CS218950B1 - Způsob regenerace krystalové mřížky křemíku ozářeného neutrony - Google Patents
Způsob regenerace krystalové mřížky křemíku ozářeného neutrony Download PDFInfo
- Publication number
- CS218950B1 CS218950B1 CS897880A CS897880A CS218950B1 CS 218950 B1 CS218950 B1 CS 218950B1 CS 897880 A CS897880 A CS 897880A CS 897880 A CS897880 A CS 897880A CS 218950 B1 CS218950 B1 CS 218950B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- temperature
- crystal lattice
- temperatures
- regenerating
- range
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Vynález se týká způsobu regenerace krystalové mřížky monokrystalu křemíku, narušené při ozáření neutrony iv jaderném reaktoru. Tento způsob stabilizuje měrný odpor monokrystalu a současně regeneruje krystalovou mřížku natolik, že doba života minoritních nositelů proudu je podstatně vyšší než při kterémkoliv doposud používaném postupu. Podstata vynálezu spočívá v tom, že neutronově legované monokrystaly jsou postupně, vždy s následujícím zchlazením na teplotu z teplotního intervalu —50 °C až +200° Celsia, žíhány na třech až dvanácti teplotách v rozmezí 300 až 850 °C. Doba žíhání na každé teplotě je 10 — 120 minut.
Description
Vynález se týká způsobu regenerace krystalové mřížky monokrystalu křemíku, narušené při ozáření neutrony iv jaderném reaktoru.
Tento způsob stabilizuje měrný odpor monokrystalu a současně regeneruje krystalovou mřížku natolik, že doba života minoritních nositelů proudu je podstatně vyšší než při kterémkoliv doposud používaném postupu.
Podstata vynálezu spočívá v tom, že neutronově legované monokrystaly jsou postupně, vždy s následujícím zchlazením na teplotu z teplotního intervalu —50 °C až +200°
Celsia, žíhány na třech až dvanácti teplotách v rozmezí 300 až 850 °C. Doba žíhání na každé teplotě je 10 — 120 minut.
Vynález se týká způsobů regeneracrekrjB»·talové mřížky monokrystalů kůemíkaa^ nar rušené při ozáření neutrony v jaderném reaktoru.
Pro výrobu polovodičových prvků; a» přes> ně definovanými elektrickými vlastnostmi se vyžaduje výchozí materiál s homogenním rozložením měrného odporu. Vysoce homogenního rozložení fosforu v křemíku lze dosáhnout pouze neutronovým legováním, jehož princip spočívá v transmutaci izotopu 30Si na fosfor při ozařování tepelnými neutrony v jaderném reaktoru:
β30Si (η,χ) 3lSi----- 3lp
14 2,6 h 15
Při tomto ozařování však dochází k celé řadě interakcí částic a záření s hmotou, a proto je krystalová mřížka ozářeného monokrystalu narušena a monokrystalický křemík nemá bezprostředně po ozáření požadované elektrické a strukturní vlastnosti. Křemík se proto tepelně zpraeovávážíbáním při dostatečně vysoké teplotě nad 650° Celsia. I když při tomto žíhání dojde ke stabilizaci měrného odporu, zotavení krystalové mřížky je pouze částečné, což se projevuje výrazně nižší dobou života minoritních nositelů proudu oprosti monokrystalům před ozařováním.. Protože doba života miř noritníeh nositelů’ proudu je' klíčový’ parametr monokrystalu, zejména při výrobě součástek s vyšším závěrným napětím, kde např. limituje velikost proudu v propustném směru a strmost V — A charakteristiky v závěrném směru, dosažení vysoké doby. života při stabilizaci měrného odporu je závažným problémem neutronového legování.
Výše uvedený problém řeší způsob regenerace krystalové mřížky křemíku ozářeného neutrony podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že neutronově legované monokrystaly jsou postupně, vždy s následujícím zchlazením na teplotu z teplotního intervalu —50 °C až +200 °C, žíhány na třech až dvanácti teplotách z teplotního Intervalu 300 — 850 °C, mezi nimiž jsou teploty Ti, Ta a Ts takové, že teplota T3 je nejvyšší ze všech teplot a leží v rozmezí 750 až 850 °C, teplota Ta leží v rozmezí 600 až 750 °C a je alespoň o 50 °C nižší než T3, teplota Ti leží v rozmezí 300 — 700 °C a je alespoň o 50 °C nižší než teplota T2 a doba žíhání na každé teplotě je 10 — 120 minut. Výhodné je použití dalších teplot ležících v rozmezí 300 °C až T3 tak, aby došlo k rovnoměrnějšímu pokrytí tohoto teplotního intervalu.
Princip vynálezu lze vysvětlit takto: Částice a záření v jaderných reaktorech reagují s křemíkem a jeho příměsmi různým způsobem — pružný rozptyl, vybuzení atomů a jejich ionizace, jaderné transmutace. Při všech těchto procesech dochází ze strukturního hlediska: ke vzniku základních bodových poruch8— dvojic, intessíiciála; — wakance s různým stupněm vzájemné; vazby: Protože základní bodové* poruchy mají velkou pohyblivost, reagující mezi sebou i s různými příměsmi’ a tím vytvářejí komplexní bodové poruchy. Celá řada těchto komplexních poruch, zejména poruchy svázané. s kyslíkem,, působí jako rekombinační centra a. tím snižují: dobu; života^mriiararitních nositelů proudu. K rozpadu každá arkomplexních poruch dochází pijh zahřátí na určitou charakteristickou; teplotu^ napy. dvojice intersticiála — kyslík ses rozpadá při 75&°Gf. Intersticiály a vakance,, které* se při tomto rozpadů uvolní, však difúzními procesy vytvářejí další komplexní poruchy, jejich, forma závisí, na- teplotní minulosti monokrystalu. Mohou to být např, . tepelně sta.bilní shluky vakancí a interstlGíálů nebo poruchy kombinované s příměsmi křemíku, např. s kyslíkem. Při uplatnění postupu podle vynálezu se jednodušší poruchy, neobsahující kyslík a rozpadající se při nižších teplotách,, žíhají samostatně a, pči. následujícím zchlazení tváří, shluky vakancí a intersticiálů bez vlivu na dobu života. Tyto shluky jsou pak stabilní a při dalším žíhání na-vyšší teploty, při kterých se rozpada.jí komplexní poruchy s kyslíkem a stabilizuje se měrný odpor.
Bez újmy na obecnosti jsou uvedeny^něktseré zr příkladů výifedhéí volby teplot, ověřených prakticky:
1. 9 teplot 400 — 450 — 500 — 550 — 600 — — 650 — 700 — 750 — 800 °C
2.. 7. teplot.400. — 47.Q —540,— 610 — 680,— — 75Ω· — 8fl0 °G.
3.. 4, teploty 4Z0 — 560. — 68Ώ — 800 CC 4. 3 teploty 550 — 750 — 800 °C
Duba. prodlevy, monokrystalu na zvolených. teplotách, jp 10.· — 120. minut,, rychlosfc zahřívání, a chladnutí monokrystalu musí. být menší než. .10 K·.. a-1, časový, sled teplot může být libovolný, avšak nejlepších výsledků bylo. dosaženo, při postupu, od nejnižškdo. nejvyšší. teploty..
Erotože rozsáhlé, regenerační cykly,, např, se. 7 nebo 9. teplotami,, jsou spájeny s vyššími. nároky,, zejména, na. spotřebu elektrické, energie· a. na. celkovou· dobu zpracování,, byl jakoa optimální pro praktické využití’ zvolen postup podle příkladů č. 3.
Regenerace byla prováděna v difúzní peci s křemennou trubicí. Neutronově legované monokrystaly byly před vlastní regenerací očištěny leptáním ve směsi kyseliny fluorovodíkové HF, kyseliny dusičné HNO3 a kyseliny octové CH3COOH. Pracovní oblast křemenné trubice byla zahřáta na teplotu 42Ό °C a monokrystaly uložené na křemenné lodičce byly zasunuty do pece. Po uplynutí 30 minut byly z pece zvolna vytaženy a teplota pece zvýšena na 560 °C. Po
218 zchladnutí monokrystalů a stabilizaci teploty v peci byly monokrystaly opět 30 minut žíhány a zvolna vytaženy. Teplota pece byla zvýšena na 680 °C. Monokrystaly byly po vychladnutí a stabilizaci teploty žíhány po třetí po dobu 30 minut, pak byly zvolna vytaženy a teplota pece zvýšena na 800 °C. Po vychladnutí a stabilizaci teploty pece byly žíhány naposledy, opět po dobu 30 minut, a vytaženy. Po tomto regeneračním postupu byl na monokrystalech měřen měrný odpor čtyřbodovou metodou a doba života minoritních nositelů metodou fázové kompenzace. Tímto způsobem bylo zpracováno více než 100 monokrystalů. U všech byl měr950 ný odpor plně stabilizován a typická doba života byla v rozmezí 1000 — 3000 μ3. Podobné výsledky byly zjištěny i při jiných volbách teplot podle vynálezu.
Protože u všech dosud známých regeneračních postupů je typická doba života v rozmezí 50 — 500 μ$, tak praktické ověření ukázalo, že způsob regenerace krystalové mřížky křemíku ozářeného- neutrony podle vynálezu stabilizuje měrný odpor monokrystalu a současně regeneruje krystalovou mřížku natolik, že doba života minoritních nositelů proudu je podstatně vyšší než při kterémkoliv dosud používaném postupu.
Claims (1)
- PŘEDMĚTZpůsob regenerace krystalové mřížky křemíku ozářeného neutrony, vyznačený tím, že ozářené monokrystaly jsou postupně, vždy s následujícím zchlazením na teplotu z teplotního intervalu —50 °C až -1-200 °C, žíhány na třech až dvanácti teplotách z teplotního intervalu 300 — 850 °C, mezi nimiž jsou teploty Τι, Ts a Ts takové, že tepvynálezu lota T3 je nejvyšší ze všech teplot a leží v rozmezí 750 — 850 CC, teplota Ts leží v rozmezí 600 — 750 °C a je alespoň o 50 °Q nižší než teplota Ts, teplota Ti leží v rozmezí 300 — 700 °C a je alespoň o 50 °C nižší než teplota Ts a doba žíhání na každé teplotě je 10 — 120 minut.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS897880A CS218950B1 (cs) | 1980-12-18 | 1980-12-18 | Způsob regenerace krystalové mřížky křemíku ozářeného neutrony |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS897880A CS218950B1 (cs) | 1980-12-18 | 1980-12-18 | Způsob regenerace krystalové mřížky křemíku ozářeného neutrony |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS218950B1 true CS218950B1 (cs) | 1983-02-25 |
Family
ID=5441053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS897880A CS218950B1 (cs) | 1980-12-18 | 1980-12-18 | Způsob regenerace krystalové mřížky křemíku ozářeného neutrony |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS218950B1 (cs) |
-
1980
- 1980-12-18 CS CS897880A patent/CS218950B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Nihira et al. | Thermal resistivity changes in electron-irradiated pyrolytic graphite | |
| US4135951A (en) | Annealing method to increase minority carrier life-time for neutron transmutation doped semiconductor materials | |
| Wöhler et al. | The annealing of the EPR-signal produced in silicon by plastic deformation | |
| CS218950B1 (cs) | Způsob regenerace krystalové mřížky křemíku ozářeného neutrony | |
| Hall | Hp Ge: Purification, crystal growth, and annealing properties | |
| JPH0523494B2 (cs) | ||
| Svensson et al. | Annealing of divacancy-related infrared absorption bands in boron-doped silicon | |
| JPH10112441A (ja) | リンをドーピングしたシリコンの製造法 | |
| US3140966A (en) | Vapor deposition onto stacked semiconductor wafers followed by particular cooling | |
| Kobiyama et al. | Recovery of Cd, Co, Re and Ga after low-temperature fast neutron irradiation | |
| Hatakeyama et al. | Hydrogen-oxygen-vacancy complexes in Czochralski-grown silicon crystal | |
| Ho et al. | Some aspects of the effect of heat treatment on the minority carrier diffusion length in low resistivity p‐type silicon | |
| US3671330A (en) | Removal of acceptor impurities from high purity germanium | |
| Ataka et al. | Nucleation and growth of oxide precipitates in CZ–Si wafers | |
| Topchyan et al. | Features of Third Annealing Stage of Radiation Defects in Hydroextruded Al | |
| Fukuoka et al. | Optical studies of radiation damage in neutron transmutation doped silicon | |
| Dvurechensky et al. | Production and rearrangement of radiation defects in ion implanted semiconductors | |
| Daly et al. | The annealing of paramagnetic divacancies in fast neutron irradiated silicon | |
| JPS62257723A (ja) | シリコンウエ−ハの製造方法 | |
| Maeta et al. | Recovery of zinc single crystals after fast-neutron irradiation at 5 K | |
| Coeck et al. | Defects in neutron transmutation doped silicon studied by positron annihilation lifetime measurements | |
| JP2017157812A (ja) | ウェハの熱処理方法 | |
| Tanigawa et al. | Interaction of hydrogen isotopes with defects in Li2O | |
| Narayan | Rapid thermal annealing of ion-implanted silicon and gallium arsenide | |
| Lugakov et al. | Interaction of radiation defects of different nature in n-Si at irradiation and annealing |