CS263809B1 - Způsob výroby křemíkových •dozimetílckých diod s vysokou citlivostí - Google Patents
Způsob výroby křemíkových •dozimetílckých diod s vysokou citlivostí Download PDFInfo
- Publication number
- CS263809B1 CS263809B1 CS873953A CS395387A CS263809B1 CS 263809 B1 CS263809 B1 CS 263809B1 CS 873953 A CS873953 A CS 873953A CS 395387 A CS395387 A CS 395387A CS 263809 B1 CS263809 B1 CS 263809B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- silicon
- diodes
- energy
- sensitivity
- implanted
- Prior art date
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Předmětem řešení je postup výroby křemíkových dozimetrických diod ke stanovení dávek od rychlých neutronů. Doposud vyráběné diody mají citlivost 128 mV/Gy. Diody vyráběné navrhovaným způsobem mají citlivost lepší než 1 V/Gy. Podstata řešení spočívá v tom, že na křemíkovou desku tloušťky 2,5 mm a měřeného odporu 100 Ω. . cm s hladkým povrchem se naimplantuje z jedné strany bor (B), popřípadě hliník (AI) nebo thalium (TI) o dávce větší než 2,1016 iontů. cm-2 s energií 160 keV a do druhé strany se naimplantuje fosfor (P) nebo antimon (Sb), popřípadě arzén (As) o stejné dávce a energii, po čemž následuje oživení křemíkových desek, jež se provede žíháním při teplotě 785 °C až 1 000 °C s následujícím pomalým chlazením i pomalým chlazením i pomalým náběhem po dobu 72 hodin.
Description
Vynález se týká způsobu výroby křemíkové dozimetrické diody s vysokou citlivostí pro detekci dávek od rychlých neutronů.
V osobní dozlmetrii neutronů se v současné době používají pro stanovení dávek od rychlých neutronů stopové detektory. Jedním ze stopových detektorů jsou křemíkové dozimetrické diody. Stávající vyráběné diody pro určování dávek od rychlých neutronů mají citlivost v rozmezí 100 až 150 mV/ /Gy, což je nedostatečné pro použití v osobní dozimetrii. Výroba citlivější diody prozatím narážela na potíže reprodukovatelnosti, což souvisí s technologií výroby.
Dosavadní nevyhovující stav řeší navrhovaný způsob výroby, kterého podstata vynálezu spočívá v tom, že na křemíkovou desku, tloušťky 2,5 mm a měrného odporu 100 Ω . cm s hladkým povrchem, jehož bylo docíleno broušením a leptáním, se naimplantuje z jedné strany bor (B), popřípadě hliník (AI) nebo thalium (TI) o dávce větší než 2.1016 iontů . cm2 s energií 160 keV a do druhé strany se naimplantuje fosfor (P) nebo antimon (Sb), popřípadě arzén (As) o stejné dávce a energii, po čemž následuje oživení křemíkových desek, jež se provede žíháním při teplotě 785 °C až 1 000 °C s následujícím pomalým chlazením i pomalým náběhem po dobu 72 hodin.
Po těchto operacích se vakuovým napařením chrom-nikl (Cr-Ni), popřípadě titan-nikl (Ti-Ni), k čemuž lze použít i další kovy s dobrou adhezí ke křemíku, vytvoří kontakty. Takto upravená polovodičová deska se rozčlení na jednotlivé čipy, na které se připájí přívodní drátky a křemíkové diody se po oprání zapouzdří do termoplastických epoxidů.
Hlavní výhoda uvedeného způsobu spočívá v možnosti vyrábět křemíkové diody s citlivostí vůči rychlým neutronům osmkrát vyšší než mají křemíkové diody dosud vyráběné.
Claims (1)
- Způsob výroby křemíkových dozimetrických diod s vysokou citlivostí pro detekci dávek od rychlých neutronů z křemíkové desky tloušťky 2,5 mm a měrném odporu 100 Ω. cm s hladkým povrchem- docíleným broušením a leptáním, vyznačující se tím, že křemíková deska po opracování broušením a hlubokým leptáním se podrobí iontové implantaci z jedné strany borem (B), popřípadě hliníkem (AI) nebo thaliem (TI) oVYNALEZU dávce větší než 2.101B iontů . cm'2 s energií 160 keV a do druhé strany se naimplantuje foáfor (P) nebo antimon (Sb), popřípadě arzén (As) o stejné dávce a energii, po čemž následuje oživení křemíkových desek, jež se provede žíháním při teplotě 785 stujpňů Celsia až 1 000 s následujícím pomalým chlazením i pomalým náběhem po dobu 72 hodin.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS873953A CS263809B1 (cs) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Způsob výroby křemíkových •dozimetílckých diod s vysokou citlivostí |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS873953A CS263809B1 (cs) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Způsob výroby křemíkových •dozimetílckých diod s vysokou citlivostí |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS395387A1 CS395387A1 (en) | 1988-09-16 |
| CS263809B1 true CS263809B1 (cs) | 1989-05-12 |
Family
ID=5381101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS873953A CS263809B1 (cs) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | Způsob výroby křemíkových •dozimetílckých diod s vysokou citlivostí |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS263809B1 (cs) |
-
1987
- 1987-05-29 CS CS873953A patent/CS263809B1/cs unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CS395387A1 (en) | 1988-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kemmer | Fabrication of low noise silicon radiation detectors by the planar process | |
| McGregor et al. | New surface morphology for low stress thin-film-coated thermal neutron detectors | |
| US4047436A (en) | Measuring detector and a method of fabrication of said detector | |
| US4163240A (en) | Sensitive silicon pin diode fast neutron dosimeter | |
| US4929489A (en) | Method of making and using selective conductive regions in diamond layers | |
| Crowder et al. | High‐Dose Implantations of P, As, and Sb in Silicon: A Comparison of Room‐Temperature Implantations Followed by a 550° C Anneal and Implantations Conducted at 600° C | |
| CS263809B1 (cs) | Způsob výroby křemíkových •dozimetílckých diod s vysokou citlivostí | |
| US3863072A (en) | Semiconductor localization detector | |
| WO2007124282A1 (en) | Silicon structures with improved resistance to radiation events | |
| La Ferla et al. | Implants of 15–50 MeV Boron ions into silicon | |
| GB1558815A (en) | Semi conductor stress sensor | |
| Adams et al. | Measuring the Phosphorus Concentration in Deposited Phosphosilicate Films | |
| CS226141B1 (cs) | Křemíková dozimetrická dioda | |
| Ristinen et al. | The manufacture of thick lithium-drifted silicon detectors | |
| JPS6316675A (ja) | 放射線検出器 | |
| Mooney et al. | Defect creation by subthreshold irradiation in semiconductors | |
| Von Borany et al. | Ion implanted nuclear radiation detectors passivated with anodic silicon oxide | |
| Braunstein et al. | Depth profile of antimony implanted into diamond | |
| KR100458277B1 (ko) | 저저항 Ｓｉ 기판에서의 ＰＩＮ형 반도체 검출기 제작방법 | |
| CZ30488U1 (cs) | Dozimetrická dioda pro dozimetrii rychlých neutronů | |
| Baldwin | The Effect of Fast-Neutron Irradiation at Ambient Temperature on the Lattice Parameters of Silicon and Germanium Crystals | |
| Swartz et al. | Experimental calibrations of a silicon rectifier developed as a fast neutron sub-miniature dosimeter | |
| Kervalishvili et al. | Semiconductor sensor for neutrons | |
| US7338829B2 (en) | Semiconductor structures having through-holes sealed with feed through metalization | |
| Ravindra et al. | Oxygen ion implanted germanium—structural properties |