CS225476B1 - Způsob vyvoláváni negativních elektronových resistů - Google Patents
Způsob vyvoláváni negativních elektronových resistů Download PDFInfo
- Publication number
- CS225476B1 CS225476B1 CS335282A CS335282A CS225476B1 CS 225476 B1 CS225476 B1 CS 225476B1 CS 335282 A CS335282 A CS 335282A CS 335282 A CS335282 A CS 335282A CS 225476 B1 CS225476 B1 CS 225476B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- developing
- electron
- resists
- polyphenylene oxide
- solvents
- Prior art date
Links
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 15
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 11
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ICMZFZGUTLNLAJ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethyl-7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-2,4-diene Chemical compound CC1=CC=CC2(C)OC12 ICMZFZGUTLNLAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 2-Methylheptane Chemical compound CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical class O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZPQOPVIELGIULI-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC(Cl)=C1 ZPQOPVIELGIULI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMAOWRXQBJTIJW-UHFFFAOYSA-N CC12C(C(=CC=C1)CCCCCCCCCC)O2 Chemical compound CC12C(C(=CC=C1)CCCCCCCCCC)O2 LMAOWRXQBJTIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJUXRXKHZZVTPK-UHFFFAOYSA-N CCO.CCP Chemical compound CCO.CCP XJUXRXKHZZVTPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229940035429 isobutyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002696 manganese Chemical class 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004801 process automation Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Chemical class COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 150000003738 xylenes Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Vynález se týká způsobu vyvolávání negativních elektronových resistů na bázi polyf enylénoxiáuj j>odbitých pro vytváření integrovaných obvodů pomocí elektronových paprsků.
Vývoj směřuje k vysoce citlivým resistům, polymemím látkám, které působením elektronového svazku mění svoji strukturuje tím fysikálně chemické vlastnosti, to je především rozpustnost. Změny jsou způsobeny především vznikem nových nebo zánikem starých vazeb. Polymery, které ozářením depolymerují na nižší molekulární hmotnosti lze snadněji rozpustit a stopu po expozici elektronovým paprskem lze snadněji odleptat organickými rozpouštědly^ než původní polymer o nezměněné struktuře a molekulové hmotnosti. Takové polymery tvoří pozitivní resisty. Polymery, jejichž rozpustnost se účinkem elektronů snižuje, tvoří negativní resisty.
Jako negativní resisty se používají olefinické polymery jako polymetylmetakryláty, zvláště chlorované a hromované, kopolymery vinylchloridu - vinylacetátu, hromované a epoxidované kopolymery hutadienu a isoprenu, v8s .autorském osvědčení 202 991 jsou popsány negativní elektronové resisty tvořené sloučeninami obecného vzorce
kde R^, R2 jsou alkyl s 1 až 12 uhlíkovými atomy, fenyl, n je 10 až 1000, s výhodou modifikované oxidací peroxidy.
Polyfenylénoxidy,tvořící negativní elektronové resisty^se získají oxidační polykondenzací 2,6 disuhstituovaných fenolů v přítomnosti známých oxidačních katalyzátorů jako jsou například komplexy mědi, kobaltu a manganu s aminy.
1/
Je známo, že citlivost těchto polymerů k ozáření elektrony lze zvýšit jejich modifikací pomocí peroxidůjjako je peroxid vodíku, kysličník olovičitý. Podmínkou úspěšná aplikace je vysoká čistota použitých polyfenylénoxidů.
Heaisty uvedeného typu se nanášejí na polovodičové podložky ve formě koncentrovaných roztoků v organických rozpuštšdlech, které se nechají za kontrolovaných podmínek odpařit. Po expozici elektronovými paprsky se neexponovaný resist odleptá organickými rozpuštědly.
Výhodou rasistů dle vynálezu jsou vysoká citlivost, projevující se v podstatné zrněné rozpustnosti po ozáření, vysoká rozlišovací schopnost, která je dána lineární strukturou polyfenylénoxidů·
Nyní bylo zjištšno, že rozlišovací schopnost a hranovou ostrost negativních elektronových resistů na bázi polyfenylénoxidu lze podstatně zvýšit, jestliže se pro vyvolávání resistu používají směsi vzájemně mísitelných látek, z nichž větší část směsi tvoří rozpouštědla PPO a zbytek patří do kategorie látek, které PPO nerozpustí.
Předmětem vynálezu je způsob vyvolávání negativních elektronových resistů na bázi polyfenylénoxidů a polyfenylénoxidů modifikovaného oxidací peroxidy rozpuštědlovými vývojkami, které obsahují 60 až 93 objemových % nerozpouštědel polyfenylénoxidů, přičemž obě složky vývojky jsou vzájemně mísitelné.
Mezi rozpuštědla polyfenylénoxidů patří především látky ze skupiny halogenovaných alifatických uhlovodíků, halogenovaných aromatických uhlovodíků, aromatické uhlovodíky, dále cyklohexanon a pyridin.
Z halogenovaných alifatických uhlovodíků vyhovují například chloroform, tetrachlormetan, trichloretylen, 1,1,2,2-tetrachloretan, 1,2-diohloretan. Z halogenovaných aromatických uhlovodíků lze například použít chlorbenzen, 1,3-dichlorbenzen, 1,2-dichlorbenzen.
Ze skupiny aromatických sloučenin jsou výhodné zejména benzen, toluen a xyleny,
Z látek označených jako nerozpouštědla lze do směsných vývojek použít alkoholy, například metanol, isopropanol, butanol, alifatické uhlovodíky, například heptan, 2-metyl-heptan, ketony, například aceton, metyletylketon, metylfenylketon, étery alifatické i cykloalifatické, například etyláter, dioxan, tetrahydrofuran a podobně, estery, například octan etylnatý a vodu. Pro vyvolávání směsnými vývojkami uvedeného typu platí obecně, že použijeme-li vývojky s vyšším obsahem termodynamicky dobrého rozpuštědla, musíme snížit teplotu a dobu vyvolávání a opak platí při obohacení vývojky látkou, která se sama o sobě chová jako špatné rozpouštědlo.
Vzájemné vztahy jsou velmi složité a optimální podmínky pro každý typ vývojky a polymeru je třeba empiricky stanovit. Avšak typy směsných vývojek, které jsou předmětem vynálezu, mají kromě již řešené výhody, to je vysoké citlivosti a dosažitelné rozlišovací schopnostitještě další výhody, spočívající v tom, že strmost vyvolávání v závislosti na čase a teplotě je několikanásobně nižší než při práci s vývojkou jiného typu. To dovoluje dokonalé nastavení vyvolávacího procesu, usnadňuje automatizaci a zvládnutí procesu v technologickém měřítku.
Vynález osvětlí následující příklady, % v příkladech uváděná jsou hmotnostní, není-li uvedeno jinak.
Příklad i
Póly (2,6-dimetylfenyleneter) s viskozním číslem 51 byl v atmosféře argonu rozpuštěn v čistém chloroformu na roztok obsahující 10 hmotnostních % polymeru. Byly použity Si-destičky o průměru 50 mm a tloušťce 0,25 mm, které byly nejprve odmaštěny v roztoku saponátu, po osušeníopláchnuty ve směsi teplé 180° C 98 %-ní kyselině sírové HgSO^'a 30 %~ním peroxidu vodíku HgOg v poměru 1 s 2 po dobu 10 minut a po novém omytí vodou sušeny v pícce při teplotě 500° C pod dusíkovou atmosférou 1 hodinu. Resist byl nanesen na takto upravenou Si-destičku v rotační odstředivce v atmosféře nasycené parami rozpouštědla - chloroformu při 5.000 ot/min. a vytvrzen při 70® C po dobu 1/2 hodiny,
Ha Si-destičce s naneseným a vytvrzeným resistem byly pak na elektronovém mikroskopu vytvořeny obrazce expozicí elektronovým paprskem při urychlovacím napětí 15 kV.
Exponovaná podložka byla vyvolána ve směsi 80 % benzenu 420 % isobutanolu 10 sec. a obrazec hodnocen na elektronovém mikroskopu.
Při tomto postupu byla dosažena rozlišovací schopnost Za stejných, podmínek bylo vyvolání provedeno chloroformem. Dosažená rozlišovací schopnost byla 3y«ra.
Příklad 2
Póly (2,6-dimetylfenylenoxid) s viskozním číslem 42,4 byl nanesen na Si-destičky stejným způsobem, jak bylo uvedeno v příkladu 1. Resist ve formě 5 %-ního roztoku byl nanesen na Si-destiěky v tloušťce 0,35^am. Tloušťka nanesené vrstvy byla změřena po vytvrzovacím procesu, stejně jako v příkladu·1, Na Si-destičce s naneseným a vytvrzeným resistem byly pak na elektronovém mikroskopu vytvořeny obrazoe expozicí elektronovým paprskem při urychlovacím napětí 15 kV.
Exponovaná podložka byla vyvolána ve směsi 60 % objemových trichloretylenu a 40 % objemových isobutylalkoholu během 40 sec. a teplotě 16° C, Obrazec byl hodnocen na elektronovém mikroskopu. Při tomto postupu byla dosažena rozlišovací schopnost vyšší jak
0,25^«m.
Příklad 3 j Póly (2-metyl-6-decylfenylenoxid) byl modifikován peroxidem vodíku 30 % v ledové kyselině octové při 70° C 6 hodin a izolován filtrací a několikanásobným promytím horkou vodou. Tento polymer byl nanesen na Si-destičky způsobem podle příkladu 1 ve formě 3 % roztoku v chlorbenzenu při 6 000 ot/min. Expozice nanesené vrstvy byla provedena elektronovým paprskem při urychlovacím napětí 18 kV a rychlosti, která odpovídá citlivosti řádově 10 J C.cm . Neexponovaná vrstva byla odleptána během 20 sec.
Směsi 55 objemových % chloro^Aíř^řTyfejemovýoh % etanolu bylo dosaženo rozlišovací schopnosti resistu 0,5 ^/um při síle vrstvy 0,45yUm,
Pro srovnání byl celý postup opakován,avšak vyvolání bylo provedeno v čistém chlorbenzenu. Při tomto postupu byla docílena rozlišovací schopnost 1
Příklad 4
Póly (2,6-difeny^2žfenylenoxid) ve formě 3 % roztoku v chlorbenzenu byl nanesen na křemíkovou destičku při teplotě 50° C způsobem podle příkladu 1 na zařízení při 10^000 ot/min. Vytvořená vrstva o tldušíce 0,8 byla exponována elektronovým paprskem při urychlovacím napětí 15 kV a rychlosti odpovídající citlivosti řádově 10*^ c.enT2, Exponovaná vrstva byla pak vyvolána během 15 sec, v chloroformu. Při tomto pokuse bylo dosaženo rozlišovací schopnosti resistu 1,25/*«·
Pro srovnání byl celý pokus opakován , avšak vyvolání bylo provedeno ve gm^s^egOBg^jegflffich chlorbenzenu, 15 objemových % isobutylaíkoholuV^eploteJsiS0 C, během 40 sec. Při tomto procesu bylo dosaženo při^^^vrstvy 0,8/^m rozlišovací schopnosti 0,25/un.
Claims (1)
- PŘEDMĚT VYNÁLEZUZpůsob vyvolávání negativních, elektronových resistů na bázi polyfenylenoxidu a polyfenylenoxidu modifikovaného oxidací peroxidy rozpouštědlovými vývojkami, vyznačený tím, že vývojka obsahuje 40 až 98 objemových % rozpouštědel polyfenylenoxidu a 2 až 60 objemových % neřozpouštědel polyfenylenoxidu, přičemž složky vývojky jsou vzájemně mísitelné.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS335282A CS225476B1 (cs) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | Způsob vyvoláváni negativních elektronových resistů |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS335282A CS225476B1 (cs) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | Způsob vyvoláváni negativních elektronových resistů |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS225476B1 true CS225476B1 (cs) | 1984-02-13 |
Family
ID=5373306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS335282A CS225476B1 (cs) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | Způsob vyvoláváni negativních elektronových resistů |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS225476B1 (cs) |
-
1982
- 1982-05-10 CS CS335282A patent/CS225476B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4357369A (en) | Method of plasma etching a substrate | |
| EP0060585B1 (en) | Method of applying a resist pattern on a substrate, and resist material mixture | |
| US4481279A (en) | Dry-developing resist composition | |
| US4590149A (en) | Method for fine pattern formation on a photoresist | |
| US4153741A (en) | Method for forming a surface relief pattern in a poly(olefin sulfone) layer | |
| US4195108A (en) | Electrolithographic process which makes it possible to improve the sensitivity of masking resins, and a mask obtained by this kind of process | |
| US5688634A (en) | Energy sensitive resist material and process for device fabrication using the resist material | |
| US3794510A (en) | Electron beam masking method | |
| EP0132585B1 (en) | Lift-off process and composition therefor | |
| GB2154330A (en) | Fabrication of semiconductor devices | |
| US4348472A (en) | Method of applying a layer in accordance with a pattern on a substrate, a negative resist material and a substrate coated with the resist | |
| CS225476B1 (cs) | Způsob vyvoláváni negativních elektronových resistů | |
| US3916036A (en) | Sensitized decomposition of polysulfone resists | |
| JPH0128368B2 (cs) | ||
| US4454200A (en) | Methods for conducting electron beam lithography | |
| CS202991B1 (cs) | Negativní elektrodové resisty | |
| JPS6233737B2 (cs) | ||
| US4656108A (en) | Patterned film of thiocarbonyl fluoride polymer | |
| JPH03182756A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6134654B2 (cs) | ||
| JPS6070442A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP2593310B2 (ja) | レジスト材料 | |
| US4677048A (en) | Process of using N-alkynyl polyvinylpyridinium resists having electron and deep U.V. sensitivity | |
| JPH01217341A (ja) | ポジ型電子線レジストのパターン形成方法 | |
| JPS58122531A (ja) | パタ−ン形成方法 |