CS218473B1 - Kelímek pro pěstování monokrystalů gradientovou metodou - Google Patents

Kelímek pro pěstování monokrystalů gradientovou metodou Download PDF

Info

Publication number
CS218473B1
CS218473B1 CS528481A CS528481A CS218473B1 CS 218473 B1 CS218473 B1 CS 218473B1 CS 528481 A CS528481 A CS 528481A CS 528481 A CS528481 A CS 528481A CS 218473 B1 CS218473 B1 CS 218473B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
crucible
gradient method
single crystal
crystallization
melt
Prior art date
Application number
CS528481A
Other languages
English (en)
Inventor
Josef Jindra
Josef Filip
Original Assignee
Josef Jindra
Josef Filip
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Josef Jindra, Josef Filip filed Critical Josef Jindra
Priority to CS528481A priority Critical patent/CS218473B1/cs
Publication of CS218473B1 publication Critical patent/CS218473B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Vynález se týká kelímku.. pro pěstování monokrystalů gradientovou metodou, zvláš­ tě ?pro hromadné pěstování krystalů destič- kovitého a čočkovitého tvaru, kde s cílem Zvýšení hydrostatického tlaku taveniny ze zásobníku suroviny Je svrchní část kelímku vertikálně pohyblivá a působí jako píst

Description

//Vynález se týká kelímku.....pro pěstování monokrystalů gradientovou metodou, zvláště ?pro hromadné pěstování krystalů destičkovitého a čočkovitého tvaru, kde s cílem Zvýšení hydrostatického tlaku taveniny ze zásobníku suroviny Je svrchní část kelímku vertikálně pohyblivá a působí jako píst.
Obr. 1
Vynález se týká kelímku pro pěstování monokrystalů v požadovaných .tvarech gradientovou metodou.
Pod pojmem gradientova metoda krystalizace jsou zahrnuty metody, kdy bud kelímek s roztavenou látkou prochází gradientem teploty do chladnější temperační zóny, nebo naopak kelímek stojí a posouvá se vstřícně teplotní gradientově pole.
Je známa hromadná příprava tvarovaných monokrystalů gradientovou metodou, především déstiěkovitého a čočkoVitého tvaru ve zvlášť vytvořených krystalizačních prostorech mezi horizontálními přepážkami kelímku nebo kelímkové sěstavy podle čs. autorského osvědčení č. 175 ISO nebo v prostorech, vytvořených ve svislých segmentech kelímkové sestavy nebo kelímku. V obou případech je používán zásobník suroviny — násypka — nad krystalizačním prostorem vytvořenými přepážkami nebo segmenty. Prostor zásobníku je spojen s krystalizačními prostory pomocí úžkých kanálků a krystalizační prostory jsou obdobně spojeny mezi sebou. Tento způsob plně vyhovuje v případech, kdy tavenina smáčí materiál přepážek nebo segmentů. V případech, kdy charakter látek je takový, že ke smáčení nedochází, například v soustavě grafiit/tavenina halogenidů kovů, musí být tyto plnicí a spojovací kanálky dostatečně široké, aby tavenina protekla, zpravidla až 2 mm. To způsobuje potíže pri pozdějším oddělování vykrystalovaných jedinců od isebe, neboť jsou spojeny můstky pevné hmoty. Užší kanálky by sice potíže při oddělování řešily, ale mají za následek, že zvláště horní krystalizační prostory mezi vodorovnými přepážkami nebo_svislými segmenty zůstávají nenaplněny. Část taveniny, jejíž hydrostatický tlak byl natolik malý, aby překonal odpor úzkého plnicího kanálku, zůstává v zásobníku, kde zatuhne.
Uvedené nedostatky odstraňuje kelímek pro pěstování monokrystalů gradientovou metodou, obsahující krystalizační prostory, jehož podstata spočívá v tom, že svrchní díl nebo díly kelímku jsou vertikálně pohyblivé.
Nákladní myšlenkou tohoto řešení je zvýšit hydrostatický tlak taveniny v zásobníku tlakem svrchního dílu kelímku, což je v dosavadním chápání gradientově metody postup zcela neobvyklý, jeho provedení vyžaduje vytvořit a dodržet náročné podmínky. Druhou stránkou .přínosu tohoto vynálezu, tj. vedle zlepšení dávkováni taveniny zvýšením jejího hydrostatického tlaku, je navození mikroklimatických podmínek v tavenině, zamezení přístupu nežádoucích molekul a iontů z pěstovací atmosféry, zvláště vody a kyslíku, snížení odpařování taveniny a omezení jejího termického rozkladu, příslušného dané teplotě. Velikost těchto důsledků z hlediska fyzikálně-chemického je zřejmě málo významná, ale z hlediska pěstování krystalů a dosažení strukturní a optické dokonalosti hraje tento fakt značnou roli.
Jelikož by β ohledem na úspornost provozu měla být všechna tavenina ze zásobníku spotřebována ke krystalizací, je výhodné použít tlaku svrchní části kelímku na celý povrch zásobníku, který funguje jako válec. V každém případě vnitřní povrch zásobníku, který funguje jako válec, a vnějSí povrch svisle pohyblivé části, která funguje jako píst, musí být dobře opracovány aby funkce válec/píst byla zajištěna. 2 důvodů snadného opracování mají přednost kruhové tvary, ale stejně dobře fungují i tvary v podstatě pravoúhlé.
Některé možné konkrétní příklady konstrukčního uspořádání kelímku podle vynálezu jsou dále blíže popsány ve spojení s výkresy.
Na obr. 1 je ve svislém řezu znázorněno uspořádání s vodorovnými krystalizačními prostory, je znázorněn kelímek 1, vodorovné přepážky 2 s krystalizačními prostory, surovina 3, svisle pohyblivý svrchní díl 4 a na něm upravené závaží 5, na spodní části svrchního dílu 4 jsou upraveny drobné průchody 8, napomáhající při počáteční evakuaci krystalizačních prostorů. V případě pěstování monokrystalů 'alkalických halogenldů, halogenidů alkalických zemin nebo vzácných zemin je závaží 5 z molybdenu neboi wolframu, svrchní díl 4, kelímek 1 a přepážky 2 grafitové.
Na obr. 2 je ve svislém řezu a na obr. 3 ve vodorovném řezu znázorněno uspořádáni, kde vodorovné přepážky vytvářejí sestavu bez vnějšího kelímku. Jsou zde znázorněny vodorovné přepážky 2 s krystaWEačními prostory, ohraničené spodní krajní deskou 7 a horní krajní deskou 1. Dále je znázorněn dovnitř osazený válcový zásobník S se surovinou 3, uchycený k horní krajní desce 8. Je znázorněn svrchní díl 4, závaží 5, odplyňovací otvory 6 ve spodní části svrchního dílu 4, středový otvor 10 ve vodorovných přepážkách 2 a horní krajní desce 8, sloužící jako pomocný dávkovači otvor, a v dolní krajní desce 7 vytvořená zárodková prohlubeň 11.
Na obr. 4 je ve svislém řezu podle linie Β—B a na obr. 5 ve vodorovném řezu podle linie A—A znázorněno ještě jiné uspořádání s použitím segmentů se svislými krystalizačními prostory. Jsou znázorněny segmenty 12 s rozšířenou horní částí 13, sloužící jako zásobník suroviny 3. Dále je znázorněn ukončující svrchní díl 4, závaží 5 a kanálky 14 v segmentech 12. V tomto uspořádání působí spodní části segmentů 12 jako· svrchní díly kelímku.

Claims (1)

  1. Kelímek pro pěstování monokrystalů gra- menty, vyznačený tím, že svrchní díl nebo dientovou metodou, obsahující krystalizační díly kelímku jsou vertikálně pohyblivé, prostory, vytvořené přepážkami nebo seg-
CS528481A 1981-07-09 1981-07-09 Kelímek pro pěstování monokrystalů gradientovou metodou CS218473B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS528481A CS218473B1 (cs) 1981-07-09 1981-07-09 Kelímek pro pěstování monokrystalů gradientovou metodou

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS528481A CS218473B1 (cs) 1981-07-09 1981-07-09 Kelímek pro pěstování monokrystalů gradientovou metodou

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS218473B1 true CS218473B1 (cs) 1983-02-25

Family

ID=5397441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS528481A CS218473B1 (cs) 1981-07-09 1981-07-09 Kelímek pro pěstování monokrystalů gradientovou metodou

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS218473B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zheng et al. A droplet‐based, composite PDMS/glass capillary microfluidic system for evaluating protein crystallization conditions by microbatch and vapor‐diffusion methods with on‐chip X‐ray diffraction
EP0099948B1 (en) Process for producing high-purity aluminum
CS218473B1 (cs) Kelímek pro pěstování monokrystalů gradientovou metodou
JPS5947393A (ja) 不純物含有アルミニウムを精製する改良された方法
GB1374065A (en) Optical control of crystal growth
US4444377A (en) Molten metal transfer crucible
US3607115A (en) Crystal pulling from molten melts including solute introduction means below the seed-melt interface
KR20180019600A (ko) 반연속 결정화 방법 및 장치
CA2336685A1 (en) Molten salt electrolytic cell having metal reservoir
NO160567B (no) Stoepeform for elektromagnetisk stoeping av smeltet metall.
US4839904A (en) Apparatus for the melting of metals
Schurmann et al. Melting Equilibria of Iron--Aluminium and Iron--Phosphorus Alloys
EP0184338B1 (en) Alloy production by vapour condensation
EP0089009B1 (de) Verfahren zur Entfernung des Schlackenanteils aus Schmelzmischungen von Schlacke und Silicium
RU2123909C1 (ru) Способ получения отливок направленной кристаллизацией и устройство для его осуществления
US4152237A (en) Deflected flow inlet system for mercury cells
GB2200856A (en) Process and device for the continuous crystallization of medium and low purity massecuites in a sugar refinery
JP2589985B2 (ja) 化合物半導体結晶の育成方法
RO85993B1 (ro) Creuzet pentru obtinerea monocristalelor optice
DE10047929A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiter- und Metallscheiben oder -folien und Verwendung so hergestellter Folien oder Scheiben
US4617084A (en) Process for the production of metallic or semimetallic shaped elements
JPH0264087A (ja) 半導体結晶成長装置
CS255939B1 (cs) Růstová kazeta na produktivní přípravu epitaxníoh vsrtev z kapalná fáze
US2909472A (en) Process for producing titanium crystals
RU2068462C1 (ru) Устройство для выращивания кристаллов из расплава