CS213840B1 - Polovodičová rozkladová elektroda snímací elektronky - Google Patents

Polovodičová rozkladová elektroda snímací elektronky Download PDF

Info

Publication number
CS213840B1
CS213840B1 CS956779A CS956779A CS213840B1 CS 213840 B1 CS213840 B1 CS 213840B1 CS 956779 A CS956779 A CS 956779A CS 956779 A CS956779 A CS 956779A CS 213840 B1 CS213840 B1 CS 213840B1
Authority
CS
Czechoslovakia
Prior art keywords
semiconductor
scanning
electrode
scanning electrode
tube
Prior art date
Application number
CS956779A
Other languages
English (en)
Inventor
Ivo Benc
Vaclav Husa
Jaroslav Kerhart
Josef Kopecky
Josef Kriz
Josef Ladnar
Jan Urbanec
Original Assignee
Ivo Benc
Vaclav Husa
Jaroslav Kerhart
Josef Kopecky
Josef Kriz
Josef Ladnar
Jan Urbanec
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ivo Benc, Vaclav Husa, Jaroslav Kerhart, Josef Kopecky, Josef Kriz, Josef Ladnar, Jan Urbanec filed Critical Ivo Benc
Priority to CS956779A priority Critical patent/CS213840B1/cs
Publication of CS213840B1 publication Critical patent/CS213840B1/cs

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

Vynález řeší provedení polovodičové rozkladové elektrody snímací elektronky určené pro měření rozměrů. Podstata vynálezu spočívá v tom, že polovodičová! rozkladová elektroda je zhotovena tak, že obsahuje jednu přímou řadu fotodiod obdálníkovitého tvaru, přiléhajících k sobě delšími stranami. Rozkladovou elektrodu lze přitom β výhodou vytvořit z křemíku, a to běžnou technologií používanou při výrobě křemíkových vidikonů. Vynálezu je možno využit ve všech oborech, kde je nutno provádět bezkontaktní měření rozměrů, tj. např. v hutnictví, v kabelovnách, v drátovnách, a v průmyslu vyrábějícím různá součástky. Vynález nejlépe charakterizuje obr. 2 a obr. 3.

Description

Yynáies ββ W οοίβτοΰίδοτύ rcDltlfifloTé clelctrodj sníncí elittronlor pro lěfení romlrůi
Dosavadní zařízení pro měření vzdáleností používají lineárních prvků CCD, tj. polovodičového prvku e posuvem náboje, případně animacích prvků s rastrově uspořádanými fotodiedaul a snímacích prvků s rastrem světlovodivých vláken jako je Retikon, BBC, nebo řerchild. Zařízení s těmito prvky Jsou výrobně náročná a nákladná·
Výěe uvedené nedostatky jaou odstraněny polovodičovou rozkladovou elektrodou animaci elektronky podle vynálezu, jehož podstata spočívá v tom, že polovodičová rozkladová elektroda obsahuje jednu přímou řadu fotodiod obdélníkovítáho tvaru, přiléhajících k sobě delšími stranami· Tato rozkladová snímací elektroda, jíž lze a výhodou zhotovit z křemíku, je zabudovaná do běžného typu snímací vldlkonové elektronky, eož rozšiřuje použitelnost systému snímací techniky a vidikonem· Tím, že rozměry, provedení a funkce snímací rozkladové elektrody jaou stejné jako u rozkladové elektrody vldlkonu pro běžná snímání obrazu, je možné vyrábět snímací rozkladovou elektrodu pro měření délek obdobným způsobem jako snímací rozkladovou elektrodu pro snímání obrazu, tzn., na stejném výrobním zařízení a použitím stejné technologie· Rozdílné Je pouze provedení fotodiod, které u rozkladové elektrody podle vynálezu umožní při měření zachytit jeden lineární rozměr měřeného předmětu·
Uspořádání podle vynálezu Je výhodné jak z hlediska provozního, tak výrobního, protože kromě samotné rozkladové elektrody je možná vše ostatní převzít z vidikónu, Jehož výroba Je již dobře propracovaná·
Sa obr· 1 je celkový pohled na elektronku 6, ae zabudovanou rozkladovou elektrodou 1, zakrytou skleněným okénkem 2» vakuově spojeným se skleněným pláštěm £ elektronky §·
Na obr. 2 je pohled na rozkladovou elektrodu 1, a řadou 2 fotodiod vytvořených na křemíkové desce·
Na obr. 3 je detail řady 2 fotodiod 21} 22; 22;»·· Obdélníkovitáho tvaru·
Jako příklad lze uvést rozkladovou elektrodu 1, znázorněnou na obr. 2, a detailem na obr. 3, vytvořenou na křemíkové desce o průměru 22 mm, kde jednotlivá fotodlody o rozměrech 5x10 /srn Jsou od sebe vzdáleny 5 £un. Rozkladová elektroda 1 je zabudována do běžně vyráběného systému jednopalcového vldlkonu·

Claims (1)

  1. Polovodičová rozkladová elektroda snímací elektronky pro měření délek, vyznačená tím, že obsahuje jednu přímou řadu (2) fotodiod obdélníkovitáho tvaru (21,22,23), přiléhajících k sobě delšími stranami·
CS956779A 1979-12-29 1979-12-29 Polovodičová rozkladová elektroda snímací elektronky CS213840B1 (cs)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS956779A CS213840B1 (cs) 1979-12-29 1979-12-29 Polovodičová rozkladová elektroda snímací elektronky

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CS956779A CS213840B1 (cs) 1979-12-29 1979-12-29 Polovodičová rozkladová elektroda snímací elektronky

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CS213840B1 true CS213840B1 (cs) 1982-04-09

Family

ID=5445435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CS956779A CS213840B1 (cs) 1979-12-29 1979-12-29 Polovodičová rozkladová elektroda snímací elektronky

Country Status (1)

Country Link
CS (1) CS213840B1 (cs)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3617753A (en) Semiconductor photoelectric converting device
DE69609085T2 (de) Sichtsystem mit mehreren brennpunkten
EP1014034B1 (de) Integrierter optoelektronischer Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE69206641T2 (de) Hochempfindlicher Multiwellenlängenspektralanalysator
DE60221346T2 (de) Gasanalysator unter Verwendung von thermischen Sensoren
WO2017220381A1 (de) Thermopile infrarot einzelsensor für temperaturmessungen oder zur gasdetektion
CN102435311A (zh) 一种光纤束光谱仪
EP0205624A4 (en) SEMICONDUCTOR IMAGE SENSOR.
JP2001516011A (ja) 大規模な高速の、多重化された光ファイバセンサネットワーク
DE102017131049A1 (de) SMD-fähiger Thermopile Infrarot Sensor
IT8023378A0 (it) Dispositivo semiconduttore, metodo di fabbricazione dello stesso, tubo per telecamera e dispositivo di visualizzazione incorporanti tale dispositivo semiconduttore.
US9921106B1 (en) Integrated imaging spectrometer for hyperspectral imaging systems
EP2702364A1 (de) Vorrichtung zur messung von zustandsgrössen
US3995302A (en) Transfer gate-less photosensor configuration
DE3884474T2 (de) Drehpositionskodierer.
US4079507A (en) Method of making silicon-insulator-polysilicon infrared imaging device with orientially etched detectors
CS213840B1 (cs) Polovodičová rozkladová elektroda snímací elektronky
US4398211A (en) Solid state optical microscope
US4335305A (en) Twisting geometry scanner utilizing staggered lens array
US11085760B2 (en) Shape measurement sensor
WO2019008842A1 (ja) 光電変換素子及び光学測定装置
CN220474628U (zh) 宽间距封装成像模组及图像传感器
DE102015108961A1 (de) Bildsensor
DE2247962A1 (de) Thermoelementanordnung auf halbleiterbasis
DE19532749C2 (de) Verfahren und Anordnung zur berührungslosen Längenmessung