CS214178B1 - 7apojení výkonového bezkontaktního přepínače pro můstkoVý napáječ střídavého motoru, zejména krokového - Google Patents

7apojení výkonového bezkontaktního přepínače pro můstkoVý napáječ střídavého motoru, zejména krokového Download PDF

Info

Publication number
CS214178B1
CS214178B1 CS500780A CS500780A CS214178B1 CS 214178 B1 CS214178 B1 CS 214178B1 CS 500780 A CS500780 A CS 500780A CS 500780 A CS500780 A CS 500780A CS 214178 B1 CS214178 B1 CS 214178B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
transistor
power
bridge
control
motor
Prior art date
Application number
CS500780A
Other languages
English (en)
Inventor
Petr Preuss
Andrej Preuss
Tomas Dusek
Alen Krcma
Original Assignee
Petr Preuss
Andrej Preuss
Tomas Dusek
Alen Krcma
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Petr Preuss, Andrej Preuss, Tomas Dusek, Alen Krcma filed Critical Petr Preuss
Priority to CS500780A priority Critical patent/CS214178B1/cs
Publication of CS214178B1 publication Critical patent/CS214178B1/cs

Links

Landscapes

  • Control Of Direct Current Motors (AREA)

Abstract

Vynález se tvká zapojení výkonového bezkontaktního přepínače pro můstkový na páječ střídavého motoru s výkonovými tran sistory zapojenými v obou včtvích můstku. V ka-'dé větvi můstků Je přinošen řídící -transistor zapojený bází na emitor budící ho transistoru. Nůstek lze rozdělit na dvě noloviny, které jsou vzájemně zrcadlovým Obrazem. Při využití vynálezu odpadá nut nost buzení výkonových transistorů připo jených na kladný pól stejnosměrného zdroje Vylučuje se možnost současného sepnutí dvou výkonových transistorů ve v-^tvi. Využití přichází v úvahu především pro řízení rsgulovan-'ch elektrických poho nů.

Description

Vynález se týká zapojení výkonového bezkontaktního přepínače pro můstkový napáječ střídavého motoru, zejména krokového, s výkonovými transistory zapojenými v obou větvích můstku.
Jsou známa zapojení můstkových napáječů v nichž všechny čtyři koncové výkonové transistory obou větví jsou samostatně buzeny přes složité zesilovací stupně sledem řídících impulzů podle požadovaného taktování můstku. Protože emitory výkonových transistorů připojených kolektory ke kladnému pólu stejnosměrného zdroje jsou připojeny na měnící se napětí zátěže, je nutné použít pro budící stupně oddělovacích napěťových zdrojů a oddělit budící signály galvanicky a to vazbou optoelektronickou, transformátorovou nebo odporovou s většími ztrátgmi. Tato známá zapojení kladou velké nároky na správný sled řídících impulzů všech čtyř výkonových transistorů a tím na složité řízení, nebol při náhodném sepnutí obou výkonových transistorů ve větvi dochází k prohoření můstku.
Výše uvedené nevýhody odstraňuje zapojení podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že každé větvi můstku je připojen řídící transistor zapojený bází na emitor budícího transistoru, připojeného hází k pracovnímu odporu na výstupu řídícího transistoru, k jehož kolektoru Je připojena báze výkonového tranzistoru, přičemž zpětná vazba z hradící diody na výstupu budícího transistoru, polované v oropustném směru a připojené paralelně k řídící diodě, je přivedena na vstup vazebním odporem a odporem báze řídícího transistoru.
Výhoda zapojení podle vynálezu spočívá v odstranění buzení výkonových transistorů připojených na kladný pól stejnosměrného zdroje přičemž obvod pro řízení buzení druhých dvou výkonových transistorů je vzhledem k zapojení jejich emitorů na společný záporný potenciál jednoduchý. Zapojení vylučuje možnost současného sepnutí obou výkonových transistorů ve větvi, zvyšuje spolehlivost spínání, umožňuje provoz výkonových transistorů připojených ke kladnému potenciálu na mezi saturace a tím dosažení nejvyšší strmosti oři rozpínání. Tím dochází ke zkrácení přeóhodného jevu na transistoru, což vede k snížení přechodových ztrát a k rozšíření funkce transistoru při vyšších kmitočtech.
Příklad zapojení podle vynálezu je dále popsán a vysvětlen s pomocí výkresu, na němž je pro zjednodušení a přehlednost vztahovými značkami vyznačena jen levá polovina můstku, kdežto v pravé polovině, která je zrcadlovým obrazem levé, jsou zakresleny bez vztahových značek jen výkonové transistory a řídící dioda.
V každé větvi můstku je ke kladnému potenciálu stejnosměrného zdroje připojen kolektor výkonového transistoru £, v jehož emitorovém obvodu je zapojena v propustném směru polovaná řídící dioda 10 v sérii s přechodem kolektor-emitor řídícími impulsy na bázi 14 buzeným výkonovým transistorem 2 připojeným emitorem k svorce 13 záporného potenciálu stejnosměrného zdroje. Ke svorce 12 mezi výstupem výkonového transistoru a řídící diodou 10 je v diagonále můstku zapojena zátěž Z.
Ke každé větvi můstku s výkonovými transistory 2» ,2 je paralelně připojen řídící transistor 4 s pracovním odporem 7 na výstupu. Báze řídícího transistoru 4 je přes odpor 6 pro nastavení pracovního bodu připojena na emitor budícího transistoru připojený omezovacím odporem £ ke svorce 11 kladného potenciálu stejnosměrného zdroje. Báze budícího transistoru 2 je připojena k pracovnímu odporu 7 na výstupu řídícího transistoru 4. Ke kolektoru budícího transistoru £ ie připojena báze výkonového transistoru 2. Na výstupu budícího transistoru 2 je zapo214178 jena paralelně s řídící diodou 10 v propustném směru polovaná hradící dioda 9, z níž je vedena ořeš vazební odpor 8 a odpor 6 v bázi řídícího transistoru 4 zpětná vazba na emitor.
Řídící signály budí střídavě výkonové transistory 1. v levé a pravé větvi můstku. Je-li řídícím signálem na bázi 14 výkonový transistor ,1 levé větve uzavřen, je uzavřena i řídící dioda 10 a hradící dioda £. Zpětnovazebním odporem 8 neprotéká žádný proud a budící transistor 2 pomocí řídícího transistoru 4 otvírá výkonový transistor 2. Proud protéká od svorky 11 výkonovým transistorem 2 levé větve, zátěží Z, řídící diodou 10 a výkonovým transistorem pravé větve ke svorce 1ŽPříchodem kladného řídícího signálu na bázi 14 výkonového transistoru 2 levé větve se tento transistor otevře a pomocí hradící diody 9 se zkratuje budící proud transistoru a tím uzavře výkonový transistor 2. Proud protéká pak od svorky 11 výkonovým transistorem 2 pravé větve, zátěží, řídící diodou 10 a výkonovým transistorem. 1, levé větve můstku. Proces přepnutí je ukončen otevřením řídícího transistoru 4 vlivem zpětné vazby odporem 8 a 6, která uzavře budící transistor J5. Hradící dioda 9 zabraňuje samovolnému otevření výkonového transistoru 2 při záporném překmitu napětí na výstupní svorce 12 vlivem induktivní zátěže Z.

Claims (1)

  1. Zapojení výkonového bezkontaktního přepínače pro můstkový napáječ střídavého motoru, zejména krokového s vvkonovým transistorem, v jehož výstupním obvodu je zapojena v propustném směru polovaná řídící dioda v sérii s přechodem kolektor-emitor řídícími signály na bázi buzeného výkonového transistoru, zapojenými v obou větvích můstku připojených k stejnovměrnému napájecímu zdroji v jedné diagonále, v jehož druhé diagonále mezi výkonovými transistory a řídícími diodami je zapojena zátěž, vyznačené tím, že ke každé větvi můstku je připojen řídící transistor (4) zapojený bází přes odpor (6) pro nastavení pracovního bodu na emitor budicího transistoru (3), připojeného bází k pracovnímu odporu (7) a jednak ke kolektoru řídícího transistoru (4), kde ke kolektoru budícího transistoru (3) je připojena báze výkonového transistoru (2), a jednak hradící dioda (9), polovaná v propustném směru a připojená paralelně k řídící diodě (10), přičemž druhý vývod hradící diody (9) je připojen přes vazební odpor (8) na bázi řídícího transistoru (4).
CS500780A 1980-07-15 1980-07-15 7apojení výkonového bezkontaktního přepínače pro můstkoVý napáječ střídavého motoru, zejména krokového CS214178B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS500780A CS214178B1 (cs) 1980-07-15 1980-07-15 7apojení výkonového bezkontaktního přepínače pro můstkoVý napáječ střídavého motoru, zejména krokového

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS500780A CS214178B1 (cs) 1980-07-15 1980-07-15 7apojení výkonového bezkontaktního přepínače pro můstkoVý napáječ střídavého motoru, zejména krokového

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS214178B1 true CS214178B1 (cs) 1982-04-09

Family

ID=5394097

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS500780A CS214178B1 (cs) 1980-07-15 1980-07-15 7apojení výkonového bezkontaktního přepínače pro můstkoVý napáječ střídavého motoru, zejména krokového

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS214178B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4500802A (en) Three terminal bidirectional source to source FET circuit
US5742193A (en) Driver circuit including preslewing circuit for improved slew rate control
EP0593628B1 (en) Power mosfet driver with cross-conduction current reduction
US4504779A (en) Electrical load drive and control system
US4994955A (en) Half-bridge driver which is insensitive to common mode currents
EP0183720B1 (en) Transformerless drive circuit for operating a field-effect transistor switch
US4414479A (en) Low dissipation snubber for switching power transistors
US5257175A (en) Analog control of inductive flyback voltages in a full bridge circuit
US3683208A (en) Power supply circuit arrangement utilizing regenerative current feedback
KR940012720A (ko) 반도체 레이저 구동회로
US4827223A (en) Buffer amplifier
KR0164638B1 (ko) 광 결합기 장치
US5523940A (en) Feedback control circuit for a synchronous rectifier having zero quiescent current
EP0286205A2 (en) Power transistor drive circuit
GB2250651A (en) Transistor switching circuit
JPH0951667A (ja) ゲート駆動回路
US4654544A (en) Darlington transistor driver with reverse base drive current
US5410190A (en) Circuit for shortening the turn-off time of a power transistor
CS214178B1 (cs) 7apojení výkonového bezkontaktního přepínače pro můstkoVý napáječ střídavého motoru, zejména krokového
JPH01158818A (ja) スイツチングトランジスタのベース電流調節方法および装置
US6150854A (en) Circuit arrangement for switching an inductive load
EP0608667B1 (en) Driving circuit for a field effect transistor in final semibridge stage
US4716513A (en) Base drive circuit in a transistor inverter
US6130569A (en) Method and apparatus for a controlled transition rate driver
US4588906A (en) Regulator circuit