    Způsob rafinace technického dianu destilaci a navazující parciální kondenzací, vyznačený tím, že se destilace provádí z filmu mžikovou nebo diferenciální destilací při tlaku 10 Pa až 1 kPa a teplotě do 260 °C, na destilaci navazuje parciální kondenzace produktu při 140 až 190 °G v závislosti na použitém tlaku, přičemž těkavější podíly odcházející z parciální kondenzace ve formě par se vedou k další kondenzaci a jsou jímány oddě leně od produktu.
CS399882A 1982-05-31 1982-05-31 Způsob rafinace technického dianu destilací CS230075B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS399882A CS230075B1 (cs) 1982-05-31 1982-05-31 Způsob rafinace technického dianu destilací

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS399882A CS230075B1 (cs) 1982-05-31 1982-05-31 Způsob rafinace technického dianu destilací

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS230075B1 true CS230075B1 (cs) 1984-07-16

Family

ID=5381692

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS399882A CS230075B1 (cs) 1982-05-31 1982-05-31 Způsob rafinace technického dianu destilací

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS230075B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100216330B1 (ko) 정제된 비스페놀-a의 제조방법
US3073868A (en) Production and purification of diphenylolalkanes
US3936507A (en) Process for the production of 2,2-(4,4'-dihydroxy-diphenyl)propane
US4447655A (en) Purification of bisphenol-A
KR910003253B1 (ko) 고순도의 2,2-비스(4-히드록시페닐)프로판을 제조하는 방법
US4533764A (en) Purification of bisphenols by removing residual solvent
US4798654A (en) Process for preparing bisphenol A
US4492807A (en) Method for purification of bisphenol A
KR100786042B1 (ko) 비스페놀 a 의 제조 방법
CA1130818A (en) Process for separation and purification of dihydric phenols
US3290390A (en) Production of bisphenol from resinous by-products
US3169101A (en) Purification of impure phenols by distillation with an organic solvent
US4294994A (en) Purification of bisphenol-A
US3462498A (en) Process for isolation of 2,5-dichlorophenol from an isomeric mixture of dichlorophenols
US3207795A (en) Production and purification of diphenylolalkanes
JPH05331088A (ja) ビスフェノールaの製造方法及びビスフェノールaを含むフェノール溶液の晶析生成物から分離された母液の処理方法
CN1331831C (zh) 双酚a的制造方法
US6686508B2 (en) Process for producing bisphenol A
CS230075B1 (cs) Způsob rafinace technického dianu destilací
US4169211A (en) Process for the production of 2,2-(4,4'-dihydroxydiphenyl)propane
CZ278549B6 (en) Process of treating raw phenol
US2744144A (en) Purification of phenol
DE60027211T2 (de) Verfahren zur Herstellung von hochreinem 1,1-bis(4-Hydroxyphenyl)-3,3,5-trimethylcylohexan
US3219549A (en) Distillation ofx d diphenylolalkanes
KR100896258B1 (ko) 페놀을 함유하는 비스페놀 a의 정제방법