CS229879B1 - Method of sealing the silicon tube by sealing - Google Patents

Method of sealing the silicon tube by sealing Download PDF

Info

Publication number
CS229879B1
CS229879B1 CS934282A CS934282A CS229879B1 CS 229879 B1 CS229879 B1 CS 229879B1 CS 934282 A CS934282 A CS 934282A CS 934282 A CS934282 A CS 934282A CS 229879 B1 CS229879 B1 CS 229879B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
silicon
tube
silicon tube
sealing
melt
Prior art date
Application number
CS934282A
Other languages
Czech (cs)
Inventor
Jiri Stiller
Original Assignee
Jiri Stiller
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiri Stiller filed Critical Jiri Stiller
Priority to CS934282A priority Critical patent/CS229879B1/en
Publication of CS229879B1 publication Critical patent/CS229879B1/en

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Účelem vynálezu je zjednodušeni uzavření křemíkové trubice, použití shodného materiálu, jeko je materiál trubice, e dosažení těsnosti systému uzévěr-trubiee. Tohoto účelu se dosáhne podle vynálezu tím, že po smočení konce křemíková trubice v tevenině křemíku teto řízeně zatuhévá působením rotace křemíkové trubice a tave- niny, rychlosti posuvu křemíkové trubice kolmo k tevenině směrem vzhůru e teploty taveniny. Vynálezu lze využít při příprevě křemíkových trubic používaných jeko difúzních reaktorů při výrobě polovodičových prvků.The purpose of the invention is to simplify the closure of the silicon tube, the use of the same material as the tube material, and the tightness of the closure-tube system. This purpose is achieved according to the invention in that, after wetting the end of the silicon tube in the silicon shell, this controlledly solidifies by the rotation of the silicon tube and the melt, the velocity of the silicon tube moving perpendicularly to the upward direction and the melt temperature. The invention can be utilized in the preparation of silicon tubes used as diffusion reactors in the manufacture of semiconductor elements.

Description

Vynález se týká způsobu uzavření křemíková trubice zatavením.The invention relates to a method of sealing a silicon tube by sealing.

Dosud je tento problém řešen uzavíráním pomocí křemenného nebo křemíkového nástavce, opatřeného kuželovým zébrusem tek, že ne trubici je vnější záhrus. Zhotovení křemíkového nástavce ve tvaru hrníčku je technologicky velmi náročné; uzávěr z křemenného skla ne vždy vyhovuje z důvodů rozdílných koeficientů tepelné roztažnostl křemíku e křemenného skle. Rovněž výroba kuželových zábruaů na trubici 1 uzávěru je velmi náročné ne přesnost a pracnost výroby.To date, this problem has been solved by closing with a quartz or silicon adapter provided with a conical rib that the outer cone is not the tube. Making a silicon cup in the shape of a cup is very technologically demanding; the quartz glass closure does not always satisfy due to different coefficients of thermal expansion of silicon e quartz glass. Also, the production of cone grips on the closure tube 1 is very demanding in terms of manufacturing accuracy and laboriousness.

Vý&e uvedená nedostatky odstraňuje způsob uzavření křemíkové trubice zatavením podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že se křemíková trubice smočí v tavenině křemíku a tuhnutí taveniny křemíku ve tveru uzávěru se řídí změnami rychlosti rotace křemíková trubice v rozsahu od 10“’ s1 do 1 s’, rychlosti rotace taveniny křemíku v rozsahu od 5 . 10“’ s”’ proti směru otáčení křemíkové trubice do 9 . 10’ s”’ ve směru otáčení křemíkové trubice, rychlosti posuvu křemíkové trubice kolmo k tavenině křemíku směrem vzhůru v rozsahu od 1,5 . 10^ mm . s’ do 10’ mm . s’ a teploty taveniny křemíku v místě rozhra ní tevenina křemíková trubice v rozsahu 1 685 i 5 K.The above-mentioned drawbacks are eliminated by the method of sealing a silicon tube by sealing according to the invention, which consists in that the silicon tube is wetted in the silicon melt and the solidification of the silicon melt in the closure door is controlled by variations of the silicon tube rotation speed ', the rate of rotation of the silicon melt in the range from 5. 10 “’ s ”’ upstream of the silicon tube until 9. 10 's'' in the direction of rotation of the silicon tube, the silicon tube feed rate perpendicular to the silicon melt upwards of 1.5. 10 µm. with ’up to 10’ mm. s ´ and the temperature of the silicon melt at the boundary of the quartz tube in the range of 1 685 i 5 K.

Vynález zjednodušuje uzavření křemíkové trubice pomocí neoddělitelného uzávěru, který je zhotoven z téhož materiálu, jako je křemíková trubice, postupným zatuháváním taveniny křemíku ve tvaru uzávěru. Předností tohoto způsobu je nižěí pracnost a zaručené těsnost systému trubice-uzévěr.The invention simplifies the closure of a silicon tube by means of an inseparable closure made of the same material as the silicon tube by gradually solidifying the silicon melt in the form of a closure. The advantage of this method is the reduced labor and guaranteed tightness of the tube-closure system.

Předmět vynálezu je popsán pomocí přiloženého výkresu, kde je schematicky znázorněn způsob uzavření křemíkové trubice zatavením. Na horním hřídeli X, které může vykonávat pohyb rotační a posuvný nahoru i dolů, je umístěn držák 2 s křemíkovou trubicí JJ, na kterou postupně zatuhévé tavenine 2 křemíku od nátevu £ ve tveru uzávěru £. Tevenina 1 křemíku je umístěna v kelímku 6, který je uložen ne dolní hřídeli 8, které přenáší na kelímek 6 rotační pohyb. Křemíková trubice J je v místě nátevu X spojene s uzávěrem R.The object of the invention is described with reference to the accompanying drawing, in which schematically a method of sealing a silicon tube is shown. A holder 2 with a silicon tube 11 is placed on the upper shaft X, which can perform rotational and sliding movements up and down. The silicon core 1 is located in a crucible 6 which is mounted on a lower shaft 8 which transmits rotational movement to the crucible 6. The silicon tube J is connected to the cap R at the point of infusion X.

Vynálezu lze využít pro přípravu křemíkových trubic vnějěího průměru 100 mm a vnitřního průměru 85 mm s uzávěrem určených pro difúzní operace při výrobě polovodičových prvků.The invention can be used to prepare silicon tubes having an outer diameter of 100 mm and an inner diameter of 85 mm with a closure for diffusion operations in the manufacture of semiconductor elements.

K tomuto účelu je použito evakuované komory nebo komory obsahující inertní plyn, do které zasahují dva souosé hřídele v dolní a horní části komory. Na horní hřídeli X je umístěn držák £ a křemíkové trubice J. Ne dolní hřídeli 8 je'umístěn kelímek obsahující taveninu 1 křemíku. Kelímek 6 je vyhříván topným tšlesem umístěným po jeho obvodu. Po smočení křemíkové trubice J rotující rychlosti 0,25 s’ v místě nátevu X v tavenině 2 křemíku rotující rychlostí 10”’ s’ souhlasně s rotaci křemíkové trubice £ se na základě vizuálního pozorování nastaví příkon topného tělesa a tím i teplota taveniny 2 křemíku tak, aby vzniklé rozhraní tevenina 2 křemíku - křemíkové trubice £ bylo stabilní. To znamená, že v případě vysoké teploty teveniny 2 křemíku dojde k odtaveni křemíkové trubice £, v případě nízké teploty taveniny 2 křemíku dojde k zatuhnutí teveniny v okolí křemíkové trubice 2.For this purpose an evacuated chamber or a chamber containing an inert gas is used, into which two coaxial shafts extend in the lower and upper parts of the chamber. A holder 8 and a silicon tube J are disposed on the upper shaft X. A crucible containing the silicon melt 1 is placed on the lower shaft 8. The crucible 6 is heated by a heating element located around its periphery. After wetting the silicon tube J at a rotating speed of 0.25 s 'at the point of inflow X in the melt 2 of the silicon rotating at 10' 's' in accordance with the rotation of the silicon tube 6, the power consumption of the heater so that the resulting silicon-silicon tube opening 2 is stable. That is, in the case of a high temperature of the silicon melt 2, the silicon tube 6 is melted, in the case of a low temperature of the silicon melt 2, the melt is solidified around the silicon tube 2.

Po takto vytvořeném stabilním rozhraní je křemíková trubice £ uvedena do pohybu směrem vzhůru kolmo k tavenině 2 křemíku. Rychlost pohybu se mění v rozsahu od 1,5 . 10^ mm . s’ do 10’ mm . s’ na základě vizuálného pozorování vnějšího průměru vznikajícího uzávěru χ tak, aby byl zachován konstantní a roven vnějšímu průměru křemíková trubice £. Postupným snižováním rychlosti rotace taveniny 2 křemíku rychlostí 2 . 10^ s”^ dojde ke zmenšováni vnitřního průměru křemíkové trubice J až k jejímu úplnému uzavření. Dálka uzávěru je 100 až 130 mm.After the stable interface thus formed, the silicon tube 8 is moved upwards perpendicular to the silicon melt 2. Movement speed varies from 1.5. 10 µm. with ’up to 10’ mm. based on visual observation of the outer diameter of the resulting cap χ so as to maintain constant and equal to the outer diameter of the silicon tube. By gradually reducing the rate of rotation of the silicon melt 2 at the rate of 2. In this case, the inner diameter of the silicon tube J decreases until it is completely closed. The closure length is 100 to 130 mm.

Claims (1)

Způsob uzavřeni křemíkové trubice zatavením, vyznačený tím, že se křemíkové trubice srno čí v tavenině křemíku a tuhnutí taveniny křemíku ve tvaru uzávěru se řídí změnami rychlosti rotace křemíkové trubice v rozsahu od 10 ' s ' do 1 s rychlosti rotace taveniny křemíku v rozsahu od 5 · 10”' s”' proti směru otáčení křemíkové trubice do 5 . 10”^ s”' ve směru otáčení křemíkové trubice, rychlosti posuvu křemíkové trubice kolmo k tavenině křemíku směrem vzhůru v rozsahu od 1,5. 10^mm.s'do1o' mm . s ' a teploty teveniny křemíku v místě rozhraní tavenine-křemíkové trubice v rozsahu t 685 ± 5 K.A method of sealing a silicon tube by sealing, wherein the silicon tube is fused in the silicon melt and the solidification of the silicon melt in the form of a closure is controlled by varying the rotation speed of the silicon tube in the range of 10 's · 10 ”'s”' upstream of the silicon tube up to 5. 10 "^ s" 'in the direction of rotation of the silicon tube, the silicon tube feed rate perpendicular to the silicon melt upwards in the range from 1.5. 10 µm. s' and the temperature of the silicon melt at the melt-silicon tube interface in the range t 685 ± 5 K.
CS934282A 1982-12-20 1982-12-20 Method of sealing the silicon tube by sealing CS229879B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS934282A CS229879B1 (en) 1982-12-20 1982-12-20 Method of sealing the silicon tube by sealing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS934282A CS229879B1 (en) 1982-12-20 1982-12-20 Method of sealing the silicon tube by sealing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS229879B1 true CS229879B1 (en) 1984-07-16

Family

ID=5444055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS934282A CS229879B1 (en) 1982-12-20 1982-12-20 Method of sealing the silicon tube by sealing

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS229879B1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09255476A (en) Quartz glass crucible for pulling single crystal and manufacturing method thereof
JP2755780B2 (en) How to make a tube from glass material
JPS6246934A (en) Method and apparatus for producing base material for fluoride glass fiber
JPS54122319A (en) Glass production process in rotary kiln
US4565600A (en) Processes for the continuous preparation of single crystals
US5567218A (en) Device for extraction by pouring with a regulatable flow rate of a material melted in a melter having cold walls
CS229879B1 (en) Method of sealing the silicon tube by sealing
CN208949443U (en) Single crystal growing furnace new type of continuous feeding device
Stott The measurement of the viscosity of a molten metal by means of an oscillating disc
Smith Thermocapillary and centrifugal-buoyancy-driven motion in a rapidly rotating liquid cylinder
CN206319081U (en) A kind of Czochralski crystal growth stove temperature measuring equipment for effectively preventing volatile matter from disturbing
US3002320A (en) Preparation of silicon material
US4367200A (en) Single crystal manufacturing device
JPS60180988A (en) Crucible for single crystal growth by bridgman- stockburger method
JP2721242B2 (en) Silicon single crystal pulling method
JP2723249B2 (en) Crystal growing method and crucible for crystal growing
CN209372473U (en) A kind of molten steel sampler precoated sand shell
JP2861240B2 (en) Crucible for single crystal growth
CN221720718U (en) A double crucible device for drawing fluoride glass optical fiber
US3292419A (en) Melting point method and apparatus
CN105803521A (en) Single crystal furnace for Kyropoulos method, seed crystal protection structure and crystal growth control method
JPS58660Y2 (en) Optical fiber material manufacturing equipment
Kavesh Melt spinning of metal fibers
JPH08188419A (en) Fused glass-supplying nozzle
JPH02172888A (en) Crucible for pulling silicon single crystals