CS213685B1 - Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev - Google Patents
Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev Download PDFInfo
- Publication number
- CS213685B1 CS213685B1 CS418580A CS418580A CS213685B1 CS 213685 B1 CS213685 B1 CS 213685B1 CS 418580 A CS418580 A CS 418580A CS 418580 A CS418580 A CS 418580A CS 213685 B1 CS213685 B1 CS 213685B1
- Authority
- CS
- Czechoslovakia
- Prior art keywords
- silicon
- amorphous magnetic
- magnetic layers
- layers
- passivating
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
213 885
Vynález sa týká sposebu pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev.
Kovové amorfně magnetické vrstvy, sú chemicky reaktivně najma s vodnými parami a kys-líkem. Po depozícii magnetických vrstiev je nevyhnutelné ich pokryl ihneá bez prerušeniavákua ochrannou pašivadnou vrstvou. Frítemnost pár a plynov z atmosféry V kovových amorf-ných magnetických vrstvách s bublinovou doménovou Strukturou zhoršuje ich magnetické vlast-nosti. Vzhladem k elektrickéj vodivosti kovových materiálov amorfných magnetických vrstievmá pasivačná vrstva tiež funkciu elektrickéj izolácie. Vsúčasnosti sa na pevrchovú pasi-váciu kovových amorfných magnetických vrstiev používajú ochranné vrstvy oxidov kremíkaSiO a S1O2· Pri použití vrstiev oxidov kremíka je poměrně dobré zvládnutá technologie pří-pravy vákuovým naparováním vrstvy SiO, resp. katodovým naprašovaním vrstvy SiOg· Nevýho-dou použitia vrstiev oxidov kremíka je možnost znečistenia kovových amorfných magnetickýchvrstiev počas depozície pasivačných vrstiev při ňalšom spracovaní tenkovrstvových magne-tických štruktúr a počas prevádzky, hlavně následkem slabých bariérových vlastností vrstievoxidov kremíka vodči difúzii rozných nečistol.
Tieto nevýhody sú odstránené u sposobu podlá vynálezu, ktrorého podstatou je, že napovrch kovových amorfných magnetických sa vo výkuu katódovo jednosměrně alebo vysokofrek-venčně naprašuje křemík, oxinitrid kremíka alebo nitrid kremíka v prostředí plynu, ktorýmmaže byl argon, dusík alebo změs argonu a dusíka a to vo vrstvě 0,1 až 1,0 |iin. V případe použitia terčov z nitridov kremíka alebo exinitridov kremíka je potřebnévrstvy nanášel vysokofrekvenčným naprašovaním. Výhody použitia nitridov alebo exinitridov kremíka na pasiváciu kovových amorfnýchmagnetických vrstiev sú v ich vačšej odolnosti voči posobeniu vonkajšej atmosféry, preja-vujúcej sa difundováním iónov do vrstvy. Nitridy kremíka alebo exinitridy kremíka majúvačšiu atemárnu hustotu ako oxidy kremíka a zabraňujú difúzii roznych nečistol, najmaatómov alkalických kovov. Vrstvy nitrodov kremíka alebo oxinitridov kremíka dobře chrániapřed prienikom plynov a voných pár, které sami v óbjeme neebsahujú. Vrstvy nitridov kremí-ka alebo exinitridov kremíka majú dielektrické vlastnosti vhodné pře izoláciu kovověj mag-netickej vrstvy. Použitím vrstiev nitridov kremíka alebo exinitridov kremíka na povrchovúpasiváciu kovových amorfných magnetických vrstiev s bublinovou doménovou štruktúrou sa do-siahne vysoká časová stabilita átrukturálných, magnetických a chemických vlastností tých-to vrstiev, ktorá popísaná v nasledujúcem příklade ilustruje predmet vynálezu bez toho,aby sa i ba naň vzlahovala. Příklad 1
Amorfně magnetické vrstvy Gd - 0βχ, keá x = 0,75 až 0,81 boli vysokofrekvenčně na-prášené z terča zloženia GdjCo? (Čermák J., Tvarožek V., Harman R., Kaczer J., Phys.Stat.Sol.,/a/ 49« K 81, /1978/). Hrúbka vrstiev Gd Co bola meraná Tolanského metodou interfero-metrem a hustota vrstiev bola určené vážením. Chemické zloženie vrstiev boli zistené po-mocou elektronovéj mikrosendy a výsledky boli kalibrované hodnotami magnetických mémentev.Nasýtená magnetizácia 431*Μθ bola meraná Fenerovým vibračným magnetometrem pomocou Ker-revhe javu a kryštaíická štruktúra vrstiev rentgenovou difrakciou.
Claims (1)
- 2 213 685 Kovové amorfně magnetické vrstvy pasivované obvyklým postupem podle hoře citova-nej literatúry nitridmi a oxinitridmi kremíka boli velne uložené na vzduchu a po době 6 mesiacov znovu zmerené popísanými metodami. Ich vlastnosti a to bublinové doménováštruktúra vyvolaná kolmou magnetickou anizotópiou, nasýtená magnetizácia, amorfná štruk-túra a chemické zloženie zastali nezmenené. Vysokofrekvenčním sposobom naprášené pašivačné vrstvy nitridov a oxinitridov kre-míka majú porovnatelné a niektoré lepšie vlastnosti, ako pašivačné vrstvy připravené iný-mi depozičnými metodami (Herman R. a kol. Závěrečná výsk. správa št. výsk. úlohy III - 4- 3/1, fíl.fak. SVŠT, Bratislava, 1980) Jedná sa nejma o odolnosí voči ůifúzii roznych ne-čistot, najma atómov alkalických kovov, izolačný odpor a dielektrickú pevnosí, vhodnú přeizoláciu kovověj magnetickej vrstvy. PREDMET VYNÁLEZU Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev s bublinovou domé-novou štruktúreu vyznačujúcí sa tým, že na povrch kovových amorfných magnetických vrstievsa ve vákuu katodové jednosměrně alebo vysokofrekvenčně naprašuje křemík, oxinitrid kremí-ka alebo nitrid kremíka v prostředí plynu, Ictořýminože býí atgón, dusík alebo zmes argonua dusíku a to ve vrstvě hrůbky 0,1 až 1,0 jim.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS418580A CS213685B1 (sk) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS418580A CS213685B1 (sk) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CS213685B1 true CS213685B1 (sk) | 1982-04-09 |
Family
ID=5384017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CS418580A CS213685B1 (sk) | 1980-06-13 | 1980-06-13 | Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CS (1) | CS213685B1 (cs) |
-
1980
- 1980-06-13 CS CS418580A patent/CS213685B1/cs unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Reynolds et al. | Mean free paths of electrons in evaporated metal films | |
| Ishizaka et al. | Si SiO2 interface characterization by ESCA | |
| Liau et al. | Influence of atomic mixing and preferential sputtering on depth profiles and interfaces | |
| Baglin et al. | Absolute cross section for hydrogen forward scattering | |
| Maniv et al. | Oxidation of an aluminum magnetron sputtering target in Ar/O2 mixtures | |
| Van de Riet et al. | Incongruent transfer in laser deposition of FeSiGaRu thin films | |
| Dufour et al. | Ion beam mixing effects induced in the latent tracks of swift heavy ions in a Fe/Si multilayer | |
| Miyake et al. | Formation of iron film by ion beam deposition | |
| Hata et al. | High rate deposition of thick piezoelectric ZnO films using a new magnetron sputtering technique | |
| Chamberlain et al. | Lattice and grain boundary diffusion of copper in thin aluminum films | |
| Hues et al. | Oxygen-induced segregation effects in sputter depth-profiling | |
| Muhl et al. | Aluminium nitride films prepared by reactive magnetron sputtering | |
| Wie et al. | Two types of MeV ion beam enhanced adhesion for Au films in SiO2 | |
| Sockel et al. | Investigations of slow exchange processes at metal and oxide surfaces and interfaces using secondary ion mass spectrometry | |
| CS213685B1 (sk) | Sposob pasivácie povrchu kovových amorfných magnetických vrstiev | |
| Winter et al. | Wall conditioning of TEXTOR | |
| Besenbacher et al. | Stopping power of solid argon for helium ions | |
| Uchida et al. | Preparation and characterization of (Tb, Dy) Fe2 giant magnetostrictive thin films for surface acoustic wave devices | |
| Mozetic et al. | AES characterization of thin oxide films growing on Al foil during oxygen plasma treatment | |
| Hou et al. | Distribution of ion-implanted yttrium in Cr2O3 scales and in the underlying Ni-25wt.% Cr alloy | |
| Maissel et al. | Sputter-etching of heterogeneous surfaces | |
| La Marche et al. | Crystallographic contrast due to primary ion channelling in the scanning ion microscope | |
| Cohen et al. | Characterization of the surface oxidation and magnetic properties of MnFe thin films | |
| Möller et al. | Accuracy of film thickness determination in electron probe microanalysis | |
| Muralidhar et al. | Structural and compositional studies of magnetron-sputtered Nd–Fe–B thin films on Si (100) |