CS226141B1 - Křemíková dozimetrická dioda - Google Patents
Křemíková dozimetrická dioda Download PDFInfo
- Publication number
- CS226141B1 CS226141B1 CS194382A CS194382A CS226141B1 CS 226141 B1 CS226141 B1 CS 226141B1 CS 194382 A CS194382 A CS 194382A CS 194382 A CS194382 A CS 194382A CS 226141 B1 CS226141 B1 CS 226141B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- dosimetric
- diodes
- silicon
- silicon diode
- diode
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 3
- 238000004980 dosimetry Methods 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
Vynález se týká křemíkové dozimetrické diody, vhodné pro detekci rychlých neutronů.
Dosud vyráběné křemíkové dozimetrické diody vykazují citlivost přibližně 150 mV/Gy. Zvýšení jejich citlivosti naráží na potíže, které vyplývají jak ze špatně zvládnuté technologie jejich výroby, zvláště pokud jde o zachování vysoké doby života minoritních nosičů proudu po vysokoteplotních operacích, tak i z neznalosti volby příčných rozměrů. Tyto diody mají zpravidla rozměr 1,8 mm x 1,8 mm a tloušťku 1,2 mm.
Uvedené nedostatky odstraňuje podle vynálezu křemíková dozimetrická dioda, jejíž podstata spočívá v tom, že je tvořena křemíkovou destičkou vodivosti typu N, popřípadě P, o tloušťce 1 větší než 1,5 mm s čelní l2 plochou (plocha přechodu) menší než —-—
Základní účinek křemíkové dozimetrické diody spočívá ve zvýšení citlivosti až patnáctkrát oproti dosavadním diodám. Dosahuje citlivosti vyšší než 1000 mV. Gy_1. Je výhodná zejména z hlediska měření nízkých fluencí rychlých neutronů, to je umožňuje daleko přesnější určení dávek.
Tato dioda se zhotovuje tím způsobem, že křemíková destička vodivosti typu N, popřípadě P se opracuje na tloušťku větší než
1.5 mm hlubokým leptáním. Pak je podrobena difúzním procesům, popřípadě implantaci tak, že se na jedné čelní straně vytvoří P+ a na druhé straňě N+ vrstva. Po difúzi, popřípadě implantaci, se deska rozřeže na jednotlivé diody. Tyto diody se podrobí dalšímu žíhání při teplotě 800 °C. Takto připravené diody se opatří chromniklovými kontakty, například vakuovým napařením. Další zpracování diod se provádí běžnou technologií.
Křemíková dozimetrická dioda podle vynálezu je dále blíže popsána na konkrétním příkladu.
Příklad
Křemíková destička byla opracována běžnými technologickými způsoby na tloušťku
2.5 mm a opatřena přechody N+ a P+ difúzí nebo implantací boru a fosforu.
Deska, opatřená přechody, byla rozčleněna na jednotlivé systémy o velikosti 1,8 x x 1,8 mmi a žíhána po dobu delší než 2 hodiny při teplotě 800 °C. Tento čas byl určen technologií difúze a implantace. Po žíhání následovalo oživení povrchu leptáním v kyselině fluorovodíkové a běžné napaření chromniklových kontaktů, praní, připájení vývodů a konečně pouzdření.
Takto vyrobené diody dosahují citlivosti vyšší než 2500 mV.Gy-1. Diody s touto citlivostí mohou sloužit jako osobní dozimetry na pracovištích, kde se používá rychlých neutronů, to je pracovištích s neutronovými generátory, jadernými reaktory, radionuklidovými zdroji a jiných.
Claims (1)
- Křemíková dozimietrická dioda, vyznačená tím, že je tvořena křemíkovou destičkou vodivostí typu N, popřípadě P, o tloušťce 1 vynalezu větší než 1,5 mm s plochou přechodu men-
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS194382A CS226141B1 (cs) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | Křemíková dozimetrická dioda |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS194382A CS226141B1 (cs) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | Křemíková dozimetrická dioda |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS226141B1 true CS226141B1 (cs) | 1984-03-19 |
Family
ID=5355081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS194382A CS226141B1 (cs) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | Křemíková dozimetrická dioda |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS226141B1 (cs) |
-
1982
- 1982-03-19 CS CS194382A patent/CS226141B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4506436A (en) | Method for increasing the radiation resistance of charge storage semiconductor devices | |
| US3796929A (en) | Junction isolated integrated circuit resistor with crystal damage near isolation junction | |
| Parker et al. | Performance of 3-D architecture silicon sensors after intense proton irradiation | |
| Da Vià et al. | Radiation sensors with 3D electrodes | |
| US3227876A (en) | Neutron detecting solid state device or the like | |
| Crowder et al. | High‐Dose Implantations of P, As, and Sb in Silicon: A Comparison of Room‐Temperature Implantations Followed by a 550° C Anneal and Implantations Conducted at 600° C | |
| EP0183624A3 (en) | L-fast fabrication process for high speed bipolar analog large scale integrated circuits | |
| US5854506A (en) | Semiconductor particle-detector | |
| KR20170097177A (ko) | 중성자 검출기의 제조 방법 및 중성자 검출기 | |
| CS226141B1 (cs) | Křemíková dozimetrická dioda | |
| US3255050A (en) | Fabrication of semiconductor devices by transmutation doping | |
| US3863072A (en) | Semiconductor localization detector | |
| US6100168A (en) | Location selective transmutation doping on silicon wafers using high energy deuterons | |
| KR100934937B1 (ko) | 방사성동위원소 전지 | |
| Marsh et al. | Solubility Effects of Implanted Ions in Semiconductors | |
| US7566951B2 (en) | Silicon structures with improved resistance to radiation events | |
| Bytkin | Deceleration of the" logical zero"(UOL) Degradation of Bipolar Logic IC, Manufactured Using Preliminary Radiation and Thermal Treatment | |
| CS263809B1 (cs) | Způsob výroby křemíkových •dozimetílckých diod s vysokou citlivostí | |
| Beuttenmuller et al. | The Development and Testing of a Silicon Trigger Detector with 400 Elements for the Helios (NA 34) Experiment | |
| JPS57188866A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| Andricek et al. | Radiation-hard strip detectors on oxygenated silicon | |
| Nava et al. | Processing high-quality silicon for microstrip detectors | |
| Väyrynen | Irradiation of silicon particle detectors with MeV-protons | |
| Aachen-Brussels-CERN-EP et al. | Strange particle production by neutral currents in the “Gargamelle” neutrino and antineutrino experiments | |
| JPS5766677A (en) | Solar battery cell and manufacture thereof |