CS213840B1

CS213840B1 - Semiconductor scanning electrode scanning tube

Info

Publication number: CS213840B1
Application number: CS956779A
Authority: CS
Inventors: Ivo Benc; Vaclav Husa; Jaroslav Kerhart; Josef Kopecky; Josef Kriz; Josef Ladnar; Jan Urbanec
Original assignee: Ivo Benc; Vaclav Husa; Jaroslav Kerhart; Josef Kopecky; Josef Kriz; Josef Ladnar; Jan Urbanec
Priority date: 1979-12-29
Filing date: 1979-12-29
Publication date: 1982-04-09

Abstract

Vynález řeší provedení polovodičové rozkladové elektrody snímací elektronky určené pro měření rozměrů. Podstata vynálezu spočívá v tom, že polovodičová! rozkladová elektroda je zhotovena tak, že obsahuje jednu přímou řadu fotodiod obdálníkovitého tvaru, přiléhajících k sobě delšími stranami. Rozkladovou elektrodu lze přitom β výhodou vytvořit z křemíku, a to běžnou technologií používanou při výrobě křemíkových vidikonů. Vynálezu je možno využit ve všech oborech, kde je nutno provádět bezkontaktní měření rozměrů, tj. např. v hutnictví, v kabelovnách, v drátovnách, a v průmyslu vyrábějícím různá součástky. Vynález nejlépe charakterizuje obr. 2 a obr. 3.The invention solves the embodiment of a semiconductor decomposition electrode of a scanning tube intended for measuring dimensions. The essence of the invention lies in the fact that the semiconductor! decomposition electrode is made in such a way that it contains one straight row of rectangular-shaped photodiodes, adjacent to each other with their longer sides. The decomposition electrode can be β advantageously made of silicon, using the usual technology used in the production of silicon vidicons. The invention can be used in all fields where it is necessary to perform contactless measurement of dimensions, i.e. e.g. in metallurgy, in cable factories, in wire factories, and in the industry producing various components. The invention is best characterized by Fig. 2 and Fig. 3.

Description

Yynáies ββ W οοίβτοΰίδοτύ rcDltlfifloTé clelctrodj sníncí elittronlor pro lěfení romlrůiYynáies ββ W οοίβτοΰίδοτύ rcDltlfifloTé clelctrodj dreaming elittronlor for healing rompers

Dosavadní zařízení pro měření vzdáleností používají lineárních prvků CCD, tj. polovodičového prvku e posuvem náboje, případně animacích prvků s rastrově uspořádanými fotodiedaul a snímacích prvků s rastrem světlovodivých vláken jako je Retikon, BBC, nebo řerchild. Zařízení s těmito prvky Jsou výrobně náročná a nákladná·Existing distance measuring devices use linear CCD elements, i.e. a semiconductor element e by shifting the charge, eventually animating elements with raster photodiedaul and light conducting fiber raster elements such as Retikon, BBC, or rechild. Devices with these elements They are expensive to manufacture and expensive ·

Výěe uvedené nedostatky jaou odstraněny polovodičovou rozkladovou elektrodou animaci elektronky podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že polovodičová rozkladová elektroda obsahuje jednu přímou řadu fotodiod obdélníkovítáho tvaru, přiléhajících k sobě delšími stranami· Tato rozkladová snímací elektroda, jíž lze a výhodou zhotovit z křemíku, je zabudovaná do běžného typu snímací vldlkonové elektronky, eož rozšiřuje použitelnost systému snímací techniky a vidikonem· Tím, že rozměry, provedení a funkce snímací rozkladové elektrody jaou stejné jako u rozkladové elektrody vldlkonu pro běžná snímání obrazu, je možné vyrábět snímací rozkladovou elektrodu pro měření délek obdobným způsobem jako snímací rozkladovou elektrodu pro snímání obrazu, tzn., na stejném výrobním zařízení a použitím stejné technologie· Rozdílné Je pouze provedení fotodiod, které u rozkladové elektrody podle vynálezu umožní při měření zachytit jeden lineární rozměr měřeného předmětu·The above drawbacks are overcome by the semiconductor scanning electrode of an electrode tube according to the invention, characterized in that the semiconducting scanning electrode comprises one straight array of rectangular-shaped photodiodes adjacent to each other over the longer sides of the scanning electrode. It is built into the conventional type of scanning electrode tube, which extends the applicability of the scanning technology system and vidicon. By providing the same size, design and function of the scanning electrode as conventional scanning electrode for conventional image acquisition, it is possible to produce the scanning electrode for length measurement. in the same way as the scanning electrode for image acquisition, i.e., on the same production equipment and using the same technology. enables to capture one linear dimension of the measured object during measurement ·

Uspořádání podle vynálezu Je výhodné jak z hlediska provozního, tak výrobního, protože kromě samotné rozkladové elektrody je možná vše ostatní převzít z vidikónu, Jehož výroba Je již dobře propracovaná·The arrangement according to the invention is advantageous both from the operational and the manufacturing point of view, since apart from the electrode itself, everything else can be taken from a vidicon whose production is already well developed.

Sa obr· 1 je celkový pohled na elektronku 6, ae zabudovanou rozkladovou elektrodou 1, zakrytou skleněným okénkem 2» vakuově spojeným se skleněným pláštěm £ elektronky §·Fig. 1 is an overall view of the vacuum tube 6, with the built-in target electrode 1 covered by a glass window 2 vacuum-bonded to the glass housing 6 of the vacuum tube.

Na obr. 2 je pohled na rozkladovou elektrodu 1, a řadou 2 fotodiod vytvořených na křemíkové desce·Fig. 2 is a view of the target 1 and a row 2 of photodiodes formed on a silicon wafer

Na obr. 3 je detail řady 2 fotodiod 21} 22; 22;»·· Obdélníkovitáho tvaru·Fig. 3 is a detail of row 2 of photodiode 21} 22; 22; »·· Rectangular ·

Jako příklad lze uvést rozkladovou elektrodu 1, znázorněnou na obr. 2, a detailem na obr. 3, vytvořenou na křemíkové desce o průměru 22 mm, kde jednotlivá fotodlody o rozměrech 5x10 /srn Jsou od sebe vzdáleny 5 £un. Rozkladová elektroda 1 je zabudována do běžně vyráběného systému jednopalcového vldlkonu·By way of example, the scanning electrode 1 shown in FIG. 2 and the detail in FIG. 3 formed on a silicon wafer having a diameter of 22 mm, wherein the individual photodiodes of 5x10 / gm are spaced 5 [mu] m apart. The decomposition electrode 1 is built into a conventional one-inch wavelength system.

Claims

Semiconductor scanning electrode for length measuring tubes, characterized in that it comprises one straight line (2) of rectangular photodiodes (21,22,23) adjacent to each other by longer sides ·