CS213685B1 - Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev - Google Patents
Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev Download PDFInfo
- Publication number
- CS213685B1 CS213685B1 CS418580A CS418580A CS213685B1 CS 213685 B1 CS213685 B1 CS 213685B1 CS 418580 A CS418580 A CS 418580A CS 418580 A CS418580 A CS 418580A CS 213685 B1 CS213685 B1 CS 213685B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- silicon
- amorphous magnetic
- magnetic layers
- layers
- passivating
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Vynález spadá do oboru mikroelektroniky. Rieši sposob pasivácie kovových amorfných magnetických vrstiev s bublinovou doménovou átruktúrou. Postupuje sa tak, že na povrch kovových amorfných magnetických vrstiev sa ve vékuu katódovo jednosměrně alebo vysokofrekvenčně naprašuje křemík, oxinitrid kremíka alebo nitrid kremíka v prostředí plynu, kterým može byť argon, dusík alebo zmes argonu a dusíka a to ve vrstvě hrůbky 0,1 až 1,0 £im.
Description
Vynález sa týká sposobu pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev.
Kovové amerfné magnetické vrstvy sú chemicky reaktivně najma s vodnými parami a kyslíkom. Pe depozícii magnetických vrstiev je nevyhnutelné ich pokryť ihneá bez prerušenia vákua ochrannou pašivadnou vrstvou. Prítomnosť pár a plynov z atmosféry V kovových amorfných magnetických vrstvách s bublinovou doménovou Strukturou zhoršuje ich magnetické vlastnosti. Vzhíadom k elektrickoj vodivosti kovových materiálov amorfných magnetických vrstiev má paaivačná vrstva tiež funkciu elektrickoj izolácie. Vsúčasnosti sa na povrchová pasiváciu kovových amorfných magnetických vrstiev používajú ochranné vrstvy oxidov kremíka SiO a S1O2· Pri použití vrstiev oxidov kremíka je poměrně dobré zvládnutá technologie přípravy vákuovým naparováním vrstvy SiO, resp. katodovým naprašovaním vrstvy SiOg· Nevýhodou použitia vrstiev oxidov kremíka je možnosť znečistenia kovových amorfných magnetických vrstiev pefcas depozície pasivačných vrstiev při áalšem spracovaní tenkovrstvových magnetických Struktur a počas prevádzky, hlavně následkem slabých bariérových vlastností vrstiev oxidov kremíka vodči difúzii rozných nečistoť.
Tieto nevýhody sú odstránené u sposobu podlá vynálezu, ktrorého podstatou je, že na povrch kovových amorfných magnetických sa vo výkuu katódovo jednosměrně alebo vysokofrekvenčně naprašuje křemík, oxinitrid kremíka alebo nitrid kremíka v prostředí plynu, ktorým može byť argon, dusík alebo změs argonu a dusíka a to vo vrstvě 0,1 až 1,0 |iin.
V případe použitia terčov z nitridov kremíka alebo exinitridov kremíka je potřebné vrstvy nanášaí vysokofrekvenčným naprašovaním.
Výhody použitia nitridov alebo exinitridov kremíka na pasiváciu kovových amorfných magnetických vrstiev sú v ich vačšej odolnosti voči posobeniu vonkajšej atmosféry, prejavujúcej sa difundováním iónov do vrstvy. Nitridy kremíka alebo exinitridy kremíka majú vačšiu atomérnu hustotu ako oxidy kremíka a zabraňujú difúzii roznych nečistoť, najma atómev alkalických kovov. Vrstvy nitrodov kremíka alebo oxinitridev kremíka dobře chránia před prienikom plynov a voných pár, ktoré sami v óbjeme neebsahujú. Vrstvy nitridov kremíka alebo exinitridov kremíka majú dielektrické vlastnosti vhodné pře izoláciu kovověj magnetickej vrstvy. Použitím vrstiev nitridov kremíka alebo exinitridov kremíka na povrchová pasiváciu kovových amorfných magnetických vrstiev s bublinovou doménovou štruktúrou sa desiahne vysoká časová stabilita štrukturálných, magnetických a chemických vlastností týchto vrstiev, ktorá popísaná v nasledujúcem příklade ilustruje predmet vynálezu bez toho, aby sa i ba naň vzťahovala.
Příklad 1
Amorfné magnetické vrstvy Gd - Cex, keá x = 0,75 až 0,81 boli vysokofrekvenčně naprášené z terča zloženia GdjCo? (Čermák J., Tvarožek V., Harman R., Kaczer J., Phys.Stát. Sel.,/a/ 49« K 81, /1978/). Hrúbka vrstiev Gd Co bola meraná Tolanského metodou interferometrem a hustota vrstiev bola určené vážením. Chemické zloženie vrstiev boli zistené pomoceu elektrénovej mikrosendy a výsledky běli kalibrované hodnotami magnetických mámentev. Nasýtená magnetizácia 4Íf Μθ bola meraná Fenerovým vibračným magnetometrem pemoceu Kerrevhe javu a krystalická štruktúra vrstiev rentgenovou difrakcieu.
213 685
Kovové amorfně magnetické vrstvy pasivované obvyklým postupem podle hoře citovanej literatúry nitridmi a oxinitridmi kfemíka boli velne uložené na vzduchu a pe debe mesiacov znovu zmerené popísanými metodami. Ich vlastnosti a to bublinové doménová štruktúra vyvolaná kolmou magnetickou anizotópiou, nasýtená magnetizácia, amorfná štruktúra a chemické zloženie zostali nezmenené.
Vysokofrekvenčním sposobom naprášené pašivačné vrstvy nitridov a oxinitridev kremíka majú porovnatelné a niektoré lepšie vlastnosti, ako pašivačné vrstvy připravené inými depozičnými metodami (Herman R. a kel. Závěrečná výsk. správa št. výsk. úlohy III - 4 - 3/1, fíl.fak. SVŠT, Bratislava, 1980) Jedná sa nejma o odolnosí voči ůifúzii roznych nečistot, najma atómov alkalických kovov, izolačný odpor a dielektrickú pevnosí, vhodnú pře izoláciu kovověj magnetickej vrstvy.
Claims (1)
- Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev s bublinovou doménovou štruktúreu vyznačujúci sa tým, že na povrch kovových amorfných magnetických vrstiev sa vo vákuu katodové jednosměrně alebo vysokofrekvenčně naprašuje křemík, oxinitrid kremíka alebo nitrid kremíka v prostředí plynu, ktorým inože býí atgón, dusík alebo zmes argonu
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS418580A CS213685B1 (sk) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS418580A CS213685B1 (sk) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS213685B1 true CS213685B1 (sk) | 1982-04-09 |
Family
ID=5384017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS418580A CS213685B1 (sk) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS213685B1 (sk) |
-
1980
- 1980-06-13 CS CS418580A patent/CS213685B1/sk unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Reynolds et al. | Mean free paths of electrons in evaporated metal films | |
| Ishizaka et al. | Si SiO2 interface characterization by ESCA | |
| Liau et al. | Influence of atomic mixing and preferential sputtering on depth profiles and interfaces | |
| Baglin et al. | Absolute cross section for hydrogen forward scattering | |
| Maniv et al. | Oxidation of an aluminum magnetron sputtering target in Ar/O2 mixtures | |
| Van de Riet et al. | Incongruent transfer in laser deposition of FeSiGaRu thin films | |
| Dufour et al. | Ion beam mixing effects induced in the latent tracks of swift heavy ions in a Fe/Si multilayer | |
| Miyake et al. | Formation of iron film by ion beam deposition | |
| Hata et al. | High rate deposition of thick piezoelectric ZnO films using a new magnetron sputtering technique | |
| Chamberlain et al. | Lattice and grain boundary diffusion of copper in thin aluminum films | |
| Hues et al. | Oxygen-induced segregation effects in sputter depth-profiling | |
| Muhl et al. | Aluminium nitride films prepared by reactive magnetron sputtering | |
| Wie et al. | Two types of MeV ion beam enhanced adhesion for Au films in SiO2 | |
| Sockel et al. | Investigations of slow exchange processes at metal and oxide surfaces and interfaces using secondary ion mass spectrometry | |
| CS213685B1 (sk) | Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev | |
| Winter et al. | Wall conditioning of TEXTOR | |
| Besenbacher et al. | Stopping power of solid argon for helium ions | |
| Uchida et al. | Preparation and characterization of (Tb, Dy) Fe2 giant magnetostrictive thin films for surface acoustic wave devices | |
| Mozetic et al. | AES characterization of thin oxide films growing on Al foil during oxygen plasma treatment | |
| Hou et al. | Distribution of ion-implanted yttrium in Cr2O3 scales and in the underlying Ni-25wt.% Cr alloy | |
| Maissel et al. | Sputter-etching of heterogeneous surfaces | |
| La Marche et al. | Crystallographic contrast due to primary ion channelling in the scanning ion microscope | |
| Cohen et al. | Characterization of the surface oxidation and magnetic properties of MnFe thin films | |
| Möller et al. | Accuracy of film thickness determination in electron probe microanalysis | |
| Muralidhar et al. | Structural and compositional studies of magnetron-sputtered Nd–Fe–B thin films on Si (100) |