CS255939B1 - Růstová kazeta na produktivní přípravu epitaxníoh vsrtev z kapalná fáze - Google Patents

Růstová kazeta na produktivní přípravu epitaxníoh vsrtev z kapalná fáze Download PDF

Info

Publication number
CS255939B1
CS255939B1 CS312786A CS312786A CS255939B1 CS 255939 B1 CS255939 B1 CS 255939B1 CS 312786 A CS312786 A CS 312786A CS 312786 A CS312786 A CS 312786A CS 255939 B1 CS255939 B1 CS 255939B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
melt
growth cassette
growth
cassette
liquid phase
Prior art date
Application number
CS312786A
Other languages
English (en)
Inventor
Dusan Nohavica
Ngoc T Nguyen
Original Assignee
Dusan Nohavica
Ngoc T Nguyen
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dusan Nohavica, Ngoc T Nguyen filed Critical Dusan Nohavica
Priority to CS312786A priority Critical patent/CS255939B1/cs
Publication of CS255939B1 publication Critical patent/CS255939B1/cs

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

Řešení ee týká přípravy epitaxníoh vrstev z kapalná fáze a řeší konstrukci růstová kazety pro jejich hromadnou výrobu. Nově je řešen zejmána vnitřní prostor růstová kazety, který je opatřen první přepážkou oddělujíoí prostor víka od vlastního tělesa růstové kazety, vs které je zásobník taveniny a fcomora pro podložky. První přepážka umožňuje filtraci taveniny do prostoru víka přes filtraění štěrbinu a řízené nastavení přesycení příp. nedosyoení taveniny před zalitím na podložku. Uvedená řešení vede ke zlepšení reprodukovatelnosti této technologie při vícenásobném použití taveniny a lepší kontrole vlastního růstového procesu.

Description

Vynález se týká růstové kazety na produktivní přípravu epltaxnlch vrstev z kapalné fáze pro výrobu monokrystal ických vrstev polovodičových sloučenin a tuhých roztoků.
V případě, je-· 11 nutné provádět růst struktur ·v kvaziuzavřeném růstovém systému, jsou známé tři způsoby řešeni.
V prvém byla navržena křemenná lodička, ve které se podložky pro epitaxnl růst fixovaly křemennými vložkami navléknutými na křemenném šroubu, který současně přitahoval boční stěnu lodičky k hlavnímu tělesu lodičky. Tavenina se pak zalévala na podložky otáčením celé lodičky kolem vlastni podélné osy..Toto < originální řešeni má několik nedostatků. Na podložkách vždy zůstávají stopy po fixačních křemenných vložká ch, které komplikují proces následného fototltografl ckého zpracováni struktur. Pále je velmi obtížné v této konstrukci zajistit přesně stejnou mezeru na taveniny pro všechny použité podložky a tím 1 stejnou tloušlku epltaxnlch vrstev. Třetím nedostatkem je poměrně malá dosedová plocha mezi hlavním tělesem lodičky a bočním uzávěrem, což vede k snadnému narušeni hermetlčnostl vnitřního prostoru růstové kazety. Druhé řešení růstové kazety kvazíuzavřeného typu pro hromadnou přípravu epltaxnlch struktur je chráněno čs. autorským osvědčením č. 198 352.
V->.···'·· .·. Tento návrh řeší hromadnou přípravu epltaxnlch struktur v zatavené ampuli na podložkách, které jsou v průběhu růstu umístěny horizontálně na nosných křemenných destičkách šikmo pod sebou. Zaliti taveniny ze zásobníků je docíleno sklopením’ pece okolo její příčné osy o požadovaný úhel cca 30 až 60°. Nedostatkem tohoto řešeni je, Že pracuje se •Sklopnou p®d, která není komerčně dostupná. Třetí řešeni vyu255939 živá růstové kazety zhotovené z křemene, v niž vertikálně umístěné podložky jsou orientovány příčně vzhledem k podélné ose pece a prostor pro tavenlnu je vytvořen rovnoběžně s prostorem pro podložky. Zaléváni taveniny je provedeno rotaci lodičky o 180°. Za hlavni nedostatek této konstrukce lze považovat skutečnost, že ani zde není možné při vícenásobném použiti taveniny.jednoduše zajistit její stejné složeni. Kromě toho je tato lodička realizačně poměrně složitá.
Výše uvedené nedostatky odstraňuje růstová kazeta na produktivní přípravu epltaxnlch vrstev z kapalné fáze podle vynálezu, kde těleso růstové kazety je od vnitřního prostoru vlka odděleno první přepážkou, ve které je vytvořena nad zásobníkem taveniny filtrační Štěrbina a nad komorou pro podložky nejméně jeden přelévac1 otvor.
Řešeni růstové kazety podle vynálezu má několik výhod. Filtraci taveniny od sytících materiálů dávkovaných v přebytku je zaručeno konstantní složeni taveniny pro daný teplotně časový režim provedeni přípravy epltaxnlch struktur. Po přemístěni filtrované taveniny do prostoru vlka růstové kazety lze měnit počáteční přesyceni nebo nedosycení taveniny změnou teplotně časového režimu procesu přípravy epltaxnlch struktur. Opatřením horní části zásobníku pro tavenlnu otvorem pro průchod plynné fáze vnitřním prostorem růstové kazety lze její aplikační možnostirozšlř1t o přípravu struktur vyžadujících redukční atmosféru nebo tzv. plynné legováni. Realizace této růstové kazety je poněkud jednodušší než u jiných známých řešeni .
Na přiloženém výkresu je znázorněna konstrukce růstové kazety podle vynálezu»
Růstová kazetaseskládá z tělesa 1_ a v1 ka 2» Těleso V je druhou přepážkou 12 rozděleno na zásobník 6. taveniny a komoru 7 pro podložky. Zásobní k <5 taveniny může být opatřen otvory 11 pro přívod ochranné atmosféry. Po obvodě tělesa 1. je vytvořena první hermetizačni pří ruba 8. Víko 2, je tvořeno první přepážkou 3y vnějším pláštěm 13 a druhou hermetlzačnl *· 3 ·· přírubou 9. v první přepážce 3. íe vytvořena filtrační Štěrbina a nejméně jeden přelévad otvor £, který je umístěn nad komorou £ pro podložky. Těleso 1. a víko 2 růstové kazety jsou spojeny grafitovými nebo křemennými Šrouby a matkami, které spojovacími procházejí otvory 10.
k
Růstová kazeta pracuje následuj íc1m způsobem. Do zásobníku 6 taveniny jsou umístěny složky tvořící tavenlnu, přičemž do komory £ jsou na křemenném nebo grafitovém nosníku umístěny podložky pro růst epltaxnich vrstev. Tyto podložky jsou k nosným destičkám přilepeny galiem. Po uzavřeni rétové kazety, například křemennými Šrouby s maticemi nebo křemennými klíny, je růstová kazeta umístěna do reaktoru, přes který je propouštěna ochranná atmosféra, například argon. Př1 zadané teplotě je prováděna homogenizace taveniny do jejího nasyceni přidanými látkami. Otočením růstové kazety kolem jej1 podélné osy o 180° je tavenina při průchodu přes filtrační Štěrbinu 4 odf1Itrována od nerozpuštěných složek do prostoru v1ka 2 růstové kazety. Otočením růstové kazety o dalších 180° je tavenina zalita do komory 7 pro podložky přelévadml otvory 5.
Pro zaléváni podložek taveninou jsou technologicky nejvýhodnějši dva přelévad otvory 5. Při konkrétní realizaci však může být přelévad otvor 5 vytvořen nad celým prostorem komory 7, pro podložky.
o.. . '
V procesu chlazeni pece je pěstována epitaxnl vrstva na všech podložkách. Tento růst může být ukončen dalším pootočením růstové kazety o 180°, kdy přebytečná tavenina vyteče zpět do prostoru vlka £ růtově kazety, v případě, kdy je do růstové kazety nutné zajistit přístup ochranné atmosféry z reaktoru, například pro přirůst struktur z GaAs, lze toho dosáhnout pomoci otvorů 11 pro přívod ochranné atmosféry.
Navržené zařízeni může být použito kromě přípravy polovo- . 3' 5 díčů A B a tuhých roztoků na jejích základě i k přípravě epl2 6 taxni ch vrstev křemíku, polovodičů A B případně nepolovodlčových materiálů.

Claims (2)

1. Růstová kazeta na produktivní přípravu epitaxnlch vrstev z kapalné .fáze, která se skládá z tělesa a víka, přičemž v tělese je vytvořena komora pro podložky a zásobník taveniny, se vyznačuje tim, že těleso /1/ je>od vnitřního prostoru vlka /2/ odděleno prvni přepážkou /3/, která je nad •zásobníkem /6/ taveniny opatřena filtrační §těrbino*u /4/, zatímco nad komorou /7/ pro poJložky je vytvořen nejméně jeden přelévaci otvor /5/,
2. Růstová kazeta na produktivní přípravu epitaxnlch vrstev z kapalné fáze podle bodu 1, se vyznačuje tim, Že v horní části zásobníku /6/ taveniny je vytvořen nejméně jeden otvor /11/ pro přívod ochranné atmosféry.
CS312786A 1986-04-30 1986-04-30 Růstová kazeta na produktivní přípravu epitaxníoh vsrtev z kapalná fáze CS255939B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS312786A CS255939B1 (cs) 1986-04-30 1986-04-30 Růstová kazeta na produktivní přípravu epitaxníoh vsrtev z kapalná fáze

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS312786A CS255939B1 (cs) 1986-04-30 1986-04-30 Růstová kazeta na produktivní přípravu epitaxníoh vsrtev z kapalná fáze

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS255939B1 true CS255939B1 (cs) 1988-03-15

Family

ID=5370417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS312786A CS255939B1 (cs) 1986-04-30 1986-04-30 Růstová kazeta na produktivní přípravu epitaxníoh vsrtev z kapalná fáze

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS255939B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3716345A (en) Czochralski crystallization of gallium arsenide using a boron oxide sealed device
EP0099948B1 (en) Process for producing high-purity aluminum
CZ291584B6 (cs) Způsob a zařízení k řízenému tuhnutí taveniny
US4664742A (en) Method for growing single crystals of dissociative compounds
CS255939B1 (cs) Růstová kazeta na produktivní přípravu epitaxníoh vsrtev z kapalná fáze
US4469512A (en) Process for producing high-purity aluminum
US3713883A (en) Method of and apparatus for growing crystals from a solution
Parker et al. Terracing in HgCdTe LPE films grown from Te solution
JPH1179885A (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶製造装置
US3589336A (en) Horizontal liquid phase epitaxy apparatus
JPS61158890A (ja) 結晶成長装置
JPS56149399A (en) Liquid phase epitaxial growing method
JP4019133B2 (ja) 液相エピタキシャル成長方法及びその装置
US3729291A (en) Method for growing crystals from molten melts saturated with crystalline material
JPH11189499A (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
JPH02308521A (ja) 液相エピタキシャル結晶成長方法
JPH04119988A (ja) 液相エピタキシャル成長装置
JPH0416591A (ja) 化合物半導体の単結晶引き上げ装置
JPS6120042Y2 (cs)
JP2637210B2 (ja) 単結晶成長方法及び装置
JP2773339B2 (ja) 液相エピタキシャル成長方法
JPS6442390A (en) Process and apparatus for carrying out liquid phase epitaxial growth
JPS6120041Y2 (cs)
JPH0369591A (ja) 半導体結晶成長方法
JPS55153324A (en) Liquid phase epitaxial growth device